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西野 克志  nishino katsushi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70284312
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2007年度: 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授
2006年度: 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 助教授
1999年度 – 2003年度: 徳島大学, 工学部, 講師
1999年度: 徳島大, 工学部, 助手
1998年度: 徳島大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
物理系
キーワード
研究代表者
MOCVD / GaN / UV-LED / Bulk growth / Direct Synthesis Method / AlGaN / 基板 / バルク / 紫外LED / バルク結晶成長 … もっと見る / 直接合成法 / 窒化ガリウム / 窒化アルミニウムガリウム / AFM / TEM / 選択成長 / 昇華法 / バルク結晶 … もっと見る
研究代表者以外
GaN / MOCVD / InNAs / Material properties / Wide gap semiconductor / Plasma / Narrow gap semiconductor / Nitride / 窒化III-V族混晶 / 電子物性 / ワイドギャップ半導体 / プラズマ / ナローギャップ半導体 / 窒化物 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  アルミニウム源添加直接合成法による窒化アルミニウムガリウムのバルク結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      西野 克志
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      徳島大学
  •  窒化III-V族混晶の電子物性解明と応用に関する研究

    • 研究代表者
      酒井 士郎
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      物理系
    • 研究機関
      徳島大学
  •  バルクGaNの大型結晶成長およびデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      西野 克志
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      徳島大学
  • 1.  酒井 士郎 (20135411)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  直井 美貴 (90253228)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  中島 貞之丞 (20207781)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  LIU Yuhuai
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  LACROIX Yves
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  TOA Wang
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  MOHAMED Lachab
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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