橋詰富博 HASHIZUME TOMIHIRO

研究者番号	70198662
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 株式会社日立製作所(研究開発グループ), 計測・エレクトロニクスイノベーションセンタ, その他
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2022年度: 東京工業大学, 理学院, 特任教授 2014年度 – 2015年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 連携教授 2011年度 – 2013年度: 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 2007年度 – 2008年度: 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 2006年度: 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 … もっと見る 1990年度 – 1994年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 1988年度: 東京大学, 物性研究所, 助手 1987年度: 東京大学, 物性研究所・表面物性, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者広領域 / 応用物性研究代表者以外小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連 / 固体物性 / 応用物性 / 広領域 / 理工系 / 物性Ⅰ
キーワード	研究代表者フラーレン / シリコン / FI-STM / Si(100) / アルカリ金属 / FIーSTM / 走査トンネル顕微鏡 / 電荷移動 / 薄膜成長 / 金属内包フラーレン … もっと見る / 走査トンネル分光 / 薄膜 / 銀 / 銅 / STM / 酸素吸着 / Ag(110) / Cu(111) / バックリング / 低温 / 吸着 / 水素 / FI‐STM / 光CVD / CVD / 表面構造 / 電子状態 … もっと見る研究代表者以外電界イオン顕微鏡 / STM / FIM / アトムプローブ / 走査トンネル顕微鏡 / 第一原理計算 / シリコン / 界面 / STS / 周期構造修飾 / 第一原理電子構造計算 / ナノテクノロジー / ナノサイエンス / 半導体 / 電子構造計算 / グラフェン / surface magnetism / atom brobe / field ion microscope / magnetic formce microscope / scanning tunneling microscope / MFM / 成長 / フラーレン / FI-MFM / マンガン / 銅 / 表面磁性 / 磁気力顕微鏡 / field ion microscopy / APFIM / atom probe / アトム・プロ-ブ / 針状試料 / アトムプロ-ブ / イオンミリング / シリコン再構成表面 / アルカリ吸着 / アトム=プローブ / 表面偏析 / 銅・ニッケル / プラチナ・ロジウム / ガス吸着触媒 / 表面偏折 / 二元合金 / アトム・プローブ / へテロ構造 / ヘテロ構造 / ナノ構造 / 遷移金属化合物 / ミュオンスピン回転 / 表面・界面 / 単文子膜 / 有効遮蔽場法 / 相補型TFT / 電気双極子 / ショットキーバリア / 単分子膜 / 有機トランジスタ / 有機半導体 / 表面 / 触媒 / Cu / Ag / 金属 / AFM / FI‐STM / アルカリ金属 / BEEM / FIーSTM 隠す

機能性半導体グラフェンの設計と創製
- 研究代表者
  
  齋藤晋
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
- 研究機関
  東京工業大学
表面ーバルク境界領域のヘテロ電子相関
- 研究代表者
  
  門野良典
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2015
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
有機半導体界面における電荷輸送機構の解明と機能性単分子膜による制御
- 研究代表者
  
  諏訪雄二
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  株式会社日立製作所(研究開発本部)
金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
FI-STMによる新機能発現の基礎研究(金属表面の触媒機構)研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
FI‐STMによる半導体ー金属界面の微視的研究
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
半導体表面における光CVDプロセスの初期過程の原子レベル構造解析研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
人工格子のSTM及びAFMによる研究
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
低温STMによるシリコン(100)清浄表面及び吸着表面の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  広領域
- 研究機関
  東北大学
電界イオン-磁気力顕微鏡(F1-MFM)の開発とその表面磁性への応用
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  東北大学
FIーSTM/STSによる半導体ー金属界面の微視的研究
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
人工格子のSTM及びAFMによる研究
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東北大学
シリコン(100)表面におけるアルカリ金属の吸着構造と電子状態の吸着量依存性研究代表者
- 研究代表者
  
  橋詰富博
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
イオンミリングによりアトム・プローブFIM用非金属試料針の作製法の開発
- 研究代表者
  
  桜井利夫
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
APFIMとFI-STMを用いた新しい表面相の試作と評価
- 研究代表者
  
  櫻井利夫
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
二元合金における表面偏折の微視的研究
- 研究代表者
  
  櫻井利夫 (桜井利夫)
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  広領域
- 研究機関
  東京大学

すべて 2022 2021 2016 2015 2014 2012 2011 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Van Hove singularity and Lifshitz transition in thickness-controlled Li-intercalated graphene2022
- 著者名/発表者名
  S. Ichinokura, M. Toyoda, M. Hashizume, K. Horii, S. Kusaka, S. Ideta, K. Tanaka, R. Shimizu, T. Hitosugi, S. Saito, and T. Hirahara
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 105 号: 23 ページ: 235307-235307
- DOI
  10.1103/physrevb.105.235307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18966, KAKENHI-PROJECT-21K14533, KAKENHI-PROJECT-22H00293, KAKENHI-PROJECT-19H01823, KAKENHI-PUBLICLY-22H04502
[雑誌論文] Imaging the evolution of d-states at a strontium titanate surface2014
- 著者名/発表者名
  I. Hamada, R. Shimizu, T. Ohsawa, K. Iwaya, T. Hashizume, M. Tsukada, K. Akagi, T. Hitosugi,
- 雑誌名
  
  J. Am. Chem. Soc.
  
  巻: 136 号: 49 ページ: 17201-17206
- DOI
  10.1021/ja509231w
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09797, KAKENHI-PLANNED-23108004, KAKENHI-PROJECT-26246022
[雑誌論文] Effect of oxygen deficiency on SrTiO_3(001) surface reconstructions2012
- 著者名/発表者名
  Ryota Shimizu, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 号: 26 ページ: 263106-263109
- DOI
  10.1063/1.4730409
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J09797, KAKENHI-PLANNED-23108004, KAKENHI-PROJECT-23686002
[雑誌論文] Atomic-scale Visualization of Initial Growth of Homoepitaxial SrTiO_3 Thin Film on an Atomically Ordered Substrate2012
- 著者名/発表者名
  R.Shimizu, T.Ohsawa
- 雑誌名
  
  ACS Nano
  
  巻: 10 号: 10 ページ: 7967-7971
- DOI
  10.1021/nn202477n
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760021, KAKENHI-PLANNED-23108004
[雑誌論文] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2x1surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations2006
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、寺田康彦、吉本芳英、赤木和人、杉野修、橋詰富博
- 雑誌名
  
  Physical Review B 74
  
  ページ: 205308-205308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008
- 発明者名
  諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 取得年月日
  2008-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法2008
- 発明者名
  諏訪雄二、橋詰富博、平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権番号
  2008-057232
- 出願年月日
  2008-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置2008
- 発明者名
  諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2008-057232
- 出願年月日
  2008-03-07
- 取得年月日
  2012-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008
- 発明者名
  橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 出願年月日
  2008-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタ2008
- 発明者名
  橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2008-001024
- 出願年月日
  2008-01-08
- 取得年月日
  2011-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[産業財産権] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法2008
- 発明者名
  橋詰富博、諏訪雄二、新井唯、芝健夫
- 権利者名
  株式会社日立製作所
- 産業財産権番号
  2008-001024
- 出願年月日
  2008-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] Van Hove Singularity in Thickness Controlled Li-Intercalated Graphene2021
- 著者名/発表者名
  S. Ichinokura, M. Toyoda, M. Hashizume, K. Horii, S. Kusaka, S. Ideta, K. Tanaka, R. Shimizu, T. Hitosugi, S. Saito, and T. Hirahara
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Surface Science ~Toward Sustainable Development~
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H01823
[学会発表] Scanning non-linear optical probe microscopy for interface analysis2016
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, H. Yoshino, S. Nagata, T. Oka, and S. Heike
- 学会等名
  International USMM & CMSI Workshop: Frontiers of Materials and Correlated Electron Science - from Bulk to Thin Films and Interfaces
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス（東京都・文京区）
- 年月日
  2016-01-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] Electric field enhancement by a metal tip of scanning probe microscope2015
- 著者名/発表者名
  Tomihiro Hashizume
- 学会等名
  The Interdisciplinary Workshop on Quantum Device 2015 (IWQD2015)
- 発表場所
  国立情報学研究所（東京都・千代田区）
- 年月日
  2015-10-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] 非線形光学プローブ顕微鏡の開発2015
- 著者名/発表者名
  吉野紘子、永田真斗、岡智宏、橋詰富博
- 学会等名
  公益社団法人日本表面科学会第35回表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
- 年月日
  2015-12-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] 非線形光学プローブ顕微鏡の開発2015
- 著者名/発表者名
  吉野紘子、永田真斗、岡智宏、橋詰富博
- 学会等名
  第9回物性科学領域横断研究会
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス（東京都・文京区）
- 年月日
  2015-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] Development of a local hydration probe microscope using tip-enhanced sum frequency generation (SFG)2015
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, H. Yoshino, S. Nagata, S. Heike, K. Saito, T. Oka, and H. Koizumi
- 学会等名
  23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
- 発表場所
  ヒルトンニセコビレッジホテル（北海道・ニセコ町）
- 年月日
  2015-12-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性2011
- 著者名/発表者名
  橋詰富博，平家誠嗣，岩楯裕介，牛山崇幸，久保田俊介，井上遥介，一杉太郎
- 学会等名
  日本物理学会2011年秋季大会
- 発表場所
  富山大学（富山）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性2011
- 著者名/発表者名
  橋詰富博，平家誠嗣，岩楯裕介，牛山崇幸，久保田俊介，一杉太郎
- 学会等名
  日本中間子科学会ワークショップ
- 発表場所
  東京工業大学（東京）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-23108004
[学会発表] 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究2008
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、平家誠嗣、森下英郎、伊藤耕三、橋詰富博
- 学会等名
  日本物理学会2008年秋季大会
- 発表場所
  岩手大学
- 年月日
  2008-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] Fitst Principlpes Study of Self-Assembled Monolayers in Organic Transistors2008
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  The 1st International Conference of the Grand Challenge to Net-Generation Integrated Nanoscience
- 発表場所
  日本科学未来館
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
- 学会等名
  International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2007-01-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] 金属・有機半導体界面のショットキーバリア低減のための単分子膜材料設計2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、平家誠嗣、藤森正成、新井唯、橋詰富博
- 学会等名
  ナノ学会第5回大会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2007-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
- 学会等名
  日本物理学会第62回年次大会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2007-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  東京大学駒場キャンパス
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor2007
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
- 学会等名
  9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  東京大学駒場キャンパス
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328
[学会発表] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers on Metal Surfaces2006
- 著者名/発表者名
  諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、安藤正彦、橋詰富博
- 学会等名
  28th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  ウイーン・インペリアルパレス
- 年月日
  2006-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540328

1. 桜井利夫 (20143539)

共同の研究課題数: 13件

共同の研究成果数: 0件
2. 渡辺洋右 (00167181)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
3. 宝野和博 (60229151)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
4. 王向東 (60240652)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 橋本真也 (40005971)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. DONGーRYUL Je

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 諏訪雄二 (20216500)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
8. 門野良典 (10194870)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 西田信彦 (50126140)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 小池洋二 (70134038)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 井上克也 (40265731)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 小嶋健児 (60302759)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 幸田章宏 (10415044)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 足立匡 (40333843)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 永長直人 (60164406)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 内藤方夫 (40155643)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 秋光純 (80013522)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 藤森淳 (10209108)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 平田和人 (30354294)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 竹屋浩幸 (80197342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 大熊哲 (50194105)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 井澤公一 (90302637)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 金子真一 (40301171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 壬生攻 (40222327)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 岸根順一郎 (80290906)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 山本秀樹 (70393733)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 齋藤晋 (00262254)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 西敏夫 (70134484)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 豊田雅之 (30536587)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 平山博之 (60271582)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 林主税

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. WANG Xiang-don

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. JEON Dong-ryul

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 大澤健男

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
35. 平原徹

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
36. 斎藤晋

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

橋詰 富博 HASHIZUME TOMIHIRO

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

FI-STMによる新機能発現の基礎研究(金属表面の触媒機構)研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体表面における光CVDプロセスの初期過程の原子レベル構造解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

低温STMによるシリコン(100)清浄表面及び吸着表面の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

シリコン(100)表面におけるアルカリ金属の吸着構造と電子状態の吸着量依存性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

橋詰富博 HASHIZUME TOMIHIRO