高倉健一郎 Takakura Kenichiro

研究者番号	70353349
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 熊本高等専門学校, 電子情報教育部門情報通信エレクトロニクス工学分野, 教授 2025年度: 熊本高等専門学校, 電子情報システム工学系TEグループ, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 熊本高等専門学校, 電子情報システム工学系TEグループ, 准教授 2019年度 – 2021年度: 熊本高等専門学校, 拠点化プロジェクト系先端研究コアグループ, 准教授 2015年度: 熊本高等専門学校, その他部局等, 准教授 2013年度 – 2015年度: 熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授 2007年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 准教授 … もっと見る 2006年度: 熊本電波工業高等専門学校, 助教授 2006年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 2005年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助手 2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助手 2003年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分31010:原子力工学関連 / 電子デバイス・電子機器 / 環境技術・環境材料研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 無機材料・物性 / 工学基礎 / 金属物性
キーワード	研究代表者酸化ガリウム / 透明導電膜 / 耐環境強化 / 電子回路 / 放射線 / 半導体素子の耐放射線性 / 廃炉問題 / 放射線損傷 / 電子デバイス / 廃炉ロボット … もっと見る / ガンマ線 / 放射線照射 / フレキシブルデバイス / 酸化物半導体 / 透明電極薄膜 / 光吸収係数 / 不純物ドーピング / 結晶成長 … もっと見る研究代表者以外 MOSFET / SiGe / 照射損傷 / proton / radiation damage / 歪Si / 高温照射 / 電子線 / 陽子線 / 格子欠陥 / 半導体デバイス / 熱光発電セル / 結晶成長 / データ駆動科学 / シリサイド半導体 / SiC / recovery / induced lattice defect / SOI transisor / SiC transistor / electron / GaN LED / 特性劣化 / 宇宙環境 / 放射線 / Recovery by annealing / Induced lattice defects / Degradation / SOI MOS / InGaAs photodiode / Electron / High energy particle / Radiation damage / 高エネルギー粒子 / 回復 / 熱処理 / 劣化 / 宇宙空間 / 高工ネルギー粒子隠す

データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用
- 研究代表者
  
  鵜殿治彦
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  茨城大学
原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  高倉健一郎
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分31010:原子力工学関連
- 研究機関
  熊本高等専門学校
酸化ガリウムを利用したフレキシブル薄膜トランジスタの形成研究代表者
- 研究代表者
  
  高倉健一郎
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  熊本高等専門学校
酸化ガリウムへのドーピングによる透明電極膜の導電率向上研究代表者
- 研究代表者
  
  高倉健一郎
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  環境技術・環境材料
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  工学基礎
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果
- 研究代表者
  
  工藤友裕
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校

すべて 2024 2023 2022 2020 2015 2013 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation2024
- 著者名/発表者名
  Takakura Kenichiro、Editorial Office、Matsumoto Kensuke、Tateishi Kousei、Yoneoka Masashi、Tsunoda Isao、Suzuki Shigekazu、Kawatsuma Shinji
- 雑誌名
  
  Journal of Robotics and Mechatronics
  
  巻: 36 号: 1 ページ: 88-94
- DOI
  10.20965/jrm.2024.p0088
- ISSN
  0915-3942, 1883-8049
- 年月日
  2024-02-20
- 言語
  英語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[雑誌論文] Low frequency noise investigation of GaN/AlGaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Field-Effect-Transistor with different gate length and orientation2020
- 著者名/発表者名
  K. Takakura, V. Putcha, E. Simoen, A.R. Alian, U. Peralagu, N. Waldron, B. Parvais, N. Collaert
- 雑誌名
  
  IEEE. Transaction on Electron Device
  
  巻: - 号: 8 ページ: 3062-3068
- DOI
  10.1109/ted.2020.3002732
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[雑誌論文] Parasitic subthreshold drain current and low frequency noise in GaN/AlGaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility field-effect-transistors2020
- 著者名/発表者名
  Takakura K、Putcha V、Simoen E、Alian A R、Peralagu U、Waldron N、Parvais B、Collaert N
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 36 号: 2 ページ: 024003-024003
- DOI
  10.1088/1361-6641/abce8c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[雑誌論文] Investigation of the crystalline quality of a gallium oxide thick film grown by RF magnetron sputtering2013
- 著者名/発表者名
  K. Ishibashi, R. Aida, M. Takahara, J. Kudou, I. Tsunoda, K. Takakura, T. Nakashima, M. Shibuya, K. Murakami
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi
  
  巻: C10 ページ: 1588-1591
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007
- 著者名/発表者名
  K. Takakura, T. Kudou, et. al.
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science Materials in Electronics 19
  
  ページ: 167-170
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added □-Ga2O3 thin films2007
- 著者名/発表者名
  K. Takakura, T. Kudou, et. al.
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science Materials in Electronics 19
  
  ページ: 167-170
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, T.Kudou, et. al.
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science Materials in Electronics 19
  
  ページ: 167-170
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] 不純物添加β-Ga_2O_3の光吸収特性2006
- 著者名/発表者名
  高倉健一郎
- 雑誌名
  
  第20回熊本県産学官技術交流会予稿集 20
  
  ページ: 68-69
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17710068
[雑誌論文] Optical property and crystallinities of Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2006
- 著者名/発表者名
  高倉健一郎
- 雑誌名
  
  Proceedings of the 6^<th> International Conference on Materials for Microelectronics and nanoengineering (MFMN2006) 1
  
  ページ: 138-138
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17710068
[雑誌論文] Radiation source dependence of device performance degradation for 4H-SiC MESFETs2006
- 著者名/発表者名
  K.Takakura他
- 雑誌名
  
  Superlattice and Microstructure 40
  
  ページ: 623-623
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] β-Ga_2O_3への不純物添加効果2006
- 著者名/発表者名
  高倉健一郎
- 雑誌名
  
  第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2
  
  ページ: 693-693
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17710068
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons2006
- 著者名/発表者名
  K.Takakura et al.
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing, 9
  
  ページ: 292-295
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] スパッタ法によるβ-Ga_2O_3膜の作製2005
- 著者名/発表者名
  高倉健一郎
- 雑誌名
  
  秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集 66
  
  ページ: 544-544
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17710068
[雑誌論文] Effects of radiation-induced defects on device performance in electron irradiated SiC-MESFETs2005
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI, 15-19
  
  ページ: 78-78
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] 透明電極用材料β-Ga_2O_3の作製(II)2005
- 著者名/発表者名
  高倉健一郎
- 雑誌名
  
  熊本電波工業高等専門学校研究紀要 32
  
  ページ: 37-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17710068
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons2005
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI 15-19
  
  ページ: 101-101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons2005
- 著者名/発表者名
  K.Takakura et al.
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI
  
  ページ: 101-101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Degradation of electrical performance and floating body effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradition2004
- 著者名/発表者名
  K.Hayama, K.Takakura, H.Ohyama, A.Marcha, E.Simoen, C.Claeys, J.M.Rafi, M.Kokkoris
- 雑誌名
  
  Microelectron.Reliab. 44
  
  ページ: 1721-1726
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Electron irradiation effect on thermal donors in CZ-Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, H.Murakawa, T.Yoshida, J.M.Rafi, R.Job, A.Ulyashin, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Eur.Phys.J.Appl.Phys. 27
  
  ページ: 133-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Impact of 7.5-MeV proton irradiation on front-back gate coupling effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs2004
- 著者名/発表者名
  K.Hayama, K.Takakura, H.Ohyama, J.M.Rafi, A.Mercha, Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.on Nucl.and Sci 51
  
  ページ: 3795-3800
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damages of InGaAs photodiodes by high-temperature electron irradiation2004
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, M.Nakabayashi, T.Hirao, S.Onoda, T.Kamiya, E.Simoen, C.Claeys, S.Kuboyama, K.Oka, S.Matsuda
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 219-220
  
  ページ: 718-721
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Electron irradiation effect on thermal donors in CZ-Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Takakura et al.
- 雑誌名
  
  Eur.Phys.J.Appl.Phys. Vol.27
  
  ページ: 133-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage induced in Si photodiodes by high-temperature neutron irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, E.Simoen, C.Claeys, K.Takakura, T.Jono, H.Matsuoka, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science. 14
  
  ページ: 437-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Effects of irradiation temperature on radiation damage in electron-irradiated MOS FETs2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 530-535
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage of Si photodides by high-temperature irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, C.Claeys, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 536-541
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science 14
  
  ページ: 451-454
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Damage coefficient in high-temperature particle- and g-irradiated silicon p-i-n diode2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, K.Hayama, S.Kuboyama, Y.Deguchi, S.Matsuda, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 82
  
  ページ: 296-298
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Induced lattice defects in InGaAs photodides by high-temperature electron irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Kobayashi, J.Vanhellemont, E.Simoen, C.Claeys, K.Takakura, T.Hirao, S.Onoda
- 雑誌名
  
  Physica B 340-342
  
  ページ: 337-340
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage in Si photodiodes by high temperature irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, E.Simoen, K.Kobayashi, C.Claeys, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Physica E 16
  
  ページ: 533-538
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Recovery behaviour resulting from thermal annealing in n-MOSFETs irradiated by 20-MeV protons2003
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, A.Ueda, M.Nakabayashi, K.Hayama, K.Kobayashi, E.Simoen, K.Kobayashi, E.Simoen, A.Mercha, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Semicond.Sci.Technology 18
  
  ページ: 506-511
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Comparison of electron irradiation effect on thermal donors in CZ and oxygen doped FZ silicon2003
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Yoshida, H.Murakawa, J.M.Rafi, R.Job, A.Ulyashin, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Physica B 340-342
  
  ページ: 1022-1025
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 517-521
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Effect of deep levels and interface states on the lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of Si photodiodes irradiated by neutrons at low temperature
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[学会発表] 廃炉ロボット用マイコン及びメモリの放射線耐性評価2023
- 著者名/発表者名
  松本健佑、米岡将士、角田功、高倉健一郎
- 学会等名
  第１４回半導体材料・デバイスフォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[学会発表] 半導体素子の放射線耐性の評価2023
- 著者名/発表者名
  松本健佑、米岡将士、角田功、高倉健一郎
- 学会等名
  令和4年度原子力フォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[学会発表] 廃炉ロボット用マイコン及びメモリの放射線耐性評価2023
- 著者名/発表者名
  松本健佑、米岡将士、角田功、高倉健一郎
- 学会等名
  令和5年度原子力フォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[学会発表] 放射線環境下における半導体素子の耐性評価2022
- 著者名/発表者名
  吉田一真、米岡将士、高倉健一郎
- 学会等名
  国際原子力人材育成イニシアティブ事業フォーラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05337
[学会発表] Crystalline quality evaluation of b-Ga2O3/Al2O3 grown by thermal annealing2015
- 著者名/発表者名
  H. Ishimoto， H. Ogata， S. Koba， I. Tsunoda， K. Takakura
- 学会等名
  7th Semiconductor Materials and Devices Forum
- 発表場所
  熊本
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[学会発表] Investigation of crystal orientation of -Ga2O3 thin film grown on sapphire substrate by room temperature deposition and subsequent annealing2015
- 著者名/発表者名
  H. Ishimoto, H. Ogata, S. Koba, I. Tsunoda, and K. Takakura
- 学会等名
  International Conference on Gallium Oxide and related materials 2015
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2015-11-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[学会発表] Investigation of relationships between physical optoelectrical property properties and void grains in RF magnetron sputtered b-Ga2O3 thin films2013
- 著者名/発表者名
  R. Aida, K. Ishibashi, M. Takahara, J. Kudou, I. Tsunoda, K. Takakura
- 学会等名
  27th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[学会発表] Investigation of the crystalline quality of a gallium oxide thick film grown by RF magnetron sputtering2013
- 著者名/発表者名
  K. Ishibashi, R. Aida, M. Takahara, J. Kudou, I. Tsunoda, K. Takakura, T. Nakashima, M. Shibuya, K. Murakami
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[学会発表] Evaluation of crystal structure and optical properties of β-Ga2O3 as-deposited and after annealed.
- 著者名/発表者名
  H. Ishimoto, K. Ishibashi, R. Aida, I. Tsunoda, K. Takakura, K. Murakami
- 学会等名
  33th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Sizuoka
- 年月日
  2015-07-15 – 2015-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149
[学会発表] Investigation of relationships between film thickness and optical absorption coefficient of β-Ga2O3 film
- 著者名/発表者名
  M. Izawa, H. Ishimoto, T. Goto, R. Aida, K. Ishibashi, I. Tsunoda, K. Takakura, K. Murakami
- 学会等名
  33th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shizuoka
- 年月日
  2015-07-15 – 2015-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820149

1. 紫垣一貞 (50044722)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
2. 大山英典 (80152271)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 19件
3. 葉山清輝 (00238148)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 7件
4. 工藤友裕 (90225160)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
5. 博多哲也 (60237899)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 鵜殿治彦 (10282279)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

高倉 健一郎 Takakura Kenichiro

研究課題

研究成果

共同研究者

データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

酸化ガリウムを利用したフレキシブル薄膜トランジスタの形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化ガリウムへのドーピングによる透明電極膜の導電率向上研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation2024

著者名/発表者名

雑誌名

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データソース

[雑誌論文] Low frequency noise investigation of GaN/AlGaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Field-Effect-Transistor with different gate length and orientation2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Parasitic subthreshold drain current and low frequency noise in GaN/AlGaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility field-effect-transistors2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Investigation of the crystalline quality of a gallium oxide thick film grown by RF magnetron sputtering2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added □-Ga2O3 thin films2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007

著者名/発表者名

雑誌名

高倉健一郎 Takakura Kenichiro