中村成志 Nakamura Seiji

研究者番号	70336519
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所属 (現在)	2025年度: 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2016年度: 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 2011年度: 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 准教授 2009年度 – 2011年度: 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 2005年度: 首都大学東京, 都市教養学部理工学系, 助手 2004年度: 東京都立大学, 工学研究科, 助手 2001年度 – 2002年度: 東京都立大学, 工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物理学一般研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 Ⅲ族窒化物半導体 / プラズマダメージ / バイアスアニール / III族窒化物半導体 / プラズマ照射誘起欠陥 / 表面・界面物性 / 先端機能デバイス / 水素 / センサー研究代表者以外 GaN … もっと見る / 窒化ガリウム / impurity levels / schottky diode / III-nitride semiconductors / photocapacitance spectroscopy / isothermal capacitance transient spectroscopy / YB / PPC / ICTS / PHCAP / DLTS / ショットキーダイトード / 不純物準位 / ショットキーダイオード / III族窒化物半導体 / 光容量分光法 / 等温過渡容量分光法 / 分子線エピタキシ / 不純物ドーピング / 窒素ガリウム / 光電効果隠す

Ⅲ族窒化物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥の発生と移動機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  中村成志
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  首都大学東京
電界効果トランジスタ型水素ガスセンサの高性能化・高機能化研究代表者
- 研究代表者
  
  中村成志
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  首都大学東京
エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み
- 研究代表者
  
  奥村次徳
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  首都大学東京
III族窒化物半導体中の不純物準位評価
- 研究代表者
  
  奥村次徳
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京都立大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014
- 著者名/発表者名
  Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 212-215
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.086
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560011, KAKENHI-PROJECT-26390056
[雑誌論文] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009
- 著者名/発表者名
  S. Nakamura, N. Takahashi and T. Okumura
- 雑誌名
  
  Physica status solidi
  
  巻: Vol.6 ページ: 1053-1055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[雑誌論文] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009
- 著者名/発表者名
  S.Nakamura, N.Takahashi, T.Okumura
- 雑誌名
  
  Physica status solidi c 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[雑誌論文] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005
- 著者名/発表者名
  M.Suda, S.Nakamura, M.Suhara, T.Okumura
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium
  
  ページ: 155-156
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656013
[雑誌論文] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005
- 著者名/発表者名
  須田将之, 中村成志, 須原理彦, 奥村次徳
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 Vol.105・No.434, 435
  
  ページ: 43-46
- NAID
  110004018303
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656013
[学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)2017
- 著者名/発表者名
  井上凌兵，若杉勇作，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2016
- 著者名/発表者名
  折茂力都，大西健太，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2016
- 著者名/発表者名
  若杉勇作，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動2016
- 著者名/発表者名
  古賀祐介，井上凌兵，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] 光照射下におけるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動の温度依存性2015
- 著者名/発表者名
  折茂力都，横山大樹，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明2015
- 著者名/発表者名
  古賀祐介，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会(2015年11月ED研究会)
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2015-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討2014
- 著者名/発表者名
  横山大樹，中村成志，奥村次徳
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390056
[学会発表] Pd/AlGaN/GaNガスセンサの検知特性の温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  渡辺晶史,中村成志,奥村次徳
- 学会等名
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] 光容量分光法によるn型GaN中の極深準位評価2012
- 著者名/発表者名
  吉田朗子,中村成志,奥村次徳
- 学会等名
  第59回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム2011
- 著者名/発表者名
  瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  大阪大学豊中キャンパス
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム2011
- 著者名/発表者名
  瀧本拓真, 中村成志, 奥村次徳
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  大阪大学豊中キャンパス
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/n-GaN接触の電気特性に及ぼす湿度の影響2011
- 著者名/発表者名
  北村翼,中村成志,奥村次徳
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  大阪大学豊中キャンパス
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/n-GaN接触の電気特性に及ぼす湿度の影響2011
- 著者名/発表者名
  北村翼, 中村成志, 奥村次徳
- 学会等名
  電気学会全国大会
- 発表場所
  大阪大学豊中キャンパス
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム2010
- 著者名/発表者名
  瀧本拓真, 中村成志, 奥村次徳
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  九州工業大学若松キャンパス
- 年月日
  2010-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造センサの水素応答メカニズム2010
- 著者名/発表者名
  瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  九州工業大学若松キャンパス
- 年月日
  2010-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Kelvin-probe characterization of hydrogen-sensitive palladium/nitride semiconductors contacts2009
- 著者名/発表者名
  S. Nakamura, T. Ohsono, N. Takahashi, T. Okumura
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju(Korea)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討2009
- 著者名/発表者名
  大園智章,中村成志,高橋紀行,奥村次徳
- 学会等名
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- 発表場所
  東京工科大学八王子キャンパス
- 年月日
  2009-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価2009
- 著者名/発表者名
  中村成志, 大園智章, 高橋紀行, 奥村次徳
- 学会等名
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- 発表場所
  東京工科大学八王子キャンパス(東京都)
- 年月日
  2009-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価2009
- 著者名/発表者名
  中村成志,大園智章,高橋紀行,奥村次徳
- 学会等名
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- 発表場所
  東京工科大学八王子キャンパス
- 年月日
  2009-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Kelvin-probe characterization of hydrogen-sensitive palladium/nitride semiconductors contacts2009
- 著者名/発表者名
  S.Nakamura, T.Ohsono, N.Takahashi, T.Okumura
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju (Korea)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052
[学会発表] Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討2009
- 著者名/発表者名
  大園智章, 中村成志, 高橋紀行, 奥村次徳
- 学会等名
  電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会
- 発表場所
  東京工科大学八王子キャンパス(東京都)
- 年月日
  2009-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760052

1. 奥村次徳 (00117699)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. 須原理彦 (80251635)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

中村 成志 Nakamura Seiji

研究課題

研究成果

共同研究者

Ⅲ族窒化物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥の発生と移動機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電界効果トランジスタ型水素ガスセンサの高性能化・高機能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

エピタキシャル成長層での光電効果を利用した不純物ドーピング制御の試み

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III族窒化物半導体中の不純物準位評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Change of electrical properties in N-GaN exposed to hydrogen plasma2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価2005

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)2017

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 光照射下におけるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動の温度依存性2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

中村成志 Nakamura Seiji