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PLOTKA Piotr  プロトカ ピョートル

ORCIDORCID連携する *注記
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ピョートル プォトカ  ピョートル プォトカ

プロトカ ピヨトル  プロトカ ピヨトル

ピヨトル プロトカ  ピヨトル プロトカ

プォトカ ピョートル  PLOTKA Piotr

ピョートル プォトガ

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研究者番号 70270501
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2006年度: (財)半導体研究振興会, 半導体研究所, 主任研究員
2006年度: 財団法人半導体研究振興会・半導体研究所, 半導体研究所, 主任研究員
2002年度 – 2005年度: 財団法人半導体研究振興会, 半導体研究所, 主任研究員
2001年度 – 2005年度: (財)半導体研究振興会, 主任研究員
2003年度: 財団法人半導体研究振興会, 主任研究員
2001年度: (財)半導体研究振興会, 半導体研究所, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者以外
intra-band tunneling / 不純物添加 / GaAs / 分子層エピタキシー / inter-band tunneling / static induction transistor / ultra high speed device / tunnel junction / low temperature growth / 変調ドープ … もっと見る / 不純物添加技術 / ガリウム砒素薄膜成長 / タンネットダイオード / トンネルトランジスタ / 静電誘導トランジスタ / 超高速トランジスタ / トンネル接合 / 低温成長 / GaAs分子層成長 / Surface Chemical Reaction / Impurity Doping / Self limiting Growth / Atomic Layer Growth / Molecular Layar Growth / 反応機構 / 自己停止機構 / 表面反応機構 / 自己停止成長機構 / 原子層成長 / 分子層成長 / 分光 / 電子デバイス / バリスティック / ラマン / パラメトリック / テラヘルツ / フォノン 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (12件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  GaAs分子層成長を用いた超高速トンネルトランジスタの開発

    • 研究代表者
      倉林 徹
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      (財)半導体研究振興会
  •  フォノン工学

    • 研究代表者
      伊藤 弘昌
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2005
    • 研究種目
      学術創成研究費
    • 研究機関
      東北大学
  •  GaAsの分子層成長とその不純物添加技術に関する研究

    • 研究代表者
      倉林 徹
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      (財)半導体研究振興会

すべて 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] GaAs Area-Selective Regrowth with Molecular Layer Epitaxy for Integration ofLow Noise and Power Transistors,and Schottky Diodes2008

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, P. Plotka, T. Kurabayashi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi journal (printing)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] タンネットダイオードの開発とテラヘルツイメージングへの応用2007

    • 著者名/発表者名
      倉林 徹, ピョートル・プロトカ
    • 雑誌名

      日本金属学会会報 まてりあ 46・2

      ページ: 63-69

    • NAID

      10018508137

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] Development of TUNNETT Diode as Terahertz Device and Its Applications2006

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, T. Kurabayashi, P. Plotka, H. Makabe
    • 雑誌名

      IEEE Device Research Conference, extended abstract(Pensilvania)

      ページ: 195-196

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] Development of TUNNETT Diode as Terahertz Device and Its Applications2006

    • 著者名/発表者名
      J.Nishizawa, T.Kurabayashi, P.Plotka, H.Makabe
    • 雑誌名

      IEEE Device Research Conference, extended abstract, June, 2006, Pensilvania

      ページ: 195-196

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] GaAs TUNNETT Diodes Oscillating at 430-655 GHz in CW Fundamental Mode2005

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, P. Plotka, H. Makabe, T. Kurabayashi
    • 雑誌名

      IEEE Microwave and Wireless Components Letters Vol. 15, No. 9

      ページ: 597-599

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] GaAs TUNNETT Diodes Oscillating at 430-655 GHz in CW Fundamental Mode2005

    • 著者名/発表者名
      J.Nishizawa, P.Plotka, H.Makabe, T.Kurabayashi
    • 雑誌名

      IEEE Microwave and Wireless Components Letters 15・9

      ページ: 597-599

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] Fundamental mode continuous-wave GaAs TUNNETT oscillators for 100-655 GHz applications2005

    • 著者名/発表者名
      P.Plotka, J.Nishizawa, T.Kurabayashi, H.Makabe
    • 雑誌名

      Electronics Letters

      ページ: 5-12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] GaAs TUNNETT Diodes Oscillating at 430-655 GHz in CW Fundamental Mode2005

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, P. Plotka, H. Makabe, T. Kurabayashi
    • 雑誌名

      IEEE Microwave and Wireless Components Letters 15・9

      ページ: 597-599

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] 290-393 GHz CW fundamental-mode oscillation from GaAs TUNNETT dindo2005

    • 著者名/発表者名
      J.Nishizawa, P.Plotka, H.Makabe, T.Kurabayashi
    • 雑誌名

      1^<st> Tera Medical Forum & 4^<th> Phonon Engineering Forum, Jan.27 (2005) Sendai 41

      ページ: 441-442

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] 290-393 GHz CW fundamental-mode oscillation from GaAs TUNNETT diode2005

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, P. Plotka, H. Makabe, T. Kurabayashi
    • 雑誌名

      Electronics Letters vol. 41

      ページ: 441-442

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [雑誌論文] GaAs Area-Selective Regrowth with Molecular Layer Epitaxy for Integration of Low Noise and Power Transistors, and Schottky Diodes

    • 著者名/発表者名
      J. Nishizawa, P. Plotka, T. Kurabayashi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi jounial (printing)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • [学会発表] 706-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      P. Plotka
    • 学会等名
      ISCS-2007
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360014
  • 1.  倉林 徹 (90195537)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  西澤 潤一 (20006208)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  浜野 知行
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  辺見 政浩 (30419866)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  伊藤 弘昌 (20006274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  須藤 建 (60006236)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  四方 潤一 (50302237)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  田邉 匡生 (10333840)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  佐々木 哲朗 (20321630)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  菊地 秀幸
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  西沢 潤一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 10件

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