船戸充 Funato Mitsuru

研究者番号	70240827
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 京都大学, 工学研究科, 特定教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2024年度: 京都大学, 工学研究科, 准教授 2015年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2013年度: 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 2012年度 – 2013年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2007年度 – 2011年度: 京都大学, 工学研究科, 准教授 … もっと見る 2008年度 – 2010年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2002年度 – 2006年度: 京都大学, 工学研究科, 講師 2001年度: 京都大学, 工学研究科, 助手 2000年度: 京大, 工学(系)研究科, 助手 1999年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 助手 1995年度 – 1999年度: 京都大学, 工学研究科, 助手 1997年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 助手 1993年度 – 1994年度: 京都大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 表面界面物性研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 理工系 … もっと見る / 結晶工学 / 理工系 / 応用物性 / 電子・電気材料工学隠す
キーワード	研究代表者結晶成長 / 結晶工学 / 窒化物半導体 / GaAs / 透過型電子顕微鏡 / GaAs-ZnSe / 異族半導体多層構造 / 高効率化 / 可視長波長LED / ScAlMgO4 … もっと見る / InリッチInGaN / 光デバイス / へき開性基板 / 発光素子 / 電子・電気材料 / 電気・電子材料 / 紫外光源技術 / 電子材料 / 厚膜InGaN / 偏光 / 発光効率 / 半極性結晶面 / 緑色レーザ / 量子構造 / 薄膜 / 結晶構造 / GaN / 不整合 / 半導体へテロ構造 / 表面エネルギー / ZnSe / 硫黄原子 / バンド不連続量 / Zn(S)Se / 半導体ヘテロ界面 / 原子価不整合 / ヘテロ接合ダイオード / 成長姿態 / マイグレーション / 三次元成長 … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / ZnCdSSe / 近接場分光 / 発光機構解明 / マルチプローブ技術 / 発光ダイナミクス / 非輻射再結合 / 輻射再結合 / 励起子 / 半導体3次元構造 / 深紫外フォトニクス / 深紫外分光 / ワイドギャップ半導体 / MIS / GaP / プラズモニクス / 近接場光学 / 量子ナノ構造 / 先進フォトセンシング / フォトルミネッセンス / 多波長発光 / InGaN / ZnO / 高効率化 / 発光ダイオード / ScAlMgO4基板 / InリッチInGaN / 発光高効率化 / 光空間無線通信 / 次世代照明 / 発光シンセサイザー / ナノ局在物性 / 多波長発光制御 / テーラーメイド光源 / ナノ局在 / 3次元構造 / 多波長発光光源 / 局在光物性 / 新機能発光デバイス / 多波長発光素子 / 光物性評価 / 窒化物特異構造 / 発光制御 / 特異構造 / 顕微分光 / 近接場光学顕微鏡 / 超ワイドギャップ半導体 / optical functions / exciton properties / zinc oxide / artificial arrangement / MOCVD growth / nanodots / nanopatterning / focused ion beam / 光機能 / 励起子物性 / 酸化亜鉛 / 配列制御 / MOCVD成長 / ナノドット / ナノ加工 / 集束イオンビーム / Highly Efficient Emission / Quantum nano-structures / GaN-based semiconductors / Advanced Photo-sensing / Multi-probe Technique / Emission Dynamics / Photoluminescence / Near Field Spectroscopy / 超高発光効率 / 超高効率発光 / spatial dynamics / temporal dynamics / thermal lens spectroscopy / transient grating spectroscopy / nonradiative recombination / radiative recombination / exciton / widegap semiconductor / 熱レイズ法 / 空間ダイナミクス / 時間ダイナミクス / ワイドキャップ半導体 / 時間・空間ダイナミクス / 熱レンズ法 / 過渡グレーティング法 / 近接場工学 / Luminescence Dynamics / Time-resolved spectroscopy / Localization / Low-dimensional Structures / Exciton Molecule / Exciton / Widegap Semiconductors / 局在化 / 多体効果 / 量子ドット / ZnCdSe / 時間分解分光 / 局在 / 低次元構造 / 励起子分子 / current-injection lasing / quantum structure / p-type control / impurity doping / growth processes / photocatalysis / 励起子発光寿命 / 欠陥制御 / 反応素過程 / 電流注入レーザ発振 / 量子構造 / p型伝導性制御 / 不純物添加 / 反応過程 / 光触媒反応 / Quantum Well / Moleclar Beam Epitaxy / Ultraviolet Optical Devices / 原子層制御成長 / 量子井戸 / P型伝導度制御 / Gap / 紫外半導体レーザ / 紫外発光ダイオード / 量子井戸構造 / 分子線エピタキシ- / 紫外光デバイス / 走査プローブ顕微鏡 / 光計測 / ナノ構造 / 半導体 / 光物性 / 新規顕微分光応用 / 半導体ナノ構造 / マルチプローブ分光 / 時間空間ダイナミクス / 局在励起子 / InGaNナノ構造 / バイオセンシング応用 / バイオセンシング / 局在発光制御 / バンドギャップ / 窒化アルミニウム / 窒化インジウム / 発光デバイス / 赤外 / 紫外 / 半導体物性 / 結晶成長 / 光デバイス / 誘導放出 / マイクロファセット / 半極性面 / 高品質エピ膜 / Modified MEE法 / 偏光異方性 / 深紫外発光 / 発光マッピング / A1GaN / INGaN / AlGaN / 配向特性 / 多層構造 / 強磁性体薄膜 / 励起子磁気光学効果隠す

InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
発光シンセサイザー：究極の発光デバイス創成を目指して
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
近接場分光（SNOM）による特異構造の発光機構解明と制御
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2015
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  京都大学
窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  京都大学
近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  立命館大学
ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
超微細ナノドット・ナノロッド・ナノラインの新しい超精密配列制御技術の研究
- 研究代表者
  
  藤田静雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
ワイドギャップ半導体における非輻射再結合機構の解明
- 研究代表者
  
  川上養一
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
表面エネルギー変調エピタキシーによる半導体不整合系へテロ構造の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
- 研究代表者
  
  藤田静雄
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
原子価不整合系半導体ヘテロ界面の原子層レベル制御とバンド不連続量研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  京都大学
半導体表面光触媒反応による気相成長のダイナミクス
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
異族半導体多層構造の作製と界面物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
異族半導体AlGaAs-ZnSe新人工多層構造の作製と新物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  船戸充
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学
紫外光デバイス用II-VI族新混晶半導体の成長に関する研究
- 研究代表者
  
  藤田茂夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  京都大学

[図書] ワイドギャップ半導体－あけぼのから最前線へー　第3.3章「半極性・半極性面上新規高効率発光デバイス」pp.222-2322013
- 著者名/発表者名
  船戸充，川上養一（分担執筆）
- 総ページ数
  11
- 出版者
  培風館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[図書] 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[図書] "Assessment and Modification of Recombination Dynamics in In_xGa_<1-x>N-Based Ouantum Wells". Advances in Light Emitting Materials, Materials Science Forum2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami. A. Kaneta and M. Funato(分担執筆)
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] "Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters", Nitrides with Nontpolar Surfaces : Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai (分担執筆)
- 出版者
  WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[図書] "Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters", Nitrides with Nonoolar Surfaces : Growth. Properties, and Devices edited by Tanya Paskova2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai (分担執筆)
- 出版者
  WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[図書] Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters, Nitrides with Nonpolar Surfaces:Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 出版者
  WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[図書] "Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters", Nitrides with Nonpolar Surfaces : Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai(分担執筆)
- 出版者
  WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] Assessment and control of recombination dynamics in In_xGa_<1-x>N-based quantum wells, (Materials Sci. Forum 590)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, and M. Funato
- 出版者
  Advances in Light Emitting Materials ed. by B. Monemar
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[図書] "Assessment and Modification of Recombination Dynamics in InxGa1-xN-Based Quantum Wells", Advances in Light Emitting Materials, Materials Science Forum Vol.5902008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta and M. Funato (分担執筆)
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] Assessment and Modification of Recombination Dynamics in InxGa1-xN-Based Quantum Wells, Advances in Light Emitting Materials, Materials Science Forum2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[図書] Nitrides with Nonpolar Surfaces : Growth, Properties, and Devices edited by T.Paskova, WILEY-VCH2008
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai(分担執筆)
- 出版者
  Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] Materials Science Forum 590, Trans Tech Publications2008
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Funato(分担執筆)
- 出版者
  Assessment and Modification of Recombination Dynamics in InxGa1-xN-Based Quantum Wells Advances in Light Emitting Materials
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[図書] "Assessment and Modification of Recombination Dynamics in In_xGa_<1-x>N-Based Ouantum Wells". Advances in Light Emitting Materials. Materials Science Forum2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato (分担執筆)
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[図書] "Assessment and Modification of Recombination Dynamics in In_xGa_<1-x>N-Based Quantum Wells". Advances in Light Emitting Materials Materials Science Forum2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato (分担執筆)
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[図書] Semipolar InGaN/GaN quantum wells for highly functional light emitters2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami Y. Narukawa and T. Mukai(分担執筆)
- 出版者
  Nitrides with Nonpolar Surfaces:Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova,WILEY-VCH Verlag GmbH &amp ; Co. KGaA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[図書] O Plus E 2005年12月号特集近接場光とナノデバイス(分担執筆)「近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に追る」2005
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志
- 出版者
  新技術コミュニケーションズ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[図書] O Plus E 2005年12月号特集近接場光とナノデバイス(分担執筆) 「近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る」2005
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志(分担執筆)
- 出版者
  新技術コミュニケーションズ
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire from 10 to 500 K2024
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, S. Tanaka, N. Susilo, T. Wernicke, M. Kneissl, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: - 号: 11 ページ: 24000181-9
- DOI
  10.1002/pssb.202400018
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-23K26560
[雑誌論文] Confinement of excitons within GaN 1D nanoarchitectures formed on AlN molecular steps2024
- 著者名/発表者名
  M. Funato, H. Kobayashi, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Adv. Opt. Mater.
  
  巻: - 号: 12
- DOI
  10.1002/adom.202302506
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Deep-ultraviolet luminescence properties of AlN2024
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi, RRL
  
  巻: - 号: 11 ページ: 24000171-10
- DOI
  10.1002/pssr.202400017
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-23K26560
[雑誌論文] Significant improvement of green light emission efficiency of InGaN/GaN quantum wells by depositing oxide thin films and ultraviolet light irradiations2023
- 著者名/発表者名
  S. Kaito, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Okamoto
- 雑誌名
  
  Research Square
  
  巻: -
- DOI
  10.21203/rs.3.rs-2515057/v1
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] InGaN-based LEDs on convex lens-shaped GaN arrays toward multiwavelength light emitters2023
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 015511-015511
- DOI
  10.35848/1882-0786/acb2af
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14613, KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Interface formation mechanism of GaN on Al-pretreated ScAlMgO<sub>4</sub> (0001) substrates2023
- 著者名/発表者名
  Fukui Takato、Matsuda Yoshinobu、Matsukura Makoto、Kojima Takahiro、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 23 号: 4 ページ: 2739-2744
- DOI
  10.1021/acs.cgd.2c01525
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[雑誌論文] Flexible topographical design of light-emitting diodes realizing electrically controllable multi-wavelength spectra2023
- 著者名/発表者名
  Matsuda Yoshinobu、Umemoto Ryunosuke、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 13 号: 1 ページ: 12665-12665
- DOI
  10.1038/s41598-023-39791-2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14613, KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 108 号: 3 ページ: 0352051-10
- DOI
  10.1103/physrevb.108.035205
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-23K26560
[雑誌論文] Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes2023
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 122 号: 13
- DOI
  10.1063/5.0142138
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21J15559
[雑誌論文] A review of three-dimensional structure-controlled InGaN quantum wells for efficient visible polychromatic light emitters2023
- 著者名/発表者名
  Funato Mitsuru、Matsuda Yoshinobu、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 39 号: 1 ページ: 013002-013002
- DOI
  10.1088/1361-6641/ad12de
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14613, KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21H04661
[雑誌論文] Anisotropic emission wavelength distribution of semipolar InGaN quantum wells on symmetric convex lens-shaped GaN microstructures2023
- 著者名/発表者名
  Matsuda Yoshinobu、Sakaki Atsushi、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 123 号: 24 ページ: 241105-241105
- DOI
  10.1063/5.0175071
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14613, KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Enhancement of the bandgap emission from GaN epilayer by surface plasmon resonance in the quadrupole oscillation mode using Ag nanoparticles protected by an oxide thin film2023
- 著者名/発表者名
  S. Kaito, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 122 号: 15
- DOI
  10.1063/5.0143725
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K19218, KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] プラズモニクスに基づくIII-V族窒化物半導体の高効率緑色発光2023
- 著者名/発表者名
  岡本晃一, 垣内晴也, 亀井勇希, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  レーザー研究
  
  巻: 51 ページ: 97-102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters: Demonstration of far-red LEDs2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Maehara, Y. Matsuda, T. Ozaki, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Photonics West 2023
  
  巻: 12421 ページ: 1242102-1242102
- DOI
  10.1117/12.2649997
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21H04661
[雑誌論文] Multiwavelength-emitting InGaN quantum wells on convex-lens-shaped GaN microstructures2022
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, S. Funato, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 15 号: 10 ページ: 105503-105503
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac934e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K14613, KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Stimulated emission mechanism of aluminum nitride2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, T. Nagashima, R. Yamamoto, T. Hitomi, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 105 号: 20 ページ: 1-9
- DOI
  10.1103/physrevb.105.205206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN on 2-inch ScAlMgO4 (0001) substrates2022
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, T. Sakaguchi, Y. Matsuda, M. Matsukura, T. Kojima, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: 9 ページ: 090904-090904
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac89c2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21H04661
[雑誌論文] Picosecond-laser-excited photoluminescence study of AlGaN quantum wells on epitaxially laterally overgrown AlN/sapphire under selective and non-selective excitation conditions2022
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, R. Ishii, N. Susilo, T. Wernicke, M, Kneissl, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 61 号: 11 ページ: 112002-112002
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac94fd
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Optical anisotropy and photo-pumped lasing at ~250 nm from semipolar (1-102) AlxGa1-xN/AlN quantum wells with cleaved mirrors2022
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Appl.
  
  巻: 18 号: 4
- DOI
  10.1103/physrevapplied.18.044005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Optical anisotropy of (11-23) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, K. Mori, A. A. Yamaguchi, H. Goto, Y. Sumida, Y. Ishihara, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 7 ページ: 074502-074502
- DOI
  10.1063/5.0081815
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21H04661
[雑誌論文] Microscopic origin of thermal droop in blue-emitting InGaN/GaN quantum wells studied by temperature-dependent microphotoluminescence spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, Y. Koyama, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 29 号: 15 ページ: 22847-22854
- DOI
  10.1364/oe.428421
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Critical layer thickness of wurtzite heterostructures with arbitrary pairs of growth planes and slip systems2021
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science & Technology
  
  巻: 36 号: 8 ページ: 085016-085016
- DOI
  10.1088/1361-6641/ac0d95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Influence of substrate misorientation on the emission and waveguiding properties of a blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, A. Sakaki, R. Ishii, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, Y. Matsuda, D. Schiavon, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Photonics Research
  
  巻: 9 号: 3 ページ: 299-307
- DOI
  10.1364/prj.411701
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Singularity structures for sub-250-nm emissions from AlGaN-based semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 12 ページ: 120501-120501
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac2f1e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Bias-dependent time-resolved photoluminescence spectroscopy on 265-nm AlGaN-based LEDs on AlN substrates2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, K. Nagase, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 2 ページ: 020903-020903
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd91d
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Enhanced nonradiative recombination in AlGaN-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 3 ページ: 031007-031007
- DOI
  10.35848/1882-0786/abe658
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle2021
- 著者名/発表者名
  A. Kafar,A. Sakaki,R. Ishii,K. Shojiki,S. Stanczyk,K. Gibasiewicz,G. Staszczak,L. Marona,D. Schiavon,S. Grzanka,S. Krukowski,T. Suski,P. Perlin,M. Funato,Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Optical Materials Express
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 119-135
- DOI
  10.1364/ome.445043
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-21H04661, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Impact of the positive electron-hole exchange interaction constant on the binding energy of neutral donor bound excitons in AlN2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, H. Kobayashi, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 8 ページ: 080901-080901
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac15ae
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures on (11-22) and (-1-12-2) GaN substrates2021
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 129 号: 16
- DOI
  10.1063/5.0047657
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Control of p-type conductivity at AlN surfaces by carbon doping2020
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 1 ページ: 015512-015512
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab6589
- NAID
  210000157912
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-18J11081
[雑誌論文] Lattice relaxation in semipolar AlGaN grown on (1-102) AlN substrates2020
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 6 ページ: 061008-061008
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab9183
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Long-range electron-hole exchange interaction in aluminum nitride2020
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 102 号: 15 ページ: 1-5
- DOI
  10.1103/physrevb.102.155202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] 265 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates studied by photoluminescence spectroscopy under ideal pulsed selective and non-selective excitation conditions2020
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, K. Nagase, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 10 ページ: 102005-102005
- DOI
  10.35848/1882-0786/abb86f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Temperature-dependent electroluminescence study on 265-nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN substrates2020
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, K. Nagase, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 12 ページ: 125014-125014
- DOI
  10.1063/5.0024179
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.1063/5.0017703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Radiative recombination efficiency of AlGaN quantum wells: do we estimate it accurately in a proper way?2020
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Funato, and R. Ishii
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 50 ページ: 503001-503001
- DOI
  10.1088/1361-6463/aba64c
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Doping and fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LEDs with polychromatic emission properties on (-1-12-2) semipolar planes2020
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 128 号: 21
- DOI
  10.1063/5.0029292
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[雑誌論文] Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes2020
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, K. Gibasiewicz, Y. Matsuda, S. Stanczyk, D. Schiavon, S. Grzanka, M. Tano, A. Sakaki, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 28 号: 15 ページ: 22524-22539
- DOI
  10.1364/oe.394580
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-20H00351, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 125342-125342
- DOI
  10.1063/1.5125799
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] AlxGa1-xN -based quantum wells fabricated on macrosteps effectively suppressing nonradiative recombination2019
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] AlxGa1-xN -based quantum wells fabricated on macrosteps effectively suppressing nonradiative recombination2019
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Pushing the limits of deep-ultraviolet scanning near-field optical microscopy2019
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  APL Photonics
  
  巻: 4 号: 7 ページ: 070801-070801
- DOI
  10.1063/1.5097865
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-19H02615
[雑誌論文] Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, S. Shikata, T. Teraji, H. Kanda, H. Watanabe, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 1 ページ: 010904-010904
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaef3e
- NAID
  210000135251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-26220903, KAKENHI-PROJECT-16H03861, KAKENHI-PROJECT-17H04810, KAKENHI-PROJECT-16H06326
[雑誌論文] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon-coupled emission from InGaN/GaN quantum wells2019
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCB31-SCCB31
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab07ae
- NAID
  210000156116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-18H01903
[雑誌論文] 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定2019
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 雑誌名
  
  京都大学物性科学センター誌,
  
  巻: 33 ページ: 10-17
- NAID
  120006773146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Broadband ultraviolet emission from 2D arrays of AlGaN microstructures grown on the patterned AlN templates2019
- 著者名/発表者名
  K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 216 号: 7 ページ: 1900764-1900764
- DOI
  10.1002/pssa.201900764
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Impact of microscopic In fluctuations on the optical properties of InxGa1-xN blue light-emitting diodes assessed by low-energy X-ray fluorescence mapping using synchrotron radiation2019
- 著者名/発表者名
  A. Sakaki, M. Funato, M. Miyano, T. Okazaki, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-019-39086-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定2019
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 雑誌名
  
  京都大学物性科学センター誌
  
  巻: 33 ページ: 10-17
- NAID
  120006773146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Red-emitting InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1-yN /ScAlMgO4(0001) templates2019
- 著者名/発表者名
  T.　Ozaki, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 011007-011007
- DOI
  10.7567/1882-0786/aaf4b1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Micro-photoluminescence mapping of light emissions from aluminum-coated InGaN/GaN quantum wells2019
- 著者名/発表者名
  K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto and K. Tamada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 5 ページ: 052016-052016
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab0911
- NAID
  210000135662
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-18H01903
[雑誌論文] Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates2019
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 522 ページ: 68-77
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.06.010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Self-limiting growth of ultrathin GaN/AlN quantum wells for highly efficient deep ultraviolet emitters2019
- 著者名/発表者名
  H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 7 号: 21 ページ: 1900860-1900860
- DOI
  10.1002/adom.201900860
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction for nondestructive assessments of local structural properties of faceted InGaN/GaN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  Sakaki Atsushi、Funato Mitsuru、Kawamura Tomoaki、Araki Jun、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 3 ページ: 031001-031001
- DOI
  10.7567/apex.11.031001
- NAID
  210000136115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定2018
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 雑誌名
  
  京都大学物性科学センター誌
  
  巻: 33 ページ: 10-17
- NAID
  120006773146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Dominant nonradiative recombination paths and their activation processes in AlxGa1-xN-related materials2018
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] AlxGa1-xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes2018
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 6 ページ: 061001-061001
- DOI
  10.7567/apex.11.061001
- NAID
  210000136213
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Dominant nonradiative recombination paths and their activation processes in AlxGa1-xN-related materials2018
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami,
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 064027-064027
- DOI
  10.1103/physrevapplied.10.064027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E101-C ページ: 532-536
- NAID
  130007386831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E101-C ページ: 532-536
- NAID
  130007386831
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Alx Ga1-xN-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination2018
- 著者名/発表者名
  Hayakawa Minehiro、Ichikawa Shuhei、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 7 号: 2 ページ: 1801106-1801106
- DOI
  10.1002/adom.201801106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Effects of Al and N2 Flow Sequences on the Interface Formation of AlN on Sapphire by EVPE2017
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Kishimoto、Mitsuru Funato、Yoichi Kawakami
- 雑誌名
  
  Crystals
  
  巻: 7 号: 5 ページ: 123-123
- DOI
  10.3390/cryst7050123
- NAID
  120006318891
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Plasmonics toward high efficiency LEDs from the visible to the deep UV region2017
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, N. Okada, K. Tadatomo, and K. Tamada
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Photonics West 2017
  
  巻: 101240
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Origin of temperature-induced luminescence peak shifts from semipolar (112￣2) InxGa1?xN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  Ozaki Takuya、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 96 号: 12
- DOI
  10.1103/physrevb.96.125305
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato, S. Ichikawa, K. Kumamoto, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Photonics West 2017
  
  巻: 101040 ページ: 101040I-101040I
- DOI
  10.1117/12.2254797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-14J02639
[雑誌論文] High-efficiency light emission by means of exciton-surface-plasmon coupling2017
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Tamada
- 雑誌名
  
  J. Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews
  
  巻: 32 ページ: 58-77
- DOI
  10.1016/j.jphotochemrev.2017.05.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  Kataoka Ken、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 12 ページ: 121001-121001
- DOI
  10.7567/apex.10.121001
- NAID
  210000136026
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Plasmonics toward high efficiency LEDs from the visible to the deep UV region2017
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, N. Okada, K. Tadatomo, and K. Tamada
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Photonics West 2017 (invited paper)
  
  巻: 10124
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Polychromatic emission from polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities2017
- 著者名/発表者名
  Matsuda Yoshinobu、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 7 ページ: 071003-071003
- DOI
  10.7567/apex.10.071003
- NAID
  210000135899
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon enhanced light emissions from InGaN/GaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto, and K. Tamada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 17 ページ: 172105-172105
- DOI
  10.1063/1.4998798
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato, M. Shibaoka, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 121 号: 8 ページ: 085304-085304
- DOI
  10.1063/1.4977108
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Deep ultraviolet polychromatic emission from three-dimensionally structured AlGaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Kataoka, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 031001-031001
- DOI
  10.7567/apex.10.031001
- NAID
  210000135777
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Plasmonics toward high-efficiency LEDs from the visible to the deep-UV region2017
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, N. Okada, K. Tadatomo, K. Tamada
- 雑誌名
  
  SPIE Proceedings
  
  巻: 10124 ページ: 101240R-101240R
- DOI
  10.1117/12.2249589
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-26289109
[雑誌論文] Control of crystal morphologies and interface structures of AlN grown on sapphire by elementary source vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  P.-T. Wu, K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Cryst.　Growth 　&　 Design
  
  巻: 16 号: 11 ページ: 6337-6342
- DOI
  10.1021/acs.cgd.6b00979
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332
[雑誌論文] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Nanoscience + Engineering 2016
  
  巻: 9363 ページ: 99260S-99260S
- DOI
  10.1117/12.2237606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-16H02332, KAKENHI-PROJECT-14J02639
[雑誌論文] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: 116
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] InGaN/AlGaN stress compensated superlattices coherently grown on semipolar (112-2) GaN substrates2016
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, M. Funato, R. Kido and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 253 号: 1 ページ: 78-83
- DOI
  10.1002/pssb.201552336
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Impact of radiative and nonradiative recombination processes on the efficiency-droop phenomenon in InGaN single quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, A. Hashiya, and M. Funato
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Applied
  
  巻: 6 号: 4
- DOI
  10.1103/physrevapplied.6.044018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現2016
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: 116
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[雑誌論文] Evaluating the well-to-well distribution of radiative recombination rates in semipolar (11-22) InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes2016
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Matsufuji, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp.
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 072102-072102
- DOI
  10.7567/apex.9.072102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426, KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: 116
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現2016
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: 116
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Screw dislocation-induced growth spirals as emissive exciton localization centers in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells2015
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Ryan G. Banal, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 5 号: 11
- DOI
  10.1063/1.4935567
- NAID
  120005712947
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Environmentally friendly method to grow wide-bandgap semiconductor aluminum nitride crystals: Elementary source vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  PeiTsen Wu, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 5 号: 1
- DOI
  10.1038/srep17405
- NAID
  120005712946
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] InGaN-based visible light-emitting diodes on ScAlMgO4(0001) substrates2015
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.7567/apex.8.062101
- NAID
  210000137539
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[雑誌論文] Optical Properties of Highly Strained AlN Coherently Grown on 6H-SiC(0001)2013
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 6 ページ: 62604-62604
- DOI
  10.7567/apex.6.062604
- NAID
  10031181971
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-24360009
[雑誌論文] Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures2013
- 著者名/発表者名
  R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Optical Materials Express
  
  巻: 3 ページ: 47-53
- NAID
  120005540813
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Crack-free thick AlN films obtained by NH3 nitridation of sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JB21-08JB21
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jb21
- NAID
  210000142615
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Optical gain spectra of a (0001) InGaN green laser diode2013
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. S. Kim, Y. Ochi, A. Kaneta, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 12 ページ: 122704-122704
- DOI
  10.7567/apex.6.122704
- NAID
  210000136903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Heteroepitaxy between wurtzite and corundum materials2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 18
- DOI
  10.1063/1.4804328
- NAID
  120005439697
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Remarkably suppressed luminescence inhomogeneity in a (0001) InGaN green laser structure2013
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. S. Kim, T. Hira, A. Kaneta, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 11 ページ: 111002-111002
- DOI
  10.7567/apex.6.111002
- NAID
  210000136844
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride2013
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 87 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.87.161204
- NAID
  120005244911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Grain size dependence of surface plasmon enhanced photoluminescence2013
- 著者名/発表者名
  X. Xu, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto and K. Tamada
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 21 ページ: 3145-3151
- NAID
  120005540812
- URL
  http://www.opticsinfobase.org/oe/search2.cfm?reissue=J&journalList=4&fullrecord=Grain+size+dependence+of+surface+plasmon+enhanced+photoluminescence&basicsearch=Go
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Complete set of deformation potentials for AlN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress2013
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 87 号: 23
- DOI
  10.1103/physrevb.87.235201
- NAID
  120005296104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Two-photon absorption induced anti-stokes emission in single InGaN/GaN quantum-dot-like objects2013
- 著者名/発表者名
  R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi-Rapid Research Letters
  
  巻: 7 号: 5 ページ: 344-347
- DOI
  10.1002/pssr.201307067
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-24000013, KAKENHI-PROJECT-24310106
[雑誌論文] Strong optical polarization in nonpolar (1-100) Al_xGa_<1-x>N/AlN quantum wells2013
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 87 号: 4
- DOI
  10.1103/physrevb.87.041306
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10F00368, KAKENHI-PROJECT-11J00290, KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy2012
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, R. Fujimoto, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Review of scientific instruments
  
  巻: 83 号: 8 ページ: 1-11
- DOI
  10.1063/1.4737883
- NAID
  120005439698
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-23686003
[雑誌論文] Homoepitaxy and photoluminescence properties of (0001) AIN2012
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 8 ページ: 082001-082001
- DOI
  10.1143/apex.5.082001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J00290, KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Unambiguous relationship between photoluminescence energy and its pressure evolution in InGaN/GaN quantum wells2012
- 著者名/発表者名
  T. Suski, G. Staszczak, S. P. Lepkowski, P. Perlin , R. Czernecki, I. Grzegory, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi {B}
  
  巻: 249 ページ: 476-479
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Nanoscopic photoluminescence properties of a green-emitting InGaN single quantum well on a {20-21} GaN substrate probed by scanning near-field optical microscopy2012
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 10 ページ: 1-3
- DOI
  10.1143/apex.5.102104
- NAID
  10031117546
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-23686003
[雑誌論文] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates2012
- 著者名/発表者名
  Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 112 ページ: 71-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy2012
- 著者名/発表者名
  R. Fujimoto, A. Kaneta, K. Okamoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 258 号: 19 ページ: 7372-7376
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2012.04.034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-23686003
[雑誌論文] Anisotropic lattice relaxation in non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells2012
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4739723
- NAID
  120005439699
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Semipolar {n-n01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n=1-3) fabricated by a regrowth technique2012
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kotani, T. Kondou and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 号: 16
- DOI
  10.1063/1.4704779
- NAID
  120007145038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells : Pressure studies of photoluminescence2011
- 著者名/発表者名
  G.Staszczak, T.Suski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 208 号: 7 ページ: 1526-1528
- DOI
  10.1002/pssa.201000975
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures : toward a tuneahle random laser2011
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, K.Okamoto, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: 19 ページ: 9262-9268
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects2011
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kanai, A. Kaneta, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: 82 号: 5
- DOI
  10.1063/1.3589855
- NAID
  120004873774
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001, KAKENHI-PROJECT-23686003
[雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : definite breakdown of the quasicubic approximation2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.A.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 81
- NAID
  120002511392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] 100mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam2010
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, K.Kataoka, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Nature Photonics
  
  巻: 4 ページ: 767-771
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] 100 mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam2010
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, K.Kataoka, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  NaturePhotonics 4
  
  ページ: 767-771
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Strain-induced effects on the electronic band structures in GaN/AlGaN quantum wells : Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, D.Inoue, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, L. Su, Y. Zhu, K. Okamoto, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107 号: 2
- DOI
  10.1063/1.3280032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : definite breakdown of the quasicubic approximation2010
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 81 号: 15
- DOI
  10.1103/physrevb.81.155202
- NAID
  120002511392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, T, Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3 号: 10 ページ: 102102-102102
- DOI
  10.1143/apex.3.102102
- NAID
  10027441078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 7 ページ: 2111-2114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 7 ページ: 1909-1912
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, D.Inoue, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solidi (C) 7
  
  ページ: 2111-2114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Weak carrier/exciton localization in InGaN quantum wells for green laser diodes fabricated on semi-polar {20-21} GaN substrates2010
- 著者名/発表者名
  M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, Y. Enya, K. Nishizuka, M. Ueno, T. Nakamura
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 3
- NAID
  10027013275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, AA.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017253764
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar {20-21} GaN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, A.Kaneta, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
- NAID
  10027013275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, L.Su, Y.Zhu, K.Okamoto, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress: definite breakdown of the quasicubic approximation2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.A.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 81
- NAID
  120002511392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T, Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. 3
- NAID
  10027441078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well2010
- 著者名/発表者名
  V.Ramesh, A.Kikuchi, K.Kishino, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- NAID
  120003386595
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] All deformation potentials in GaN determined by reflectance spectroscopy under uniaxial stress : definite breakdown of the quasicubic approximation2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 81
- NAID
  120002511392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] 100 mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam2010
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, K.Kataoka, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Nature Photonics
  
  巻: 4 ページ: 767-771
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar{20-21}GaN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, A.Kaneta, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
- NAID
  10027013275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Experimental and theoretical considerations of polarization field direction in semipolar InGaN/GaN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, M.Ueda, D.Inoue, Y.Kawakamai, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10026495062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Experimental and theoretical considerations of polarization field direction in semipolar InGaN/GaN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, M.Ueda, D.Inoue, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10026495062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] 100 mW deep ultraviolet emission from aluminum nitride based quantum wells pumped by an electron beam2010
- 著者名/発表者名
  T. Oto, R. G. Banal, K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Nature Photonics
  
  巻: 4 号: 11 ページ: 767-771
- DOI
  10.1038/nphoton.2010.220
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 7 ページ: 1909-1912
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, L. Su, Y. Zhu, K. Okamoto, M. Funato, A. Kikuchi, K. Kishino
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 7 ページ: 2111-2114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Strain states in semipolar III-nitride semiconductor quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, D.Inoue, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar{20-21}GaN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  M.Funato, A.Kaneta, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
- NAID
  10027013275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Gain Anisotropy Analysis in Green Semipolar InGaN Quantum Wells with Inhomogeneous Broadening2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, AA.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017253764
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T, Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027441078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, L.Su, Y.Zhu, K.Okamoto, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Strain-induced effects on the electronic band structures in GaN/AlGaN quantum wells : Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well2010
- 著者名/発表者名
  V.Ramesh, A.Kikuchi, K.Kishino, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 107
- NAID
  120003386595
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Visualization of the local carrier dynamics in an InGaN quantum well using dual-probe scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T, Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027441078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] 半極性(11-22)面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性2010
- 著者名/発表者名
  船戸充, 上田雅也, 小島一信, 川上養一
- 雑誌名
  
  レーザー研究 38
  
  ページ: 255-260
- NAID
  10026196641
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Valence band effective mass of non-c-plane nitride heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, L.Su, Y.Zhu, K.Okamoto, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 107
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Optical anisotropy in [0001]-oriented AlxGa1-xN/AlN quantum wells (x>0.69)2009
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, H. Kamon, M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  40016704620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性(シーエムシー出版)
  
  ページ: 104-118
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Growth characteristics of AIN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2834-2836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016704620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single In_xGa_<1-x>N/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016704620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R. Bardoux, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, A. Kikuchi, K. Kishino
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2834-2836
- NAID
  120002317421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016704620
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2834-2836
- NAID
  120002317421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single In_xGa_(1-x)N/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  R.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 311
  
  ページ: 2834-2836
- NAID
  120002317421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R. Bardoux, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 79 号: 15
- DOI
  10.1103/physrevb.79.155307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InCaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single In_xGa_<1-x>N/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi K.Kishino
- 雑誌名
  
  Physical Review B 79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Growth characteristics of AIN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2834-2836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文]2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 雑誌名
  
  窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性(シーエムシー出版)
  
  ページ: 104-118
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Initial nucleation of AlN grown directly on sapphire substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 92
- NAID
  120001462530
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Nanoscopic recombination processes in InGaN/GaN quantum wells emitting violet, blue, and green spectra2008
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained Quantum wells with potential fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Nanoscopic recombination processes InGaN/GaN quantum wells emitting violet, blue, and green spectra2008
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura. M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M.Funato, T.Kondou, K.Hayashi, S.Nishiura, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys..Exp. 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, M.Funato, K.Kojima, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar InxGa1-xN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar In_xGa_<1-x>N/GaN quantum well active lavers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami. Y. Namkawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Physical Review B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet qauantum wells2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami. Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Nanoscopic recombination processes InGaN/GaN quantum wells emitting violet, blue, and green spectra2008
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar In_xGa_<1-x>N/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Physical Review B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Excitonic Properties of Polar, Semipolar, and Nonpolar InGaN/GaN Strained Quantum Wells with Potential Fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-18069013
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar In_xGa_<1-x>N/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Excitonic properties of polar, semipolar, and nonpolar InGaN/GaN strained quantum wells with potential fluctuations2008
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 103,
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Nanoscopic recombination processes InGaN/GaN quantum wells emitting violet. blue, and green spectra2008
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physical Review B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Emission color tunable light-emitting diodes composed of InGaN multifacet quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  M.Funato, K.Hayashi, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Initial nucleation of AIN grown directly on sapphire substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Monolithic Polychromatic Light-Emitting Diodes Based on InGaN Microfacet Quantum Wells toward Tailor-Made Solid-State Lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Polarization switching phenomena in semipolar In_xGa_<1-x>N/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, K. Kojima, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Physical Review B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward tailor-made solid-state lighting2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, T. Kondou, K. Hayashi, S. Nishiura, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- NAID
  10024292227
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Emission Color Tunable Light-emitting Diodes Composed of InGaN Multifacet Quantum Wells2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Optical gain spectra for near UV to aquamarine(A1,In)GaN laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, U. T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Optics Express 15
  
  ページ: 7730-7736
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Optical gain spectra for near UV to aquamarine (A1,In) GaN laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, U.T.Schwarz, M.Funato, Y.Kawakami, S.Nagahama, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Opt.Exp. 15
  
  ページ: 7730-7736
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami, 外4名
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4
  
  ページ: 2826-2829
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structure grown on a (11-22) GaN substrate2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. funato, Y. Kawakami, S. Masui, S. Nagahama, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22) InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, K. Nishizuka, D. Yamada, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Stimulated emission at 474 nm from an InGaN laser diode structuregrown on a(11-22)GaN substrate2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, and Y. Kawakami外3名
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22) InGaN/GaN quantum wells on GaN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, K. Nishizuka, D. Yamada, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22) InGaN/GaN quantum wells on GaN2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, K. Nishizuka, D. Yamada, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 90
  
  ページ: 2619121-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22) InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Funato外5名
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In) GaN laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, U.T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Optics Express 15
  
  ページ: 7730-7736
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B 244
  
  ページ: 1853-1856
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Comparison between optical gain spectra of In_χ Ga_<1-χ> N/In_0.02Ga_0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A 204
  
  ページ: 2108-2111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Comparison between optical gain spectra of In_xGa_<1-x>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, H. Braun, U. T. Schwarz, S. Nagahama, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (A) 204
  
  ページ: 2108-2111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Additive color mixture of emission from InGaN/GaN quantum wells on structure-controlled GaN microfacets2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, T. Kondou, K. Hayashi, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Efficient green emission from(11-22)InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, K. Nishizuka, D. Yamada, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Optical gain spectra for near UV to aquamarine(A1,In)GaN laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, and Y. Kawakami外3名
- 雑誌名
  
  Optics Express 15
  
  ページ: 7730-7736
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Photoluminescence and optical reflectance investigation of semipolar and nonpolar GaN2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Ueda, M. Funato, Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. B 224
  
  ページ: 1853-1856
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Additive color mixture of emission from InGaN/GaN quantum wells on structure-controlled GaN microfacets2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami, 外4名
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22)InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, K.Nishizuka, D.Yamada, A.Kaneta, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Mechanisms of metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN quantum wells on GaN microfacet structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, K. Hayashi, T. Kondou, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. C 4
  
  ページ: 2826-2829
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Efficient green emission from (11-22) InGaN/GaN quantum wells on GaN microfacets probed by scanning near field optical microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, K. Nishizuka, D. Yamada, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0. 02Ga0. 98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. funato, Y. Kawakami, H. Braun, U.T. Schwarz, S. Nagahama, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. A 204
  
  ページ: 2108-2111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Additive color mixture of emission from InGaN/GaN quantum wells on structure-controlled GaN microfacets2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, T. Kondou, K. Hayashi, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 90
  
  ページ: 1719071-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al, In) GaN laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, U.T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai
- 雑誌名
  
  Optics Express 15
  
  ページ: 7730-7736
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[雑誌論文] Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN quantum wells by near-field photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol 3
  
  ページ: 1897-1901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN qauantum wells by near-field photoluminescence2006
- 著者名/発表者名
  A, Kaneta, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol.(c) 3・6
  
  ページ: 1897-1901
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN quantum wells by near-field photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A, Kaneta, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Solidi (C) 3
  
  ページ: 1897-1901
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Gain suppression phenomena observed in InxGal-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm2006
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Nagahama, T.Mukai, H.Braun, U.T.Schwarz
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Carrier Transport and optical properties of InGaN SQW with embedded AlGaN δ-layer2006
- 著者名/発表者名
  J. W. Park, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 雑誌名
  
  IEEE J. Quantum Electron 42
  
  ページ: 1023-1030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Gain suppression phenomena observed in InxGal-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm2006
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Nagahama, T.Mukai, H.Braun, U.T.Schwarz
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Tailored emission color synthesis using microfacet quantum wells consisting2006
- 著者名/発表者名
  M.Funato, T.Kotani, T.Kondou, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Suppression mechanism of optical gain formation in In_xGa_<1-x>N quantum well structures due to localized carriers2006
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 140
  
  ページ: 182-184
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Tailored emission color synthesis using microfacet quantum wells consisting of nitride semiconductors without phosphors2006
- 著者名/発表者名
  M.Funato, T.Kotani, T.Kondou, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar (11-22) GaN bulk substrates2006
- 著者名/発表者名
  M.Funato, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Kosugi, M.Takahashi, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 45
- NAID
  10017653329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in InGaN quantum wells by near-field photoluminescence2006
- 著者名/発表者名
  A, Kaneta, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) 3
  
  ページ: 1897-1901
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Origin of high oscillator strength in green-emitting InGaN/GaN nanocolumns2006
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, S. Suzuki, A. Kaneta, M. Funato, A. Kikuchi, and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Gain suppression phenomena observed in InxGa1-xN quantum well laser diodes emitting at 470 nm2006
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Nagahama, T.Mukai, H.Braun, U.T.Schwarz
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Epitaxial growth and optical properties of semipolar (11-22) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates2006
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Transport and optical properties of InGaN SQW with embedded AlGaN delta-layer2006
- 著者名/発表者名
  J.W.Park, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  IEEE J. Quantum Electron 42・10
  
  ページ: 1023-1030
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar (11-22) GaN bulk substrates2006
- 著者名/発表者名
  M.Funato, M.Ueda, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Kosugi, M.Takahashi, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.(Express Letter) 45
- NAID
  10017653329
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Direct correlation between nonradiative recombination centers and threading dislocations in In_xGa_<1-x> quantum wells by near field photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, M.Funato, G.Marutuki, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Gain suppression phenomena observed in In_xGa_<1-x>N quantum well laser diodes emitting at 470 nm2006
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai, H. Braun and U.T. Schwarz
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Suppression mechanism of optical gain formation in InxGal-xN quantum well structures due to localized carriers2006
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 140・3-4
  
  ページ: 182-184
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Suppression mechanism of optical gain formation in InxGal-xN quantum well structures due to localized carriers2006
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 140・3-4
  
  ページ: 182-184
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[雑誌論文] Origin of high oscillator strength in green-emitting InGaN/GaN nanocolumns2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, S.Suzuki, A.Kaneta, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[雑誌論文] Efficient rainbow color luminescence from In_xGa_<1_x>N single quantum wells fabricated on {1122} microfacets2005
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 87
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaN based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics2005
- 著者名/発表者名
  T.Kotani, Y.Hatada, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg reflector mirrors for low lasing threshold and integrated photonics2005
- 著者名/発表者名
  T.Kotani, Y.Hatada, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami, S.Fujita
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 2
  
  ページ: 2895-2898
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaN-based distributed Bragg refleeter mirrors for low lasing threshold and integrated photonics2005
- 著者名/発表者名
  T.Kotani, Y.Hatada, M.Funato, Y.Nakamura, T.Mukai, Y.Kawakami, S.Fujita
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 2
  
  ページ: 2895-2898
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Efficient rainbow color luminescence from In_xG_<1_x>N single quantum wells fabricated on {112^^-2} microfacets2005
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 87
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Efficient rainbow color luminescence from In_xGa_<1-x>N single quantum wells fabricated on {11-22} microfacets2005
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 87
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Efficient radiative recombination from <1122>-oriented In_xGa_<1-x>N multiple quantum wells fabricated by the re-growth technique2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami, Sg.Fujita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 3122-3124
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Efficient radiative recombination from <1122> -oriented InGaN multiple quantum wells fabricated by the re-growth technique2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai, S.Fujita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 3122-3124
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Optically pumped lasing and gain formation properties in blue In_xGa_<1-x>N MQWs2004
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.Shikanai, K.Omae, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai, S.Fujita
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) 241
  
  ページ: 3676-2680
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Optically pumped lasing and gain formation properties in blue In_xGa_<1_x>N MQWs2004
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.Shikanai, K.Omae, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai, S.Fujita
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) 241
  
  ページ: 2676-2680
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[雑誌論文] Efficient radiative recombination from <112^^-2> -oriented InGaN multiple quantum wells fabricated by the re-growth technique2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishizuka, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai, S.Fujita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 3122-3124
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206033
[産業財産権] 発光素子の製造方法及び発光素子2022
- 発明者名
  岡本晃一、垣内晴也、松山哲也、和田健司、川上養一、船戸充
- 権利者名
  公立大学法人大阪、国立大学法人京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[産業財産権] 発光素子の製造方法及び発光素子2022
- 発明者名
  岡本晃一，川上養一，船戸充（ほか3名）
- 権利者名
  岡本晃一，川上養一，船戸充（ほか3名）
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-014115
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[産業財産権] 発光素子の製造方法及び発光素子2022
- 発明者名
  岡本晃一、垣内晴也、松山哲也、和田健司、川上養一、船戸充
- 権利者名
  公立大学法人大阪、国立大学法人京都大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[産業財産権] 半導体素子及びp型窒化物半導体層の形成方法2022
- 発明者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一, 大前邦途
- 権利者名
  国立大学法人京都大学, 日亜化学工業株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 取得年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[産業財産権] 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、LED素子、電子線励起型光源装置2015
- 発明者名
  川上養一，船戸　充，片岡　研，山口真典
- 権利者名
  ウシオ電機株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015
- 取得年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2012
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 権利者名
  京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 出願年月日
  2012-01-20
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 権利者名
  京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 産業財産権番号
  2010-128252
- 出願年月日
  2011-12-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 権利者名
  京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 出願年月日
  2011-12-22
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 権利者名
  京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 出願年月日
  2011-12-22
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法2010
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 外2名
- 権利者名
  京都大学,外4名
- 出願年月日
  2010-06-21
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 紫外線照射装置2010
- 発明者名
  川上養一, 船戸充, 大音隆男, R.G.Banal, 外3名
- 権利者名
  京都大学, ウシオ電機(株)
- 出願年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[産業財産権] 紫外線照射装置2010
- 発明者名
  岡本晃一, 船戸充, 川上養一, 外2名
- 権利者名
  京都大学, ウシオ電機(株), 外5名
- 出願年月日
  2010-08-03
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[産業財産権] 紫外線照射装置2010
- 発明者名
  岡本晃一, 船戸充, 川上養一, 外2名
- 権利者名
  京都大学, ウシオ電機(株), 外5名
- 出願年月日
  2010-08-03
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[産業財産権] 紫外線照射装置2010
- 発明者名
  川上養一, 船戸充, 大音隆男, R.G.Banal, 外3名
- 権利者名
  京都大学, ウシオ電機(株)
- 出願年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法2010
- 発明者名
  西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 権利者名
  京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2010-06-21
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[産業財産権] 窒化物半導体レーザ素子2007
- 発明者名
  小島一信, 川上養一, 船戸充, 長濱愼一, 枡井真吾
- 権利者名
  京都大学,日亜化学工業(株)
- 出願年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[産業財産権] InGaN量子井戸レーザの作成方法2007
- 発明者名
  小島一信, 川上養一, 船戸充外2名
- 権利者名
  京都大学, 日亜化学工業(株)
- 出願年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[産業財産権] InGaN量子井戸レーザの作成方法2007
- 発明者名
  小島一信, 川上養一, 船戸充, 長濱慎一, 枡井真吾
- 権利者名
  京都大学, 日亜化学工業(株)
- 出願年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 長方形状(0001) InGaNマイクロ発光素子における非等方的歪緩和の誘起と面内偏光制御2024
- 著者名/発表者名
  市川修平, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一, 小島一信
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of (In)GaN on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength optical devices2024
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Atomic force microscopy and scanning near-field optical microscopy on single quantum-well InGaN blue LEDs2024
- 著者名/発表者名
  Z. Zhang, R. Ishii, K. Shojiki, M. Funato, D. Iida, K. Ohkawa, Y. Kawakami
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 全可視光色をカバーする広帯域発光InGaN系マイクロレンズ構造2024
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 高濱章年，船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of (In)GaN on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength optical devices2024
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 超ワイドギャップ半導体光物性評価のための深紫外分光技術の現状と展望2024
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第15回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] InGaN表面においてバンドベンディングがキャリア寿命に与える影響2024
- 著者名/発表者名
  市川修平, 松田祥伸, 道上平士郎, 船戸充, 川上養一, 小島一信
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Al原料で処理したサファイア基板上への低温緩衝層フリーなGaN成長2023
- 著者名/発表者名
  竹村幸大, 福井崇人, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 多面体構造上に作製した多波長発光InGaN LEDのデバイス動作特性2023
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ2023
- 著者名/発表者名
  福重翔吾, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of high quality GaN on Al-pretreated sapphire substrates without using low temperature buffer layers2023
- 著者名/発表者名
  K. Takemura, T. Fukui, Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of high quality GaN on Al-pretreated sapphire substrates without using low temperature buffer layers2023
- 著者名/発表者名
  K. Takemura, T. Fukui, Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 自在な発光波長集積を目指したInGaN系多面体構造における局所的オフ角制御2023
- 著者名/発表者名
  梅本隆之介, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] InGaN-based red emitters fabricated on lattice-matched ScAlMgO4 substrates2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 23rd Intern. Meeting on Information Display
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ピット密度半極性r面AlGaN薄膜の低圧MOVPE成長2023
- 著者名/発表者名
  赤池良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 発光スペクトルの電気制御を目指したInGaN系多波長発光構造の設計と作製2023
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 宮脇啓嘉, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Enhanced transport of photo-excited carriers in (0001) InGaN photodiodes by introducing compositionally graded layer2023
- 著者名/発表者名
  H. Dojo, S. Ichikawa, Y. Matsuda, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Kojima
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 半極性面上InGaN系マイクロレンズ構造の広帯域発光に向けた作製条件の検討2023
- 著者名/発表者名
  福重翔吾, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] {11-22}面GaN基板上InGaN系マイクロレンズ構造における異方的な発光波長分布2023
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Significant improvement of light emission of InGaN/GaN quantum wells by depositing oxide thin films and ultraviolet light irradiations2023
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, S. Kaito, Y. Kamei, K. Mitoda, K. Fujioka, T. Niwa, K. Wada, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 誘電体薄膜と紫外レーザー照射を用いたInGaN/GaN量子井戸の高効率発光機構の解明2023
- 著者名/発表者名
  三戸田健太，松山哲也，和田健司，船戸充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  日本光学会年次学術講演会 Optics & Photonics Japan 2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] GaN/AlN quantum wells on step edge density controlled AlN surface2023
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, Y. Yamanaka, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, and H. Miyake
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters: Demonstration of far-red LEDs2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Yoichi Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2023
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] High efficiency photoluminescence of InGaN/GaN quantum wells by depositing dielectric thin films and UV laser irradiation2023
- 著者名/発表者名
  K. Mitoda, S. Kaito, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Okamoto
- 学会等名
  The 12th Advanced Lasers and Photon Sources
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] AlNのMgアクセプタ束縛エネルギーについて：理論2023
- 著者名/発表者名
  石井良太, 吉川陽, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of GaN without using low-temperature buffer layers2023
- 著者名/発表者名
  T. Sakaguchi, K. Takemura, Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  42nd Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上でのInGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長2023
- 著者名/発表者名
  船戸充, 松田祥伸, 川上養一
- 学会等名
  日本学術振興会第R032委員会第13回研究会「ディスプレイ用LEDおよび関連発光材料」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定2023
- 著者名/発表者名
  市川修平, 松田祥伸, 道上平士郎, 毎田修, 船戸充, 川上養一, 小島一信
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の高効率発光2023
- 著者名/発表者名
  三戸田健太、垣内晴也、松山哲也、和田健司、船戸充、川上養一、岡本晃一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Fundamental optical properties of AlN revealed by deep ultraviolet spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] AlNのMgアクセプタ束縛エネルギーについて：実験2023
- 著者名/発表者名
  石井良太, 吉川陽, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Al原料で処理したサファイア基板上への低温緩衝層フリーなGaN成長2023
- 著者名/発表者名
  竹村幸大, 福井崇人, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 誘電体薄膜と金属ナノ構造を用いたInGaN/GaN量子井戸の高効率発光2023
- 著者名/発表者名
  岡本晃一, 垣内晴也, 亀井勇希, 三戸田健太, 藤岡宏輔, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Hybrid quantum-well InGaN red LEDs studied by correlative micro-photoluminescence spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  Z. Zhang, R. Ishii, K. Shojiki, M. Funato, D. Iida, K. Ohkawa, Y. Kawakami
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] InGaN-based LEDs on arbitrary three dimensional GaN templates toward tailored spectral control2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy2023
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, Y. Matsuda, H. Dojo, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Kojima
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 時間分解光電子分光法による (0001) InGaN表面のキャリア寿命評価2023
- 著者名/発表者名
  市川修平, 松田祥伸, 道上平士郎, 船戸充, 川上養一, 小島一信
- 学会等名
  第43回ナノテスティングシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製2023
- 著者名/発表者名
  宮脇啓嘉, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会研究報告
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4 as a promising substrate for InGaN-based long wavelength emitters: Demonstration of far-red LEDs2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Yoichi Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] InGaN-based red emitters fabricated on lattice-matched ScAlMgO4 substrates2023
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 23rd Intern. Meeting on Information Display
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] Flexible spectral control using chip-scale multi-wavelength InGaN LEDs2023
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] (0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果2023
- 著者名/発表者名
  道上平士郎, 市川修平, 松田祥伸, 船戸充, 川上養一, 小島一信
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Chip-scale multi-wavelength InGaN LEDs utilizing patterned micro-topography2023
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Lester Eastman Conf. on High Performance Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] MOVPE of GaN without using low-temperature buffer layers2023
- 著者名/発表者名
  T. Sakaguchi, K. Takemura, Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  42nd Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] InGaN LEDs on tailored three-dimensional structures toward micro-LED displays2023
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 30th Intern. Display Workshops
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Spatial- and time-resolved photoluminescence at high temperatures on green-emitting InGaN/GaN single quantum well grown on epitaxially laterally overgrown GaN2023
- 著者名/発表者名
  Z. Zhang, R. Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Broadband emission from semipolar InGaN quantum wells on GaN microlens structures2023
- 著者名/発表者名
  S. Fukushige, Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上でのInGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長2023
- 著者名/発表者名
  船戸充, 松田祥伸, 川上養一
- 学会等名
  日本学術振興会第R032委員会第13回研究会「ディスプレイ用LEDおよび関連発光材料」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 窒化物半導体を用いた発光シンセサイザー開発の現状と展望2023
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, Y. Matsuda, R. Ishii, and M. Funato
- 学会等名
  日本表面真空学会関西支部特別講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 265 nm発光バルクAlN基板上AlGaN量子井戸の内部量子効率と発光寿命の温度依存性(10--500 K)2023
- 著者名/発表者名
  田中志樹, 石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Spontaneous and stimulated emission physics of aluminum nitride2023
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, T. Nagashima, R. Yamamoto, T. Hitomi, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Correlative microphotoluminescence spectroscopy on hybrid quantum well InGaN red LEDs2023
- 著者名/発表者名
  Z. Zhang, R. Ishii, K. Shojiki, M. Funato, D. Iida, K. Ohkawa, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 14th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上InGaN/GaN超格子構造の設計と作製2022
- 著者名/発表者名
  坂口太郎, 福井崇人, 松田祥伸, 松倉誠, 小島孝広, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子2022
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第157回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上への高In組成InGaN発光素子の作製2022
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Efficient far-UVC emissions from semipolar r-plane AlGaN/AlN QWs2022
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Fabrication and optical properties of ultra-thin GaN/AlN quantum wells for far-UVC emitters2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 誘電体薄膜を用いた局在型表面プラズモン共鳴の緑色波長領域での調整と窒化物半導体における高効率発光2022
- 著者名/発表者名
  亀井勇希, 垣内晴也, 松山哲也, 和田健司, 船戸充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会, hybrid
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 自在な構造制御による多波長発光を目指したGaNマイクロレンズ構造上InGaN LED2022
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Selectively and non-selectively excited photoluminescence study for AlGaN quantum wells grown on epitaxially laterally overgrown AlN templates2022
- 著者名/発表者名
  S. Tanaka, R. Ishii, N. Susilo, T. Wernicke, M. Kneissl, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 2インチScAlMgO4基板上へのGaNのMOVPE成長と反り評価2022
- 著者名/発表者名
  福井崇人, 坂口太郎, 松田祥伸, 松倉誠, 小島孝広, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] Strategy for higher red emission efficiency based on InGaN lattice matched to ScAlMgO4 substrates2022
- 著者名/発表者名
  Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
- 学会等名
  Laser Display and Lighting Conference 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 2インチScAlMgO4基板上へのGaNのMOVPE成長と反り評価2022
- 著者名/発表者名
  福井崇人, 坂口太郎, 松田祥伸, 松倉誠, 小島孝広, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 窒化物半導体の多波長発光機構の解明と制御 -発光シンセサイザー創製を目指して-2022
- 著者名/発表者名
  川上養一, 松田祥伸, 石井良太, 船戸充
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 半極性面AlGaN量子井戸からの波長250 nm以下での高効率発光2022
- 著者名/発表者名
  赤池良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN polychromatic emitters with fast carrier recombination processes2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, Yoichi Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] ScAlMgO4基板上への高In組成InGaN発光素子の作製2022
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] Luminescence spectroscopies on 265-nm AlGaN DUV LEDs and AlN films grown on AlN substrates2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Yoshikawa, H. Kobayashi, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West on demand, online
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] One-dimensional confinement of excitons in GaN/AlN nanostructures formed on bunched steps2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on UV Materials and Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] HVPE 成長 AlN基板からの誘導放出の観測とその起源について2022
- 著者名/発表者名
  石井良太, 人見達矢, 永島徹, 山本玲緒, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Multiwavelength emission from InGaN quantum wells on GaN microlens structures2022
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, S. Funato, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 20th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Strategy for higher red emission efficiency based on InGaN lattice matched to ScAlMgO4 substrates2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  The Laser Display and Lighting Conference 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作2022
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Temperature-dependent electroluminescence spectroscopy on 265-nm AlGaN-based LEDs grown on AlN substrates2022
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ELO基板上AlGaN量子井戸の低温から室温以上における時間積分・時間分解PLを用いた光学評価2022
- 著者名/発表者名
  田中志樹, 石井良太, N. Susilo, T. Wernicke, M. Kneissl, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Development of light emitting synthesizer based on nitride semiconductors2022
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, Y. Matsuda, R. Ishii, and M. Funato
- 学会等名
  41st Electronic Materials Symposium
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 局在型表面プラズモン共鳴と誘電体薄膜によるInGaN/GaN量子井戸の高効率緑色発光2022
- 著者名/発表者名
  亀井勇希、垣内晴也、松山哲也、和田健司、船戸充、川上養一、岡本晃一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Anisotropic emission wavelength distribution of InGaN quantum wells on GaN microlens structures formed on semipolar (-1-12-2) plane2022
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Significant improvement of green light emission efficiency of InGaN/GaN quantum wells by oxide thin films2022
- 著者名/発表者名
  S. Kaito, Y. Kamei, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto
- 学会等名
  SPIE Optics + Photonics 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] far-UVC領域で発光する半極性r面AlGaN/AlNの時間分解PL測定による解析2022
- 著者名/発表者名
  赤池良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Tuning of Localized Surface Plasmon Resonance in Green Wavelength Region and High-Efficiency Light Emission in Nitride Semiconductors2022
- 著者名/発表者名
  Y. Kamei, S. Kaito, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto
- 学会等名
  International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Strategy for higher red emission efficiency based on InGaN lattice matched to ScAlMgO4 substrates2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  The Laser Display and Lighting Conference 2022, Yokohama, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Temperature-dependent microphotoluminescence study on green-emitting InGaN/GaN single quantum well grown on epitaxially laterally overgrown GaN2022
- 著者名/発表者名
  Z. Zhang, R, Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上InGaN/GaN超格子構造の設計と作製2022
- 著者名/発表者名
  坂口太郎, 福井崇人, 松田祥伸, 松倉誠, 小島孝広, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 銀ナノ粒子の表面プラズモン共鳴を利用した GaN の発光の高効率化2022
- 著者名/発表者名
  垣内晴也，松山哲也，和田健司，船戸充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  LED総合フォーラム2022 in 徳島，online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 窒化物半導体の結晶成長と光物性2022
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第8回研究会「チュートリアル」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Y. Matsuda, S. Funato, M. Funato, and Y. Kawakami2022
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, S. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子2022
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第157回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] 半極性面上の組成傾斜AlGaNによる分極誘起p型伝導層の検討2022
- 著者名/発表者名
  神谷君斗, 赤池良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Radiative recombination and current injection efficiencies in deep UV LEDs grown on AlN/sapphire substrates with different defect densities2022
- 著者名/発表者名
  A. Muhin, M. Guttmann, V. Montag, N. Susilo, E. Ziffer, L. Sulmoni, S. Hagedorn, N. Lobo-Ploch, J. Rass, L. Cancellara, C. Netzel, S. Tanaka, R. Ishii, T. Wernicke, M. Funato, Y. Kawakami, and M. Kneissl
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 誘電体薄膜を用いた局在型表面プラズモン共鳴の緑色波長領域での調整と窒化物半導体における高効率発光2022
- 著者名/発表者名
  亀井勇希，垣内晴也，松山哲也，和田健司，船戸充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  第18回プラズモニクスシンポジウム，online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN polychromatic emitters with fast carrier recombination processes2022
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Matsuda, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West on demand, online
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 超ワイドギャップ半導体AlNバルク単結晶における励起子誘導放出2022
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  日本学術振興会光電相互変換第125委員会第262回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Highly Efficient Green Emissions of InGaN/GaN Quantum Wells with oxide thin films2022
- 著者名/発表者名
  S. Kaito, Y.Kamei, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto
- 学会等名
  The 15th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 人体無害殺菌を目指したAlGaN系紫外発光の短波長化と高効率化2021
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  照明学会全国大会分科会シンポジウム1「光源と照明制御システムの最新動向」online
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 高効率赤色LED実現のためのInリッチInGaN/ScAlMgO4の設計および作製2021
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第4回研究会, online
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Recent progress in deep-ultraviolet scanning near-field optical microscope: a tool visualizing the luminescence properties of Al-rich AlGaN active layers2021
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West: 11686-51
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] ナノ金属およびナノ誘電体薄膜を用いた InGaN/GaN 量子井戸の高効率発光2021
- 著者名/発表者名
  垣内晴也，松山哲也，和田健司，船戸充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  ナノ学会第19回大会，online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] SiO2薄膜によるInGaN/GaN量子井戸を有する窒化物半導体の高効率発光2021
- 著者名/発表者名
  垣内晴也, 島ノ江考平, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会, online ：17p-Z27-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Recombination mechanism in III-nitride based singularity structures by scanning near-field optical microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, R. Ishii, and M. Funato
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology: C10-10-55
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Agナノ粒子の表面プラズモン共鳴を用いたGaNの発光増強機構2021
- 著者名/発表者名
  垣内晴也, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 極性面フリーなInGaN系マルチファセット構造の作製と光デバイス応用2021
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Emission enhancement mechanism of surface plasmon resonance of Ag nanoparticles on GaN-based semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  S. Kaito, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto
- 学会等名
  The 9th International Symposium on Surface Science, online
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 高効率赤色LED実現のためのInリッチInGaN/ScAlMgO4の設計および作製2021
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第4回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04661
[学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells for deep UV emitters2021
- 著者名/発表者名
  M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells for deep UV emitters2021
- 著者名/発表者名
  M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West: 11686-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 選択および非選択光励起によるELO基板上AlGaN量子井戸の深紫外発光特性評価2021
- 著者名/発表者名
  田中志樹, 石井良太, N. Susilo, T. Wernicke, M. Kneissl, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Influence of substrate misorientation on emission and waveguiding properties of blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, Y. Matsuda, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami, et al. (計12名)
- 学会等名
  49th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2021", online
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Si添加ホモエピタキシャルAlN薄膜の極低温下フォトルミネッセンス測定2021
- 著者名/発表者名
  石井良太, 吉川陽, 小林敬嗣, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] 極性面フリーな三次元GaN構造の成長発展メカニズム2021
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, online
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] InGaN-based quantum wells on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength emitters2020
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265 nm帯AlGaN LEDの評価2020
- 著者名/発表者名
  石井良太, 吉川陽, 永瀬和宏, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会：D2020-6/CPM2020-27/LQE2020-57
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Exciton fine structure of aluminum nitride2020
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Exciton fine structure of aluminum nitride2020
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] InGaN-based quantum wells on ScAlMgO4 substrates toward long wavelength emitters2020
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN2020
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  39th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN2020
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  39th Electronic Materials Symposium: P2-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] プラズモニックナノ共振器による高効率発光と量子デバイスへの応用2020
- 著者名/発表者名
  岡本晃一, 垣内晴也, 島ノ江考平, 村尾文弥, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会：ED2020-25/CPM2020-46/LQE2020-76
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H05622
[学会発表] Adding p-type conductivity to AlN surfaces by deposition of ultrathin carbon-containing layers2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 有機金属気相成長したGaN/AlN極薄量子井戸構造の光学的特性2019
- 著者名/発表者名
  小林敬嗣, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Experimental study on semipolar (-1-12-2) LEDs toward polar-plane-free faceted InGaN LEDs on (-1-12-2)2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Highly efficient UV emission from ultrathin GaN/AlN quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, H. Kobayashi and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] GaN/AlN ultrathin quantum wells for UV emitters2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性2019
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養一, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LEDのデバイスプロセス検討2019
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸の表面プラズモン侵入長を超えた発光増強2019
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Carbon and aluminum co-treatment at high temperatures for surface p-type conduction of AlN2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Comparative study of AlGaN multiple quantum wells on annealed-sputtered-AlN and MOVPE-grown-AlN on sapphire substrates2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami and H. Miyake
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] GaN/AlN ultrathin quantum wells for UV emitters2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LEDのデバイスプロセス検討2019
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Experimental study on semipolar (-1-12-2) LEDs toward polar-plane-free faceted InGaN LEDs on (-1-12-2)2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Adding p-type conductivity to AlN surfaces by deposition of ultrathin carbon-containing layers2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Exploring the growth procedures for polar-plane-free faceted InGaN-LED structures2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application `19 (LEDIA)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 有機金属気相成長したGaN/AlN極薄量子井戸構造の光学的特性2019
- 著者名/発表者名
  小林敬嗣, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Engineering of emission wavelength of InGaN quantum wells by fabrication of spatial off-cut variation2019
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Highly efficient UV emission from ultrathin GaN/AlN quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, H. Kobayashi and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Carbon and aluminum co-treatment at high temperatures for surface p-type conduction of AlN2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 圧電素子を用いた光音響分光測定系の構築によるGaNの支配的な非輻射再結合過程の評価2019
- 著者名/発表者名
  山崎一人, 石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Exploring the growth procedures for polar-plane-free faceted InGaN-LED structures2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application `19 (LEDIA)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸における表面プラズモン増強の温度依存性2019
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LED structures with polychromatic emission properties2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] カーボン添加によるAlN表面におけるp型伝導制御2019
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸における表面プラズモン増強の温度依存性2019
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 圧電素子を用いた光音響分光測定系の構築によるGaNの支配的な非輻射再結合過程の評価'2019
- 著者名/発表者名
  山崎一人, 石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LED構造の結晶成長と評価2019
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Broad-band UV emission from a two-dimensional array of AlGaN microstructures2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Kataoka and Y. Kawakami
- 学会等名
  3th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] High-temperature promoted nonradiative recombination at threading dislocations in blue-emitting InGaN quantum well2019
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, Y. Koyama, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Comparative study of AlGaN multiple quantum wells on annealed-sputtered-AlN and MOVPE-grown-AlN on sapphire substrates2019
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami and H. Miyake
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Fabrication of polar-plane-free faceted InGaN LED structures with polychromatic emission properties2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の高温環境下における顕微PLマッピング2019
- 著者名/発表者名
  石井良太, 小山友二, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Study of luminescence properties of InGaN layers with wide-range lateral indium content profiling2019
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, S .Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Broad-band UV emission from a two-dimensional array of AlGaN microstructures2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Kataoka and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN-LED構造の結晶成長と評価2019
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 深紫外近接場光学顕微鏡の開発とAlリッチAlGaN系特異構造のPLマッピング評価2019
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充,　川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Emission enhancements of InGaN/GaN MQW beyond skin depth of surface plasmon polariton2019
- 著者名/発表者名
  F. Murao, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami and K. Okamoto
- 学会等名
  7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] GaN/AlN ultrathin quantum wells for UV emitters2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] High-temperature promoted nonradiative recombination at threading dislocations in blue-emitting InGaN quantum well2019
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, Y. Koyama, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Study of luminescence properties of InGaN layers with wide-range lateral indium content profiling2019
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, S .Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 深紫外近接場光学顕微鏡の開発とAlリッチAlGaN系特異構造のPLマッピング評価2019
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充,　川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Emission enhancements of InGaN/GaN MQW beyond skin depth of surface plasmon polariton2019
- 著者名/発表者名
  F. Murao, T. Matsuyama, K. Wada, M. Funato, Y. Kawakami and K. Okamoto
- 学会等名
  7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Adding p-type conductivity to AlN surfaces by deposition of ultrathin carbon-containing layers2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Carbon and aluminum co-treatment at high temperatures for surface p-type conduction of AlN2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Engineering of emission wavelength of InGaN quantum wells by fabrication of spatial off-cut variation2019
- 著者名/発表者名
  A. Kafar, R. Ishii, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] カーボン添加によるAlN表面におけるp型伝導制御2019
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の高温環境下における顕微PLマッピング2019
- 著者名/発表者名
  石井良太, 小山友二, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸の表面プラズモン侵入長を超えた発光増強2019
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 有機金属気相成長したGaN/AlN極薄量子井戸構造の光学的特性2019
- 著者名/発表者名
  小林敬嗣, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第６６回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性2019
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養一, 三宅秀人
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Highly efficient UV emission from ultrathin GaN/AlN quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, H. Kobayashi and Y. Kawakami
- 学会等名
  3th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] カーボン添加によるAlN表面におけるp型伝導制御2019
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Broad-band UV emission from a two-dimensional array of AlGaN microstructures2019
- 著者名/発表者名
  M. Funato, K. Kataoka and Y. Kawakami
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells fabricated with a self-limiting process2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato, S. Ichikawa, and Y. Kawakami
- 学会等名
  19th Intern. Conf. on MOVPE
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 表面プラズモンによるInGaN/GaN多層量子井戸への発光増強効果2018
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリー三次元InGaN量子井戸を用いたパステルカラー・白色合成2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Controlling p-type conductivity at AlN surfaces2018
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors,
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Controlling p-type conductivity at AlN surfaces2018
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE法で成長したAlN膜におけるp型伝導2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] In0.17Ga0.83N/ScMgAlO4テンプレート上に作製した赤色発光InxGa1-xN/In0.17Ga0.83N量子井戸構造 (x > 0.17)2018
- 著者名/発表者名
  前原圭汰, 尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光2018
- 著者名/発表者名
  片岡研，千賀岳人，船戸充，川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] In0.17Ga0.83N/ScMgAlO4テンプレート上に作製した赤色発光InxGa1-xN/In0.17Ga0.83N量子井戸構造 (x > 0.17)2018
- 著者名/発表者名
  前原圭汰, 尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE 合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象2018
- 著者名/発表者名
  川上養一, 早川峰洋, 船戸充
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 表面プラズモンによるInGaN/GaN多層量子井戸への発光増強効果2018
- 著者名/発表者名
  村尾文弥, 中村俊樹, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 微傾斜c-AlN基板上AlGaN量子井戸におけるマクロステップを利用した高効率発光2018
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 市川修平, 船戸充,川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象2018
- 著者名/発表者名
  川上養一, 早川峰洋, 船戸充
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN表面におけるp型伝導の制御2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価2018
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価2018
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE法で成長したAlN膜におけるp型伝導2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充,川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Self-limiting growth and optical properties of ultrathin GaN/AlN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光2018
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充,　川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN quantum wells toward highly radiative pastel and white color syntheses2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 微傾斜c-AlN基板上AlGaN量子井戸におけるマクロステップを利用した高効率発光2018
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] AlN表面におけるp型伝導の制御2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性2018
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon coupled emission from InGaN/GaN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells fabricated with a self-limiting process2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato, S. Ichikawa, and Y. Kawakami
- 学会等名
  19th Intern. Conf. on MOVPE
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Controlling p-type conductivity at AlN surfaces2018
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Self-limiting growth and optical properties of ultrathin GaN/AlN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells fabricated with a self-limiting process2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato, S. Ichikawa, and Y. Kawakami
- 学会等名
  19th Intern. Conf. on MOVPE
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性2018
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象2018
- 著者名/発表者名
  川上養一, 早川峰洋, 船戸充
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] EVPE法で成長したAlN膜におけるp型伝導2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充,川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Micro-photoluminescence mapping of surface plasmon coupled emission from InGaN/GaN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸を用いた混合色合成と制御2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸,船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Red-emitting InGaN quantum wells grown on In0.17Ga0.83N templates lattice-matched to ScMgAlO4 substrates2018
- 著者名/発表者名
  K. Maehara, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Development of a deep-ultraviolet scanning nearfield optical microscope for nano-spectroscopic characterizations of AlxGa1-xN (x : 0 - 1) active layers2018
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  19th Intern. Conf. on MOVPE
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN表面におけるp型伝導の制御2018
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Red-emitting InGaN quantum wells grown on In0.17Ga0.83N templates lattice-matched to ScMgAlO4 substrates2018
- 著者名/発表者名
  K. Maehara, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters2018
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Development of a deep-ultraviolet scanning nearfield optical microscope for nano-spectroscopic characterizations of AlxGa1-xN (x : 0 - 1) active layers2018
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性2018
- 著者名/発表者名
  船戸充, 市川修平, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Self-limiting growth and optical properties of ultrathin GaN/AlN quantum wells2018
- 著者名/発表者名
  H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  19th Intern. Conf. on MOVPE
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN quantum wells toward highly radiative pastel and white color syntheses2018
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリー三次元InGaN量子井戸を用いたパステルカラー・白色合成2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光2018
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充,川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 極性面フリーな三次元InGaN量子井戸を用いた混合色合成と制御2018
- 著者名/発表者名
  松田祥伸,船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 微傾斜c-AlN基板上AlGaN量子井戸におけるマクロステップを利用した高効率発光2018
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 市川修平, 船戸充,川上養一
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Spatially-resolved evaluation of surface-plasmon-coupled photoluminescence-enhancement of InGaN/GaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto, and K. Tamada
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果2017
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14232
[学会発表] 三次元InGaN量子井戸におけるIn組成のファセット間分布に関する考察2017
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Longer nonradiative lifetimes of excitons localized in AlGaN quantum wires grown on macrosteps2017
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, K. Kumamoto, M. Shibaoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  Intern. Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 高効率白色合成に向けた極性面フリーな三次元InGaN量子井戸の作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlN系三次元構造による紫外多波長発光LED2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] GaN系3次元マイクロファセット構造による多波長LEDの開発2017
- 著者名/発表者名
  川上養一, 松田祥伸, 船戸充
- 学会等名
  照明学会固体光源分科会研究会
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Spatially-resolved evaluation of surface-plasmon-coupled photoluminescence-enhancement of InGaN/GaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto, and K. Tamada
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Impact of InGaN epitaxy lattice matched to ScAlMgO4 substrates on future photonic devices2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, T. Ozaki, and M. Funato
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN系三次元構造の形成と紫外多波長発光2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程2017
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Impact of defects on the optical characteristics of AlGaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN growth by an environmentally friendly method2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2017 German-Japanese-Spanish joint workshop
- 発表場所
  Mallorca, Spain
- 年月日
  2017-03-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Interfacial structure control of AlN on sapphire fabricated from Al metal and N2 gas2017
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Polychromatic emission from semi/nonpolar faceted 3D-InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlN系三次元構造の形成と紫外多波長発光2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017, Fukuoka, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性2017
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 長瀬勇樹, 市川修平, 熊本恭介, 柴岡真美, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 高効率白色合成に向けた極性面フリーな三次元InGaN量子井戸の作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE成長AlN/サファイア界面におけるボイド形成メカニズムの検討2017
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Impact of InGaN epitaxy lattice matched to ScAlMgO4 substrates on future photonic devices2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, T. Ozaki, and M. Funato
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14232
[学会発表] GaN系3次元マイクロファセット構造による多波長LEDの開発2017
- 著者名/発表者名
  川上養一, 松田祥伸, 船戸充
- 学会等名
  照明学会固体光源分科会研究会
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル2017
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 顕微フォトルミネセンスマッピングによる表面プラズモン発光増強の評価2017
- 著者名/発表者名
  立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2017-01-31
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Longer nonradiative lifetimes of excitons localized in AlGaN quantum wires grown on macrosteps2017
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, K. Kumamoto, M. Shibaoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN growth by an environmentally friendly method2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2017 German-Japanese-Spanish joint workshop
- 発表場所
  Mallorca, Spain
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 一軸性応力下におけるダイヤモンドの微分吸収スペクトル2017
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Impact of InGaN epitaxy lattice matched to ScAlMgO4 substrates on future photonic devices2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, T. Ozaki, and M. Funato
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 短波長半導体発光デバイスの現状と動向2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第48回アナログ技術トレンドセミナ(HAB研セミナ), 京都テルサ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程2017
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) (2017)，LQE奨励賞記念講演
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Impact of defects on the optical characteristics of AlGaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Impact of defects on the optical characteristics of AlGaN quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] An environmentally friendly method to grow AlN thick layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  0th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, Espoo, Finland
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] EVPE成長AlN/サファイア界面におけるボイド形成メカニズムの検討2017
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] AlN系三次元構造による紫外多波長発光LED2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性2017
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 長瀬勇樹, 市川修平, 熊本恭介, 柴岡真美, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 顕微フォトルミネセンスマッピングによる表面プラズモン発光増強の評価2017
- 著者名/発表者名
  立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] An environmentally friendly method to grow AlN thick layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, Espoo, Finland
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程2017
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE成長AlN/サファイア界面におけるボイド形成メカニズムの検討2017
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Interfacial structure control of AlN on sapphire fabricated from Al metal and N2 gas.2017
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN growth by an environmentally friendly method2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2017 German-Japanese-Spanish joint workshop
- 発表場所
  Mallorca, Spain
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程 (Tutorial)2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会，北海道大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017), Fukuoka, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 三次元InGaN量子井戸におけるIn組成のファセット間分布に関する考察2017
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN系三次元構造による紫外多波長発光LED2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Polychromatic emission from semi/nonpolar faceted 3D-InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Longer nonradiative lifetimes of excitons localized in AlGaN quantum wires grown on macrosteps2017
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, K. Kumamoto, M. Shibaoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Growth mechanism of polar-plane-free faceted InGaN quantum wells with high radiative recombination probabilities2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  36th Electronic Materials Symposium, Nagahama Royal Hotel
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性2017
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 長瀬勇樹, 市川修平, 熊本恭介, 柴岡真美, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 名古屋大学
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程(Tutorial).2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会，北海道大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 短波長半導体発光デバイスの現状と動向2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第48回アナログ技術トレンドセミナ(HAB研セミナ)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Interfacial structure control of AlN on sapphire fabricated from Al metal and N2 gas2017
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg, France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果2017
- 著者名/発表者名
  石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] An environmentally friendly method to grow AlN thick layers2017
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] AlN系三次元構造の形成と紫外多波長発光2017
- 著者名/発表者名
  片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 短波長半導体発光デバイスの現状と動向2017
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第48回アナログ技術トレンドセミナ(HAB研セミナ), 京都テルサ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters2017
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) (2017)，LQE奨励賞記念講演
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの抑制2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] (0001)面AlGaN/AlNヘテロ構造におけるすべり系と格子緩和モデル2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学, 東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 微傾斜(0001)サファイア基板上に作製したAlGaN量子細線構造における輻射再結合過程の増強2016
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学, 東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Spatially Resolved Evaluation of Surface Plasmon Enhanced Photoluminescence of InGaN/GaN2016
- 著者名/発表者名
  K. Tateishi, P. Wang, S. Ryuzaki, M. Funato, Y. Kawakami, K. Okamoto, and K. Tamada
- 学会等名
  The 14th International Conference on Near-Field Optics, Nanophotonics, and Related Techniques (NFO-14)
- 発表場所
  浜松
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlリッチAlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性制2016
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  一般社団法人　電子情報技術産業協会第12回量子現象利用デバイス技術分科会
- 発表場所
  大手センタービル
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測2016
- 著者名/発表者名
  石井良太、船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN-based quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] ScAlMgO4 (0001)基板上InGaN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果2016
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Compositional pulling effect of InGaN films grown on ScAlMgO4 (0001) substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T.Ozaki, M.Funato, and Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlリッチAlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性制2016
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  一般社団法人　電子情報技術産業協会, 第12回量子現象利用デバイス技術分科会
- 発表場所
  大手センタービル
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの抑制2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on UV Materials and Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  京大桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on UV Materials and Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2016-07-28
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] ScAlMgO4(0001)基板上InGaN薄膜における組成引き込み効果2016
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Compositional pulling effect of InGaN films grown on ScAlMgO4 (0001) substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T.Ozaki, M.Funato, and Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.　Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14232
[学会発表] Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on UV Materials and Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] ScAlMgO4 (0001)基板上InGaN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果2016
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14232
[学会発表] Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖，滋賀
- 年月日
  2016-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN-based quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] 微小なオフ角に由来するc面AlGaN/AlNヘテロ界面におけるc面すべりの可能性2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Evolution of strain and dislocations during ESVPE growth of AlN2016
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, P.-T. Wu, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] ScAlMgO4 (0001)基板上InGaN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果2016
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現2016
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  京大桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの抑制2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Evolution of strain and dislocations during ESVPE growth of AlN2016
- 著者名/発表者名
  K. Kishimoto, P.-T. Wu, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価2016
- 著者名/発表者名
  塚本真大, 石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学, 東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE法によるAlN/サファイア界面構造の制御2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩，P.-T. Wu, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Three dimensional semi/nonpolar InGaN quantum wells toward phosphor-free polychromatic emitters2016
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Stress-dependent spectroscopy on single-crystalline diamond2016
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, S. Shikata, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlリッチAlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性制2016
- 著者名/発表者名
  川上養一, 市川修平, 船戸充
- 学会等名
  （社）電子情報技術産業協会, 第12回量子現象利用デバイス技術分科会
- 発表場所
  大手センタービル，東京
- 年月日
  2016-12-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] マクロステップを利用したAlGaN量子細線構造による温度消光の低減2016
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- 年月日
  2016-05-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Compositional pulling effect of InGaN films grown on ScAlMgO4 (0001) substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T.Ozaki, M.Funato, and Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 非極性面上に作製したAlGaN量子井戸の発光特性2016
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  光とレーザーの科学技術フェア2016, 紫外線セミナー
- 発表場所
  科学技術館（東京都千代田区北の丸公園２番１号）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Stress-dependent spectroscopy on single-crystalline diamond2016
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, S. Shikata, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Stimulated emission at 250 nm from optically-pumped semipolar (1-102) AlGaN/AlN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 微小なオフ角に由来するc面AlGaN/AlNヘテロ界面におけるc面すべりの可能性2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] ScAlMgO4(0001)基板上InGaN薄膜における組成引き込み効果2016
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14232
[学会発表] AlGaN系ヘテロ構造における格子不整転位の導入箇所制御2016
- 著者名/発表者名
  市川修平, 熊本恭介, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学, 東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Approaches to highly efficient UV emitters based on AlGaN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2016
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2016-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多色発光の実現2016
- 著者名/発表者名
  松田祥伸, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  京大桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] InGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価2016
- 著者名/発表者名
  立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 非極性面上に作製したAlGaN量子井戸の発光特性2016
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  光とレーザーの科学技術フェア2016, 紫外線セミナー
- 発表場所
  科学技術館（東京都千代田区北の丸公園２番１号）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN-based quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Stimulated emission at 250 nm from optically-pumped semipolar (1-102) AlGaN/AlN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] nGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価2016
- 著者名/発表者名
  立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2016-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] マクロステップを利用したAlGaN量子細線構造による温度消光の低減2016
- 著者名/発表者名
  早川峰洋, 林佑樹, 市川修平, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] EVPE法によるAlN/サファイア界面構造の制御2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩，P.-T. Wu, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] 非極性面上に作製したAlGaN量子井戸の発光特性2016
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  光とレーザーの科学技術フェア2016
- 発表場所
  科学技術館，東京
- 年月日
  2016-11-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Stimulated emission at 250 nm from optically-pumped semipolar (1-102) AlGaN/AlN quantum wells2016
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測2016
- 著者名/発表者名
  石井良太、船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- 年月日
  2016-05-10
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02332
[学会発表] Three dimensional semi/nonpolar InGaN quantum wells toward phosphor-free polychromatic emitters2016
- 著者名/発表者名
  Y. Matsuda, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] ESVPE法により作製したAlN膜結晶性の膜厚依存性2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, Wu PeiTsen, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学, 東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering
- 発表場所
  San Diego, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] ESVPE成長AlNの厚膜化に伴う歪および転位の評価2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, P.-T.Wu, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会，京都大学桂キャンパス
- 発表場所
  京都大学桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces2016
- 著者名/発表者名
  M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  SPIE Nanoscience + Engineering,
- 発表場所
  San Diego
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06426
[学会発表] クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長2016
- 著者名/発表者名
  岸元克浩, 呉珮岑, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  京大桂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Deep ultraviolet multi-wavelength emission from AlGaN quantum wells fabricated on three-dimensional facet structures2015
- 著者名/発表者名
  K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用2015
- 著者名/発表者名
  岡本晃一, 立石和隆, 川元駿, 西田知句, 玉田薫, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Visible light emitting diodes based on InGaN/GaN multi quantum wells grown on ScAlMgO4(0001) substrates ― Purple to green spectral region―2015
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-09-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] AlN基板上への半極性AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性2015
- 著者名/発表者名
  市川修平,船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Visible light-emitting diodes on ScAlMgO4 (0001) substrates2015
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2015 German-Japanese-Spanish joint workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-07-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Microscopic Photoluminescence Mapping of Plasmonic Enhanced Emission from InGaN/GaN Quantum Well2015
- 著者名/発表者名
  Kazutaka Tateishi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Pangpang Wang, Sou Ryuzaki, Koichi Okamoto, and Kaoru Tamada
- 学会等名
  The 2015 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (Pacifichem)
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2015-12-18
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Tutorial RR: Introduction to Wide-Bandgap Materials for Power Electronics and Solid State Lighting2015
- 著者名/発表者名
  M. Funato
- 学会等名
  2015 MRS Fall meeting & exhibit
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Optically determined critical thickness of AlGaN/AlN heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, Y. Iwata, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Spatially resolved characterizations of the enhanced light emissions from InGaN/GaN by the surface plasmon resonance with silver and aluminum2015
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateish, S. Kawamoto, H. Nishida, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Dominant nonradiative recombination paths in Al-rich AlGaN related structures2015
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, Y. Iwasaki, and Y. Kawakami
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-08-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Highly Enhanced Green Emission from Indium Galium Nitride Quantum Well by Surface Plasmon on Aluminum Film2015
- 著者名/発表者名
  Kazutaka Tateishi, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Sou Ryuzaki, Pangpang Wang, Koichi Okamoto, and Kaoru Tamada
- 学会等名
  International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2015)
- 発表場所
  Singapore
- 年月日
  2015-07-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] 過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価2015
- 著者名/発表者名
  塚本真大, 石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlN-based deep ultraviolet emitters2015
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2015 MRS Fall meeting & exhibit
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-12-02
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Nonradiative recombination paths in AlGaN-related structures and their temperature dependence2015
- 著者名/発表者名
  S.Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  34th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako ,Shiga
- 年月日
  2015-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in Al-rich AlGaN-based materials2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  2015 German-Japanese-Spanish joint workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-07-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] ScAlMgO4基板の構成元素がGaN成長層の特性に与える影響2015
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732
[学会発表] Visualization of recombination dynamics in nitride-based semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Funato and A. Kaneta
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- 年月日
  2013-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs2013
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  CLEO : 2013
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2013-06-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(11-22)GaN基板上に成長したInGaN/GaN多重量子井戸の臨界膜厚2012
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] High quality AlGaN-based quantum wells for deep-ultraviolet emitters2012
- 著者名/発表者名
  M. Funato
- 学会等名
  16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2012-05-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 近接場分光による局在・幅射・非幅射再結合ダイナミクスの評価2012
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充, 金田昭男
- 学会等名
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors by Scanning Near-field Optical Microscopy2012
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  5th GCOE Intern.Symp.on Photonics and Electronics Science and Engineering
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 時間分解発光測定による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるMott密度の井戸幅依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 時間分解発光測定による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるMott密度の井戸幅依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2011
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2011 SPIE Optics+Photonics
- 発表場所
  California, USA
- 年月日
  2011-08-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 窒化物半導体発光素子の高効率化が拓くグリーンイノベーション2011
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第31回年次大会
- 発表場所
  電気通信大学(Invited)
- 年月日
  2011-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Universal behavior of photolumineseence in polar and semipolar InGaN quantum wells revealed by hydrostatic nressure studies2011
- 著者名/発表者名
  T.Suski, G.Staszczak, R.Czernecki, G.Targowski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, UK(Invited)
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光2011
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会(講演奨励賞受賞記念講演)
- 発表場所
  神奈川工科大学(招待講演)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Extremely high internal quantum efficiency from AlGaN/AlN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 窒化物半導体による発光デバイスの最近の展開2011
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  平成23年度応用物理学会関西支部シンポジウム「最先端の光研究とその将来」～次世代の光源・材料・デバイス開発の最新動向～
- 発表場所
  島津製作所関西支社マルチホール(招待講演)
- 年月日
  2011-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Extremely high internal quantum efficiency from AlGaN/AlN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] (11-22)GaN基板上への高品質InGaN量子井戸構造の成長2011
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual-probe scanning near-field optical microscopy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato
- 学会等名
  2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Device
- 発表場所
  Granada, Spain(Invited)
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2011
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  2011 Optics+Photonics
- 発表場所
  California, USA(Invited)
- 年月日
  2011-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual-probe scanning near-field optical microscopy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato
- 学会等名
  2011 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Device
- 発表場所
  Granada, Spain
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光2011
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(Invited 講演奨励賞受賞記念講演)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of internal quantum efficiency on the droop phenomena studied by scanning near-field optical microscopy in InGaN single quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, A.Hashiya, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響2011
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 橋谷亨, 船戸充, 川上養
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] (11-22)GaN基板上への高品質InGaN量子井戸構造の成長2011
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Efficient green emission from InGaN quantum wells coherently grown on semipolar (11-22) GaN subatrates2011
- 著者名/発表者名
  J.Nishinaka, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] InGaN/GaN quantum disks and random lasing : toward a quantum dot laser system based on disordered media2011
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 学会等名
  E-MRS
- 発表場所
  Nice, France
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 窒化物半導体発光素子の高効率化が拓くグリーンイノベーション2011
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第31回年次大会
- 発表場所
  電気通信大学(招待講演)
- 年月日
  2011-01-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス2010
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] デュアルプローブ近接場光学顕微鏡を用いたInGaN/GaN SQWのキャリアダイナミクスの可視化2010
- 著者名/発表者名
  橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Weak carrier/exciton localization in InGaN SQW for higher emission efficiency grown on{20-21}GaN substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y.S.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Weak carrier/exciton localization in InGaN SQW for higher emission efficiency grown on {20-21} GaN substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y.S.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Photoluminescence properties of Al-rich A1GaN/A1N SQWs2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] デュアルプローブ近接場光学顕微鏡を用いたInGaNI/GaN SQWのキャリアダイナミクスの可視化2010
- 著者名/発表者名
  橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] InGaN量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの空間時間分解PL評価 -近接場光学顕微鏡によるEfficiency droop機構の解明-2010
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のMott転移付近のキャリアダイナミクス2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成22年度第1回研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-05-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のMott転移付近のキャリアダイナミクス2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成22年度第1回研究会
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2010-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 表面プラズモンを用いた高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造の内部量子効率の向上2010
- 著者名/発表者名
  高田暁彦, 大音隆男, Ryan Banal, 岡本晃一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Characterisation and maniqulation of the optical properties of single InGaN/GaN quantum disks2010
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlI量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス2010
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, R.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用特利学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Influence of Inhomogeneous Broadening for Gain Polarization Switching in Green Semipolar InGaN Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, A.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Inhomogeneous broadening in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  28th samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress
- 発表場所
  Antipolo City, Rizal, Philippines
- 年月日
  2010-10-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Photoluminescence Properties of Al-rich Al1-xGaxN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, T.Oto, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  JSAP the 57th Spring Meeting
- 発表場所
  Kanagawa, Japan
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA(招待講演)
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Approach to the Efficient Light Emitters in Deep-UV with Al-rich AlGaN/AlN Quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Funato
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium.
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(講演奨励賞受賞)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Characterisation and maniqulation of the optical properties of single In GaN/GaN quantum disks2010
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 表面プラズモンを用いた高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造の内部量子効率の向上2010
- 著者名/発表者名
  高田暁彦, 大音隆男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] デュアルプローブSNOMを用いた銀細線におけるプラズモン異方性伝搬の観測2010
- 著者名/発表者名
  藤本亮, 橋本恒明, 金田昭男, 岡本晃一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Inhomogeneous Broadening in Al-rich AlGaN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 高Al組成AIGaN/AlN量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス2010
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価～SNOMによるEfficiency droop機構の解明～2010
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN on the optical polarization properties of nonpolar and semipolar GaN/AlGaN quantum wells, The 37th Intern.2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Symp.on Compound Semicond.
- 発表場所
  Takamatsu, Japan(Invited)
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope2010
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Frorida, USA
- 年月日
  2010-09-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸のォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用特利学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN multiple quantum wells under selective excitation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Hashiya, A. Kaneta and M. Funato
- 学会等名
  The 8th Intern. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] デュアルプローブを用いた近接場光学顕微鏡の開発2010
- 著者名/発表者名
  橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに矛見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用特利学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy, The 8th Intern.2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Hashiya, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  Symp.on Semicond.Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China(Invited)
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Approach to the Efficient Light Emitters in Deep-UV with Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Funato
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium.
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells with respect to pressure dependence of luminescence energy2010
- 著者名/発表者名
  G.Staszczak, T.Suski, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN on the optical polarization properties of nonpolar and semipolar GaN/AlGaN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  The 37th Intern.Symp.on Compound Semiconductors (ISCS Student Award受賞)
- 発表場所
  Takamatsu, Kagawa, Japan(招待講演)
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA(Invited)
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] デュアルプローブSNOMを用いた銀細線におけるプラズモン異方性伝搬の観測2010
- 著者名/発表者名
  藤本亮, 橋本恒明, 金田昭男, 岡本晃一, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R.G.Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Breakdown of the quasicubic approximation in wurtzite crystals2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Izu, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価～SNOMによるEfficiency droop機構の解明～2010
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  大阪大学中ノ島センター
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Hashiya, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  The 8th Intern.Symp.on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China(Invited)
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Influence of Inhomogeneous Broadening for Gain Polarization Switching in Green Semipolar InGaN Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, AA.Yamaguchi, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Inhomogeneous broadening in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  28th samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress
- 発表場所
  Antipolo City, Rizal, Philippines
- 年月日
  2010-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Mapping of efficiency droop in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Hashiya, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  The 8th Intern.Symp.on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Beijing, China(招待講演)
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 強励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の深紫外発光メカニズム2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会(講演奨励賞受賞記念講演)
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 強励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の深紫外発光メカニズム2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Breakdown of the quasicubic approximation in wurtzite crystals2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Izu, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Photoluminescence properties of Al-rich AlGaN/AlN SQWs2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  3rd GCOE International Symposium
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] ウルツ鉱構造におけるquasicubic近似の破綻2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(Invited 講演奨励賞受賞記念講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 電子線励起法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 片岡研, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会(講演奨励賞受賞)
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope, Intern.2010
- 著者名/発表者名
  A.Kaneta, T.Hashimoto, K.Nishimura, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Workshop on Nitride Semicond.
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA(Invited)
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析2010
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 非極性面hGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 非極性面InCaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第57回応用特利学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] InGaN量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの空間時間分解PL評価 -近接場光学顕微鏡によるEfficiency droop機構の解明-2010
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of breakdown of the quasi-cubic approximation in GaN on the optical polarization properties of nonpolar and semipolar GaN/AlGaN quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  The 37th Intern.Symp.on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Kagawa, Japan(Invited ISCS Student Award受賞)
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性2010
- 著者名/発表者名
  石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells with respect to pressure dependence of luminescence energy2010
- 著者名/発表者名
  G.Staszczak, T.Suski, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN multiple quantum wells under selective excitation2010
- 著者名/発表者名
  Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Intern.workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Photoluminescence Properties of Al-rich All-xGaxN/AlN Single Quantum Wells2010
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, T.Oto, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  JSAP the 57th Spring Meeting
- 発表場所
  Kanagawa, Japan
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] デュアルプローブを用いた近接場光学顕微鏡の開発2010
- 著者名/発表者名
  橋本恒明, 西村活人, 金田昭男,船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 無極性面AlGaN/AlN量子井戸の光学特性に関する理論検討2010
- 著者名/発表者名
  小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (Invited)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会LQE研究会
- 発表場所
  徳島大学(徳島県)
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-2009
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸LEDにおける量子閉じ込めシュタルク効果2009
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 井上大輔, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}GaNバルク基板への厚膜InGaNの成長2009
- 著者名/発表者名
  井上大輔, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells, 8th Intern.Conf.2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  on Nitride Semicond.
- 発表場所
  Jeju, Korea(Invited)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Growth and optical polarization properties of high-quality AlN and AlGaN/AlN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Valence band effective mass of non-c-plane InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の高空間分解近接場発光マッピング測定2009
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semicon ductors2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009(Invited)
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Ni微粒子を用いたInGaN/GaNコア・シェルナノワイヤの有機金属気相成長2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 畑田芳隆, 川上養一
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009 (Invited)
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Temperature-dependent picosecond time-resolved cathodoluminescence of(In,Ga)N/GaN single quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  L.Balet, P.Corfdir, S.Sonderegger, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, J.D.Gani'ere, B.D.Pl'edran
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y, Kawakami, Y. Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  San Jose, California, USA(Invited)
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Monolithic Polychromatic InGaN Light-Emitting Diodes Based on Micro-facet2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakarhi and M. Funato
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. on Display and Solid State Lighting (Invited)
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  SPIE Photonic West
- 発表場所
  San Jose, California, USA(Invited)
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers2009
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009
- 著者名/発表者名
  橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会LQE研究会
- 発表場所
  徳島大学(徳島県)
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Uniaxial stress effects of excitons on nonpolar and semipolar GaN substrates2009
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y, Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda, and M. Funato
- 学会等名
  DPG Spring Meeting
- 発表場所
  Dresden, Germany(Invited)
- 年月日
  2009-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda and M. Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers2009
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Intense Surface Emission from Al-rich (0001) A1GaN/A1N Quantum Wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 放射光マイクロX線回折を用いたマイクロフアセット上InGaN/GaN量子井戸構造の評価2009
- 著者名/発表者名
  榊篤史, 川村朋晃, 大野裕孝, 上田雅也, 船戸充, 川上養一, 木村滋, 坂田修身
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition(Invited)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2009-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Valence band effective mass of non-c-plane InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Monolithic Polychromatic InGaN Light-Emitting Diodes Based on Micro-facet Structures2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Funato
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. on Display and Solid State Lighting (Invited)
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (Invited)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2009-12-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の高空間分解近接場発光マッピング測定2009
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa and T. Muksi
- 学会等名
  SPIE Photonic West (Invited)
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_(0.79)Ga_(0.21)N/AlN multiple quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] ntense Surface Emission at 222nm from(0001)Al0.82Ga0.18N/AlN Quantum Wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  JSAP the 56th Spring Meeting
- 発表場所
  Ibaragi, Japan
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 一軸性応力印加下における無極性面および半極性面GaN基板の反射測定2009
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Ni微粒子を用いたInGaN/GaNコア・シェルナノワイヤの有機金属気相成長2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 畑田芳隆, 川上養一
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda, and M. Funato
- 学会等名
  DPG Spring Meeting (Invited)
- 発表場所
  Dresden, Germany
- 年月日
  2009-03-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸LEDにおける量子閉じ込めシュタルク効果2009
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 井上大輔, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine (plenary)
- 年月日
  2009-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-2009
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells, Asia Communications and Photonics Conf.2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  and Exhibition
- 発表場所
  Shanghai, China(Invited)
- 年月日
  2009-11-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] ntense Surface Emission at 222 nm from (0001) A10.82GaO.18N/AIN Quantum Wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  JSAP the 56th Spring Meeting
- 発表場所
  Ibaragi, Japan
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 放射光マイクロX線回折を用いたマイクロファセット上InGaNIGaN量子井戸構造の評価2009
- 著者名/発表者名
  榊篤史, 川村朋晃, 大野裕孝, 上田雅也, 船戸充, 川上養一, 木村滋, 坂田修身
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar {11-22} InGaN/GaN quantum well active layers2009
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 放射光マイクロX線回析を用いたマイクロファセット上InGaN/GaN量子井戸構造の評価2009
- 著者名/発表者名
  榊篤史, 川村朋晃, 大野裕孝, 上田雅也, 船戸充, 川上養一, 木村滋, 坂田修身
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda, M. Funato
- 学会等名
  DPG Spring Meeting (Invited)
- 発表場所
  Dresden, Germany
- 年月日
  2009-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting(Invited)
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2009-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Positive biexciton binding energy confined in a localized center formed in a single InGaN/GaN auantum disk2009
- 著者名/発表者名
  Richard Bardoux, Akio Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, Akihiko Kikuchi and Katsumi Kishino
- 学会等名
  JSAP the 56th Spring Meeting
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Growth and optical polarization properties of high-quality AlN and AlGaN/AlN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Modified MEE of high-quality Al-rich Al_xGa_<1-x>N/A1N (0001) quantum wells and its optical polarization anisotropy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  8th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea(invited)
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Monolithic Polychromatic InGaN Light-Emitting Diodes Based on Micro-facet Structures2009
- 著者名/発表者名
  Y, Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. on Display and Solid State Lighting
- 発表場所
  Seoul, Korea(Invited)
- 年月日
  2009-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定2009
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会LQE研究会
- 発表場所
  徳島大学(徳島県)
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 一軸性応力印加下における無極性面および半極性面GaN基板の反射測定2009
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Positive biexciton binding energy confined in a localized center formed in a single InGaN/GaN quantum disk2009
- 著者名/発表者名
  Richard Bardoux, Akio Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, Akihiko Kikuchi, Katsumi Kishino
- 学会等名
  JSAP the 56th spring Meeting
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Ueda, A. Kaneta and M. Funato
- 学会等名
  The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- 年月日
  2009-12-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Intense Surface Emission from Al-rich(0001)AlGaN/AlN Quantum Wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Valence band effective mass of non-c-plane InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 文部科学省科研費特定領域研究窒化物光半導体のフロンティア企画「紫外発光素子の進展」2009
- 著者名/発表者名
  名西〓之、吉田治正、川上養一、平松和政、船戸充、川西英雄、平山秀樹、天野浩
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-18069013
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-2009
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas(plenary)
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の高空間分解近接場発光マッピング測定2009
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009(Invited)
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition(Invited)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2009-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 極性{11-22}IhGaN/GaN量子井戸における発光の空間分布2009
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定2009
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  電子情報通信学会LQE研究会
- 発表場所
  徳島大学(徳島県)
- 年月日
  2009-11-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量2009
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Ueda, A. Kaneta, M. Funato
- 学会等名
  The 2nd Intern. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  Taipei, Taiwan(invited)
- 年月日
  2009-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN multiple quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における発光の空間分布2009
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Positive biexciton binding energy in a localization center of a single In GaN/GaN quantum disk : internal electric field drastically reduced2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 強励起条件下におけるA10.79Ga0.21N/AIN量子井戸の深紫外発光機構2009
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Uniaxial stress effects of excitons on nonpolar and semipolar GaN substrates2009
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Positive biexciton binding energy in a localization center of a single InGaN/GaN quantum disk : internal electric field drastically reduced2009
- 著者名/発表者名
  R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(Invited)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France(Invited)
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Uniaxial stress effects of excitons on nonpolar and semipolar GaN substrates"2009
- 著者名/発表者名
  R.Ishii, M.Funato,Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 一軸性応力印加下における無極性面および半極性面GaN基板の反射測定2009
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  SPIE Photonic West (Invited)
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(Invited)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  SPIE Photonic West (Invited)
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-2009
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山(Invited)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Modifield MEE of high-quality Al-rich Al_xGa_(1-x)N/AlN(0001)quantum wells and its optical polarization anisotropy2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 強励起条件下におけるAl0.79Ga0.21N/AlN量子井戸の深紫外発光機構2009
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas (plenary)
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Temperature-dependent picosecond time-resolved cathodoluminescence of (In, Ga)N/GaN single quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  L.Balet, P.Corfdir, S.Sonderegger, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, J.D.Ganiere, B.D.Pl'edran
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 強励起条件下におけるAl_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸の深紫外発光機構2009
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Ueda, M. Funato
- 学会等名
  E-MRS Spring meeting 2009
- 発表場所
  Strasbourg, France(Invited)
- 年月日
  2009-06-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 非c面窒化物半導体量子井戸における価電子帯有効質量2009
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一, 野田進
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Multi-color light-emitting diodes based on GaN micro-structures2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami, Y.Narukawa, T.Mukai
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Jose, California, USA(Invited)
- 年月日
  2009-01-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 高Al組合AlGaN/AlN量子井戸構造における高効率発光2009
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価2009
- 著者名/発表者名
  船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山(Invited)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties, The 2nd Intern.2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato
- 学会等名
  Conf.on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  Taipei, Taiwan(Invited)
- 年月日
  2009-12-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸LEDにおける量子閉じ込めシュタルク効果2009
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 井上大輔, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakam
- 学会等名
  Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition (Invited)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2009-11-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造における高効率発光2009
- 著者名/発表者名
  大音隆男, Ryan Banal;船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}GaNバルク基板への厚膜InGaNの成長2009
- 著者名/発表者名
  井上大輔, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Semipolar (11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition
- 発表場所
  Shanghai, China(invited)
- 年月日
  2009-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Growth and optical polarization properties of high-quality AlN and AIGaN/A1N quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneat, M.Funato
- 学会等名
  The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting(Invited)
- 発表場所
  TaiPei, Taiwan
- 年月日
  2009-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters2009
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas(plenary)
- 発表場所
  Tagaytay, Philippine
- 年月日
  2009-12-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 非極性面InGaN量子井戸の偏光制御に関する理論検討2008
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一外3名
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性2008
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一外3名
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会(INVITED)
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Anisotropic Stimulated Emission and Gain Formation ofNon c Plane InGaN Laser Diodes2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai
- 学会等名
  8th Intern. Conf. on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2008-04-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display2008
- 発表場所
  Ilsan, Korea(Invited)
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Structural evolution of directly-grown AIN on sapphire substrates2008
- 著者名/発表者名
  Ryan G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2nd Intern. Symp. on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Anisotropic Stimulated Emission and Gain Formation of Non c Plane InGaN Laser Diodes2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama and T. Mukai
- 学会等名
  8th Intern. Conf. on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2008-04-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Anisotropic Stimulated Emission and Gain Formation of Non c Plane InGaN Laser Diodes2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakatni, S. Nasahama, T. Mukai
- 学会等名
  8th Intern. Conf. on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2008-04-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Controlling optical anisotropy of semipolar and nonpolar InGaN quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, T. Mukai
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors, (Invited)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai, Y, Kawakami Mukai and Y, Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland(Invited)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性2008
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性(11-22)GaNバルク基板上InGaN/GaN量子井戸の歪み解析2008
- 著者名/発表者名
  井上大輔, 船戸充, 川上養一外3名
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 白色および波長可変IhGaN/GaNマイクロファセット発光ダイオードの作製2008
- 著者名/発表者名
  林敬太, 船戸充, 川上養一外3名
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato, Y.Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. Smart Materials Structures Systems
- 発表場所
  Acireale, Sicily, Italy(Invited)
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Controlling optical anisotropy of semipolar and nonpolar InGaN auantum wells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nasahama, T. Mukai
- 学会等名
  Intern, workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における光学異方性の回転2008
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 船戸充, 川上養一外2名
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display 2008 (Invited)
- 発表場所
  Ilsan, Korea
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 非極性面InGaN量子井戸レーザの光学特性2008
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一, 枡井真吾, 長濱慎一, 向井孝志
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  千葉(Invited)
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. Smart Materials Structures Systems (Invited)
- 発表場所
  Acireale, Sicily, Italy
- 年月日
  2008-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern, workshop on Nitride Semiconductors, (Invited)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Characterization and Control of Recombination Dynamics in Low-dimensional InGaN-based Semiconductors2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T Mukai
- 学会等名
  The 3rd Intern. Conf. Smart Materials Structures Systems (Invited)
- 発表場所
  Acireale, Sicily, Italy
- 年月日
  2008-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] A New Growth Method of High-Quality AlN on Sapphire Substrates2008
- 著者名/発表者名
  R. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices
- 発表場所
  Phoenix, USA
- 年月日
  2008-05-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Anisotropic stimulated emission and gan formation of non c plane InGaN laser diodes2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nasahama, T. Mukai
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland(Invited)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Anisotropic stimulated emission and gain formation of non c plane InGaN laser diodes2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Naeahama and T. Mukai
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers2008
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors, (Invited)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Characterization and Control of recombination dynamics in low-dimensional InGaN-based semiconductors, The 3rd Intern.Conf.2008
- 著者名/発表者名
  Kawakami, A.Kaneta, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai
- 学会等名
  Smart Materials Structures Systems
- 発表場所
  Acireale, Sicily, Italy(Invited)
- 年月日
  2008-06-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display 2008 (Invited)
- 発表場所
  Ilsan, Korea
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures2008
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Meeting on Information Display, Intern. Display Manufacturing, Conf. and Asia Display 2008 (Invited)
- 発表場所
  Ilsan, Korea
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Polarization anisotropy in semipolar InGaN/GaN quantum well active layers, Intern.2008
- 著者名/発表者名
  M.Ueda, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai, Y.Kawakami
- 学会等名
  Workshop on Nitride Semicond.
- 発表場所
  Montreux, Switzerland(Invited)
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Monolithic polychromatic InGaN light-emitting diodes based on micro-facet structures, Intern.2008
- 著者名/発表者名
  M.Funato, Y.Kawakami
- 学会等名
  Meeting on Information Display 2008
- 発表場所
  Ilsan, Korea(Invited)
- 年月日
  2008-10-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Deep-Ultraviolet Emission of AlGaN/AIN MQWs grown by Modified Migration Enhanced Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Controlling optical anisotropy of semipolar and nonpolar InGaN auantum wells2008
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama. and T. Mukai
- 学会等名
  Intern. workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸における偏光ルミネッセンスの温度特性2008
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御2007
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充外5名
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会(INVITED)
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御2007
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸充, 金田昭男, 上田雅也, 小島一信, 成川幸男, 向井孝志
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌(Invited)
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar {11-22} GaN bulk substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, T. Mukai
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌(Invited)
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] InGaN/GaN multi-facet light emitting diodes toward tailor-made solid-state lighting without phosphors2007
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami外5名
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Polarization properties of InGaN/GaN light emitting diodes on{11-22}GaN bulk substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami外3名
- 学会等名
  The 26th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shiga, Japan
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Local Spectroscopic Investigations on Semipolar InGaN-Based Nanostructures and Their Application to LEDs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, K. Nishizuka, M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA(Invited)
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Local microscopy investigations of low dimensional nitrides2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, K. Nishizuka, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  7th Intern. Conf. of the PLMCN series (Invited)
- 発表場所
  Havana, Cuba
- 年月日
  2007-04-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Local spectroscopic investigations on semipolar InGaN-based nanostructures and their application to LEDs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Funato外4名(INVITED)
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  The 14th Intern. Display Workshops
- 発表場所
  Sapporo, Japan(invited)
- 年月日
  2007-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Local Spectroscopic Investigations on Semipolar InGaN-Based Nanostructures and Their Application to LEDs, 7th Intern.Conf.2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kawakami, A.Kaneta, K.Nishizuka, M.Ueda, K.Kojima, M.Funato, Y.Narukawa, T.Mukai
- 学会等名
  on Nitride Semicond.
- 発表場所
  Las Vegas, USA(Invited)
- 年月日
  2007-07-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] InGaN量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係2007
- 著者名/発表者名
  小島一信, 船戸充, 川上養一外3名
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Structural evolution of AIN grown directly on-sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Izu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Observation of optical gain spectra for ultra violet, violet, blue and aquamarine InGaN/InGaN quantum well laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, and Y. Kawakami外4名
- 学会等名
  The 26th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shiga, Japan
- 年月日
  2007-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Relationship between Threading Dislocation and Nonradiative Recombination Centers in Green Emitting InGaN-Based Quantum, Wells Studied by Scanning Near-Field Optical Microscope2007
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai and Y, Kawakami
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] 半極性{11-22}GaNバルク基板上InGaN/GaN量子井戸活性層の偏光特性2007
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 船戸充, 川上養一, 成川幸男, 向井孝志
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌(Invited)
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 半極性・無極性InGaN量子井戸の光学的異方性に関する理論解析2007
- 著者名/発表者名
  小島一信, 加門宏章, 船戸充, 川上養一
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Relationship between threading dislocations and nonradiative recombination centers in green emitting InGaN-based quantum wells studied by scanning near-field optical microscope2007
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, and Y. Kawakami外2名
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Theoretical investigation on anisotropic optical properties in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  K.Kojima, H. Kamon, M. Funato, and Y. Kawakami
- 学会等名
  34th Intern. Symp. on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] 半極性{11-22}GaNバルク基板上InGaN/GaN量子井戸活性層の偏光特性2007
- 著者名/発表者名
  上田雅也, 船戸充, 川上養一外2名
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会(INVITED)
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Strong polarization effects in InGaN/GaN light emitting diodes grown on semipolar {11-22} GaN bulk substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Ueda, M. Funato, and Y. Kawakami外2名
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes2007
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, and Y. Kawakami, 外4名
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Local Spectroscopic Investigations on Semipolar InGaN-Based Nanostructures and Their Application to LEDs2007
- 著者名/発表者名
  Y, Kawakami, A. Kaneta, K. Nishizuka, M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Las Vegas, Nevada, USA(Invited)
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Developments of semipolar (11-22) InGaN/GaN quantum wells and light emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  M. Funato, Y. Kawakami外3名(INVITED)
- 学会等名
  The 26th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shiga, Japan
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato外3名(INVITED)
- 学会等名
  The 14th Intern. Display Workshops
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 年月日
  2007-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Light emitting devices based on semipolar-oriented InGaN/GaN quantum wells2007
- 著者名/発表者名
  Y, Kawakami, M. Ueda, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  The 14th Intern. Display Workshops
- 発表場所
  Sapporo, Japan(Invited)
- 年月日
  2007-10-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Local Spectroscopic Investigations on Semipolar In GaN-Based Nanostructures and Their Application to LEDs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami, A. Kaneta, K. Nishizuka, M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Narukawa
- 学会等名
  7th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors (Invited)
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] Developments of semipolar (11-22) InGaN/GaN quantum wells and light emitting diodes2007
- 著者名/発表者名
  M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Mukai
- 学会等名
  The 26th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  滋賀(Invited)
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar{11-22}GaN bulk substrates2007
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami外5名
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会(INVITED)
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] InGaN/GaNマイクロファセット多波長発光ダイオードの作製と評価2007
- 著者名/発表者名
  林敬太, 船戸充, 川上養一外4名
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206036
[学会発表] Local microscopy investigations of low dimensional nitrides2007
- 著者名/発表者名
  Y, Kawakami, A. Kaneta, K. Nishizuka, M. Funato, Y. Narukawa and T. Mukai
- 学会等名
  7th Intern. Conf. of the PLMCN series in Havana
- 発表場所
  Cub(Invited)
- 年月日
  2007-04-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Multi-mode SNOM-PL mapping in the vicinity of nonradiative recombination center of InGaN single quantum wells2006
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato, Y. Narukawa, T. Mukai and Y, Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductor
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2006-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] Local recombination processes in InGaN studied by temporally and spatially resolved photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A, Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai
- 学会等名
  8th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies
- 発表場所
  Cadiz, Spain
- 年月日
  2006-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206002
[学会発表] InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar {11-22} GaN bulk crystals2006
- 著者名/発表者名
  M. Funato
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductor
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2006-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069007
[学会発表] アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強
- 著者名/発表者名
  立石和隆，Xu Xiaoying，船戸　充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田　薫
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Large shifts of free excitonic transition energies and phonon frequency of AlN coherently-grown on 6H-SiC (0001) due to strong in-plane compressive strain
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductor
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ
- 著者名/発表者名
  川上養一, 金田昭男, 船戸　充
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Homoepitaxy of AlN on semipolar (1-102) substrates grown by physical vapor transport method
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium　（応物併設）
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R. G. Banal, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of recombination lifetimes on exciton hopping in semipolar (11-22) InGaN quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Well width dependence of exciton dynamics in semipolar (11-22) InGaN/GaN single quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  40th Intern. Symp. on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of substrate orientation on GaN homoepitaxial layers:
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸発光の面内偏光制御
- 著者名/発表者名
  市川修平, 石井良太, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Hydrostatic and uniaxial deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  31st Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shizuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Largest electron-hole exchange interaction among typical III-V and II-VI compound semiconductors observed in AlN
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Observation of Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  4th Intern. Symp. on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Saint-Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] SiC上ヘテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価
- 著者名/発表者名
  高木勝也, 石山裕策, 西中淳一, 船戸充, 川上養一, 橋本明弘, 田中　悟
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(1122)InGaN/GaN量子井戸における励起子ダイナミクスの井戸幅依存性
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 西中淳一, 船戸　充，川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明
- 著者名/発表者名
  川上養一, 船戸　充, 金田昭男
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス
- 著者名/発表者名
  井上航平, 金田昭男, 船戸　充，川上養一，岡本晃一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Structural and optical characterization of 2H-AlN coherently-grown on 6H-SiN (0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- 著者名/発表者名
  M. Kaneko, H. Okumura, R. Ishii, M. Funato, Y. Kawakami, T. Kimoto and J. Suda
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium　（応物併設）
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Origin of exciton localization in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Determination of deformation potentials in GaN and AlN for the design of strained AlGaN-based quantum structures
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  E-MRS
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Temperature dependent exciton dynamics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by cathodoluminescence mapping measurements
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岩田佳也, D. Gachet，M. Benameur，R. Banal，船戸　充，川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシにおけるV/III比の影響
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性 (11-22) InGaN/GaN 量子井戸における励起子ダイナミクス
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, T. Hira, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, and S. Nagahama
- 学会等名
  10th Conf. on Lasers and Electo-Optics Pasific Rim, and 18th OptoElectonics and Communications Conf/Photonics in Switching 2013
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 大音隆男, D. Gachet，M. Benameur，R. Banal，船戸　充，川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高品質半極性面AlGaN/AlN量子井戸構造における内部電界の抑制と短い輻射再結合寿命の実現
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Emission properties of localized excitons in weakly excited Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  31st Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shizuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 窒化物半導体ナノ構造の励起子ダイナミクスと超高効率発光素子実現へのアプローチ
- 著者名/発表者名
  船戸　充，金田昭男，川上養一
- 学会等名
  レーザー学会創立40周年記念学術講演会第34回年次大会
- 発表場所
  北九州国際会議場, 福岡県
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(-1-12-2)GaN基板上に成長したInGaN低次元構造の光学特性
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 緑色発光InGaN量子井戸の近接場光学分光
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第５回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
- 発表場所
  日本科学未来館, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Optical properties of Al-rich AIGaN quantum wells and their application to electron-beam pumped Deep-UV emitters
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  UV-DUV Plasmonics and Nanophotonics Workshop
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode
- 著者名/発表者名
  金　潤碩, 金田昭男，船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の異方性を考慮した臨界膜厚
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測
- 著者名/発表者名
  西川恭平，金田昭男，船戸　充，川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるPLスペクトルの励起強度依存性
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, R. G. Banal, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Optical Gain Properties of (0001) Oriented InGaN-Based Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density
- 著者名/発表者名
  Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
- 学会等名
  16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Busan, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] High Quality AlGaN-Based Quantum Wells for Deep-Ultraviolet Emitters
- 著者名/発表者名
  M. Funato
- 学会等名
  16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Busan, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
- 著者名/発表者名
  Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S. Nagahama
- 学会等名
  電子情報通信学会　レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  大阪市立大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Temperature-induced luminescence peak shift correlated with exciton lifetime in semipolar (11-22) InGaN/GaN quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium　（応物併設）
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Does temperature-induced ``S-shaped'' photoluminescence peak shift directly indicate potential tail?
- 著者名/発表者名
  T. Ozaki, J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Growth characteristics of semipolar {11-22} GaN homoepitaxial layers
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Deep UV photoluminescence mappings of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells by confocal microscopy
- 著者名/発表者名
  Y. Iwata, A. Kaneta, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Structural and optical characterization of homoepitaxial AlN film
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, K. Matsuda, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  31st Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shizuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Verification of internal field presence in InGaN/GaN semipolar quantum wells
- 著者名/発表者名
  G. Staszczak, T. Suski, P. Perlin, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Synthesis of aluminum nitride powders emitting in near ultraviolet spectral range
- 著者名/発表者名
  P. T. Wu, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  New Taipei City, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Impact of crystal orientation on InGaN-based efficient visible light emitters
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Conf. on LED and its industrial application '13 (LEDIA'13)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(1-1-2)AlN基板上へのAlGaN/AlN量子井戸構造の作製
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸　充, 永田俊郎, 川上養一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価
- 著者名/発表者名
  田中優也，金田昭男，船戸　充，川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Critical layer thicknesses of anisotropic heterostructures: non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  31st Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shizuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Optimal growth pressure for high quality semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
- 学会等名
  40th Intern. Symp. on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Excitonic fine structure of AlN studied by polarization-resolved photoluminescence spectroscopy
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC subtrates
- 著者名/発表者名
  Y. Ishiyama, M. Takaki, Y. Hagihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto and S. Tanaka
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] へテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価
- 著者名/発表者名
  石山裕策, 西中淳一, 船戸　充, 川上養一, 橋本明弘, 田中　悟
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Exciton localization characteristics in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
- 著者名/発表者名
  T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性(11-22)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価
- 著者名/発表者名
  尾崎拓也, 西中淳一, 金田昭男, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] マクロなステップ構造を有するAlN上へのAlGaN/AlN量子構造の作製
- 著者名/発表者名
  林　佑樹，Ryan Banal，M. Funato，Y. Kawakami
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 選択励起条件下における高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の弱励起時間分解発光測定
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 金田昭男, R. G. Banal, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Structure Dependence of Surface Plasmon Enhanced Photoluminescence
- 著者名/発表者名
  Xiaoying Xu，M. Funato，Y. Kawakami，K. Okamoto and K. Tamada
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Role of Growth Spirals in AlGaN Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定
- 著者名/発表者名
  金田昭男, 金　潤碩, 船戸　充, 川上養一, 塩谷陽平, 京野孝史, 上野昌紀, 中村孝夫
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] (1102)基板上へのAlNホモエピタキシーにおける成長圧力の最適化
- 著者名/発表者名
  市川修平, 船戸　充, 永田俊郎, 川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Remarkably suppressed luminescence inhomogeneity in state-of-the-art InGaN green emitting structures
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sympsium　（応物併設）
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源
- 著者名/発表者名
  大音隆男, ライアンバナル, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定
- 著者名/発表者名
  石井良太，金田昭男，船戸　充，川上養一
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Formation Mechanism and Elimination of Lowangle Grain Boundaries in AlN through Control of Heterointerface with Sapphire (0001) Substrate
- 著者名/発表者名
  Y. Hayashi, R. G. Banal, K. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Strong Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Mechanism of pit generation and elimination of semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato, S. Nagata and Y. Kawakami
- 学会等名
  10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Remarkable surface morphology improvement of semipolar (1-102) AlN homoepitaxial films by nucleation control growth
- 著者名/発表者名
  S. Ichikawa, M. Funato S. Nagata and Y. Kawakami
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性GaNバルク基板上への緑色発光InGaN量子井戸の作製と物性
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第５回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
- 発表場所
  日本科学未来館, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング
- 著者名/発表者名
  岩田佳也, 金田昭男, ライアンバナル, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Inhomogeneously broadened gain spectra in InGaN based laser diodes
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami and S. Noda
- 学会等名
  DYCE-ASIA Workshop
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Epitaxial Growth of AlN and Related Alloys
- 著者名/発表者名
  M. Funato
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs
- 著者名/発表者名
  M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  CLEO:2013
- 発表場所
  San Jose, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] AlNの励起子束縛エネルギー：電子正孔交換相互作用と励起子格子相互作用
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Multi-wavelength light emission from threedimensional AlGaN quantum wells fabricated on facet structures
- 著者名/発表者名
  K. Kataoka, M. Yamaguchi, K. Fukushima, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  2014 Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Exciton Localization Phenomena in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  弟60回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性
- 著者名/発表者名
  大音隆男, R. G. Banal, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Nanoscopic PL properties in green emitting InGaN single quantum well on {20-21} GaN substrate probed by scanning near field optical microscopy
- 著者名/発表者名
  A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Exciton Dynamics in Semipolar (11-22) InGaN Single Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  J. Nishinaka, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] Determination of the deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN as well as GaN
- 著者名/発表者名
  R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] (Al,Ga)N系歪み量子構造の電子状態計算
- 著者名/発表者名
  石井良太, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] III-nitride semiconductors: current status and future prospect
- 著者名/発表者名
  Y. Kawakami and M. Funato
- 学会等名
  1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] `New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC surfaces
- 著者名/発表者名
  Y. Ishiyama, M. Takaki, Y. Hagihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto and S. Tanaka
- 学会等名
  Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001
[学会発表] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシャル膜における不純物の取り込み
- 著者名/発表者名
  西中淳一, 船戸　充, 川上養一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226001

1. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 16件

共同の研究成果数: 959件
2. 藤田静雄 (20135536)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 石井良太 (60737047)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 75件
4. 岡本晃一 (50467453)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 46件
5. 藤田茂夫 (30026231)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
6. ミケレットルジェロ (50397600)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 岸野克巳 (90134824)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 赤崎勇

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 佐々木昭夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 高橋清

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 西永頌

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 上野山雄

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 成田貴人

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 三宅秀人

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
19. 松田祥伸

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
20. 藤田茂雄

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 7件
21. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
22. BANAL R.G.

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

船戸 充 Funato Mitsuru

研究課題

研究成果

共同研究者

InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

船戸充 Funato Mitsuru

[図書] ワイドギャップ半導体－あけぼのから最前線へー　第3.3章「半極性・半極性面上新規高効率発光デバイス」pp.222-2322013