山田永 Yamada Hisashi

研究者番号	60644432
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-7850-9964
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2023年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者紫外光域 / トップエミッション型 / AlGaN系LED / 光反射 / 歪み緩和 / ジボラン / 貫通転位 / 格子緩和 / 残留不純物 / MOCVD / UV-LED / AlGaN / 六方晶窒化ホウ素 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る Fin FET / 選択成長 / FinFET / 立体チャネル / パワーデバイス / GaN / 窒化ガリウム隠す

h－BNを用いたトップエミッション型深紫外LEDの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  山田永
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Metal Organic Chemical Vapor Deposition of n-AlGaN Grown on Strain-Relaxed Distributed Bragg Reflector Buffer Layers2024
- 著者名/発表者名
  Hisashi Yamada, Naoto Kumagai, Toshikazu Yamada
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 2024 号: 11
- DOI
  10.1002/pssb.202300558
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[雑誌論文] Reduction in Residual Impurities in Chemical Vapor Deposition-Grown Hexagonal Boron Nitride Thin Films2023
- 著者名/発表者名
  Yamada Hisashi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 2023 号: 8 ページ: 2200352-2200352
- DOI
  10.1002/pssb.202200352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[雑誌論文] Fully-relaxed n-AlGaN on AlN / Al2O3 templates using strain-relaxed super-lattice buffer layers2022
- 著者名/発表者名
  Yamada Hisashi
- 雑誌名
  
  Materials Chemistry and Physics
  
  巻: 291 ページ: 126738-126738
- DOI
  10.1016/j.matchemphys.2022.126738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[産業財産権] 化合物半導体基板2022
- 発明者名
  山田永
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[産業財産権] 化合物半導体基板2021
- 発明者名
  山田　永
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[学会発表] Growth of high purity CVD-grown h-BN using B2H6 and NH32023
- 著者名/発表者名
  Hisashi YAMADA
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147
[学会発表] MOCVD of AlGaN MQWs Grown on Stain Relaxed Superlattice DBR Buffer Layers toward UV top emission LEDs2023
- 著者名/発表者名
  Hisashi YAMADA, Naoto KUMAGAI, Toshikazu YAMADA
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04147

1. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 清水三聡 (10357212)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 星井拓也 (20611049)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 角嶋邦之 (50401568)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 熊谷直人 (40732152)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
6. 山田寿一 (20358261)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件

山田 永 Yamada Hisashi

研究課題

研究成果

共同研究者

h－BNを用いたトップエミッション型深紫外LEDの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Metal Organic Chemical Vapor Deposition of n-AlGaN Grown on Strain-Relaxed Distributed Bragg Reflector Buffer Layers2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reduction in Residual Impurities in Chemical Vapor Deposition-Grown Hexagonal Boron Nitride Thin Films2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fully-relaxed n-AlGaN on AlN / Al2O3 templates using strain-relaxed super-lattice buffer layers2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[産業財産権] 化合物半導体基板2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 化合物半導体基板2021

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[学会発表] Growth of high purity CVD-grown h-BN using B2H6 and NH32023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] MOCVD of AlGaN MQWs Grown on Stain Relaxed Superlattice DBR Buffer Layers toward UV top emission LEDs2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

山田永 Yamada Hisashi