岩山勉 IWAYAMA Tsutomu

研究者番号	70223435
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-7835-4042
所属 (現在)	2021年度: 愛知教育大学, その他部局等, 副学長・理事
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2019年度: 愛知教育大学, 教育学部, 教授 2003年度 – 2006年度: 愛知教育大学, 教育学部, 助教授 1999年度 – 2000年度: 愛知教育大学, 教育学部, 助教授 1994年度 – 1995年度: 愛知教育大学, 教育学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 量子ビーム科学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 量子ビーム科学
キーワード	研究代表者イオン注入 / 可視発光 / シリコン / RTA / 二酸化シリコン / ナノクリスタル / シリコンナノ結晶 / 量子ビーム / ナノ結晶 / 急速加熱 … もっと見る

研究課題
(8件)
研究成果
(51件)

イオンビームとレーザービームプロセスによる光機能性シリコンナノ結晶の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  愛知教育大学
イオンビームとレーザービームの融合プロセスによる光機能性シリコンナノ結晶の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン・レーザービーム融合プロセスによるナノシリコンの構造制御と光機能素子の試作研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン注入によるナノ構造シリコンの構造・発光制御とその光機能デバイスとしての応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン打ち込み法によるナノ構造半導体の微細構造制御とその光機能新材料としての応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン注入、紫外光照射による可視発光シリコンクラスター構造制御と発光素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン注入による二酸化シリコン中のナノサイズシリコン微結晶の形成とその物性研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  愛知教育大学
イオン注入による絶縁体中での半導体,金属超微粒子の生成とその物性研究代表者
- 研究代表者
  
  岩山勉
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  愛知教育大学

すべて 2020 2019 2018 2016 2015 2013 2012 2011 2010 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Optical properties of Si nanocrystals in SiO2 matrix synthesized by reactive pulsed laser deposition2020
- 著者名/発表者名
  Iwayama Tsutomu、Ogihara Ken
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Conference Series
  
  巻: 1527 ページ: 012027-012027
- DOI
  10.1088/1742-6596/1527/1/012027
- 査読あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[雑誌論文] Luminescent Si nanocrystals synthesized by Si ion implantation and reactive pulsed laser deposition: the effects of RTA, excimer-UV and e-Beam irradiation.2015
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama and T.Hama
- 雑誌名
  
  International Journal of Chemical, Molecular, Nuclear, Materials and Metallurgical Engineering
  
  巻: 9 ページ: 843-846
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124
[雑誌論文] Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence.2012
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 86 ページ: 1634-1637
- DOI
  10.1016/j.vacuum.2011.12.013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals2011
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Ser. :Mater.Sci.Eng.
  
  巻: 15 ページ: 12022-12022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals.2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, H.Watanabe, S.Fukaya,T.Hama and D.E.Hole
- 雑誌名
  
  Transa. Mater. Res. Soc. Jpn
  
  巻: 35 ページ: 765-768
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Transa.Mater.Res.Soc.Jpn
  
  巻: 35 ページ: 765-768
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Influence of UV irradiation and RTA process on optical properties of Si implanted SiO2.2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B
  
  巻: 268 ページ: 3203-3206
- DOI
  10.1016/j.nimb.2010.05.089
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Ser.: Mater.Sci.Eng.
  
  巻: 15
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Influence of UV irradiation and RTA process on optical properties of Si implanted SiO_22010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B
  
  巻: 268 ページ: 3203-3206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals.2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama and D.E.Hole
- 雑誌名
  
  IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng
  
  巻: 15
- DOI
  10.1088/1757-899x/15/1/012022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[雑誌論文] Lamp annealing effects on the formation process of implanted silicon nanocrystals in SiO_2.2007
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B 257
  
  ページ: 85-89
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Lamp annealing effects on the formation process of implanted silicon nanocrystals in SiO_2.2007
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B 257
  
  ページ: 85-89
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Enhanced luminescence from encapsulated silicon nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneal.2006
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Vacuum 81
  
  ページ: 179-185
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Enhanced luminescence from encapsulated silicon nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneal.2006
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Vacuum 81
  
  ページ: 179-185
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Low temperature formation of luminescent Si nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneals.2006
- 著者名/発表者名
  T.Hama, T.S.Iwayama, D.E.Hole
- 雑誌名
  
  Proceed. Symposium on Materials Sci. ＆ Eng. 24
  
  ページ: 7-12
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Enhancement of luminescence from encapsulated Si nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneals.2005
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  NJucl. Instrum. Methods B 230
  
  ページ: 203-209
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Enhancement of luminescence from encapsulated Si nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneals.2005
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Nucl. Instrum. Methods B 230
  
  ページ: 203-209
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Enhancement of luminescence from encapsulated Si nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneals.2005
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 230
  
  ページ: 203-209
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] RTA effects on the initial formation of Si nanocrystals in SiO_2.2005
- 著者名/発表者名
  T.Hama, T.S.Iwayama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 23^<rd> Symposium on Materials Science & Engineering Research Center of Ion Beam Technology 23
  
  ページ: 51-56
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Enhancement of luminescence from encapsulated Si nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneals.2005
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 230
  
  ページ: 203-209
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Ion beam production and optical characterization of encapsulated nanometer-sized silicon in silicon dioxide on silicon wafer.2004
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 8^<th> Japan-Russia International Symposiumon Interaction of Fast Charged Particles with Solids
  
  ページ: 187-192
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Ion beam production and optical characterization of encapsulated nanometer-sized silicon in silicon dioxide on silicon wafer.2004
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 8^<th> Japan-Russia International Symposium on Interaction of Fast Charged Particles with Solids
  
  ページ: 187-192
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Correlation of the optical properties with the microstructure of Si nanocrystals in SiO_2 fabricated by ion implantation.2003
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  SPIE Proceedings 5024
  
  ページ: 24-32
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Control of embedded Si nanocrystals in SiO_2 by rapid thermal anneals and enhanced photoluminescence characterization.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama D.E.Hole, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Surf. Coat. Tech. (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] RTA effects on the formation process of embedded luminescent Si nanocrystals in SiO_2.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Ion beam production and characterization of photonic nanostructured silicon material in silicon dioxide.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, A.J.Kenyon, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Control of embedded Si nanocrystals in SiO_2 by rapid thermal anneals and enhanced photoluminescence characterization.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Surf. Coat. Tech. (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] RTA effects on the formation process of embedded luminescent Si nanocrystals in SiO_2.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Ion beam production and characterization of photonic nanostructured silicon material in silicon dioxide.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, A.J.Kenyon, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B in press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[雑誌論文] Enhanced luminescence from encapsulated silicon nanocrystals in SiO_2 with rapid thermal anneal.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Vacuum (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Control of embedded Si nanocrystals in SiO_2 by rapid thermal anneals and enhanced photoluminescence characterization.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Surf. Coat. Tech. (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] RTA effects on the formation process of embedded luminescent Si nanocrystals in SiO_2.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17510098
[雑誌論文] Ion beam production and characterization of photonic nanostructured silicon material in silicon dioxide.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole, A.J.Kenyon, I.W.Boyd
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15510100
[学会発表] Optical properties of Si nanocrystals in SiO2 matrix synthesized by reactive pulsed laser deposition.2019
- 著者名/発表者名
  Tsutomu Iwayama
- 学会等名
  The 1st European Conference on Silicon and Silica Based Materials (ec-siliconf1)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Luminescent Si nanocrystals synthesized by reactive pulsed laser deposition2018
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, K.Ogihara
- 学会等名
  E-MRS 2018 Spring Meeting, Strasbourg, France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Optical properties of silicon nanocrystals synthesized by reactive pulsed laser deposition2018
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, K.Ogihara
- 学会等名
  EURODIM 2018, Bydgoszcz, Poland
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Optical properties of silicon nanocrystals in SiO2 matrix synthesized by reactive pulsed laser deposition2018
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  SATF2018, Cesme, Izmir, Turkey
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Optical properties of Si nanocrystals fabricated by ion implantation and reactive PLD2016
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  EMN Nanocrystals Meeting
- 発表場所
  西安（中国）
- 年月日
  2016-10-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Optical properties of encapsulated nano-sized Si in SiO2 fabricated by ion implantation and reactive PLD2016
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, K.Ogihara, T.Hama
- 学会等名
  Science & Applications of Thin Films
- 発表場所
  チェシュメ（トルコ）
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K05013
[学会発表] Luminescent Si nanocrystals synthesized by Si ion implantation and reactive pulsed laser deposition: the effects of RTA, excimer-UV and e-Beam irradiation.2015
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama and T.Hama
- 学会等名
  17th International Conference on Nanophotonics, ICN 2015
- 発表場所
  Paris ( France )
- 年月日
  2015-08-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124
[学会発表] Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and ebeam irradiation.2013
- 著者名/発表者名
  T. S. Iwayama, T. Hama, D.E.Hole
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Technology
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124
[学会発表] Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.2013
- 著者名/発表者名
  T.S. Iwayama
- 学会等名
  IVC-19/ICN+T 2013/ICSS-15/ITFPC 2013/MIATEC 2013/CIP 2013/RSD 2013 Congress
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Optical properties of implanted Si nanocrystals: Effects of excimer-UV light irradiation and RTA on photoluminescence.2012
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama and D.E.Hole
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience + Technology
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Optical properties of implanted Si nanocrystals: Effects of excimer-UV light irradiation.2012
- 著者名/発表者名
  T.S. Iwayama
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience + Technology 2012
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence2011
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  XX International Conference on Ion-Surface Interactions
- 発表場所
  Zvenigorod (Russia)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence.2011
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  XX International Conference on Ion-Surface Interactions, August 25-29
- 発表場所
  Zvenigorod, Russia (Invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  11^<th> Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials
- 発表場所
  Pecs (Hungary)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals.2010
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama and D.E.Hole
- 学会等名
  11th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials
- 発表場所
  Pecs, Hungary
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22604002
[学会発表] Luminescent Si nanocrystals formed in SiO2 by ion implantation.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama
- 学会等名
  Fifth All-Russian Conferencev,Physics and Physical Chemistry of Ion Implantation
- 発表場所
  Nizhni Novgorod, Russia
- 年月日
  2014-10-27 – 2014-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124
[学会発表] Luminescent Si nanocrystals synthesized by reactive pulsed laser deposition.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama
- 学会等名
  International Conference on Science & Applications of Thin Films (SATF2014)
- 発表場所
  Cesme, Izmir, Turkey
- 年月日
  2014-09-15 – 2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124
[学会発表] Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.
- 著者名/発表者名
  T.S.Iwayama, T.Hama
- 学会等名
  International Conference on Science & Applications of Thin Films (SATF2014)
- 発表場所
  Cesme, Izmir, Turkey
- 年月日
  2014-09-15 – 2014-09-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390124

岩山 勉 IWAYAMA Tsutomu

研究課題

研究成果

イオンビームとレーザービームプロセスによる光機能性シリコンナノ結晶の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンビームとレーザービームの融合プロセスによる光機能性シリコンナノ結晶の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン・レーザービーム融合プロセスによるナノシリコンの構造制御と光機能素子の試作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入によるナノ構造シリコンの構造・発光制御とその光機能デバイスとしての応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン打ち込み法によるナノ構造半導体の微細構造制御とその光機能新材料としての応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入、紫外光照射による可視発光シリコンクラスター構造制御と発光素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入による二酸化シリコン中のナノサイズシリコン微結晶の形成とその物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオン注入による絶縁体中での半導体,金属超微粒子の生成とその物性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Optical properties of Si nanocrystals in SiO2 matrix synthesized by reactive pulsed laser deposition2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Luminescent Si nanocrystals synthesized by Si ion implantation and reactive pulsed laser deposition: the effects of RTA, excimer-UV and e-Beam irradiation.2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence.2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of excimer UV irradiation on growth and optical properties of implanted Si nanocrystals2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals.2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Influence of UV irradiation and RTA process on optical properties of Si implanted SiO2.2010

著者名/発表者名

雑誌名

岩山勉 IWAYAMA Tsutomu