長澤弘幸 NAGASAWA Hiroyuki

研究者番号	60649367
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度: 東北大学, 電気通信研究所, 産学官連携研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者以外表面化学反応 / 転位 / 積層欠陥 / グラフェン / ヘテロエピタキシ / 3C-SiC

グラフェンエレクトロニクス実現を加速するＳｉ基板上エピグラフェンの革新的高品質化
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学

すべて 2016 2015 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016
- 著者名/発表者名
  Shota Sambonsuge, Shun Ito, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, and Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi A
  
  巻: 印刷中号: 5 ページ: 1125-1129
- DOI
  10.1002/pssa.201532675
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up as a Practical Semiconductor2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyoki Nagasawa, Ramya Gurunathan, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 108-114
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.108
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015
- 著者名/発表者名
  Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials
  
  巻: 67 ページ: 51-53
- DOI
  10.1016/j.diamond.2016.02.020
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014
- 著者名/発表者名
  Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazau Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 806 ページ: 89-93
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.806.89
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Nagasawa, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials Abstracts Book
  
  巻: 1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] SiCエピタキシャル成長技術とポリタイプ積層2015
- 著者名/発表者名
  長澤弘幸
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-10-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] What is 'Killer Defect' in 3C-SiC2014
- 著者名/発表者名
  長澤弘幸
- 学会等名
  IUMRS-ICA: the 15th International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia
- 発表場所
  福岡，日本
- 年月日
  2014-08-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Nagasawa
- 学会等名
  ECSCRM2014: European Conf. on Silicon Carbide and Related Materials （Key Note Talk)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates
- 著者名/発表者名
  S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  宮崎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] 微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価
- 著者名/発表者名
  原本直樹、長澤弘幸、伊藤俊、吹留博一、末光眞希
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究　第22回講演会
- 発表場所
  浦和
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] 3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制
- 著者名/発表者名
  細谷友崇、三本菅正太、長澤弘幸、伊藤俊、吹留博一、末光眞希
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究　第22回講演会
- 発表場所
  浦和
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価
- 著者名/発表者名
  三本菅正太、長澤弘幸、伊藤駿、吹留博一、末光眞希
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究　第22回講演会
- 発表場所
  浦和
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価
- 著者名/発表者名
  三本菅正太，長澤弘幸，Sergey Filimonov ，伊藤駿，吹留博一，末光眞希
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053

1. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
2. 吹留博一 (10342841)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
3. 焦賽 (80710475)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

長澤 弘幸 NAGASAWA Hiroyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

グラフェンエレクトロニクス実現を加速するＳｉ基板上エピグラフェンの革新的高品質化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C-SiC: Ways to Wake it up as a Practical Semiconductor2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] SiCエピタキシャル成長技術と ポリタイプ積層2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] What is 'Killer Defect' in 3C-SiC2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it up Develop 3C-SiC as a Practical Semiconductor2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

長澤弘幸 NAGASAWA Hiroyuki

[学会発表] SiCエピタキシャル成長技術とポリタイプ積層2015