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松浦 興一  MATSUURA Kouichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70029122
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度 – 1999年度: 鳥取大学, 工学部, 助教授
1992年度 – 1993年度: 鳥取大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
Amorphous / Light Emitting Diode / Eitaxal Growth / Single Crystal Growth / Electrodeposition / ZnS / ZnSe / Compound Semiconductors / 還元電位 / サイクリックボルタンメトリー … もっと見る / X線回折 / X線光電子分光 / 自由励起子エネルギー / 電気化学堆積法 / アモルファス / 発光ダイオード / エピタキシャル成長 / 単結晶成長 / 電気化学堆積 / 硫化亜鉛 / セレン化亜鉛 / 化合物半導体 … もっと見る
研究代表者以外
Deep defect levels in p-type ZnMgSSe / ICTS / DLTS / Transient Capacitance Spectroscopy / Microdefect Enhancement / LD degradation / ZnSe based semiconductors / blue-Green Laser / 電子-正孔再結合促進反応 / 欠陥増殖 / 素子劣化機構 / 青紫外域半導体レーザー / II-VI族半導体レーザー / 深い欠陥準位 / 過渡容量分光技術 / ミクロ欠陥増殖 / LD素子劣化機構 / ZnSe系半導体 / 青-緑色半導体レーザー / conduction control / hetero PiN detector / PiN detector / photo-voltaic detector / blue-ultra-violet detector / MBE growth / ZnSe based Compound semiconductor / wide bandgap semiconductor / 伝導型制御 / ヘテロ構造PIN検出器 / PIN光検出器 / 光起電力型検出器 / 青-紫外光半導体光検出器 / MBE成長 / ZnSe系化合物半導体 / ワイドバンドギャップ半導体 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  青-紫外光化合物半導体レーザーの寿命劣化機構解明に関する研究

    • 研究代表者
      安東 孝止
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      鳥取大学
  •  可視短波長-紫外光域半導体光検出器に関する研究

    • 研究代表者
      安東 孝止
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      鳥取大学
  •  電気化学堆積法による化合物半導体のエピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 興一
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      鳥取大学
  • 1.  安東 孝止 (60263480)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  市野 邦男 (90263483)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  阿部 友紀 (20294340)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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