金子光顕 Kaneko Mitsuaki

研究者番号	60842896
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 京都大学, 工学研究科, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2025年度: 京都大学, 工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 大区分C
キーワード	研究代表者論理回路 / 電界効果トランジスタ / 炭化ケイ素 / 厳環境 / イオン注入 / ホール効果 / デバイスモデル / 深いドナー / 接合型電界効果トランジスタ / 閾値電圧 … もっと見る / 集積回路 / 炭化珪素 / 接合型トランジスタ / ハイブリッド … もっと見る研究代表者以外 MOS界面 / MOSFET / 炭化珪素 / チャネル移動度 / 酸化膜 / 高温動作デバイス / パワーデバイス / 絶縁破壊隠す

耐高温SiC集積回路の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  金子光顕
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  京都大学
ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  京都大学
学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開
- 研究代表者
  
  木本恒暢
- 研究期間 (年度)
  2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
SiC集積回路の超広温域における論理閾値電圧安定化研究代表者
- 研究代表者
  
  金子光顕
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  京都大学
厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  金子光顕
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 審査区分
  
  0302:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] 高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究2024
- 著者名/発表者名
  金子光顕、木本恒暢
- 巻
  J107-C
- 号
  4
- ページ
  145-153
- DOI
  10.14923/transelej.2023JCI0015
- ISSN
  1881-0217
- 年月日
  2024-04-01
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[雑誌論文] Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs2024
- 著者名/発表者名
  Mikami Kyota、Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 71 号: 1 ページ: 931-934
- DOI
  10.1109/ted.2023.3333283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KJ1387, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC2024
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 135 号: 7 ページ: 075704-075704
- DOI
  10.1063/5.0186307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces2024
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hara, Takeaki Kitawaki, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 171 ページ: 108023-108023
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.108023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate2023
- 著者名/発表者名
  Kaneko M.、Tsibizov A.、Kimoto T.、Grossner U.
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 70 号: 4 ページ: 2153-2156
- DOI
  10.1109/ted.2023.3245998
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[雑誌論文] Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces2023
- 著者名/発表者名
  Takeaki Kitawaki, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, and Tsunenobu Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 031005-031005
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc30d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1709, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] 350°C Operation of SiC Complementary JFET Logic Gates2023
- 著者名/発表者名
  Kaneko Mitsuaki、Nakajima Masashi、Jin Qimin、Maeda Noriyuki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Proc. of 2023 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)
  
  巻: - ページ: 180-183
- DOI
  10.1109/icsj59341.2023.10339600
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[雑誌論文] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  Chi Xilun、Tachiki Keita、Mikami Kyota、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 11 ページ: 110906-110906
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad0799
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 260 号: 10 ページ: 2300275-2300275
- DOI
  10.1002/pssb.202300275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1957, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Physical properties of sulfur double donors in 4H-SiC introduced by ion implantation2023
- 著者名/発表者名
  Matsuoka Taiga、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 1 ページ: 010908-010908
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Impact of the oxidation temperature on the density of single-photon sources formed at SiO2/SiC interface2023
- 著者名/発表者名
  Kaneko Mitsuaki、Takashima Hideaki、Shimazaki Konosuke、Takeuchi Shigeki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 11 号: 9 ページ: 091121-091121
- DOI
  10.1063/5.0162610
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KJ1190, KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-21H04444, KAKENHI-PROJECT-23K22426
[雑誌論文] Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC2023
- 著者名/発表者名
  Hara Masahiro、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 2 ページ: 021003-021003
- DOI
  10.35848/1882-0786/acb98b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-22KJ1709
[雑誌論文] Carrier Trapping Effects on Forward Characteristics of SiC p-i-n Diodes Fabricated on High-Purity Semi-Insulating Substrates2022
- 著者名/発表者名
  Takahashi Katsuya、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 69 号: 4 ページ: 1989-1994
- DOI
  10.1109/ted.2022.3154673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K2022
- 著者名/発表者名
  Kaneko M.、Nakajima M.、Jin Q.、Kimoto T.
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 7 ページ: 997-1000
- DOI
  10.1109/led.2022.3179129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  Hara Masahiro、Tanaka Hajime、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/5.0088681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003, KAKENHI-PROJECT-22KJ1709
[雑誌論文] Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process2022
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Mikami Kyota、Ito Koji、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 7 ページ: 071001-071001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac7197
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Lateral spreads of ion-implanted Al and P atoms in silicon carbide2021
- 著者名/発表者名
  Jin Qimin、Nakajima Masashi、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 5 ページ: 051001-051001
- DOI
  10.35848/1347-4065/abf13d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[雑誌論文] Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures2021
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBD14-SBBD14
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe3d8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation2021
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 031001-031001
- DOI
  10.35848/1882-0786/abdcd9
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19J23422, KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Electron mobility along <0001> and <1-100> directions in 4H-SiC over a wide range of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 14 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.35848/1882-0786/abfeb5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[雑誌論文] Experimental Study on Short-Channel Effects in Double-Gate Silicon Carbide JFETs2020
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 67 号: 10 ページ: 4538-4540
- DOI
  10.1109/ted.2020.3017143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03779, KAKENHI-PROJECT-19K23515
[雑誌論文] Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Nakajima M.、Kaneko M.、Kimoto T.
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 40 号: 6 ページ: 866-869
- DOI
  10.1109/led.2019.2910598
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515, KAKENHI-PROJECT-18H03779
[雑誌論文] SiC Vertical-Channel n- and p-JFETs Fully Fabricated by Ion Implantation2019
- 著者名/発表者名
  Kaneko Mitsuaki、Grossner Ulrike、Kimoto Tsunenobu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 841-844
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.841
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515, KAKENHI-PROJECT-18H03779
[産業財産権] SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ2022
- 発明者名
  金子光顕、松岡大雅、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] SiC相補型電界効果トランジスタ2022
- 発明者名
  金子光顕、木本恒暢
- 権利者名
  京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[産業財産権] ＳｉＣ相補型電界効果トランジスタ2022
- 発明者名
  金子光顕, 松岡大雅, 木本恒暢
- 権利者名
  金子光顕, 松岡大雅, 木本恒暢
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-065535
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Formation of non-alloyed ohmic contacts on heavily Al+-implanted p-type SiC2023
- 著者名/発表者名
  K. Kuwahara, T. Kitawaki, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropic Electron and Hole Mobilities in 4H-SiC Bulk Crystals2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  S. Kozakai, H. Fujii, M. Kaneko and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, X. Chi, and M. Kaneko
- 学会等名
  2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A Sulfur-doped n-JFET for a reduced logic threshold voltage shift in a SiC CJFET inverter2023
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko,Taiga Matsuoka,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K [IEEE EDL]2023
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko,Masashi Nakajima,Qimin Jin,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  The 23rd Kansai Colloquium Electron Devices Workshop
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Carrier compensating center density in n-type layers formed by ion implantation into high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates2023
- 著者名/発表者名
  Qimin Jin,Chansoon Koo,Mitsuaki Kaneko,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] 350℃ operation of SiC complementary JFET logic gates2023
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko,Masashi Nakajima,Qimin Jin,Noriyuki Maeda,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  12th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Fundamentals of SiC Complementary MOSFETs and JFETs for Advanced IC Applications2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto and M. Kaneko
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate2023
- 著者名/発表者名
  S. Toshimitsu, K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Over 600℃ operation of a bottom-gate p-JFET with double-well structure fabricated by ion implantation on an n-type SiC epilayer2023
- 著者名/発表者名
  S. Shibata, T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] 350℃ operation of SiC complementary JFET logic gates2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, N. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  12th IEEE CPMT Symposium Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A Sulfur-doped n-JFET for a reduced logic threshold voltage shift in a SiC CJFET inverter2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, T. Matsuoka, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications2023
- 著者名/発表者名
  Tsunenobu Kimoto,Keita Tachiki,Kyota Mikami,Mitsuaki Kaneko
- 学会等名
  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Over 600℃ operation of a bottom-gate p-JFET with double-well structure fabricated by ion implantation on an n-type SiC epilayer2023
- 著者名/発表者名
  Shunya Shibata,Taiga Matsuoka,Mitsuaki Kaneko,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Fundamentals of SiC Complementary MOSFETs and JFETs for Advanced IC Applications2023
- 著者名/発表者名
  Tsunenobu Kimoto,Mitsuaki Kaneko
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Density control of single-photon sources formed at a SiO2/SiC interface2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Takashima, S. Takeuchi, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Estimation of electron drift mobility along the c-axis in 4H-SiC by using vertical Schottky barrier diodes2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Reduction of contact resistivity at non-alloyed SiC ohmic contacts based on understanding of tunneling phenomena2023
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, and M. Kaneko
- 学会等名
  IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-Field Phenomena in SiC Material and Devices2023
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, H. Niwa, X. Chi, M. Hara, R. Ishikawa, H. Tanaka, and M. Kaneko
- 学会等名
  Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces2023
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Carrier compensating center density in n-type layers formed by ion implantation into high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates2023
- 著者名/発表者名
  Q. Jin, C. Koo, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Minimum Channel Length for Suppressing Short-Channel Effects in SiC JFETs2023
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko,Noriyuki Maeda,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Carrier transport and barrier height of S+-implanted SiC Schottky barrier diodes2023
- 著者名/発表者名
  M. Takayasu, T. Matsuoka, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Minimum Channel Length for Suppressing Short-Channel Effects in SiC JFETs2023
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, N. Maeda, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Carrier transport and barrier height of S+-implanted SiC Schottky barrier diodes2023
- 著者名/発表者名
  Manato Takayasu,Taiga Matsuoka,Masahiro Hara,Mitsuaki Kaneko,Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] High-quality MOS interface on 4H-SiC (11-20) formed by the oxidation-minimizing process2022
- 著者名/発表者名
  K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physical Understanding and Prevention of Bipolar Degradation in SiC Power Devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, A. Iijima, and M. Kaneko
- 学会等名
  241st Electrochemical Society Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anomalously high electron mobility in S-implanted n-type SiC2022
- 著者名/発表者名
  T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, and M. Kaneko
- 学会等名
  10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High-Temperature Operation of SiC JFET-Based Complementary Circuits2022
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Masashi Nakajima,Qimin Jin, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes2022
- 著者名/発表者名
  T. Kitawaki, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] 高温動作集積回路を目指したSiC相補型JFETの基礎研究2022
- 著者名/発表者名
  金子光顕, 中島誠志, 金祺民, 前田憲幸, 木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第9回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] High temperature operation of SiC complementary JFET logic gates fully fabricated by ion implantation2022
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Masashi Nakajima, Qimin Jin, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] High temperature operation of SiC complementary JFET logic gates fully fabricated by ion implantation2022
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC2022
- 著者名/発表者名
  M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Remarkable improvement of threshold voltage controllability in ion-implantation-based SiC JFETs by adopting bottom-gate structure2022
- 著者名/発表者名
  Shunya Shibata, Taiga Matsuoka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Depth profile analyses of deep levels near 4H-SiC p+-n junctions formed by Al ion implantation2022
- 著者名/発表者名
  H. Fujii, K. Kanegae, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anisotropy of hole mobility in 4H-SiC over wide ranges of acceptor concentration and temperature2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Anomalously high electron mobility in S-implanted n-type SiC2022
- 著者名/発表者名
  Taiga Matsuoka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Hall効果測定によるSイオン注入n型SiC層の電気的性質評価2022
- 著者名/発表者名
  松岡大雅, 金子光顕, 木本恒暢
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第9回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] High-Temperature Operation of SiC JFET-Based Complementary Circuits2022
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, M. Nakajima, Q. Jin, and T. Kimoto
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Remarkable improvement of threshold voltage controllability in ion-implantation-based SiC JFETs by adopting bottom-gate structure2022
- 著者名/発表者名
  S. Shibata, T. Matsuoka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, M. Kaneko, M. Horita, and J. Suda
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Performance Improvement and Reliability Physics in SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, K. Tachiki, A. Iijima, and M. Kaneko
- 学会等名
  IEEE Int. Reliability Phys. Symposium 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, T. Kobayashi, H. Tanaka, K. Tachiki, A. Iijima, S. Yamashita, X. Chi, Y. Zhao, D. Stefanakis, and Y. Matsushita
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] SPICE model reproducing the static and dynamic characteristics of a SiC complementary JFET inverter from 300 to 573 K2021
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Maeda, Mitsuaki Kaneko, Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Suppression of a logic-threshold-voltage shift in a SiC complementary JFET logic gate at high temperature2021
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Masashi Nakajima, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, and M. Kaneko
- 学会等名
  5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Ideal Thermionic Field Emission and Field Emission Transport through Metal/Heavily-Doped SiC Schottky Barriers2021
- 著者名/発表者名
  M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices2021
- 著者名/発表者名
  T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka
- 学会等名
  67th IEEE Int. Electron Devices Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation2021
- 著者名/発表者名
  K. Tachiki, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 学会等名
  Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H05003
[学会発表] Impacts of High-Concentration Carrier Traps on Electrical Characteristics of p-i-n Diodes on HPSI SiC Substrates2021
- 著者名/発表者名
  Katsuya Takahashi, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020・2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K14209
[学会発表] Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate2020
- 著者名/発表者名
  Qimin Jin, Masashi Nakajima, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515
[学会発表] Experimental Study on Short-Channel Effects in Side-Gate SiC JFETs2019
- 著者名/発表者名
  Masashi Nakajima, Q. Jin, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515
[学会発表] Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate2019
- 著者名/発表者名
  Mitsuaki Kaneko, Tsibizov Alexander, Tsunenobu Kimoto, Ulrike Grossner
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515
[学会発表] Impacts of Channel Length on Electrical Characteristics in Side-Gate SiC JFETs2019
- 著者名/発表者名
  Masashi Nakajima, Q. Jin, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K23515

1. 木本恒暢 (80225078)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 47件
2. 田中一 (40853346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件

金子 光顕 Kaneko Mitsuaki

研究課題

研究成果

共同研究者

耐高温SiC集積回路の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

SiC集積回路の超広温域における論理閾値電圧安定化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

厳環境動作SiCハイブリッド集積回路の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] 高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究2024

著者名/発表者名

巻

号

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ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Origin of hole mobility anisotropy in 4H-SiC2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Tunneling current through non-alloyed metal/heavily-doped SiC interfaces2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Impact of the split-off band on the tunneling current at metal/heavily-doped p-type SiC Schottky interfaces2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 350°C Operation of SiC Complementary JFET Logic Gates2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Experimental and Theoretical Study on Anisotropic Electron Mobility in 4H-SiC2023

金子光顕 Kaneko Mitsuaki