徳高平蔵 TOKUTAKA Heizo

… 別表記

研究者番号	70032266
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2003年度: 鳥取大学, 名誉教授 2001年度 – 2002年度: 鳥取大学, 工学部, 教授 1986年度 – 1992年度: 鳥取大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性研究代表者以外固体物性 / 財政学・金融論 / 電子機器工学
キーワード	研究代表者表面構造 / 酸化物高温超伝導体 / X線光電子分光 / 表面組成分析 / 超伝導デバイス / RHEED / 低速電子線回折 / 反射型高速電子線回折 / BiーSrーCaーCuーOバルク単結晶 / SiC … もっと見る研究代表者以外 VHD / しきい値分光法 / DAPS / AEAPS / SXAPS / La,Baのシリサイド / Tiシリサイド / エネルギー分解能 / 自己組織化マップ / 財政 / 移転支出 / 費用便益分析 / 予算配分 / 国際機構論 / クラスター分析 / 健康評価システム / SOM-TSP法 / 財政と政治 / 判断分析 / Self-Organizing Map / Public finance / Budgetary transfer / Cost benefit analysis / Budgetary distribution / International institutions / Cluster analysis / 静電容量 / 顕微鏡 / 画像化 / 圧電アクチュエータ / 微動ステージ / STM / Electro-static capacitance / Microscope / Imaging / Piezoelectric actuator / Slightly-moving-stage 隠す

研究課題
(10件)
共同研究者
(8人)

自己組織化マップを利用した財政問題の分析とその分析ツールとしての開発(副題:Self Organizing Mapの応用)
- 研究代表者
  
  園田明子
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  財政学・金融論
- 研究機関
  関西学院大学
高温超伝導Bi系バルク単結晶を用いたSーNーS及びSーIーS構造デバイスの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  鳥取大学
液相エピタキシー法による高温超伝導単結晶薄膜の作製と各種表面分析法による評価研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  鳥取大学
高温超伝導80K相Bi系単結晶基板を用いたSーNーS構造デバイスの作製とその評価研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  鳥取大学
MBE高温超伝導薄膜の超伝導特性と各種表面分析法によるその場測定研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  鳥取大学
磁場偏向型LEED装置による原子層薄膜の位相制御エピタキシー研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  鳥取大学
磁場型LEED装置を使ったGeSi化合物/SiC超格子層の位相制御エピタキシー研究代表者
- 研究代表者
  
  徳高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  鳥取大学
SiC上の金属超格子層のエビタキシャル成長とその評価に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  特高平蔵
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  鳥取大学
キャパシタンスによる走査型デシミクロン顕微鏡
- 研究代表者
  
  田村進一
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  大阪大学
高分解能しきい値分光装置による希土類金属薄膜-Si界面形成過程
- 研究代表者
  
  西守克己
- 研究期間 (年度)
  1986
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  鳥取大学

1. 西守克己 (40032271)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 岸田悟 (30112105)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 園田明子 (10299050)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 曽山典子 (50309522)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 藤村喜久郎 (30243380)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 奥井克美 (30268304)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 田村進一 (30029540)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 山中正宣 (10029118)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

徳高 平蔵 TOKUTAKA Heizo

特高 平蔵 トクタカ ヘイゾウ

研究課題

共同研究者

自己組織化マップを利用した財政問題の分析とその分析ツールとしての開発(副題:Self Organizing Mapの応用)

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高温超伝導Bi系バルク単結晶を用いたSーNーS及びSーIーS構造デバイスの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

液相エピタキシー法による高温超伝導単結晶薄膜の作製と各種表面分析法による評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高温超伝導80K相Bi系単結晶基板を用いたSーNーS構造デバイスの作製とその評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

MBE高温超伝導薄膜の超伝導特性と各種表面分析法によるその場測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

磁場偏向型LEED装置による原子層薄膜の位相制御エピタキシー研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

磁場型LEED装置を使ったGeSi化合物/SiC超格子層の位相制御エピタキシー研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

SiC上の金属超格子層のエビタキシャル成長とその評価に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

キャパシタンスによる走査型デシミクロン顕微鏡

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高分解能しきい値分光装置による希土類金属薄膜-Si界面形成過程

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

徳高平蔵 TOKUTAKA Heizo

特高平蔵トクタカヘイゾウ