安永暢男 YASUNAGA Nobuo

ORCID

ORCID連携する *注記

研究者番号	70256171
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2005年度: 東海大学, 工学部, 教授 2000年度 – 2001年度: 東海大学, 工学部, 教授 1996年度 – 1997年度: 東海大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者機械工作・生産工学 / 生産工学・加工学
キーワード	研究代表者メカノケミカルポリシング / rutil type TiO2 abrasive / Polycrystalline SiC / Light catalytic effect / anataze type TiO2 abrasive / α-Fe2O3 abrasive / High tenperature polishing / Mechanochemical polishing / SiC single crystal / Fe203砥粒 … もっと見る / TiO2砥粒 / Fe2O3砥粒 / SiC単結晶 / ルチル型TiO_2砥粒 / 多結晶SiC / 光触媒効果 / アナターゼ型TiO_2砥粒 / α-Fe_2O_3砥粒 / 高温ポリシング / SiC結晶 / ZnO disk / BaCO3 disk / bounded abrasive polishing / Silicon wafer / pressure control polishing / dry polishing / clean polisihng / mechanochemical polishing / BaCO_3砥石 / 定圧研磨装置 / ドライ研磨 / ZnO砥石 / BaCO3砥石 / 砥石研磨 / シリコンウエハ / 定圧研磨技術 / ドライポリシング / クリーン研磨技術 / Joining / Laser PVD / Laser etching / Sapphire / Micro-fabrication / YAG laser / 接合 / レーザPVD / レーザエッチング / サファイヤ / マイクロファブリケーション / YAGレーザ隠す

研究課題
(3件)
研究成果
(4件)

光触媒効果を重畳した高温メカノケミカルポリシング法に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安永暢男
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  東海大学
環境にやさしい次世代ドライポリシング法に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  安永暢男
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機械工作・生産工学
- 研究機関
  東海大学
難加工単結晶材料のレーザマイクロファブリケーション研究代表者
- 研究代表者
  
  安永暢男
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  機械工作・生産工学
- 研究機関
  東海大学

すべて 2005 2004

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Machining Mechanisms of Si Wafers in Mechanochemical Polishing by Soft Abrasives2005
- 著者名/発表者名
  N.Yasunaga et al.
- 雑誌名
  
  Advances in Abrasive Technology VIII
  
  ページ: 385-385
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560099
[雑誌論文] Machining Mechanisms of Si Wafers in Mechanochemical Polishing by Soft Abrasives2005
- 著者名/発表者名
  N.Yasunaga
- 雑誌名
  
  Advances in Abrasive Technology VIII
  
  ページ: 385-385
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560099
[雑誌論文] High Temperature MCP Process Suitable for Extremely Hard High Functional SIC Wafers2004
- 著者名/発表者名
  N.Yasunaga et al.
- 雑誌名
  
  Advances in Abrasive Technology Vol.7
  
  ページ: 385-385
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560099
[雑誌論文] High Temperature MCP Process Suitable for Extremely Hard High Functional SiC Wafers2004
- 著者名/発表者名
  N.Yasunaga et al.
- 雑誌名
  
  Advances in Abrasive Technology Vol.7
  
  ページ: 385-385
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560099