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村上 秀樹  Murakami Hideki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70314739
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 久留米工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度: 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助教
2010年度 – 2014年度: 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教
2007年度 – 2009年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助教
2006年度: 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 助手
2003年度 – 2006年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助手
1999年度 – 2000年度: 広島大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
MOCVD / 高誘電率ゲート絶縁膜 / ALCVD / 高誘電率絶縁膜 / ゲート絶縁膜 / 有機金属錯体
研究代表者以外
量子ドット / Si量子ドット / スーパーアトム / フローティングゲート … もっと見る / エレクトロルミネッセンス / Quantum dots / 自己組織化 / Tunnel Current / Scanning Probe Microscope / Location Control / Low Pressure CVD / Quantum Dots / Quantum Effect / Silicon / 表面化学結合 / 選択成長 / 原子間力顕微鏡 / 自己組織化形成 / 量子構造 / トンネル電流 / 走査プローブ顕微鏡 / 位置制御 / 減圧CVD / 量子効果 / シリコン / 配列制御 / 発光ダイオード / Si系量子ドット / Ge量子ドット / 縦積み連結 / LPCVD / 一次元連結 / 不揮発性メモリ / 量子サイズ効果 / 不揮発メモリ / メモリデバイス / ハイブリッド構造 / シリサイドナノドット / シリコン量子ドット / 光レスポンス / ハイブリッドドット / 金属ナノドット / フローティングゲートメモリ / ハイブリッドナノドット / ナノ結晶 / 発光デバイス 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 研究成果

    (68件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
      広島大学
  •  有機金属錯体を用いたCVDによるLa2O3ゲート絶縁膜の形成と界面物性評価研究代表者

    • 研究代表者
      村上 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコン量子構造体の形成・物性制御と室温動作デバイスへの応用

    • 研究代表者
      宮崎 誠一
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学

すべて 2014 2010 2009 2008 2007 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack2014

    • 著者名/発表者名
      3.A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara and S. Miyazaki
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 64 ページ: 241-248

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246054
  • [雑誌論文] Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals2010

    • 著者名/発表者名
      H.Murakami
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 33 ページ: 253-262

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246053
  • [雑誌論文] Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quaatum Dots2007

    • 著者名/発表者名
      J. Xu, K. Makihara, H Deki, Y. Kawaguchi. H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 121-123

      ページ: 557-560

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [雑誌論文] Characterization of Electronic Chareed States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique2007

    • 著者名/発表者名
      R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Bceda, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 561-565

      ページ: 1213-1216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [雑誌論文] Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots2007

    • 著者名/発表者名
      J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 121-123

      ページ: 557-560

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206035
  • [雑誌論文] Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique2007

    • 著者名/発表者名
      R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 561-565

      ページ: 1213-1216

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206035
  • [雑誌論文] Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique2005

    • 著者名/発表者名
      J.Nishitani, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Abst. of The Fourth Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)(Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005) [25P2-32]

      ページ: 294-295

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique2005

    • 著者名/発表者名
      J.Nishitani, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Sep. 16, 2005, Hiroshima) [P-40]

      ページ: 112-113

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique2005

    • 著者名/発表者名
      J.Nishitani, K.Makihara, Y.Darma, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Seoul, Korea, June 28-30, 2005) [A9.4]

      ページ: 177-180

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots2005

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans.on Electronics E88-C/4(In press)

    • NAID

      110003175632

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Control of the nucleation density of si quantum dots by remote hydrogen plasma treatment2005

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Deki, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244/1-4

      ページ: 75-78

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe2005

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, J.Xu, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Abst. of The Fourth Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)(Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005) [23D-6]

      ページ: 32-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe2005

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Sep. 16, 2005, Hiroshima) [P-34]

      ページ: 100-101

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots2004

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices [H-2-4]

      ページ: 126-127

    • NAID

      110003175632

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories2004

    • 著者名/発表者名
      T.Nagai, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials [H-2-4]

      ページ: 126-127

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Influence of Thermal Annealing on Compositional Mixing and Crystallinity of Highly Selective Grown Si Dots with Ge Core2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Darma, Hideki Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 244/1-4

      ページ: 156-159

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment2004

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Deki, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Abst. of 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces(Hamamatsu, June 21-25, 2004) [A5-2]

      ページ: 137-137

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probr2004

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, Y.Okamoto, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing [P-19]

      ページ: 54-55

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories2004

    • 著者名/発表者名
      T.Nagai, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing(Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-40]

      ページ: 100-101

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Charging and Discharging Characterization of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots2004

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing(Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-39]

      ページ: 98-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate nMOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, T.Shibaguchi, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing [P-17]

      ページ: 50-51

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO_2 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments2004

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing [P-35]

      ページ: 90-91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO_2 by a Conductive AFM Probe Technique2004

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, Y.Okamoto, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, June 30-July 2, 2004)

    • NAID

      110003175633

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Infuence of Thermal Annealing on Compotional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Darma, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Int. SiGe Technology and Device Meeting (Nagoya, Jan. 15-17, 2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum Dots Floating Gate MOS Memories2003

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Mar. 17, 2003, Hiroshima)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Analysis of Charging Characteristics in MOSFETs with a Si-Quantum-Dots floating Gate2003

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, Y.Shimizu, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, June 30-July2, 2003)

    • NAID

      110003175365

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Electronic Charged State of Single Si Quantum Dots with and without Ge core as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Darma, K.Takeuchi, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Mar. 17, 2003, Hiroshima)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe2003

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, Y.Okamoto, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, June 30-July2, 2003)

    • NAID

      110003175342

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate nMOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, T.Shibaguchi, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2003 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, September 16-18, 2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO_2 by Combination of Low-Pressure CVD and Remote Plasma Treatments2003

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Dig. of Papers 2003 Int. Microprocesses and Nanotechnol. Conf. (Tokyo, October 27-29,2004)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Deki, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Abst. of 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, June 21-25, 2004 ) [A5-2]

      ページ: 137-137

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Charging and Discharging Characterization of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-39]

      ページ: 98-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique

    • 著者名/発表者名
      J.Nishitani, K.Makihara, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyzaki
    • 雑誌名

      Abst. of The Fourth Int. conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)(Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005) [25P2-32]

      ページ: 294-295

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate nMOSFETs

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, T.Shibaguchi, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Jan. 30, 2004, Hiroshima) [P-17]

      ページ: 50-51

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Electronic Charged State of Single Si Quantum Dots with and without Ge core as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique

    • 著者名/発表者名
      Y.Darma, K.Takeuchi, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Mar. 17, 2003, Hiroshima) [P-18]

      ページ: 44-45

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum Dots Floating Gate MOS Memories

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Mar. 17, 2003, Hiroshima) [P-17]

      ページ: 42-43

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Analysis of Charging Characteristics in MOSFETs with a Si-Quantum-Dots Floating Gate

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, Y.Shimizu, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, June 30-July2, 2003) [7.4]

      ページ: 151-154

    • NAID

      110003175365

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, Y.Okamoto, H.Nakagawa, M.Ikeda, H..Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, June 30-July2, 2003) [2.4]

      ページ: 37-40

    • NAID

      110003175342

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Infuence of Thermal Annealing on Compotional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core

    • 著者名/発表者名
      Y.Darma, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 1st Int. SiGe Technology and Device Meeting (Nagoya, Jan. 15-17,2003) [P2-45]

      ページ: 209-210

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in Si02 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-35]

      ページ: 90-91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

    • 著者名/発表者名
      T.Shibaguchi, M.Ikeda, H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, June 30-July 2, 2004) [A10.4]

      ページ: 273-276

    • NAID

      110003175632

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO_2 by a Conductive AFM Probe Technique

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, Y.Okamoto, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, June 30-July 2, 2004) [A10.5]

      ページ: 277-280

    • NAID

      110003175633

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probr

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara.Y.Okamoto, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Jan. 30, 2004, Hiroshima) [P-19]

      ページ: 54-55

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in Si0_2 by Combination of Low-Pressure CVD and Remote Plasma Treatments

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, H.Nakagawa, M.Ikeda, H.Murakami, S., Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Dig. of Papers 2003 Int. Microprocesses and Nanotechnol. Conf. (Tokyo, October 27-29, 2004) [28P-6-68L]

      ページ: 216-217

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate nMOSFETs

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, Y.Shimizu, T.Shibaguchi H.Murakami, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2003 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, September 16-18, 2003) [E-9-1]

      ページ: 846-847

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique

    • 著者名/発表者名
      J.Nishitani, K.Makihara, Y.Darma, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyzaki
    • 雑誌名

      2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Seoul, Korea, June 28-30, 2005) [A9.4]

      ページ: 177-180

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe

    • 著者名/発表者名
      K.Makihara, J.Xu, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Abst. of The Fourth Int. conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)(Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005) [23D-6]

      ページ: 32-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories

    • 著者名/発表者名
      T.Nagai, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-40]

      ページ: 100-101

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [雑誌論文] Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot. Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories

    • 著者名/発表者名
      T.Nagai, M.Ikeda, H.Murakami, S.Higashi, S.Miyazaki
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, September 15-17, 2004) [H-2-4]

      ページ: 126-127

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206035
  • [産業財産権] 半導体素子2008

    • 発明者名
      牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
    • 公開番号
      2008-288346
    • 出願年月日
      2008-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [学会発表] Ge 基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成2014

    • 著者名/発表者名
      浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一
    • 学会等名
      電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246054
  • [学会発表] Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals2010

    • 著者名/発表者名
      H.Murakami
    • 学会等名
      218th Electrochemical Society (ECS) Meeting : Si Ge & Ge Materials, Processing and Device Symposium
    • 発表場所
      Las Vegas, Nevada
    • 年月日
      2010-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246053
  • [学会発表] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2009

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第14回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ総合研修センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] La(TMOD)_3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2009

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
    • 学会等名
      第14回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ総合研修センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)_32008

    • 著者名/発表者名
      R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia 2008
    • 発表場所
      Nagoya Congress Center
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] La(TMOD)_3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成2008

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)32008

    • 著者名/発表者名
      R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia 2008
    • 発表場所
      Nagoya Congress Center
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] Characterization of Electronic Charged States of Nickel Sikicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique2007

    • 著者名/発表者名
      R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 学会等名
      The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206035
  • [学会発表] Characterization of Electronic Charged States of Nickel Sikicide Nanodots Using AFM/Kelvm Probe Technique2007

    • 著者名/発表者名
      R. Nishihara, K. Maldhara, Y. Kawaguchi. M. Dceda, H, Murakami, S. Higashi, S. Miyaziki
    • 学会等名
      The Sixth Pacific Rim International Conference on Advaneed Materials and Processing
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [学会発表] Impact ofBoron Doping to Si Quaatum Dots on Light Emission Properties2007

    • 著者名/発表者名
      K. Okuyama, K・ Makihara, A.Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [学会発表] Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application2007

    • 著者名/発表者名
      K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206035
  • [学会発表] La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果2007

    • 著者名/発表者名
      要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)32007

    • 著者名/発表者名
      R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      Fifth International Symposiumon Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo Metropolitan University Minami-Osawa Campus
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760219
  • [学会発表] Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties2007

    • 著者名/発表者名
      K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 学会等名
      2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206035
  • [学会発表] Phosphoras Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application2007

    • 著者名/発表者名
      K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami. R, Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim S. Higashi, S. Miyazaki
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063017
  • [学会発表] Impact of Remote H2 Plasma on Surface Roughness of 4H-SiC(0001)

    • 著者名/発表者名
      T. Nguyen, H. Zhang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, and S. Miyazaki
    • 学会等名
      International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246054
  • [学会発表] Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)

    • 著者名/発表者名
      H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi and S. Miyazaki
    • 学会等名
      226th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2014-10-06 – 2014-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246054
  • 1.  宮崎 誠一 (70190759)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 54件
  • 2.  東 清一郎 (30363047)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 33件
  • 3.  香野 淳 (30284160)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  牧原 克典 (90553561)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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