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中島 安理  Nakajima Anri

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70304459
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 広島大学, 半導体産業技術研究所, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 広島大学, 半導体産業技術研究所, 准教授
2017年度 – 2019年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2013年度 – 2015年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2010年度 – 2011年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2010年度: 広島大学, 准教授 … もっと見る
2009年度: 広島大, 准教授
2008年度: 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授
2007年度: 広島大, 助教授
2007年度: 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 准教授
1999年度 – 2006年度: 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
原子層成長 / フラッシュメモリ / Si / バイオセンサー / ゲート絶縁膜 / シリコン / 単一電子効果 / 有機量子ドット / 単一分子計測 / ナノ構造 … もっと見る / Few number of dot / Single electron effect / Soliton / Free energy / Flash memory / Nano dot / Floating gate / トンネルゲート絶縁膜 / 少数ドット / ソリトン / 自由エネルギー / ナノドット / フローティングゲート / hafnia / zirconia / continuous deposition / atomic-layer deposition / stack structure / gate dielectrics / high-k metal oxide / metal gate / 原始層成長 / ハフニア / ジルコニア / 真空一貫 / スタック構造 / 高誘電率金属酸化物 / メタルゲート / 前立腺特異抗原 / DNA / 単一電子トランジスタ / バイオデバイス / フラーレン / 有機分子 / 分子エレクトロニクス / 有機 / 信頼性 / MOSトランジスタ / Ge基板 / 交換相互作用 / 遍歴電子 / 局在電子 / RKKY交換相互作用 / ファノ近藤効果 / 量子ドット / スピン / 少数電子系 / 電子相関 / 電子波干渉 / トランジスタ / フローティングドット / ナノスケール … もっと見る
研究代表者以外
多結晶シリコン / Coulomb blockade / Transistor / Silicon narrow wire / Intermittent exposure method / Dislane / Self-limiting mechanism / Atomic-layer deposition / Selective deposition of silicon / 活性化エネルギー / シリコン酸化膜 / シリコン窒化膜 / ジシラン熱分解 / 低抵抗 / シリコンドット / 非線形電気伝導 / クーロン振動 / 低温電気伝導 / 微細トランジスタ / 光・熱触媒反応 / 金属触媒 / ガスフローパターン / 2インチSiウェハ / 塩化水素脱離反応 / クーロンブロッケイド / トランジスタ / シリコン細線 / 間欠照射 / ジシラン / 自己停止機構 / 原子層成長 / シリコン選択成長 / TFT / チャネリング注入 / 結晶配向 / ナノワイヤー / チャネリング / イオン注入 / 結晶配向制御 / Siナノワイヤー 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (36件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  伝導性有機量子ドットの位置制御のための有機分子混合電子線レジストの研究研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      広島大学
  •  Si微細トランジスタによる単一分子計測研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  Si単一電子トランジスタを利用したバイオセンサー研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  有機分子材料を用いたフラッシュメモリの研究研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  多重チャネリングイオン注入により配向制御した単結晶Siナノワイヤーの創出

    • 研究代表者
      伊藤 隆司
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  原子層成長ゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコンスピンデバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  小数フローティングナノドットと原子層成長トンネル絶縁膜を有するフラッシュメモリ研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      広島大学
  •  メタルゲート/高誘電率金属酸化物ゲート絶縁膜スタック構造の真空一貫原子層成長研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  微細フラッシュメモリ型トランジスタにおける電子波干渉と電子相関研究代表者

    • 研究代表者
      中島 安理
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  原子層選択成長を利用した超微細トランジスタ作製法の研究

    • 研究代表者
      横山 新
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学

すべて 2019 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2004 2003 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Application of Single-Electron Transistor to Biomolecule and Ion Sensors2016

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Applied Sciences

      巻: 6 号: 4 ページ: 94-94

    • DOI

      10.3390/app6040094

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [雑誌論文] Biomolecule detection based on Si single-electron transistors for practical use2013

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Takashi Kudo, and Sadaharu Furuse
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 4 ページ: 43702-43702

    • DOI

      10.1063/1.4816267

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [雑誌論文] Charge redistribution in a charge storage layer containing C60 molecules and organic polymers for long electron retention2012

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 21 ページ: 213301-213301

    • DOI

      10.1063/1.4767132

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360012
  • [雑誌論文] In-Plane Grain Orientation Alignment of Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations2012

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Shin-Ichiro Kuroki, Shuntaro Fujii, and Takashi Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Carrier transport and its variation of laser-lateral-crystallized poly-Si TFTs2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kuroki
    • 雑誌名

      Electronics Letters

      巻: 47 号: 24 ページ: 1336-1338

    • DOI

      10.1049/el.2011.2854

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157, KAKENHI-PROJECT-23360144
  • [雑誌論文] Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultra low power operation2011

    • 著者名/発表者名
      A.Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98 号: 5

    • DOI

      10.1063/1.3549178

    • NAID

      120006582092

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Functional gate metal-oxide semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation2011

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Takashi Kudo, TakashiIto
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: Vol.98

    • NAID

      120006582092

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposition of ultrathin silicon nitride for sub-tunneling gate dielectrics2004

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      ECS Symposium I1 : Proceedings of the First International Symposium on Dielectrics for Nanosystems(Honolulu, Hawaii, October 3-8,2004) 2004-04

      ページ: 418-424

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposition of ultrathin silicon nitride for sub-tunneling gate dielectrics2004

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      ECS Symposium I1 : Proceedings of the First International Symposium on Dielectrics for Nanosystems (Honolulu, Hawaii, October 3-8) Vol.2004-04

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Si-Nitride Gate Dielectrics …A Better Choice for Sub-tunneling Gate Dielectrics2003

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 2003 IEEE International Electron Devices Meeting(Washington, D.C., Dec.8-10,2003)

      ページ: 657-660

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Si-Nitride Gate Dielectrics -A Better Choice for Sub-tunneling Gate Dielectrics-2003

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 2003 IEEE International Electron Devices Meeting (Washington, D.C., Dec.8-10)

      ページ: 657-660

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Carrier Mobility in p-MOSFET with Atomic-Layer-Deposited Si-Nitride/SiO_2 Stack Gate Dielectrics2003

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Lett. 24

      ページ: 472-474

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] High Quality Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Silicon-Nitride Gate Dielectrics with Low Density of Interface and Bulk Traps2003

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 83

      ページ: 335-337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] High Quality Atamic-Layer-Deposited Ultrathin Silicon-Nitride Gate Dielectrics with Low Density of Interface and Bulk Traps2003

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 83

      ページ: 335-337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposition of Si nitride and ZrO_2 for gate dielectrics2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Abst.AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2002)(Seoul, August 19-21)(Invited)

      ページ: 6-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Low-temperature formation of highly-reliable silicon-nitride gate dielectrics with suppressed soft-breakdown phenomena for advanced complementary metal-oxide-semiconductor technology2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci, Technol.B 20

      ページ: 1406-1409

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer deposition of ZrO_2 with a Si nitiride barrier layer2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys Lett. 81

      ページ: 2824-2826

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack - a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology (Introductory Invited)2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability 42

      ページ: 1823-1835

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Low-temperature formation of highly-reliable silicon-nitride gate dielectrics with suppressed soft-breakdown phenomena for advanced complementary metal- oxide-semiconductor technology2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.& Technol B 20

      ページ: 1406-1409

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposition of Si nitride and ZrO_2 for gate dielectrics2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Abst.AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2002)(Seoul, August 19-21,2002)

      ページ: 6-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] NH_3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 80

      ページ: 1252-1254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] NH_3-annealed atomic-layer-deposited silicon nitride as a high-k gate dielectric with high reliability2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys Lett. 80

      ページ: 1252-1254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO_2 stack…a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability 42

      ページ: 1823-1835

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Atomic-layer deposition of ZrO_2 with a Si nitiride barrier layer2002

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 81

      ページ: 2824-2826

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Soft Breakdown Free Atomic-Layer-Deposited Silicon- Nitride/SiO_2 Stack Gate Dielectrics2001

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 2001 IEEE International Electron Devices Meeting (Washington, D.C., Dec.2-5)

      ページ: 133-136

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Soft Breakdown Free Atomic-Layer-Deposited Silicon-Nitride/SiO_2 Stack Gate Dielectrics2001

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 雑誌名

      I Technical Digest of the 2001 IEEE International Electron Devices Meeting(Washington, D.C., Dec.2-5,2001)

      ページ: 133-136

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [雑誌論文] Charge redistribution in a charge storage layer containing C_60 molecules and organic polymers for long electron retention

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima and Masatochi Uchino
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: Vol. 101, No. 21 ページ: 213301-5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360012
  • [産業財産権] Semiconductor device and method for manufacturing same2003

    • 発明者名
      中島安理
    • 権利者名
      株式会社半導体理工学研究センター
    • 出願年月日
      2003-05-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450129
  • [学会発表] Fullerene-Containing Electrically Conductive Electron Beam Resist for Nanometer Lateral-Scale Organic Electron devices2019

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 学会等名
      The 26th Assembly of Advanced Materials Congress (Stockholm, Sweden)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H03254
  • [学会発表] Applications of Si nanoscale dot to memory and sensor devices2015

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 学会等名
      EMN Meeting on Vacuum Electronics
    • 発表場所
      Las Vegas, NV, USA
    • 年月日
      2015-11-21
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [学会発表] Biomolecule Sensing Based on a Single-electron Transistor2015

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 学会等名
      EMN Phuket Meeting 2015 Energy Materials Nanotechnology
    • 発表場所
      Phuket, Thailand
    • 年月日
      2015-05-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [学会発表] Si単電子トランジスタを用いた高感度バイオセンサー2014

    • 著者名/発表者名
      中島 安理, 工藤 貴史,古瀬 貞治
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学 相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [学会発表] Si単電子トランジスタを用いた前立腺特異抗原(PSA)の検出2014

    • 著者名/発表者名
      中島 安理, 工藤 貴史,古瀬 貞治
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学 相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [学会発表] Si Single-Electron Transistor based on Multiple Island and Its Applications2013

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima
    • 学会等名
      2013 Energy Materials Nanotechnology Fall Meeting
    • 発表場所
      Orlando USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289103
  • [学会発表] Alignment of In-Plane Crystallographic Grain Orientations in Polycryst alline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion Implantations2011

    • 著者名/発表者名
      A.Nakajima
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター
    • 年月日
      2011-09-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • [学会発表] Alignment of In-plane Crystallographic Grain Orientations in Polycrystalline Si Films by Normal and Oblique-Angle Ion-Implantations2011

    • 著者名/発表者名
      Anri Nakajima, Shin-Ichiro Kuroki, Shuntaro Fujii, and Takashi Ito
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360157
  • 1.  横山 新 (80144880)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  伊藤 隆司 (20374952)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 3.  黒木 伸一郎 (70400281)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 4.  芝原 健太郎 (50274139)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  吉川 公麿 (60304458)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  鈴木 孝至 (00192617)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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