町田信也 MACHIDA Nobuya

研究者番号	70313335
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度: 東工大, 理工学研究科, 助手 2006年度: 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助手 2000年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者ホットエレクトロン / 半導体 / semiconductor / quantum effect device / electron interference / phase correlation function / structural inhomogeneity / phase coherence / resonant tunneling diode / hot electron … もっと見る / 構造不均一 / 量子効果デバイス / 電子波干渉 / 位相相関法 / 構造不均一性 / 位相コヒーレンス / 共鳴トンネルダイオード / silicon on glass / oxide interface / silicon / large grain size / thinfilm transistors / re-crystallization / polycrystalline silicon / excimer laser annealing / phase shift / エキシマレーザ / Siグレイン / TFT / ELA / Re-crystallization / Poly-Si / Excimer laser / Phase Shift / 電子波回析 / エミッタ充電時間 / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / ホットエレクトロトランジスタ / バリスティック伝導 / 弾道電子放出顕微鏡 / 走査型トンネル顕微鏡 / 量子構造 / BEEM / 位相シフタ / 回折 / 時間領域 / 数値シミュレーション / 電子波 … もっと見る研究代表者以外 InP / Double Barrier Resonant Emitter / Attractive Potential / OMVPE Embedding Tungsten / Lateral Coherence / Coherent Emitter / Biprism / Electron Wave / Tungsten Wire / ホットエレクトロン / 引力ポテンシャル / コヒーレントエミッタ / Kirk effect / Collector transit time / Narrow emitter / Collector capacitance / Ballistic electron / Electron beam lithography / Heterojunction bipolar transistor / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / カーク効果 / コレクタ走行時間 / 極小エミッタ / コレクタ容量 / バリステック電子走行 / 電子線リソグラフィー / ヘテロ接合バイポーラトランジ / FDTD method for quantum mechanics / Fourier Transformation by electron wave / quantum effect device / reciprocity principle / BEEM / electron diffraction / hot electron / scanning probe / 半導体 / バリシティック電子輸送 / 位相シフタ / 波面 / 量子相反性 / 弾道電子放出顕微鏡 / 電子波フーリエ変換デバイス / 相反原理 / 電子波回折 / 量子FDTD法 / 電子波フーリエ交換デバイス / 量子効果デバイス / 相反性 / 弾道電子放出顕微鏡(BEEM) / 電子波回析 / 走査プローブ / コヒーレンス性 / 微細タングステン細線 / 量子干渉デバイス / 電子波バイプリズム / GaAs MOVPE / タングステンパック / 埋め込みタングステン細線 / free-standing wire / タングステンスパッタ / OMVPE / 埋め込み金属ホットエレクトロントランジスタ / 固体バイプリズム / タングステン細線埋込 / ステンシルリフトオフ法 / 電子波干渉 / 埋め込み金属細線 / メタルステンシル法 / ホットエレクトロンエミッタ / 量子ビーム伝搬法 / 引力ポテンシャル場 / ダブルバリア共鳴電子エミッタ / OMVPEタングステン埋込 / 横コヒーレンス / バイプリズム / 電子波 / タングステン細線隠す

走査型トンネル顕微鏡によるバリスティックホットエレクトロンデバイスの基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  町田信也
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
InP系HBTでのコレクタ層内バリステック電子走行による超高速動作に関する研究
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
相反原理に基づく走査プローブによる電子波回折観測
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
量子デバイスにおける電子コヒーレンス決定要因の共鳴トンネル構造を用いた分離評価研究代表者
- 研究代表者
  
  町田信也
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
固体中電子波面変換機能の時間領域シミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  町田信也
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
ツイングレイン薄膜トランジスタの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  町田信也, 松村正清
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
半導体中に埋め込まれた金属による量子干渉デバイスに関する研究
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
タングステン細線バイプリズムによる干渉を用いた半導体中電子波の横コヒーレンス解明
- 研究代表者
  
  古屋一仁
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2006 2005 2004 2003

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Transfer efficiency in ballistic electron emission microscopy taking diffraction of emitted hot electrons into account2006
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  Surface Science 600
  
  ページ: 4843-4847
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560328
[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006
- 著者名/発表者名
  Nobuya Machida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 45・35
- NAID
  210000062057
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006
- 著者名/発表者名
  Nobuya Machida
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45・35
- NAID
  210000062057
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45・35
- NAID
  210000062057
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560328
[雑誌論文] Minimum emitter charging time for heterojunction bipolar transistors2006
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2006)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560328
[雑誌論文] Minimum Emitter Charging Time for Heterojunction Bipolar Transistors2006
- 著者名/発表者名
  Nobuya Machida
- 雑誌名
  
  International Conference on Indium Phoshide and Related (発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida, H.Kanoh, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.11A
  
  ページ: 7390-7394
- NAID
  10014029694
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7390-7394
- NAID
  10014029694
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43・11A
  
  ページ: 7390-7394
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida, H.Kanoh, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.43, no.11A
  
  ページ: 7390-7394
- NAID
  110003175542
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43・11A
  
  ページ: 7390-7394
- NAID
  10014029694
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscone2004
- 著者名/発表者名
  N.Machida, et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7390-7394
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] Young's double-slit interference experiment of hot electron in semi-conductors(invited talk)2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Japan-UK 10+10 Meeting
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices,1.6,Hawaii
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters vol.19, no.21
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate2003
- 著者名/発表者名
  Y.Miyamoto, R.Yamamoto, H.Maeda, K.Takeuchi, N.Machida, L.Wernersson, K.Furuya
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. vol.42, no.12
  
  ページ: 7221-7226
- NAID
  10011839800
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15560291
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference of Hot Electron in Semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  13th International Conference on Non-equilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS 13), Th11.17, Modena
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[雑誌論文] Young's Double-Slit Interference Experiment of Hot Electron in Semiconductors2003
- 著者名/発表者名
  K.Furuya, Y.Ninomiya, N.Machida, Y.Miyamoto
- 雑誌名
  
  6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & Fourth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 1.6, Hawaii
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360184
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ2005
- 発明者名
  宮本, 古屋, 浅田, 町田
- 権利者名
  東工大
- 産業財産権番号
  2005-334326
- 出願年月日
  2005-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170
[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ2005
- 発明者名
  宮本, 古屋, 浅田, 町田
- 権利者名
  東工大
- 産業財産権番号
  2005-334326
- 出願年月日
  2005-11-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360170

1. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 3件
2. 古屋一仁 (40092572)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
3. 須原理彦 (80251635)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 内田恭敬 (80134823)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 小田俊理 (50126314)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 松村正清 (30110729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 畑谷成郎 (90302942)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 三村秋男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

町田 信也 MACHIDA Nobuya

研究課題

研究成果

共同研究者

走査型トンネル顕微鏡によるバリスティックホットエレクトロンデバイスの基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InP系HBTでのコレクタ層内バリステック電子走行による超高速動作に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

相反原理に基づく走査プローブによる電子波回折観測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子デバイスにおける電子コヒーレンス決定要因の共鳴トンネル構造を用いた分離評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

固体中電子波面変換機能の時間領域シミュレーション研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ツイングレイン薄膜トランジスタの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体中に埋め込まれた金属による量子干渉デバイスに関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

タングステン細線バイプリズムによる干渉を用いた半導体中電子波の横コヒーレンス解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Transfer efficiency in ballistic electron emission microscopy taking diffraction of emitted hot electrons into account2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Minimum emitter charging time for heterojunction bipolar transistors2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Minimum Emitter Charging Time for Heterojunction Bipolar Transistors2006

著者名/発表者名

雑誌名

町田信也 MACHIDA Nobuya

[産業財産権] ホットエレクトロントランジスタ2005