井田次郎 Ida Jiro

研究者番号	60506450
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 金沢工業大学, 産学連携室, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度 – 2018年度: 金沢工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外理工系
キーワード	研究代表者以外放射線センサー / 3次元積層 / 低消費電力デバイス / ３次元積層 / 量子線イメージング / 微細加工プロセス / 先端機能デバイス / 放射線センサ / Silicon On Insulator / 半導体

SOI ３次元ピクセルプロセスの研究
- 研究代表者
  
  新井康夫
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2017
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Diode Characteristics of a Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for Energy Harvesting Applications2018
- 著者名/発表者名
  Mori Takayuki、Ida Jiro、Momose Shun、Itoh Kenji、Ishibashi Koichiro、Arai Yasuo
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 565-570
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2824344
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-WRAPUP-18H05200, KAKENHI-PLANNED-25109002
[雑誌論文] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET’s of Ultra Low Drain Voltage=0.1V with Body Bias below 1.0V2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Yoshida, Jiro Ida, Takashi Horii, Masao Okihara and Yasuo Arai
- 雑誌名
  
  Proceedings of IEEE SOI-3D-Subtreshold Microelectronics Unified Conference
  
  巻: - ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[雑誌論文] Super steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET with ultra low drain voltage down to 0.1V2015
- 著者名/発表者名
  Jiro Ida, Takayuki Mori, Yousuke Kuramoto, Takashi Horii, Takahiro Yoshida, Kazuma Takeda, Hiroki Kasai, Masao Okihara, Yasuo Arai
- 雑誌名
  
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  
  巻: 15800967 ページ: 22.7.1-22.7.4
- DOI
  10.1109/iedm.2015.7409761
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[雑誌論文] Total Ionization Damage Compensations in Double Silicon-on-Insulator Pixel Sensors2014
- 著者名/発表者名
  S. HONDA, K. HARA, K. TSUCHIDA, M. ASANO, N. TOBITA, T. MAEDA, Y. ARAI, T. MIYOSHI, et al.
- 雑誌名
  
  Proceedings of Science
  
  巻: TIPP2014 ページ: 1-8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[雑誌論文] Mechanism of Super Steep Subthreshold Slope Characteristics with Body-Tied SOI MOSFET2013
- 著者名/発表者名
  Takayuki Mori, Jiro Ida
- 雑誌名
  
  Proceedings of SISPAD Conference
  
  巻: 1 ページ: 101-104
- DOI
  10.1109/sispad.2013.6650584
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[雑誌論文] Possibility of SOI Based Super Steep Subthreshold Slope MOSFETＳfor Ultra Low Voltage Application2013
- 著者名/発表者名
  Takayuki Mori and Jiro Ida
- 雑誌名
  
  Proceedings of S3S Conference
  
  巻: 1 ページ: 1-2
- DOI
  10.1109/s3s.2013.6716550
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[学会発表] CP 法による SOI 裏面界面準位密度の評価2017
- 著者名/発表者名
  武田和馬,井田次郎, 林拓郎，細野竜太郎, 新井康夫
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[学会発表] Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s2016
- 著者名/発表者名
  Takashi Horii, Jiro Ida, Takahiro Yoshida, Masao Okihara and Yasuo Arai
- 学会等名
  IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[学会発表] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET with Ultra Low Drain Voltage down to 0.1V2015
- 著者名/発表者名
  Jiro Ida
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Washington, D.C.(USA)
- 年月日
  2015-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[学会発表] Research Status of Super Steep Cut off Devices and Possibility of it by SOI Based Devices for Ultra Low Power Applications
- 著者名/発表者名
  J. Ida
- 学会等名
  2014 CMOS Emerging Technologies Workshop
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-06-06 – 2014-06-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002
[学会発表] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの提案
- 著者名/発表者名
  森　貴之、田篠　奏、井田　次郎
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-17 – 2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-25109002

1. 新井康夫 (90167990)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
2. 倉知郁生 (00533944)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 三好敏喜 (20470015)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

井田 次郎 Ida Jiro

研究課題

研究成果

共同研究者

SOI ３次元ピクセルプロセスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Diode Characteristics of a Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for Energy Harvesting Applications2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET’s of Ultra Low Drain Voltage=0.1V with Body Bias below 1.0V2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Super steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET with ultra low drain voltage down to 0.1V2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Total Ionization Damage Compensations in Double Silicon-on-Insulator Pixel Sensors2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Mechanism of Super Steep Subthreshold Slope Characteristics with Body-Tied SOI MOSFET2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Possibility of SOI Based Super Steep Subthreshold Slope MOSFETＳfor Ultra Low Voltage Application2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] CP 法による SOI 裏面界面準位密度の評価2017

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET with Ultra Low Drain Voltage down to 0.1V2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Research Status of Super Steep Cut off Devices and Possibility of it by SOI Based Devices for Ultra Low Power Applications

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの提案

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

井田次郎 Ida Jiro