竹廣忍 TAKEHIRO Shinobu

ORCID

ORCID連携する *注記

研究者番号	70344736
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2003年度 – 2005年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外 group-IV semiconductor / SiGeC / エピタキシャル成長 / CVD / IV族半導体 / resonant tunneling / quantum effect / electronic-band modulation / atomic-layer control / 局所歪 … もっと見る / 量子トンネル構造 / 共鳴トンネル / 量子効果 / 電子帯変調 / 原子層制御 / 3-dimensional structure / epitaxial growth / chemical vapor deposition / artificial crystal / atomic layer growth / heterostructure / MBE / 立体加工 / 人工結晶 / 原子層積層 / ヘテロ構造隠す

IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成
- 研究代表者
  
  櫻庭政夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成
- 研究代表者
  
  室田淳一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2005 2004

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Sidewall Protection by Nitrogen, Oxygen in Poly-Si_<1-x>Ge_x Anisotropic Etching Using Cl_2/N_2/O_2 Plasma2005
- 著者名/発表者名
  H.-S.Cho, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8
  
  ページ: 239-243
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P), Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004
- 著者名/発表者名
  J.Noh, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 77-81
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031
[雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD2004
- 著者名/発表者名
  D.Lee, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota, T.Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci. Vol.224
  
  ページ: 254-259
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206031

1. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. 櫻庭政夫 (30271993)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 櫻場政夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件