重川直輝 Shigekawa Naoteru

研究者番号	60583698
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大阪公立大学, 大学院工学研究科 , 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 2016年度 – 2021年度: 大阪市立大学, 大学院工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / エネルギー学 / 結晶工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者ダイヤモンド / 表面活性化接合 / 界面熱抵抗 / 熱処理 / 接合界面 / シリコン / 直接接合 / X線回折 / EDX / HAADF-STEM … もっと見る / ダイヤモンド//シリコン接合 / 立方晶SiC中間層 / ダイヤモンド//Si接合界面 / ヘテロエピタキシャル成長 / ダイヤモンド//3C-SiC接合界面 / 耐熱性 / 中間層 / 固相固相界面 / Cu / Al / Si / 界面中間層 / 熱処理効果 / ワイドギャップ半導体 / 光物性 / ナノ材料 / エネルギー効率化 / 短絡電流 / LBL法 / レイヤバイレイヤ法 / シリコン太陽電池 / 内部量子効率 / コアシエル型ナノ粒子 / コアシェル型ナノ粒子 / 半導体ナノ粒子 / 量子効率 / 太陽電池 / パワーデバイス / 固相・固相界面 / XPS / EELS / 常温接合 / ラマン分光顕微鏡 / 応力分布 / ダイヤモンド単結晶 / アモルファス層 / 界面 / 単結晶ダイヤモンド … もっと見る研究代表者以外高温耐熱性 / GaN/ダイヤモンド直接接合 / 直接接合 / 基板接合 / 高電子移動度トランジスタ / 電界効果トランジスタ / 窒化物半導体 / 構造相転移 / シリコンカーバイド / シリコン / 酸化ガリウム / シリコンカーバイド (SiC) / シリコン (Si) / 表面活性化 / 酸化ガリウム (Ga2O3) / 導電性ダイヤモンド / 直接接合界面 / 耐熱性 / 界面構造 / 結合状態 / ヘテロ構造 / 電流－電圧特性 / Si/ダイヤモンドヘテロ接合 / 中間層 / ダイヤモンドの再結晶 / 接合界面構造 / ヘテロ接合 / 高耐熱性 / Ga2O3 / 放熱問題 / GaN / ダイヤモンド隠す

接合法による低温・低圧でのアモルファスカーボン～ダイヤモンドへの構造相移転の解明
- 研究代表者
  
  梁剣波
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪公立大学
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
- 研究代表者
  
  末光哲也
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御研究代表者
- 研究代表者
  
  重川直輝
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪公立大学
   大阪市立大学
縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成
- 研究代表者
  
  梁剣波
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪公立大学
   大阪市立大学
パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム／IV族半導体直接接合界面形成
- 研究代表者
  
  東脇正高
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人情報通信研究機構
高効率素子に向けたワイドギャップ半導体／ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  重川直輝
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪市立大学
半導体ナノ粒子の波長変換機能によるアドオン型の太陽電池特性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  重川直輝
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  エネルギー学
- 研究機関
  大阪市立大学
パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  重川直輝
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪市立大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化2017
- 著者名/発表者名
  重川直輝（分担執筆）
- 総ページ数
  8
- 出版者
  技術情報協会
- ISBN
  9784861046827
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[雑誌論文] Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding2023
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 133 号: 19
- DOI
  10.1063/5.0128554
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[雑誌論文] Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications2022
- 著者名/発表者名
  Liang Jianbo、Takatsuki Daiki、Higashiwaki Masataka、Shimizu Yasuo、Ohno Yutaka、Nagai Yasuyoshi、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SF ページ: SF1001-SF1001
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac4c6c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00359, KAKENHI-PROJECT-19H02182
[雑誌論文] Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding2022
- 著者名/発表者名
  Uehigashi Yota、Ohmagari Shinya、Umezawa Hitoshi、Yamada Hideaki、Liang Jianbo、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 130 ページ: 109425-109425
- DOI
  10.1016/j.diamond.2022.109425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[雑誌論文] Heterojunctions fabricated by surface activated bonding?dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process2022
- 著者名/発表者名
  Shigekawa Naoteru、Liang Jianbo、Ohno Yutaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 12 ページ: 120101-120101
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac993f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[雑誌論文] Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties2022
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 7 ページ: 074501-074501
- DOI
  10.1063/5.0080734
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[雑誌論文] ダイヤモンドと異種材料の直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について2022
- 著者名/発表者名
  梁剣波、重川直輝
- 雑誌名
  
  月刊マテリアルステージ
  
  巻: 3 ページ: 67-70
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[雑誌論文] Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding2022
- 著者名/発表者名
  Ohno Yutaka、Liang Jianbo、Yoshida Hideto、Shimizu Yasuo、Nagai Yasuyoshi、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SF ページ: SF1006-SF1006
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5d11
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00359, KAKENHI-PROJECT-23K21083
[雑誌論文] Room-temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer2022
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Ayaka、Tomiyama Hazuki、Ohno Yutaka、Shimizu Yasuo、Nagai Yasuyoshi、Shigekawa Naoteru、Liang Jianbo
- 雑誌名
  
  Functional Diamond
  
  巻: 2 号: 1 ページ: 142-150
- DOI
  10.1080/26941112.2022.2145508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[雑誌論文] Comparison of thermal stabilities of p<sup>+</sup>-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  Uehigashi Yota、Ohmagari Shinya、Umezawa Hitoshi、Yamada Hideaki、Liang Jianbo、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SF ページ: SF1009-SF1009
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac6480
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[雑誌論文] Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design2021
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa
- 雑誌名
  
  Adavanced Materials
  
  巻: 33 号: 43 ページ: 2104564
- DOI
  10.1002/adma.202104564
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019594
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02616, KAKENHI-PROJECT-20K04581
[雑誌論文] Fabrication of p+-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties2021
- 著者名/発表者名
  Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 120 ページ: 108665-108665
- DOI
  10.1016/j.diamond.2021.108665
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[雑誌論文] Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications2020
- 著者名/発表者名
  S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SB ページ: SBBB03-SBBB03
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab4f19
- NAID
  210000157393
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02616, KAKENHI-PROJECT-18K19034
[雑誌論文] Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management2020
- 著者名/発表者名
  J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S-W Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, and N. Shigekawa
- 雑誌名
  
  Appl. Nano Materials
  
  巻: 3 号: 3 ページ: 2455-2462
- DOI
  10.1021/acsanm.9b02558
- NAID
  120007002299
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019587
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02616, KAKENHI-PROJECT-18K19034, KAKENHI-PROJECT-20H00359
[雑誌論文] 半導体基板の常温直接接合技術2020
- 著者名/発表者名
  重川直輝、梁　剣波
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会和文論文誌C
  
  巻: J103-C
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[雑誌論文] Synthesis of Mn-Doped ZnSe-ZnS Alloy Quantum Dots by a Hydrothermal Method2019
- 著者名/発表者名
  Nishimura Hisaaki、Lin Yuxin、Hizume Masayuki、Taniguchi Taichi、Shigekawa Naoteru、Takagi Tomomi、Sobue Susumu、Kawai Shoichi、Okuno Eiichi、Kim DaeGwi
- 雑誌名
  
  Chemistry Letters
  
  巻: 48 号: 9 ページ: 1081-1083
- DOI
  10.1246/cl.190365
- NAID
  130007703016
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019745
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[雑誌論文] Room-temperature direct bonding of diamond and Al2019
- 著者名/発表者名
  Liang Jianbo、Yamajo Shoji、Kuball Martin、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia
  
  巻: 159 ページ: 58-61
- DOI
  10.1016/j.scriptamat.2018.09.016
- NAID
  120006957157
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2020485
- 言語
  英語
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[雑誌論文] Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells2019
- 著者名/発表者名
  Idutsu Y.、Tanaka S.、Liang J.、Narazaki T.、Nishimura H.、Kim D.G.、Shigekawa N.
- 雑誌名
  
  Proc. 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
  
  巻: - ページ: 1753-1755
- DOI
  10.1109/pvsc40753.2019.8981279
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[雑誌論文] Hydrothermal synthesis of ZnSe:Mn quantum dots and their optical properties2019
- 著者名/発表者名
  Nishimura Hisaaki、Lin Yuxin、Hizume Masayuki、Taniguchi Taichi、Shigekawa Naoteru、Takagi Tomomi、Sobue Susumu、Kawai Shoichi、Okuno Eiichi、Kim DaeGwi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 025223-025223
- DOI
  10.1063/1.5085814
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[雑誌論文] Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface2019
- 著者名/発表者名
  Liang Jianbo、Zhou Yan、Masuya Satoshi、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kim Seongwoo、Kuball Martin、Kasu Makoto、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 93 ページ: 187-192
- DOI
  10.1016/j.diamond.2019.02.015
- NAID
  120007003475
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019804
- 言語
  英語
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[雑誌論文] Stability of Diamond/Si Bonding Interface during Device Fabrication Process2018
- 著者名/発表者名
  Liang Jianbo、Masuya Satoshi、Kim Seongwoo、Oishi Toshiyuki、Kasu Makoto、Shigekawa Naoteru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 016501
- DOI
  10.7567/1882-0786/aaeedd
- NAID
  120006770046
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019625
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[雑誌論文] Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates2017
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS
  
  巻: 110 号: 11 ページ: 111603
- DOI
  10.1063/1.4978666
- NAID
  120006453318
- URL
  https://ocu-omu.repo.nii.ac.jp/records/2019635
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[雑誌論文] 創エネ・省エネデバイスを目指す異種半導体材料の貼りあわせ2017
- 著者名/発表者名
  重川直輝
- 雑誌名
  
  Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ
  
  巻: 60 号: 11 ページ: 421-427
- DOI
  10.3131/jvsj2.60.421
- NAID
  130006252384
- ISSN
  1882-2398, 1882-4749
- 言語
  日本語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[産業財産権] 特許権2023
- 発明者名
  重川直輝、梁　剣波
- 権利者名
  重川直輝、梁　剣波
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2023
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[産業財産権] 特許権2022
- 発明者名
  重川直輝、梁　剣波
- 権利者名
  重川直輝、梁　剣波
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[産業財産権] 特許権2019
- 発明者名
  梁剣波、重川直輝
- 権利者名
  梁剣波、重川直輝
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-125039
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[産業財産権] 知的財産権2018
- 発明者名
  梁剣波、重川直輝、嘉数誠
- 権利者名
  梁剣波、重川直輝、嘉数誠
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-094186
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価2023
- 著者名/発表者名
  上東洋太、大曲新矢、梅沢仁、山田英明、梁剣波、重川直輝
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology2023
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  Hasselt Diamond Workshop 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価2023
- 著者名/発表者名
  早川譲稀 , 大野裕 , 永井康介 , 重川直輝 , 梁剣波
- 学会等名
  第７０回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] Investigation of conduction band offset at n-Si/n-Ga2O3 heterojunction fabricated by surface-activated bonding2022
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] Investigation of capacitance-voltage characteristics of p-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding2022
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価2022
- 著者名/発表者名
  上東洋太、大曲新矢、梅沢仁、山田英明、梁剣波、重川直輝
- 学会等名
  第６９回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] Fabrication of High-Thermal-Stability GaN/Diamond Junctions via Intermediate Layers2022
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  Conference on Wafer Bonding for Microsystems, 3D- and Wafer Level Integration (WaferBond '22)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[学会発表] Ga2O3 device technologies: Power switching and high-frequency applications, and beyond2022
- 著者名/発表者名
  Masataka Higashiwaki, Takafumi Kamimura, Sandeep Kumar, Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] Ga2O3 device physics and engineering for power electronics and new directions2022
- 著者名/発表者名
  Masataka Higashiwaki, Takafumi Kamimura, Sandeep Kumar, Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価2022
- 著者名/発表者名
  梁剣波、清水康雄、大野裕、永井康介、重川直輝
- 学会等名
  第６９回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] p-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding2022
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Takahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] Development of surface-activated bonding technologies to compensate for shortcomings of Ga2O3 devices2022
- 著者名/発表者名
  Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Naoki Hatta, Kuniaki Yagi, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa,
- 学会等名
  2022 MRS Spring Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes2021
- 著者名/発表者名
  Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] Fabrication and Characterization of GaN/Diamond Boding Interface2021
- 著者名/発表者名
  Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang
- 学会等名
  2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04581
[学会発表] Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications2021
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Shimizu Yasuo, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  The 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature2021
- 著者名/発表者名
  Ohno Yutaka、Liang Jianbo、Yoshida Hideto、Shimizu Yasuo、Nagai Yasuyoshi、Shigekawa Naoteru
- 学会等名
  2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21083
[学会発表] Electrical characteristics of n-Ga2O3/n-Si heterojunction formed by surface-activated bonding2021
- 著者名/発表者名
  Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価2020
- 著者名/発表者名
  小林礼佳、清水康雄、大野裕、金聖祐、小山浩司、嘉数誠、重川直輝、梁剣波
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価2020
- 著者名/発表者名
  万澤欣、高月大輝、林家弘、梁剣波、東脇正高、重川直輝
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02182
[学会発表] Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果2020
- 著者名/発表者名
  井筒由紀、梁剣波、西村悠陽、金大貴、重川直輝
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] Modulation of Characteristics of Si Solar Cells by Luminescence- Downshifting Zn-Based Nanoparticles with Mn doped2020
- 著者名/発表者名
  Y.Idutsu, J.Liang, H.Nishimura, D.G.Kim, and N.Shigekawa
- 学会等名
  2020 IEEE 47th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] Direct bonding of diamond and Cu at room temperature for power device application2019
- 著者名/発表者名
  J. Liang, N. Shigekawa
- 学会等名
  13th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature2019
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Makoto Kasu, Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications2019
- 著者名/発表者名
  Y. Nakamura, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製2019
- 著者名/発表者名
  梁剣波、清水康雄、大野裕、白崎謙次、永井康介、嘉数誠、金聖祐、Kuball Martin、重川直輝
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application2019
- 著者名/発表者名
  S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang
- 学会等名
  2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] 高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製2019
- 著者名/発表者名
  中村祐志、桝谷聡士、嘉数誠、重川直輝、梁剣波
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成2019
- 著者名/発表者名
  梁剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数誠、重川直輝
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells2019
- 著者名/発表者名
  Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, D.G.Kim, and N.Shigekawa
- 学会等名
  46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果2019
- 著者名/発表者名
  井筒由紀、田中駿、梁剣波、楢崎友城、西村悠陽、金大貴、重川直輝
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure2019
- 著者名/発表者名
  J. Liang, Y. Zhou, S. Masuya ; F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa
- 学会等名
  2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications2019
- 著者名/発表者名
  J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, S. Kim, M. Kasu, M. Kuball, and N. Shigekawa
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] GaAs/Diamond直接接合の界面評価2019
- 著者名/発表者名
  中村祐志、清水康雄、大野裕、詹天卓、山下雄一郎、白崎謙次、永井康介、渡邊孝信、嘉数誠、重川直輝、梁剣波
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Room-temperature direct bonding of diamond to aluminum2018
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  12th international New Diamond and Nano Carbons Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[学会発表] Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製2018
- 著者名/発表者名
  神田進司、山條翔二、Martin Kuball、重川直輝、梁剣波
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Room-Temperature Direct Bonding of Diamond to Aluminum2018
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性2018
- 著者名/発表者名
  田中駿、楢崎友城、梁剣波、金大貴、重川直輝
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 21a-133-5
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding2018
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  29th International Conference on Diamond and Carbon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K19034
[学会発表] Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI2017
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Manikant Singh, Michael J. Uren, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[学会発表] Si基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価2017
- 著者名/発表者名
  Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Yan Zhou, Filip Gucmann, Manikant Singh, James Poweroy, Martin Kuball, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676
[学会発表] Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果2017
- 著者名/発表者名
  田中駿、浅川良介、小川智輝、楢崎友城、梁剣波、金大貴、重川直輝
- 学会等名
  第７８回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03538
[学会発表] ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合2016
- 著者名/発表者名
  梁　剣波、桝谷　聡士、嘉数　誠、重川　直輝
- 学会等名
  2016年　第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K13676

1. 梁剣波 (80757013)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 45件
2. 嘉数誠 (50393731)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 15件
3. 大野裕 (80243129)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
4. 東脇正高 (70358927)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
5. 金大貴 (00295685)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
6. 末光哲也 (90447186)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 高橋琢二 (20222086)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 清水康雄

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
9. 吉田健太

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
10. 永井康介

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

重川 直輝 Shigekawa Naoteru

研究課題

研究成果

共同研究者

接合法による低温・低圧でのアモルファスカーボン～ダイヤモンドへの構造相移転の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム／IV族半導体直接接合界面形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高効率素子に向けたワイドギャップ半導体／ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半導体ナノ粒子の波長変換機能によるアドオン型の太陽電池特性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 異種材料の接着・接合技術と マルチマテリアル化2017

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[雑誌論文] Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heterojunctions fabricated by surface activated bonding?dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties2022

著者名/発表者名

重川直輝 Shigekawa Naoteru

[図書] 異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化2017