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井上 聡  Inoue Satoshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60553237
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2015年度: 北陸先端科学技術大学院大学, グリーンデバイス研究センター, 教授
2014年度 – 2015年度: 北陸先端科学技術大学院大学, グリーンデバイス研究センター, 特任教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
Contact resistance / Liquid material / Power device / Solution process / Silicon carbide
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  パワー半導体への適用を目指した液体プロセスによるSiC膜の研究研究代表者

    • 研究代表者
      井上 聡
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 産業財産権

  • [雑誌論文] Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemission spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials2016

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Murakami, Takashi Masuda, Satoshi Inoue, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, and Tatsuya Shimoda
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 6

    • NAID

      120007135360

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630127
  • [産業財産権] 前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法2015

    • 発明者名
      下田達也、井上聡、増田貴史、村上達也、岩室憲幸、矢野裕司
    • 権利者名
      北陸先端科学技術大学院、筑波大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-030433
    • 出願年月日
      2015-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630127
  • 1.  徳光 永輔 (10197882)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  下田 達也 (70447689)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 3.  増田 貴史 (70643138)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

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