石田明広 Ishida Akihiro

… 別表記

石田明弘イシダアキヒロ

石田明宏イシダアキヒロ

研究者番号	70183738
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2016年度: 静岡大学, 工学部, 教授 2014年度: 静岡大学, 工学研究科, 教授 2009年度 – 2011年度: 静岡大学, 工学部, 教授 2005年度 – 2007年度: 静岡大学, 工学部, 教授 2000年度 – 2005年度: 静岡大学, 工学部, 助教授 1993年度 – 1994年度: 静岡大学, 工学部, 助教授 1989年度 – 1990年度: 静岡大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / ナノ構造物理研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 応用光学・量子光工学 / 構造・機能材料
キーワード	研究代表者量子井戸 / IV-VI族半導体 / AlN / 超格子 / PbSrS / PbS / 中赤外線レーザ / 中赤外レーザ / PIEZO / Intersubband … もっと見る / Mid infrared / Nitride / IV-VI semiconductor / Cascade laser / Quantum well / サブバンド間発光 / 発光素子 / 赤外線レーザ / PbSnTe / A1N / 量子カスケード / 窒化物半導体 / ピエゾ / サブバンド間遷移 / AIN / 窒化物 / カスケードレーザ / IV-VI compound semiconductor / Hot wall epitaxy / Infrared Laser / PbEus / 赤外線 / レ-ザ / ホットウォ-ル蒸着法 / IVーVI族半導体 / ホットウオ-ル蒸着法 / 赤外線レ-ザ / PbEuS / 鉛塩半導体 / 面発光レーザ / 長波長赤外線レーザ / テラヘルツレーザ / 遠赤外レーザ / 量子カスケードレーザ … もっと見る研究代表者以外 GaN / CNT / 紫外線 / ナノワイヤ / ナノ蛍光体 / 電子放出素子 / TEM / field electron emission device / nanowire / nano-phosphor / UV light / ナノ蛍光 / UV lamp / carbon nanotube / nanowires / nano-phosohor / GaN nanocrystals / 電子線励起発 / ナノ構造 / カーボンナノチューブ / GaNナノ結晶 / multilayer mirror / IV-VI semiconductor / terahertz / midinfrared / cascade / quantum well / nitride / 共鳴トンネル / 多層膜反射ミラー / 赤外線レーザ / 窒化物半導体 / 量子カスケード / 多層膜ミラー / IV-VI族半導体 / テラヘルツ / 中赤外線 / カスケード / 量子井戸 / 窒化物 / EL DEVICE / II-VI COMPOUND SUPERLATTICE / ELECTROLUMINESCENCE / II-VI COMPOUND FILM / SEMICONDUCTOR FILM / Hetero epitaxy / Semiconductor laser / II-VI compound / Superlattice / Electroluminescence / II-VI compound film / Thin film / KFM(表面電位顕微鏡) / SOI基板 / ゼーベック係数 / シリコンナノ構造 / 熱電変換材料隠す

バンド間及びサブバンド間遷移中・遠赤外線量子井戸レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石田明広
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  静岡大学
量子構造によるシリコン熱電変換特性の超高効率化と測定技術の開
- 研究代表者
  
  池田浩也
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  静岡大学
窒化物半導体ナノ蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの研究
- 研究代表者
  
  井上翼
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
窒化物半導体蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの基礎研究
- 研究代表者
  
  井上翼
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
バンド間遷移及びサブバンド間遷移長波長赤外線レーザの研究
- 研究代表者
  
  藤安洋
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
半導体量子井戸と長波長赤外線レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石田明広
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
ホットウォール法による発光素子材料の開発
- 研究代表者
  
  藤安洋
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  静岡大学
PbSrS及びPbEuS混晶半導体を用いた3μm室温動作レ-ザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  石田明広 (石田明弘)
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  静岡大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Seebeck coefficient of ultrathin silicon-on-insulator layers2009
- 著者名/発表者名
  F.Salleh, K.Asai, A.Ishida, H.Ikeda
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 2
- NAID
  10025087049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[雑誌論文] Im purity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009
- 著者名/発表者名
  Fais Salleh, Kiyosumi Asai, Akihiro Ishida, Hiroya Ikeda
- 雑誌名
  
  J. Autom. Mobile Rob. Intell. Syst.
  
  巻: Vol.3 ページ: 134-136
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[雑誌論文] Impurity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009
- 著者名/発表者名
  F.Salleh, K.Asai, A.Ishida, H.Ikeda
- 雑誌名
  
  J.Autom.Mobile Rob.Intell.Syst. 3
  
  ページ: 134-136
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[雑誌論文] Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices2008
- 著者名/発表者名
  A. Ishida, Y. Inoue, 他3名
- 雑誌名
  
  Applied Physcs Letters 92
  
  ページ: 182105-182105
- NAID
  120000796409
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices2008
- 著者名/発表者名
  A. Ishida, D. Cao, S. Morioka, M. Veis, Y. Inoue
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 92
  
  ページ: 182105-182105
- NAID
  120000796409
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattic es at Normal Incidence2007
- 著者名/発表者名
  A. Ishida, Y. Inoue, 他1名
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattices at Normal Incidence2007
- 著者名/発表者名
  Akihiro, Ishida, Martin, Veis, Yoku, Inoue
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 281-283
- NAID
  210000063902
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Growth and field emission of GaN nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition2007
- 著者名/発表者名
  Y. Inoue, A. Tajima, S. Takeda, A. Ishida, H. Mimura, S. Sakakibara
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) 4
  
  ページ: 2366-2370
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計2005
- 著者名/発表者名
  石田明広
- 雑誌名
  
  日本赤外線学会誌 14
  
  ページ: 83-86
- NAID
  10016620719
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計2005
- 著者名/発表者名
  石田明広
- 雑誌名
  
  日本赤外線学会誌 (掲載予定)
- NAID
  10016620719
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
  
  ページ: 183102-183102
- NAID
  120001699000
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Growth of Pillarlike GaN Nanostructures2005
- 著者名/発表者名
  S.Takeda, K.Ishino, Y.Inoue, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.App.Phys. 44
  
  ページ: 5664-5666
- NAID
  10016677734
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Resonant-tunneling electron emitter in an AlN/GaN system2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, Y.Inoue, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 86
  
  ページ: 183102-183102
- NAID
  120001699000
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  S.Sakakibara, Y.Inoue, H.Mimura, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244
  
  ページ: 343-346
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Resonant-tunneling electron emitter in an AlN/GaN system2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, Y.Inoue, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 86
  
  ページ: 183102-183102
- NAID
  120001699000
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Resonant-tunneling electron emitter in AlN/Gan system2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida 他
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 86
- NAID
  120001699000
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] n3N2 compensated ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  S.Sakakibara, Y.Inoue, H.Mimura, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244
  
  ページ: 343-343
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Resonant-tunneling electron emitter in AlN/GaN system2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. (掲載予定)
- NAID
  120001699000
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Design of quantum-cascade structures by envelope-function approximation2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida
- 雑誌名
  
  J.Jpn.Soc.Infrared Sci.and Technol. Vol.14(2)
  
  ページ: 83-86
- NAID
  10016620719
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Design and Preparation of AlN/GaN Quantum Wells for Quantum Cascade Laser Applications2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, H.Fujiyasu, H.-J.Ko, A.Setiwan, J.-J.Kim, H.Makino, T.Yao
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 44
  
  ページ: 5918-5922
- NAID
  40006818246
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Design and Preparation of AlN/GaN Quantum Wells for Quantum Cascade Laser Applications2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, H.Fujiyasu, H.-J.Ko, A.Setiwan, J.-J.Kim, H.Makino, T.Yao
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 44
  
  ページ: 5918-5918
- NAID
  40006818246
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application2005
- 著者名/発表者名
  A.Ishida 他
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (掲載決定)
- NAID
  40006818246
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Growth of Pillarlike GaN Nanostructures2005
- 著者名/発表者名
  S.Takeda, K.Ishino, Y.Inoue, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys. 44
  
  ページ: 5664-5664
- NAID
  10016677734
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, T.Hoshino, S.Takeda, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 2340-2442
- NAID
  120000796481
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Cathodoluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, T.Hoshino, S.Takeda, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(b) 241
  
  ページ: 2717-2721
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] [(AlN)_1/(GaN)_<n1>]/(AlN)_<n2>-based quantum wells for quantum cascade-laser application2004
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, H.Kan, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Physica E 21
  
  ページ: 765-769
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] [(AlN)_1/(GaN)_<n1>]/(AlN)_<n2>-based quantum wells for quantum cascade-laser application2004
- 著者名/発表者名
  A.Ishida 他
- 雑誌名
  
  Physica E 21
  
  ページ: 765-769
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, S.Sakakibara, M.Kuwabara
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 265
  
  ページ: 65-65
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, T.Hoshino, S.Takeda, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 2340-2342
- NAID
  120000796481
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, S.Sakakibara, M.Kuwabara
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 265
  
  ページ: 65-70
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] [(AlN)_1/(GaN)_<n1>]/(AlN)_<n2>-based quantum wells for quantum Cascade laser application2004
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, H.Kan, H.Fujiyasu
- 雑誌名
  
  Physica E 21
  
  ページ: 765-769
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[雑誌論文] Strong luminescence from dislocation-free GaN nanopillars2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, T.Hoshino, S.Takeda, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 2340-2340
- NAID
  120000796481
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Cathodoluminescence of polycrystalline GaN grown by a hot wall epitaxy technique2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, T.Hoshino, S.Takeda, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, H.Kominami, H.Mimura, Y.Nakanishi, S.Sakakibara
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (b) 241
  
  ページ: 2717-2717
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures2004
- 著者名/発表者名
  Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, S.Sakakibara, M.Kuwabara
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 265
  
  ページ: 65-70
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[雑誌論文] AIN/GaN superlattice quality improvement by using multiple superlattice structure
- 著者名/発表者名
  M. Veis, K. Hagihara, S. Nakagawa Y. Inoue, A. Ishida
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Morphology control of GaN nanowires by vapor-liquid-solid growth
- 著者名/発表者名
  Y. Inoue, A. Tajima, A. Ishida, H. Mimura
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Growth and density control of GaN nanodots and nanopillars
- 著者名/発表者名
  S. Takeda, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growth using carbonyl iron vapor
- 著者名/発表者名
  K. Ohara, Y. Neo, H. Mimura, Y. Inoue, A. Ishida
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) (to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] One-step grown aligned bulk carbon nanotubes by chloride mediated chemical vapor deposition
- 著者名/発表者名
  Y. Inoue, K. Kakihata, Y. Hirono, T. Hode, A. Ishida, H. Mimur
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett (to be published)
- NAID
  120000796487
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[雑誌論文] Design and preparation of AlN/GaN quantum wells for quantum cascade laser application
- 著者名/発表者名
  A.Ishida, K.Matsue, Y.Inoue, H.Fujiyasu, H.J.Ko, A.Setiawan, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. (To be published in Jpn.)
- NAID
  130004534647
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560274
[産業財産権] 電子放出素子用の針状電子放出体の製造方法及び電子放出素子の製造方法2006
- 発明者名
  榊原慎吾, 井上翼, 三村秀典, 石田明広
- 権利者名
  ヤマハ株式会社, 国立大学法人静岡大学
- 産業財産権番号
  2006-077756
- 出願年月日
  2006-03-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560296
[学会発表] Si基板上へのIV-VI族半導体エピタキシャル成長と中赤外線レーザへの応用2017
- 著者名/発表者名
  石田明広、佐藤正宣、秋川弘樹、青藤　唯、中嶋聖介
- 学会等名
  2017年春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390009
[学会発表] 深い不純物準位によりキャリヤ制御する波長25～50ミクロン帯IV-VI族半導体量子カスケードレーザの提案2017
- 著者名/発表者名
  石田明広、渡邉祥司、中嶋聖介
- 学会等名
  2017年春季応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390009
[学会発表] Physics and applications of IV-VI semiconductor quantum structures2016
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ishida
- 学会等名
  The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 発表場所
  静岡県浜松市静岡大学浜松キャンパス
- 年月日
  2016-11-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390009
[学会発表] 中赤外レーザ用IV-VI族半導体及び量子井戸の光利得2015
- 著者名/発表者名
  石田明広
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390009
[学会発表] Growth of Homogeneous Si_<1-x>Ge_x and Mg_2Si_<1-x>Ge_x for Thermoelectric Application2012
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, M.Arivanandhan, M.Omprakash, T.Koyama, Y.Momose, H.IKeda, A.Tanaka, H.Tatsuoka, A.Ishida, Y.Okano, Y.Inatomi, D.K.Aswal, S.Bhattacharya, D.Thangaraju, S.M.Babu
- 学会等名
  Invited Seminar at Anna University
- 発表場所
  Chennai, India(招待講演)
- 年月日
  2012-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Growth of Homogeneous Si_<1-x>Ge_x and Mg_2Si_<1-x>Ge_x for Thermoelectric Application2012
- 著者名/発表者名
  Y.Hayakawa, M.Arivanandhan, M.Omprakash, T.Koyama, Y.Momose, H.Ikeda, A.Tanaka, H.Tatsuoka, A.Ishida, Y.Inatomi, D.K.Aswal, S.Bhattacharya, S.M.Babu
- 学会等名
  International Conference on Recent Trend in Advanced Materials
- 発表場所
  Vellore, India(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Thermoelectric properties of compositionally homogeneous Si_<1-x>Ge_x and Mg_2Si_<1-x>Ge_x bulk crystals2011
- 著者名/発表者名
  M.Arivanandhan, Y.Saito, T.Koyama, Y.Momose, A.Tanaka, H.Ikeda, T.Tatsuoka, A.Ishida, S.Battacharya, D.K.Aswal, S.Moorthy Babu, Y.Inatomi, Y.Hayakawa
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術演会
- 発表場所
  山形大学(山形)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Thermoelectric properties of compositionally homogeneous Sil-xGex bulk crystals2011
- 著者名/発表者名
  M.Ativanandhan, Y.Saito, I.Koyama, Y.Momose, A.Tanaka, H.Ikeda, T.Tatsuoka, A.Ishida, D.K.Aswal, S.Moorthy Babu, Y.Inatomi, Y.Hayakawa
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(相模原)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Preparation and Thermoelectric Properties of Compositionally Homogeneous Mg_2Si_<1-x>Ge_x2011
- 著者名/発表者名
  M.Arivanandhan, Y.Saito, T.Koyama,Y.Momose, A.Tanaka, H.Ikeda, H.Tatsuoka, A.Ishida, B.Shovit, D.K.Aswal, S.M.Babu, Y.Inatomi, Y.Hayakawa
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議、NCCG-41
- 発表場所
  つくば国際会議場(つくば)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Impurity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009
- 著者名/発表者名
  Faiz Salleh, Kiyosumi Asai, Akihiro Ishida, Hiroya Ikeda
- 学会等名
  8th Int. Conf. on Global Research and Education
- 発表場所
  Kazimierz Dolny & Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] Impurity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009
- 著者名/発表者名
  F.Salleh, K.Asai, A.Ishida, H.Ikeda
- 学会等名
  8th International Conference on Global Research and Education
- 発表場所
  Kazimierz Dolny & Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] バルク半導体及び超格子のゼーベック係数計算法2009
- 著者名/発表者名
  石田明広, 井上翼, 池田浩也, 木太拓志
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360336
[学会発表] PbS量子ドットを埋め込んだPbTe薄膜の熱電特性2008
- 著者名/発表者名
  石田明広, 井上翼, 他4名
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋市
- 年月日
  2008-03-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Transmission Electron Microscopy studies of threading dislocation propagation in AIN/GaN multiple superlatfices2007
- 著者名/発表者名
  M. Veis, K. Hagihara, S. Nakagawa, K. Okumura, M. Fujimoto, Y. Inoue, A. Ishida
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Growth control of GaN nanowires grown by catalyst-assisted metal organic vapor deposition2007
- 著者名/発表者名
  A. Tajima, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Growth of AIN/GaN coaxitial nanowire2007
- 著者名/発表者名
  T. Murakami, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Ultra long growth of multi-walled carbon nanotube and carbon nanotube coating2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakihata, Y. Hirono, T. Horie, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Size control of Fe nanoparticles for carbon nanotube growth using carbonyl iron vapor2007
- 著者名/発表者名
  K. Ohara, Y. Neo, H. Mimura, Y. Inoue, A. Ishida
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Growth and density control of GaN nanopillars for phosphor applications2007
- 著者名/発表者名
  S. Takeda, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] AIN/GaN Superlattice Quality Improvement by Using Multiple Superlattice Structure2007
- 著者名/発表者名
  M. Veis, K. Hagihara, S. Nakagawa, Y. Inoue, A. Ishida
- 学会等名
  ICNS-7
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Strong Cathodoluminescence From GaN Nanopillars, (Invited)2006
- 著者名/発表者名
  H. Mimura, Y. Inoue, A. Ishida, H. Kominami
- 学会等名
  EL2006
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2006-09-20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Growth and electron field emission of GaN nanowires grown by catalyst-assisted metal organic chemical vapor deposition2006
- 著者名/発表者名
  A. Tajima, S. Takeda, Y. Inoue, A. Ishida, H. Mimura, S. Sakakibara
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2006-10-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] Synthesis of carbon nanotubes from Ni nanoparticles formed with organic Ni complex2006
- 著者名/発表者名
  Y. Inoue, H. Hirata, A. Ishida, H. Mimura, S. Sakakibara
- 学会等名
  NT06
- 発表場所
  Nagano, Japan
- 年月日
  2006-07-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333
[学会発表] PbTe薄膜及びEuTe/PbTe超格子の熱電特2006
- 著者名/発表者名
  石田明広、井上翼, 他3名
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  草津市
- 年月日
  2006-08-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560333

1. 藤安洋 (60022232)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 7件
2. 井上翼 (90324334)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 43件
3. 三村秀典 (90144055)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 20件
4. 池田浩也 (00262882)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
5. 疋田京子 (00252164)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 中西洋一郎 (00022137)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
7. 中嶋聖介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 渡邉祥司

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 青藤唯

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 秋川弘樹

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. フェルダフェルディナンド

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

石田 明広 Ishida Akihiro

石田 明弘 イシダ アキヒロ

石田 明宏 イシダ アキヒロ

研究課題

研究成果

共同研究者

バンド間及びサブバンド間遷移中・遠赤外線量子井戸レーザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子構造によるシリコン熱電変換特性の超高効率化と測定技術の開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体ナノ蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体蛍光体と冷陰極を用いた小型高輝度深紫外ランプの基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

バンド間遷移及びサブバンド間遷移長波長赤外線レーザの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子井戸と長波長赤外線レーザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ホットウォール法による発光素子材料の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PbSrS及びPbEuS混晶半導体を用いた3μm室温動作レ-ザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Seebeck coefficient of ultrathin silicon-on-insulator layers2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Im purity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impurity-concentration dependence of Seebeck coefficient in silicon-on-insulator layers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Enhanced Seebeck coefficient in EuTe/PbTe [100] short-period superlattices2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Strong Intersubband Absorption in EuTe/PbTe Double-Well Superlattic es at Normal Incidence2007

石田明広 Ishida Akihiro

石田明弘イシダアキヒロ

石田明宏イシダアキヒロ