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升本 恵子  Masumoto Keiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60635324
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度 – 2023年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード
研究代表者
バルク / エピタキシャル / CVD / SiC / 3Cインクルージョン / 炭化ケイ素 / on-axis / スパイラル成長 / エピタキシャル成長 / 炭化珪素 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る MOSFET / 原子的平坦化 / 原子的平坦面 / 原子的平坦界面 / チャネル移動度 / 電界効果トランジスタ / シリコンカーバイド / プロセスインテグレーション / 移動度 / 散乱 / パワーデバイス / MOS界面 / SiC 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (3件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減

    • 研究代表者
      染谷 満
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  CVD法を用いたSiCバルク結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      升本 恵子
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2020 2019

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Investigation of Factors Influencing the Occurrence of 3C-Inclusions for the Thick Growth of on-Axis C-Face 4H-SiC Epitaxial Layers2020

    • 著者名/発表者名
      Masumoto Keiko、Kojima Kazutoshi、Yamaguchi Hiroshi
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 13 号: 21 ページ: 4818-4818

    • DOI

      10.3390/ma13214818

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04252
  • [学会発表] 4H-SiC C面 on-axis基板上の厚膜エピタキシャル成長2019

    • 著者名/発表者名
      升本恵子、児島一聡、奥村元
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04252
  • [学会発表] SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価2019

    • 著者名/発表者名
      升本恵子、児島一聡、奥村元
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04252
  • 1.  染谷 満 (60783644)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  平井 悠久 (10828122)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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