• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

るー ふぁん  LU Fang

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

陸 ほう  LU Fang

隠す
研究者番号 70281988
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度 – 1997年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者以外
Memory deivces / Charge storage / MOS structures / Scanning tunneling microscopy / Atomic Force Microscopy / Nano-scale characterization of electrical properties / Scanning Capacitance Microscopy / メモリー / 電荷蓄積 / MOS構造 … もっと見る / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 原子間力顕微鏡(AFM) / 局所電気特性評価 / 走査容量顕微鏡(SCaM) / Energy Level Diagram for ZnSe : N / Compensation Model / Ion Beam Analysis / Electrical Characterization / Optical spectroscopy / Carrier Compensation Mechanism / P-type ZnSe / II-VI Semiconductor / 補償機構 / ホール濃度 / 窒素ドープ / p型半導体 / ZnSe / ZnSe:N準位図 / イオンピーム法 / P型ZnSe / II-VI族半導体 / ZnSe:N順位図 / 補償モデル / イオンビーム / 電気的評価 / 光学的手法 / キャリアー補償機構 / p型ZnSe / IIーVI族化合物半導体 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究

    • 研究代表者
      八百 隆文
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ワイドギャップIIーVI族化合物半導体におけるキャリアー補償機構の解明

    • 研究代表者
      朱 自強
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  • 1.  朱 自強 (10243601)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  花田 貴 (80211481)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  王 杰 (60281987)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  林 司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi