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金山 敏彦  TOSHIHIKO Kanayama

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70356799
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 情報通信・エレクトロニクス分野, 研究統括
2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, センター長
2009年度: (独)産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究センター長
2008年度 – 2009年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究センター長
2007年度: 産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 副研究センター長 … もっと見る
2006年度: 東京大学, 産業技術総合研究所・次世代半導体研究センター, 副センター長(研究職)
2004年度 – 2006年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 副研究センター長
2005年度: 産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 副センター長(研究職)
2004年度 – 2005年度: (独)産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 副研究センター長 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 理工系
研究代表者以外
金属物性 / プラズマ科学
キーワード
研究代表者
ナノ材料 / 原子分子処理 / electronic materials / nano-materials / scanning tunneling microscopy / atomic process / surface and interface / 反転層形成 / カーボンナノチューブトランジスタ / 電荷移動型ドーピング … もっと見る / イオントラップ / シリコン表面 / 走査トンネルスペクトル / 第一原理計算 / 走査トンネル顕微鏡 / 遷移金属内包シリコンクラスター / 電子・電気材料 / 走査プローブ顕微鏡 / 表面・界面物性 / 電気伝導度 / 光吸収スペクトル / シリコンクラスター / レーザアブレーション / シリコン / クラスター / 超薄膜 / ナノエレクトロニクス / 遷移金属内包Siクラスター … もっと見る
研究代表者以外
イオントラップ / イオンとラップ / シミュレーション / 質量分析 / クラスター / ナノ材料 / 重力コード / 高機能イオントラップ / 金山とラップ / プラズマ科学 / 非中性プラズマ / アトムテクノロジー / 四重極電場 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (107件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  配列ナノ空間物質を利用した次世代半導体デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      金山 敏彦
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  四重極イオントラップの多重極化によるボロン・クラスター集合固体の創製

    • 研究代表者
      木村 薫
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  新しい高機能荷電粒子トラップのプラズマ科学的基礎研究

    • 研究代表者
      際本 泰士
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      プラズマ科学
    • 研究機関
      京都大学
  •  金属原子内包シリコンクラスターの原子数制御合成に基づく界面ナノ構造形成研究代表者

    • 研究代表者
      金山 敏彦
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Sunjin Park, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 111 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.3695994

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      巻: 1,321 ページ: 307-312

    • DOI

      10.1557/opl.2011.811

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      巻: 1,321 ページ: 361-366

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1250

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] New semiconducting silicides assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 519 号: 24 ページ: 8456-8460

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.05.019

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (c) 7

      ページ: 636-639

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi (c) 7

      ページ: 636-639

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics 42

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      J. Phys D: Appl. Phys. 42

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      pplied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Electric field effect in amorphous2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 1 ページ: 121502-121502

    • DOI

      10.1143/apex.1.121502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Local modification of electronic structure of Si(111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, H.Yahata, T.Kanayama, and L.Bolotov
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 63109-63109

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] First-principles theory for Si-based,atomically thin layered semiconduct or crystal2007

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki and T.Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 82107-82107

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Local modification of electronic st ructure of Si (111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi. Yahata, To shihiko Kanayama, Leonid Bolotov
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] A Multipole Ion Trap as Cluster-ion Source2007

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, Y.Ohishi, T.Sho, K.Kimura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

    • NAID

      40015465549

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] First-principles theory for Si-based atomically thin layered semiconductor crystal2007

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 91 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.2767205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] A Multipole Ion Trap as Cluster-ion Source2007

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, Y.Ohishi, T.Sho, K.Kimura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • NAID

      40015465549

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] First-principles theory for Si-based, atomically thin layered semiconductor crystal2007

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Ultra-thin layered semiconductor : Si-rich transition metal silicide2007

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

    • NAID

      10018495388

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Ultra-thin layered semiconductor : Si-rich transition metal silicide2007

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46・2

    • NAID

      10018495388

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] A Multipole Ion Trap as Cluster-ion Source2007

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, Y.Ohishi, T.Sho, K.Kimura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46・

    • NAID

      40015465549

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Stabilization Mechanism of Sii2 Cage Clusters by Encapsulation of a Transition Metal Atom : A density-functional theory study2006

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B74

      ページ: 205427-205427

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Stabilization Mechanism of Si12 Cage Clusters by Encapsulation of a Transition Metal Atom : A density-functional theory study2006

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Physical Review B 74・20

      ページ: 205427-205427

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Carborane superclusters formed by ion molecule reactions in an ion trap2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hiura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      J. Molecular Structure 735・736

      ページ: 367-374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Carborane superclusters formed by ion molecule reactions in an ion trap2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hiura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      J.Molecular Structure 735

      ページ: 367-374

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16654095
  • [雑誌論文] Carborane superclusters formed by ion-molecule reactions in an ion trap2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hiura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Journal of Molecular Structure 735-736

      ページ: 367-374

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Carborane superclusters formed by ion-molecule reactions in an ion trap2005

    • 著者名/発表者名
      H.Hiura, T.Kanayama
    • 雑誌名

      J. Molecular Structure 735-736

      ページ: 367-374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Local modification of electronic structure of Si (111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, H.Yahata, T.Kanayama, L.Bolotov
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [雑誌論文] Local modification of electronic structure of Si (111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, H.Yahata, T.Kanayama, L.Bolotov
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2014

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-503769
    • 出願年月日
      2014-08-26
    • 取得年月日
      2016-11-25
    • 説明
      日本移行
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2013

    • 発明者名
      金山 敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 取得年月日
      2013-02-05
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2013

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 取得年月日
      2013-01-28
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2013

    • 発明者名
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 取得年月日
      2013-02-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2012

    • 発明者名
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2012-049040
    • 出願年月日
      2012-03-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田紀行, 金山敏彦, 宮崎剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • 権利者名
      産総研
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] (旧名称)ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (新名称)ナノ結晶半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • 取得年月日
      2015-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田紀行, 金山敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      産総研
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2010-08-19
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • 権利者名
      産総研
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2010

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2010-08-25
    • 取得年月日
      2014-06-18
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-253936
    • 出願年月日
      2010-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-182188
    • 出願年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2009-037261
    • 出願年月日
      2009-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2009-037261
    • 出願年月日
      2009-02-20
    • 取得年月日
      2014-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山敏彦、内田紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2009

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2009-191603
    • 出願年月日
      2009-08-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2009

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2009-191603
    • 出願年月日
      2009-08-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山 敏彦、 内田 紀行
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦、内田紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-048520
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-048520
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-230650
    • 出願年月日
      2008-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法2007

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文, 二瓶 史行
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2007-052887
    • 出願年月日
      2007-03-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 層状物質及びこれを用いた半導体装置2006

    • 発明者名
      宮剛英, 金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2006-198612
    • 出願年月日
      2006-07-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 層状物質及びこれを用いた半導体装置2006

    • 発明者名
      宮崎 剛英, 金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2006-198612
    • 出願年月日
      2006-07-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2006

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文, 東口達
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2006-315050
    • 出願年月日
      2006-11-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子2005

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2005-001422
    • 出願年月日
      2005-01-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子2005

    • 発明者名
      日浦 英文, 多田 哲也, 金山 敏彦
    • 権利者名
      日本電気(株), 産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2005-001422
    • 出願年月日
      2005-01-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2005

    • 発明者名
      多田哲也, 金山敏彦, 日浦英文
    • 権利者名
      産総研, 日本電気(株)
    • 産業財産権番号
      2005-315627
    • 出願年月日
      2005-10-31
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16201026
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター薄膜の電気伝導特性2012

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Si・シリサイドナノ結晶コンポジット半導体膜の熱伝導率2012

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、大石祐治、黒崎健、山中伸介、多田哲也、金山敏彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Interfacial structure analysis of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      S.J.Park, N.Uchida, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Ab Initio Molecular Dynamics Study for Vibrations in the Assembly of Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • 年月日
      2011-04-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2011

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会第66回年次大会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • 年月日
      2011-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, S.J.Park, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Symposium on Clusters and Nanostructures
    • 発表場所
      Jefferson Hotel, Richmond (Virginia, USA)
    • 年月日
      2011-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custers, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, and, Takehide Miyazaki
    • 学会等名
      Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2010

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、宮崎剛英、鮫島健一郎、松下祐介、金山敏彦、村上浩一
    • 学会等名
      日本物理学会第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山市,岡山大学
    • 年月日
      2010-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custer2010

    • 著者名/発表者名
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki
    • 学会等名
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2010-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算2010

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会2010年秋季大会
    • 発表場所
      大阪府立大学(大阪府堺市)
    • 年月日
      2010-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電気伝導特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      松下裕介, 内田紀行, 金藤浩史, 金山敏彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合学術講演会
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      Utrecht, The Netherlands
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      Utrecht, The Netherlands
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      オランダ,ユトレヒト
    • 年月日
      2009-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Hiroshi Kintou, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      Minato-ku, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態2009

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本市,熊本大学
    • 年月日
      2009-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電界効果測定2009

    • 著者名/発表者名
      松下祐介、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市,富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, TakehideMiyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      オランダ,ユトレヒト
    • 年月日
      2009-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Z. Sun, H. Oyanagi, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会
    • 発表場所
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2009-01-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンボジウム
    • 発表場所
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2009-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structurespectra2009

    • 著者名/発表者名
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      PFシンポジウム
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • 年月日
      2009-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, T. Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      東京都 港区
    • 年月日
      2009-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] MoSi_nクラスター膜の熱処理に伴う構造変化2009

    • 著者名/発表者名
      鮫島健一郎、内田紀行、松下裕介、村上浩一、兵藤宏、木村薫、金山敏彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市,富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters"2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と電気伝導特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      内田 紀行, 金藤 浩史, 桐原 和大, 大柳 宏之, 金山 敏彦
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学 (千葉県船橋市)
    • 年月日
      2008-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Theoretical Study of Single Gicfphene-1 ike Semiconductor Layer Made of Si and Transition Metal Atoms2008

    • 著者名/発表者名
      T. Miyazaki, N. Uchida, T. Kanayama
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) 2008 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Formation of Si6 ring clusters stabilized by a transition metal atom2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Takehide Miyazaki, Hidefumi Hiura, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      14th International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters
    • 発表場所
      Valladolid, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター薄膜のラマン散乱測定2008

    • 著者名/発表者名
      金藤 浩史, 松下 祐介, 内田 紀行, 多田 哲也, 金山 敏彦, 村上 浩一
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県 春日井市 中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シンコンクラスター薄膜の合成と構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      内田 紀行, 金藤 浩史, 金山 敏彦, 桐原 和大, 大柳 宏之, 木村 薫
    • 学会等名
      日本物理学会第63回年次大会
    • 発表場所
      近畿大学 (大阪府東大阪市)
    • 年月日
      2008-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Formation of Si_6 rins clusters stabilized hv a transition metal atom2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, Y. Matsushita, T. Miyazaki, H. Hiura, T. Kanayama
    • 学会等名
      14^<th> International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISSPIS14)
    • 発表場所
      Valladolid, Spain
    • 年月日
      2008-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル2008

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英, 内田紀行, 金山敏彦
    • 学会等名
      2008年日本物理学会秋季大会
    • 発表場所
      岩手県 盛岡市 岩手大学
    • 年月日
      2008-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, K. Kirihara, H. Oyanagi, T. Kanayama,
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • 年月日
      2008-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • 1.  多田 哲也 (40188248)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  宮崎 剛英 (10212242)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 36件
  • 3.  内田 紀行 (60400636)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 51件
  • 4.  際本 泰士 (50018040)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  木村 薫 (30169924)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  岡田 純平 (90373282)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  日浦 英文
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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