淀徳男 YODO Tokuo

研究者番号	70288752
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度 – 2015年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授 2004年度: 大阪工業大学, 工学部, 教授 1997年度 – 2003年度: 大阪工業大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外無機材料・物性
キーワード	研究代表者 ECRプラズマ / InN / ECR plasma / OEIC / 光電子集積回路 / Si基板 / 六方晶 / 窒化物混晶 / 結晶性 / lattice matching … もっと見る / GaAsN alloy / galium nitride / エピタキシャル成長 / 格子不整合 / 格子整合 / residual oxygen concentration / low temperature growth / cubic InN / band gap energy / Optical Electric Integrated Circuits / Nitride alloy / 窒化物混晶半導体 / 酸素不純物 / 残留酸素濃度 / 低温成長 / 立方晶InN / バンドギャップ / Anneal / Crystalline quality / Hexagonal crystal / Nitride alloy crystal / Si substrate / 立方晶 / PL発光 / アニール / プラズマ発光 / Si基盤 / Crystal structure / InGaAsN alloy / As doping / 窒化ガリウムインジウム砒素 / 立方晶窒化ガリウム / プラズマダメージ / シリコン基板表面 / シリコン基板上窒化ガリウム / 窒化インジウム / 窒化インジウムガリウム砒素 / シリコン / ガリウム砒素 / nitride semiconductor / galium arsenide on silicon / epitaxial growth / GaAs_<1-x>N_x / 窒化物 / Gabs_<1-X>N_Y / エピタヤンヤル成長 / 界面電荷整合性 / GaAs on Si / 窒化的半導体 / エピタキシカル砒素 / 窒化カリウム砒素 / 窒化カリウム / シリコン基板上ガリウム砒素 … もっと見る研究代表者以外ナノインプリント / 表面ナノ修飾基板 / 超機能創出 / 組織制御 / 結晶構造 / 酸化物 / 層状構造 / 固相結晶成長 / 酸化モリブデン / 酸化バナジウム / エピタキシャル成長 / 固相結晶化 / 酸化物薄膜 / 一軸圧縮 / 結晶構造制御隠す

一軸圧縮下での表面ナノ修飾基板上固相結晶化による特異な酸化物構造誘起と超機能創出
- 研究代表者
  
  吉本護
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
窒化アルミインジウムガリウム砒素の五元混晶成長と光電子集積回路実現への基礎的検討研究代表者
- 研究代表者
  
  淀徳男
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪工業大学
窒化アルミインジウムガリウム砒素の五元混晶成長と光電子集積回路実現への基礎検討研究代表者
- 研究代表者
  
  淀徳男
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪工業大学
プラズマを用いた窒化ガリウムインジウム砒素の成長と光電子集積回路実現への基礎検討研究代表者
- 研究代表者
  
  淀徳男
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪工業大学
ECRプラズマによる窒化ガリウム砒素の結晶成長と光電子集積回路実現への基礎的検討研究代表者
- 研究代表者
  
  淀徳男
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪工業大学

すべて 2004 2003 2002

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  Atsushi Sasaki, Jin Liu, Wakana Hara, Shusaku Akiba, Keisuke Saito, Tokuo Yodo
- 雑誌名
  
  J Mater.Res. Vol.19, No.9
  
  ページ: 2725-2729
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Influences of In2O3 crystal grains formed by anneal on characteristics of hexagonal InN crystalline films grown on Si(111) substrates2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki Harada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43, No.2A
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Influences of In2O3 crystal grains formed by anneal on characteristics of hexagonal InN crystalline films grown on Si(111) substrates2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki Harada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43,2A
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] ECR-assisted MBE growth of In1-xGaxN heteroepitaxial films on Si2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunari Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki Harada
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstrucures Vol.36
  
  ページ: 547-561
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  Atsushi Sasaki, Jin Liu, Wakana Hara, Shusaku Akiba, Keisuke Saito, Tokuo Yodo, Mamoru Yohimoto
- 雑誌名
  
  J Mater.Res. 19,9
  
  ページ: 2725-2729
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  Atsushi Sasaki, Jin Liu, Wakana Hara, Shusaku Akiba, Keisuke Saito, Tokuo Yodo, Mamoru Yoshimoto
- 雑誌名
  
  J Mater.Res. 19,9
  
  ページ: 2725-2729
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2 eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki, Harada, Kathryn E.Prince, K.Scott A.Butcher
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 269
  
  ページ: 145-154
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2 eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuld, Harada, Kathryn E.Prince, K.Scott A.Butcher
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.269
  
  ページ: 145-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] ECR-assisted MBE growth of In1-xGaxN heteroepitaxial films on Si2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunari Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki Harada
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstrucures 36
  
  ページ: 547-561
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunobu Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki, Harada, Kathryn E.Prince, K.Scott A.Butcher
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 269
  
  ページ: 145-154
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] ECR-assisted MBE growth of In1-xGaxN heteroepitaxial films on Si2004
- 著者名/発表者名
  Tokuo Yodo, Yasunari Kitayama, Kazunari Miyaki, Hiroaki Yona, Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstrucures 36
  
  ページ: 547-561
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible emissions near 2.2eV from InN films grown on Si(111) and sapphire(0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, H.Yona, Y.Harada, A.Sasaki, M.Yoshimoto
- 雑誌名
  
  phys.state.sol. (c)0,No.7
  
  ページ: 2802-2805
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2003
- 著者名/発表者名
  H.Yona, Y.Harada, T.Yodo
- 雑誌名
  
  phys.state.sol. (c)0,No.7
  
  ページ: 2545-2548
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Low temperature growth of GaN films on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, R.Fujita, M.Yamada, Y.Harada
- 雑誌名
  
  22th Electronic Materials Symposium, Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Extended Abstracts 22
  
  ページ: 191-192
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada
- 雑誌名
  
  Polycrystalline Semiconductors VII, Solid State Phenomena (edited by T.Fuyuki et.al.) 93
  
  ページ: 307-312
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Low temperature growth of GaN films on Si(111) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, R.Fujita, M.Yamada, Y.Harada
- 雑誌名
  
  22th Electronic Materials Symposium, Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Extended Abstracts F14
  
  ページ: 191-192
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible emissions near 2.2 eV from InN films grown on Si(111) and sapphire(0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, H.Yona, Y.Harada, A.Sasaki, M.Yoshimoto
- 雑誌名
  
  phys.state.sol. (c)0,No.7
  
  ページ: 2802-2805
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Visible emissions near 2.2 eV from InN films grown on Si (111) and sapphire (0001) substrates by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, H.Yona, Y.Harada, A.Sasaki, M.Yoshimoto
- 雑誌名
  
  phys.state.sol.(c) 0,No.7
  
  ページ: 2802-2805
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2003
- 著者名/発表者名
  H.Yona, Y.Harda, T.Yodo
- 雑誌名
  
  phys.state.sol.(c) 0,No.7
  
  ページ: 2545-2548
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Effect of substrate bias voltage under growth on characteristics of InN films grown by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2003
- 著者名/発表者名
  H.Yona, Y.Harda, T.Yodo
- 雑誌名
  
  phys.state.sol. (c)0,No.7
  
  ページ: 2545-2548
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2002
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada
- 雑誌名
  
  Polycrystalline Semiconductors VII, Solid State Phenomena (edited by T.Fuyuki et al.) Vol.93
  
  ページ: 307-312
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284
[雑誌論文] Characterization of polycrystalline GaN layers grown on alkali metal-free glass substrates by molecular-beam epitaxy assisted by electron cyclotron resonance plasma2002
- 著者名/発表者名
  T.Yodo, T.Hirano, Y.Harada
- 雑誌名
  
  Polycrystalline Semiconductors VII, Solid State Phenomena (edited by T.Fuyuki et al.) 93
  
  ページ: 307-312
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560284

1. 吉本護 (20174998)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 松田晃史 (80621698)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

淀 徳男 YODO Tokuo

研究課題

研究成果

共同研究者

一軸圧縮下での表面ナノ修飾基板上固相結晶化による特異な酸化物構造誘起と超機能創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化アルミインジウムガリウム砒素の五元混晶成長と光電子集積回路実現への基礎的検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化アルミインジウムガリウム砒素の五元混晶成長と光電子集積回路実現への基礎検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマを用いた窒化ガリウムインジウム砒素の成長と光電子集積回路実現への基礎検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ECRプラズマによる窒化ガリウム砒素の結晶成長と光電子集積回路実現への基礎的検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influences of In2O3 crystal grains formed by anneal on characteristics of hexagonal InN crystalline films grown on Si(111) substrates2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influences of In2O3 crystal grains formed by anneal on characteristics of hexagonal InN crystalline films grown on Si(111) substrates2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] ECR-assisted MBE growth of In1-xGaxN heteroepitaxial films on Si2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Room-temperature growth of ultrasmooth AlN epitaxial thin films on sapphire with NiO buffer layer2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2 eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2 eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] ECR-assisted MBE growth of In1-xGaxN heteroepitaxial films on Si2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Visible Emissions Near 1.9-2.2eV From Hexagonal InN Films Grown By Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy2004

著者名/発表者名

雑誌名

淀徳男 YODO Tokuo