江利口浩二 Eriguchi Koji

研究者番号	70419448
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 京都大学, 工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2016年度 – 2018年度: 京都大学, 工学研究科, 教授 2012年度 – 2015年度: 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2013年度: 京都大学, 工学研究科, 准教授 2010年度 – 2011年度: 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2007年度 – 2011年度: 京都大学, 工学研究科, 准教授 2006年度: 京都大学, 工学研究科, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分26050:材料加工および組織制御関連 / 複合材料・表界面工学 / 材料加工・処理 / 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 / 材料加工・組織制御工学研究代表者以外プラズマ科学 / 流体工学、熱工学およびその関連分野 / プラズマエレクトロニクス / 理工系 / 理工系
キーワード	研究代表者プラズマ / 欠陥 / 電気容量 / 誘電率 / トンネルリーク電流 / 窒化ホウ素 / シリコン / 高密度プラズマ / 電気特性 / 光学特性 … もっと見る / 結合状態 / ナノ材料 / 分子動力学 / 欠陥層 / トランジスタ / 電磁波照射 / 窒化シリコン / ナノ欠陥構造 / 微分電気容量 / 窒化ホウ素膜 / マイクロ波 / シリコン窒化膜 / マイクロ波照射 / エネルギー / フラックス / イオンエネルギー / 確率過程 / ナノ構造 / 表面処理 / プラズマ処理 / 材料加工・処理 / 結晶・組成制御 / 有機材料 / 有機膜 / 電子 / プラズマプロセス / 表面・界面 / 変調反射率分光 / 分子動力学法 / 欠陥構造 / 極低消費電力 / 表面・界面制御 / 界面層 / レーザー / 誘電関数 / 表面界面改質 … もっと見る研究代表者以外超微細加工形状 / 半導体超微細化 / 表面・界面物性 / プラズマ化学 / プラズマ加工 / プラズマエッチング / 反応粒子輸送 / プラズマ・表面過程揺動 / 細胞分取 / 信頼性工学 / マイクロデバイス / 粒子と細胞の運動制御 / 確率微分方程式 / ゆらぎ / 信頼性と性能の評価と予測 / 高速分取 / 粒子運動制御 / 精度予測 / 信頼性評価 / 確率論 / マイクロ流体工学 / ゆらぎと確率論 / マイクロ流路 / 分取技術 / 位置決めとタイミング制御 / 誘電泳動力 / 粒子と細胞 / 微細加工形状 / Etching / Plasma Processing / Transport of Reactive Particles / Etched Profiles / Semiconductor Fabrication / Surface and Interfaces / Plasma Chemistry / Plasma Etching / エッチング / プラズマプロセス / 表面ラフネス / 反応生成物 / 超微細加工技術 / 高温反応場 / 亜音速・超音速流れ場 / MEMS / 高温反応揚 / 亜音速・超音速流れ揚 / 軸対称表面波励起プラズマ / マイクロ波励起プラズマ / プラズマスラスタ / マイクロノズル / マイクロプラズマ隠す

超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26050:材料加工および組織制御関連
- 研究機関
  京都大学
電子捕獲準位の誘電損失機構を活用したナノ薄膜の欠陥回復と信頼性向上に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
パラメータ分離型アーク放電による窒化ホウ素膜のsp結合制御と機能設計の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分26050:材料加工および組織制御関連
- 研究機関
  京都大学
ゆらぎの確率過程を用いたマイクロ流体デバイス内の現象予測と信頼性評価技術の開発
- 研究代表者
  
  巽和也
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  流体工学、熱工学およびその関連分野
- 研究機関
  京都大学
確率過程モデルにもとづくナノ構造体における欠陥制御型プロセス設計手法の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  複合材料・表界面工学
- 研究機関
  京都大学
プラズマによる表面ナノ周期構造形成に関する研究
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマエレクトロニクス
- 研究機関
  大阪大学
   京都大学
イオンエネルギー確率分布関数制御型プラズマによる窒化ホウ素薄膜の組成制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・組織制御工学
- 研究機関
  京都大学
誘電率変調構造を有する有機系新機能素子を目指したプラズマ表面反応制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  複合材料・表界面工学
- 研究機関
  京都大学
統合型誘電率設計手法を用いた極低消費電力素子のナノ材料プロセスの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  京都大学
プラズマと薄膜表面・界面の階層的複合反応制御による次世代ナノ加工技術の構築
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
ナノスケールのプラズマ微細加工技術開発のためのプラズマ・固体表面相互作用の研究
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ科学
- 研究機関
  京都大学
ナノ領域誘電率解析手法を用いたプラズマ・固相界面改質プロセスの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  江利口浩二
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  京都大学
マイクロプラズマスラスタの研究開発:高温反応場と高速流れ場の競合現象の解明と制御
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  京都大学
塩素・臭素系混合プラズマの気相および固体表面におけるプラズマ化学の解明と制御
- 研究代表者
  
  斧高一
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  プラズマ科学
- 研究機関
  京都大学

[図書] プラズマプロセス技術 (第4章ナノエッチング技術, 分担執筆)2017
- 著者名/発表者名
  斧高一，江利口浩二，鷹尾祥典
- 総ページ数
  273
- 出版者
  森北出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[図書] Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors, Molecular Dynamics - Studies of Synthetic and Biological Macromolecules2012
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[図書] Molecular Dynamics – Studies of Synthetic and Biological Macromolecules - Chap. 112012
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi（分担執筆）
- 総ページ数
  432
- 出版者
  InTech
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[図書] 「2009半導体テクノロジー大全」第4編, 第4章, 4節 "高誘電体/電極材料エッチング技2009
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二 [分担執筆]
- 総ページ数
  684
- 出版者
  電子ジャーナル社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[図書] 2009半導体テクノロジー大全2009
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二
- 出版者
  電子ジャーナル社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[図書] 「2007半導体テクノロジー大全」第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術"2007
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二
- 出版者
  電子ジャーナル社(印刷中)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[図書] 2007半導体テクノロジー大全(第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術")2007
- 著者名/発表者名
  斧高一, 江利口浩二(分担執筆)
- 出版者
  電子ジャーナル社(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method2022
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamano, Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 3 ページ: 031904-031904
- DOI
  10.1063/5.0077147
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481, KAKENHI-PROJECT-20J22727
[雑誌論文] Ion irradiation-induced sputtering and surface modification of BN films prepared by a reactive plasma-assisted coating technique2022
- 著者名/発表者名
  Takayuki Matsuda, Takashi Hamano, Yuya Asamoto, Masao Noma, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa, Keiichiro Urabe, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SI ページ: SI1014-SI1014
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5d16
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ2022, KAKENHI-PROJECT-20H02481
[雑誌論文] First-principles predictions of electronic structure change in plasma-damaged materials2018
- 著者名/発表者名
  Yuta Yoshikawa and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6S2 ページ: 06JD04-06JD04
- DOI
  10.7567/jjap.57.06jd04
- NAID
  210000149201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[雑誌論文] Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas2018
- 著者名/発表者名
  Takashi Hamano and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6S2 ページ: 06JD02-06JD02
- DOI
  10.7567/jjap.57.06jd02
- NAID
  210000149199
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[雑誌論文] Optical and electrical characterization methods of plasma-induced damage in silicon nitride films2018
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Kuyama and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6S2 ページ: 06JD03-06JD03
- DOI
  10.7567/jjap.57.06jd03
- NAID
  210000149200
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[雑誌論文] An evaluation method of the profile of plasma-induced defects based on capacitance-voltage measurement2017
- 著者名/発表者名
  Yukimasa Okada, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HD04-06HD04
- DOI
  10.7567/jjap.56.06hd04
- NAID
  210000147963
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[雑誌論文] Surface morphology evolution during plasma etching: roughening, smoothing and ripple formation2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 41 ページ: 414001-414001
- DOI
  10.1088/1361-6463/aa8523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[雑誌論文] Defect generation in electronic devices under plasma exposure: Plasma-induced damage2017
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HA01-06HA01
- DOI
  10.7567/jjap.56.06ha01
- NAID
  210000147946
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Optical model for spectroscopic ellipsometry analysis of plasma-induced damage to SiOC films2017
- 著者名/発表者名
  Kentaro Nishida, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HD01-06HD01
- DOI
  10.7567/jjap.56.06hd01
- NAID
  210000147960
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Electrical characterization of carrier trapping behavior of defects created by plasma exposures2017
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi and Yukimasa Okada
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 50 号: 26 ページ: 26LT01-26LT01
- DOI
  10.1088/1361-6463/aa731a
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405, KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Analytic Modeling for Nanoscale Resistive Filament Variation in ReRAM With Stochastic Differential Equation2017
- 著者名/発表者名
  Z. Wei and K. Eriguchi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 64 号: 5 ページ: 2201-2206
- DOI
  10.1109/ted.2017.2681104
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[雑誌論文] Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing2017
- 著者名/発表者名
  Kengo Shinohara, Kentaro Nishida, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S2 ページ: 06HD03-06HD03
- DOI
  10.7567/jjap.56.06hd03
- NAID
  210000147962
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Modeling of defect generation during plasma etching and its impact on electronic device performance-plasma-induced damage2017
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 50 号: 33 ページ: 333001-333001
- DOI
  10.1088/1361-6463/aa7523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[雑誌論文] Surface smoothing during plasma etching of Si in Cl22016
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matsumoto, H. Tsuda, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 109 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4967474
- NAID
  120005893556
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[雑誌論文] Characterization of plasma process-induced latent defects in surface and interface layer of Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakubo, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 4 号: 6 ページ: N5077-N5083
- DOI
  10.1149/2.0121506jss
- NAID
  120005756254
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Influence of microwave annealing on optical and electrical properties of plasma-induced defect structures in Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  T. Iwai, K. Eriguchi, S. Yamauchi, N. Noro, J. Kitagawa, K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. A
  
  巻: 33 号: 6 ページ: 061403-061403
- DOI
  10.1116/1.4927128
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 118 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4937449
- NAID
  120005694187
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582, KAKENHI-PROJECT-15J04793
[雑誌論文] Impacts of plasma process-induced damage on MOSFET parameter variability and reliability2015
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 55 号: 9-10 ページ: 1464-1470
- DOI
  10.1016/j.microrel.2015.07.004
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Surface roughening and rippling during plasma etching of Si : Numerical investigations and a comparison with experiments2014
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, N.Nakazaki, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol.
  
  巻: B 32 号: 3
- DOI
  10.1116/1.4874309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Molecular dynamics simulations of silicon chloride ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas2014
- 著者名/発表者名
  N.Nakazaki, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 5 ページ: 056201-056201
- DOI
  10.7567/jjap.53.056201
- NAID
  210000143754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise in metal-oxide-semiconductor field- effect transistors with SiO 2 and high-k gate dielectrics2014
- 著者名/発表者名
  M. Kamei, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DF02-03DF02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03df02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Annealing performance improvement of elongated inductively coupled plasma torch and its application to recovery of plasma- induced Si substrate damage2014
- 著者名/発表者名
  T. Okumura, K. Eriguchi, M. Saitoh, H. Kawaura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DG01-03DG01
- DOI
  10.7567/jjap.53.03dg01
- NAID
  210000143499
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique2014
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DB02-03DB02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03db02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] Effects of straggling of incident ions on plasma-induced damage creation in "fin"-type field-effect transistors2014
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DE02-03DE02
- DOI
  10.7567/jjap.53.03de02
- NAID
  210000143495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-25630293
[雑誌論文] μ-Photoreflectance Spectroscopy for Microscale Monitoring of PlaBsma-induced Physical Damage on Si Substrate2014
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 3S2 ページ: 03DF01-03DF01
- DOI
  10.7567/jjap.53.03df01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Surface roughening and rippling during plasma etching of Si: Numerical investigations and a comparison with experiments2014
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: 32
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] プラズマナノ加工における表面ラフネスとリップル形成機構2013
- 著者名/発表者名
  斧高一, 津田博隆, 中崎暢也, 鷹尾祥典, 江利口浩二
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 34 ページ: 528-534
- NAID
  10031202796
- URL
  https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jsssj/34/10/_contents/-char/ja/
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence2012
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Friguchi Kouichi Onc
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 8S1 ページ: 08HC01-08HC01
- DOI
  10.1143/jjap.51.08hc01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Effect of capacitive coupling in a miniature inductively coupled plasma source2012
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 112 号: 9 ページ: 93306-93306
- DOI
  10.1063/1.4764333
- NAID
  120004920433
- URL
  http://hdl.handle.net/2433/161047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321, KAKENHI-PROJECT-23760769
[雑誌論文] High-k MOSFET performance degradation by plasma process-induced charging damage2012
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
  
  ページ: 80-84
- DOI
  10.1109/iirw.2012.6468925
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Matsuoka, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JC02-08JC02
- DOI
  10.1143/jjap.50.08jc02
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Trade-Off Relationship between Si Recess and Defect Density Formed by Plasma-Induced Damage in Planar Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors and the Optimization Methodology2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50(掲載予定)
- NAID
  210000071116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, H.Miyata, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.A.Appl.Phys.
  
  巻: Vo.50, No.7 (in press)
- NAID
  210000071082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Matsuoka, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.A.AppL.Phys.
  
  巻: Vo.50, No.7 (in press)
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, H. Miyata, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000071082
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Modeling of plasma-induced damage and its impacts on parameter variations in advanced electronic devices2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol
  
  巻: A29 号: 4 ページ: 41303-41303
- DOI
  10.1116/1.3598382
- NAID
  120003133618
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Model for Effects of Rf Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50(掲載予定)
- NAID
  210000071080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Model for Effects of Rf Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JE04-08JE04
- DOI
  10.1143/jjap.50.08je04
- NAID
  210000071080
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Molecular Dynamics Analysis of the Formation of Surface Roughness during Si Etching in Chlorine-based Plasmas2011
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S2 ページ: 08KB02-08KB02
- DOI
  10.1143/jjap.50.08kb02
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Comparative study of plasma-charging damage in high-k dielectric and P-N junction and their effects on off-state leakage current of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 50(掲載予定)
- NAID
  210000071117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Asahiko Matsuda, Yoshinori Nakakubo, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S2 ページ: 08KD03-08KD03
- DOI
  10.1143/jjap.50.08kd03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01382, KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Particle Simulations of Sheath Dynamics in Low Pressure Capacitively Coupled Argon Plasma Discharges2011
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, K. Matsuoka, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000071066
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Analytic Model of Threshold Voltage Variation Induced by Plasma Charging Damage in high-k Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistor2011
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 10S ページ: 10PG02-10PG02
- DOI
  10.1143/jjap.50.10pg02
- NAID
  210000071431
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[雑誌論文] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda , Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 50(掲載予定)
- NAID
  210000071115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Three-dimensional Atomic-scale Cellular Model and Feature Profile Evolution during Si Etching in Chlorine-based Plasmas : Analysis of Profile Anomalies and Surface Roughness2011
- 著者名/発表者名
  Hirotaka Tsuda, Hiroki Miyata, Yoshinori Takao, Koji Eriguchi, Kouichi Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 8S1 ページ: 08JE06-08JE06
- DOI
  10.1143/jjap.50.08je06
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J01415, KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Formation of surface roughness and residue2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 号: 13 ページ: 3475-3480
- DOI
  10.1016/j.tsf.2009.11.043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSI device fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono, H.Ohta, and K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 号: 13 ページ: 3461-3468
- DOI
  10.1016/j.tsf.2009.11.030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSI device fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K.Ono, H.Ohta, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films Vol.518
  
  ページ: 3461-3468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Two-dimensional particle-in-cell Monte Carlo simulation of a miniature inductively coupled plasma source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, N, Kusaba, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 108 号: 9
- DOI
  10.1063/1.3506536
- NAID
  120005553877
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 3481-3486
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
- NAID
  40017116117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Fukasawa, Y.Takao, T.Tatsumi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
- NAID
  210000069055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
  
  ページ: 56203-56203
- NAID
  40017116117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069053
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Optical and Electrical Characterization of Hydrogen-Plasma-Damaged Silicon Surface Structures and Its Impact on In-line Monitoring2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Fukasawa, Y.Takao, T.Tatsumi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, and K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 49 号: 8S1 ページ: 08JE01-08JE01
- DOI
  10.1143/jjap.49.08je01
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Two-dimensional particle-in-cell Monte Carlo simulation of a miniature inductively coupled plasma source2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, N, Kusaba, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.108, No.9
- NAID
  120005553877
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching : Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H. Tsuda, M. Mori, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  210000068176
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Plasma-surface interactions for advanced plasma etching processes in nanoscale ULSIdevice fabrication : A numerical and experimental study2010
- 著者名/発表者名
  K. Ono, H. Ohta, and K. Eriguchi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 3461-3468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Bias frequency dependence of pn junction charging damage induced by plasma processing2010
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 3469-3474
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Atomic-scale cellular model and profile simulation of Si etching : Analysis of profile anomalies and microscopic uniformity2010
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, M.Mori, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys
  
  巻: Vol.49, No.8
- NAID
  210000069057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 30
  
  ページ: 1275-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Plasma chemical behavior of reactants and reaction products during inductively coupled CF_4 plasma Etching of SiO_22009
- 著者名/発表者名
  H. Fukumoto, I. Fujikake, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci. Technol.
  
  巻: 18
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Plasma-Induced Defect-Site Generation in Si Substrate and Its Impact on Performance Degradation in Scaled2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Lett. 30
  
  ページ: 1275-1277
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[雑誌論文] Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles2009
- 著者名/発表者名
  H. Fukumoto, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 48
- NAID
  40016743034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Numerical Study on Si Etching byMonoatomic Cl^+/Br^+ Beams and DiatomicBr_2^+/Cl_2^+/HB_r^+ Beams2009
- 著者名/発表者名
  T. Nagaoka, H. Ohta, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology2009
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, K.Eriguchi, K.Ono, and H.Ohta
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 2 号: 11 ページ: 116501-116501
- DOI
  10.1143/apex.2.116501
- NAID
  10027012154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Molecular-Dynamics-Based Profile Evolution Simulation for Sub-10-nm Si Processing Technology2009
- 著者名/発表者名
  H.Tsuda, K.Eriguchi, K.Ono, H.Ohta
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express Vol.2, No.11
- NAID
  10027012154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[雑誌論文] Plasma chemical behaviour of reactants and reaction products during inductively coupled C_F4 plasma Etching of SiO_22009
- 著者名/発表者名
  H.Fukumoto, I.Fujikake, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Plasma Sources Sci.Technol. Vol. 18, No. 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles2009
- 著者名/発表者名
  H.Fukumoto, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.App.Phys. Vo. 48, No. 9
- NAID
  40016743034
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Numerical Study on Si Etching by Monoatomic Cl^+/Br^+ Beams and Diatomic Br_2^+/Cl_2^+/HBr^+Beams2009
- 著者名/発表者名
  T.Nagaoka, H.Ohta, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.App.Phys. Vo. 48, No. 7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21340169
[雑誌論文] Micro plasma thruster for ultra small satellites: Plasma chemical and aerodynamical aspects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, T. Takahashi, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Pure Appl. Chem. (In press)
- NAID
  120005553869
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] Numerical Analysis and Experiments of a Microwave-excited Microplasma Thruster2007
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  Proc. 30th Int. Electric Propulsion Conf. (30th IEPC), Florence, Italy, Sep. 2007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A miniature electrothermal thruster using microwave-excited microplasmas : Thrust measurement and its comparison with numerical analysis2007
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. (in press)
- NAID
  120002696049
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A miniature electrothermal thruster using microwave-excited microplasmas: Thrust measurement and its comparison with numerical analysis2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. Vol.101
- NAID
  120002696049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys., Part 1 Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] A Model Analysis of Feature Profile Evolution and Microscopic Uniformity during Polysilicon Gate Etching in Cl_2/O_2 plasmas2006
- 著者名/発表者名
  Y.Osano, M.Mori, N.Itabashi, K.Takahashi, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45,No.10B
  
  ページ: 8157-8162
- NAID
  10018339129
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Plasma Diagnostics and Thrust Performance Analysis of a Microwave-Excited Microplasma Thruster2006
- 著者名/発表者名
  Y.Takao, K.Ono, K.Takahashi, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl. Phys. Vol.45, No.10B
  
  ページ: 8235-8240
- NAID
  10018339427
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18030007
[雑誌論文] Profile simulation model including ion reflection on feature surfaces during plasma etching2006
- 著者名/発表者名
  S.Irie, Y.Osano, M.Mori, K.Eriguchi, K.Ono
- 雑誌名
  
  Proc. 6th Int. Symp. Dry Process
  
  ページ: 35-36
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[雑誌論文] Etching Technology of High Dielectric Constant (High-k) and Metal Gate Materials
- 著者名/発表者名
  K.Ono, K.Eriguchi
- 雑誌名
  
  Semiconductor Technology Outlook 2007, Chap.4, Sec.4.5 (Electronic Journal, Tokyo, 2007)[in Japanese] (in press)
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17340172
[学会発表] 金属元素が窒化ホウ素膜中のsp3結合形成に及ぼす影響2024
- 著者名/発表者名
  朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26421
[学会発表] Formation and characterization of boron nitride films prepared by a reactive plasma-assisted coating technique2024
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  第15回グローバルプラズマフォーラム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26421
[学会発表] ナノネットワーク構造解析に基づく微細トレンチ内の窒化ホウ素膜特性予測2023
- 著者名/発表者名
  濱野誉，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜のナノネットワーク構造制御2023
- 著者名/発表者名
  濱野誉，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第242回研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 熱電子供給型プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜への金属元素導入制2023
- 著者名/発表者名
  朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26421
[学会発表] 金属不純物を含む六方晶窒化ホウ素の第一原理計算による解析2023
- 著者名/発表者名
  服部達哉，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26421
[学会発表] sp結合ナノネットワーク構造変化に起因する窒化ホウ素膜特性遷移の解析2022
- 著者名/発表者名
  濱野誉，松田崇行，朝本雄也，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 結合状態を制御した窒化ホウ素膜の高速堆積に向けた窒素ラジカルフラックス最大化に関する研究2022
- 著者名/発表者名
  朝本雄也，濱野誉，松田崇行，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御（II）2022
- 著者名/発表者名
  朝本雄也，松田崇行，濱野誉，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] Characterization of nano-network structure transition of boron nitride films by ion irradiation during the film growth2022
- 著者名/発表者名
  T. Hamano, T. Matsuda, Y. Asamoto, M. Noma, S. Hasegawa, M. Yamashita, K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  43rd International Symposium on Dry Process: DPS2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 電気伝導機構解析による窒化ホウ素膜/Si構造の剥離機構の検討2022
- 著者名/発表者名
  松田崇行，濱野誉，朝本雄也，野間正男，山下満，長谷川繁彦，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] Characterization of carrier conduction in a magnetically-confined vacuum arc discharge and its application to control of incident-ion flux to a substrate2021
- 著者名/発表者名
  Y. Asamoto, T. Matsuda, T. Hamano, M. Noma, S. Hasegawa, M. Yamashita K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] Controlling of nano-network structures in BN films by a reactive plasma assisted-coating technique and the sputtering characteristics against plasma exposure2021
- 著者名/発表者名
  T. Matsuda, T. Hamano, Y. Asamoto, M. Noma, S. Hasegawa, M. Yamashita K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  42nd International Symposium on Dry Process: DPS2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 反応性プラズマ支援成膜法に用いる熱電子供給型アーク放電の発光分光法を用いた電離機構解析2021
- 著者名/発表者名
  朝本雄也，松田崇行，濱野誉，野間正男，長谷川繁彦，山下満，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  第38回プラズマプロセシング研究会／第33回プラズマ材料科学シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02481
[学会発表] 過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討2019
- 著者名/発表者名
  濱野誉，占部継一郎，江利口浩二
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第215回研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] First-principles study on electronic structure modifications of Si substrate with the Cl-terminated surface2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yoshikawa, K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  40th International Symposium on Dry Process: DPS2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Effects of Microwave Annealing on the Recovery of Microscopic Defects in Silicon Nitride Films2018
- 著者名/発表者名
  T. Kuyama, Y. Sato, K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  40th International Symposium on Dry Process: DPS2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] プラズマプロセスにおける欠陥形成過程のモデリングと予測2018
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  第206回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Comparative characterization of gas species dependence of transient behaviors in plasma-induced Si damage2018
- 著者名/発表者名
  T. Hamano, K. Urabe, and K. Eriguchi
- 学会等名
  40th International Symposium on Dry Process: DPS2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Surface ripple formation during plasma etching of silicon2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  70th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2017), Pittsburgh, PA, U.S.A.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] A comprehensive analysis of progressive behavior of plasma-induced damage formation in Si substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Hamano and K. Eriguchi
- 学会等名
  39th International Symposium on Dry Process: DPS2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Prediction of electronic structure change induced by plasma processing: A first-principles study2017
- 著者名/発表者名
  Y. Yoshikawa and K. Eriguchi
- 学会等名
  39th International Symposium on Dry Process: DPS2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Defect Generation in Si substrates during Plasma Processing2017
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  17th International Workshop on Junction Technology 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Characterization technique of silicon nitride film damaged by plasma exposure”2017
- 著者名/発表者名
  T. Kuyama and K. Eriguchi
- 学会等名
  39th International Symposium on Dry Process: DPS2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] 反応性プラズマ支援コーティング（RePAC/MEP-IP）法による高機能窒化ホウ素薄膜の形成2017
- 著者名/発表者名
  野間正男, 山下満, 江利口浩二, 長谷川繁彦
- 学会等名
  2017年真空・表面科学合同講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Origin of Plasma-Induced Surface Roughening and Ripple Formation during Plasma Etching of Silicon: A Monte Carlo Study2017
- 著者名/発表者名
  K. Ono, T. Hatsuse, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 年月日
  2017-01-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] プラズマ曝露による窒化ホウ素膜機械特性変化のナノインデンテーション法による解析2017
- 著者名/発表者名
  樋口智哉, 野間正男, 山下満, 長谷川繁彦, 江利口浩二
- 学会等名
  第54回日本航空宇宙学会関西・中部支部合同秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Model prediction of stochastic effects of plasma-induced damage in advanced electronic devices2017
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Origin of plasma-induced surface roughening and ripple formation during plasma etching2016
- 著者名/発表者名
  K. Ono, N. Nakazaki, H. Tsuda, Y. Takao, and K. Eriguchi
- 学会等名
  69th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2016)
- 発表場所
  Bochm, Germany
- 年月日
  2016-10-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] プラズマプロセス誘起ダメージによるデバイス特性劣化の包括的モデル2016
- 著者名/発表者名
  江利口浩二、斧高一
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
- 発表場所
  宝塚大学梅田キャンパス
- 年月日
  2016-02-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] True Random Number Generator using Current Difference based on a Fractional Stochastic Model in 40-nm Embedded ReRAM2016
- 著者名/発表者名
  Z. Wei, Y. Katoh, S.Ogasahara, Y. Yoshimoto, K. Kawai, Y. Ikeda, K. Eriguchi, K.Ohmori,S. Yoneda
- 学会等名
  IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) 2016
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 年月日
  2016-12-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] 反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN膜の構造変化と密着性2016
- 著者名/発表者名
  野間正男、山下満、江利口浩二、長谷川繁彦
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大　大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] 層間絶縁膜へのプラズマダメージの電気的解析手法2016
- 著者名/発表者名
  西田健太郎、岡田行正、鷹尾祥典、江利口浩二、斧高一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Coatings of Boron Nitride Films for Vacuum Tribology by Reactive Plasma Assisted Coating (RePAC) Technology - Friction coefficient lowering under vacuum -2016
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, M. Yamashita, S. Hasegawa
- 学会等名
  The 7th Tsukuba International Coating Symposium (TICS7)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Formation of superhard c-BN films on the body and edge of cutting tools by reactive plasma-assisted coating (RePAC)2016
- 著者名/発表者名
  M. Noma, M. Yamashita, K. Eriguchi, S. Hasegawa
- 学会等名
  The 16th International Conference on Precision Engineering
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Friction Coefficient Lowering in High-hardness Boron Nitride Films Under Ultra-high Vacuum2016
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, M. Yamashita, S. Hasegawa
- 学会等名
  AVS 63rd International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  Nashville, TN, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] RePAC法を用いたプラズマ窒化によるc-BN膜密着性の改善2016
- 著者名/発表者名
  野間正男，山下満，江利口浩二，長谷川繁彦
- 学会等名
  第77 回応用物理学秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] A new damage evaluation scheme predicting the nature of defects-an advanced capacitance-voltage technique2016
- 著者名/発表者名
  Yukimasa Okada, Kouichi Ono, Koji Eriguchi
- 学会等名
  38th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Defect profiling of plasma-damaged layer by surface-controlled photoreflectance spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  Tomoya Higuchi, Yukimasa Okada, Kouichi Ono, Koji Eriguchi
- 学会等名
  38th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] An optical model for in-line analysis of plasma-induced interlayer dielectric damage2016
- 著者名/発表者名
  Kentaro Nishida, Kouichi Ono, Koji Eriguchi
- 学会等名
  38th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Effects of plasma exposure on leakage and reliability parameters of dielectric film: New measures of damage?2016
- 著者名/発表者名
  Kengo Shinohara, Kentaro Nishida, Kouichi Ono, Koji Eriguchi
- 学会等名
  38th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaido, Japan
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14405
[学会発表] Characterization of polymorphism in boron nitride films prepared by Reactive Plasma-Assisted Coating2015
- 著者名/発表者名
  S. Hasegawa, M. Noma, M. Yamashita, K.Eriguchi
- 学会等名
  The 19th SANKEN Int. Symp. / The 11th HANDAI Nanosci. Nanotechnol. Int. Symp.
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2015-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Impacts of plasma process-induced damage on MOSFET parameter variability and reliability2015
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  The 26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
- 発表場所
  Toulouse, France
- 年月日
  2015-10-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface orientation dependence of plasma-induced ion bombardment damage in Si substrate2015
- 著者名/発表者名
  Y. Okada, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 37th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface Orientation Dependence of Ion Bombardment Damage during Plasma Processing2015
- 著者名/発表者名
  Y. Okada, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2015-06-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Surface rippling by oblique ion incidence during plasma etching of silicon: Experimental demonstration using sheath control plates2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matsumoto, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  68th Annual Gaseous Electronics Conference / 9th International Conference on Reactive Plasmas / 33rd Symposium on Plasma Processing (GEC2015/ICRP-9/SPP-31)
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, U.S.A.
- 年月日
  2015-10-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] A new evaluation method to characterize low-k dielectric damage during plasma processing2015
- 著者名/発表者名
  K. Nishida, Y. Okada, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 37th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Modeling of Plasma-induced Damage in Advanced Transistors in ULSI Circuits2015
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) Korea, Technology Symposium
- 発表場所
  Seoul, South Korea
- 年月日
  2015-02-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Experimental demonstration of oblique ion incidence with sheath control plates during plasma etching of silicon2015
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, H. Matumoto, S. Sonobe, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  37th International Symposium on Dry Process (DPS2015)
- 発表場所
  Awaji Island, Hyogo, Japan
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03582
[学会発表] 反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN 膜の構造と化学結合状態分析2015
- 著者名/発表者名
  長谷川繁彦、野間正男、山下満、江利口浩二
- 学会等名
  2015年第76 回応用物理学会秋季学術講演
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H04159
[学会発表] Plasma-induced photon irradiation damage on low-k dielectrics enhanced by Cu-line layout2015
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, A. Tanihara, N. Yamamoto, S. Kasai, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2015-06-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Impacts of plasma process parameters on mechanical properties of c-BN thin-films2014
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, S. Hasegawa, M.Yamashita, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  The 8th Int. Conf. Reactive Plasmas / 31st Symp. Plasma Processing, 5B-AM-O2
- 年月日
  2014-02-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Fin 型トランジスタ加工におけるプラズマ誘起Si基板ダメージ形成モデル2014
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  第168回研究会(主催 : 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会)
- 発表場所
  東京(東京大学)
- 年月日
  2014-02-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] プラズマ誘起 Si 基板ダメージの熱処理回復過程の検討(1)2014
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 深沢正永, 鷹尾祥典, 辰巳哲也, 斧高一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] プラズマチャージングダメージによる MOSFET ランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動2014
- 著者名/発表者名
  亀井政幸, 江利口浩二, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling as a powerful tool for understanding surface damage during plasma processing of materials2013
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  Plasma Etch and Strip in Microtechnology (PESM)
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2013-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique2013
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  Dry Process Symposium
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Effects of Plasma-Induced Si Damage Structures on Annealing Process Design-Gas Chemistry Impact2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, K. Eriguchi, T. Tatsumi, K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  Long Beach, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Effects of Plasma-Induced Si Damage Structures on Annealing Process Design-Gas Chemistry Impact2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, K. Eriguchi, T. Tatsumi, K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  the Long Beach Convention Center, California, USA
- 年月日
  2013-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling as a powerful tool for understanding surface damage during plasma processing of materials2013
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi
- 学会等名
  Plasma Etch and Strip in Microelectronics
- 発表場所
  ベルギー，ルーベン
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Atomistic simulations of plasma process-induced Si substrate damage - Effects of substrate bias-power frequency2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  Pavia, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics simulation of plasma-induced Si substrate damage : Latent defect structures and bias-frequency effects2013
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  The 66th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC)
- 発表場所
  Princeton, New Jersey
- 年月日
  2013-10-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics simulation of plasma-induced Si substrate damage: Latent defect structures and bias-frequency effects2013
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, and K. Ono
- 学会等名
  The 66th Annual Gaseous Electronics Conference
- 発表場所
  Princeton, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Surface Roughening during Si Etching in Inductively Coupled Cl2 Plasmas: Experimental Investigations and a Comparison with Numerical Simulations2013
- 著者名/発表者名
  (H. Tsuda), N. Nakazaki, D. Fukushima, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  6th International Conference on Plasma-Nanotechnology Science (IC-PLANTS2013)
- 発表場所
  Gero, Gifu, Japan
- 年月日
  2013-02-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] micro-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage2013
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Dry Process Symposium
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Formation Mechanisms of Nanoscale Surface Roughness and Rippling during Plasma Etching and Sputtering of Si under Oblique Ion Incidence2012
- 著者名/発表者名
  (H. Tsuda), Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium (AVS2012)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] High-k MOSFET performance degradation by plasma process-induced charging damage2012
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi
- 学会等名
  IEEE International Integrated Reliability Workshop
- 発表場所
  米国，カリフォルニア州レイクタホ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Optimization problems for plasma-induced damage - A concept for plasma-induced damage design2012
- 著者名/発表者名
  Koji Eriguchi
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol.
- 発表場所
  米国, テキサス州オースチン
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] High-k MOSFET performance degradation by plasma process-induced charging damage2012
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
- 発表場所
  Fallen Leaf Lake, USA
- 年月日
  2012-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] ナノスケールデバイスのためのプラズマプロセス2012
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  プラズマ・核融合学会第24回専門講習会『ナノテク時代のプラズマ技術』
- 発表場所
  京都工芸繊維大学
- 年月日
  2012-01-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Hを含むプラズマによるSi基板ダメージ構造とその回復プロセスについての検討2012
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 深沢正永, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 辰巳哲也, 斧高一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Si Etching with Cl and Br Beams: Ion Incident Angle and Neutral Radical Flux Dependence2012
- 著者名/発表者名
  (N. Nakazaki), H. Tsuda, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium (AVS2012)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si 基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析2012
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 中久保義則, 鷹尾祥典, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2012-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Improvement in the Evaluation Technique for Plasma-Etch Si Damage using Photoreflectance Spectroscopy with Temperature Control2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  AVS 58th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling of Parameter Fluctuation Induced by Plasma Process Damage in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effest Transistors2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi
- 学会等名
  19th Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor
- 発表場所
  Korea
- 年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling of Parameter Fluctuation Induced by Plasma Process Damage in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2011
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  19th Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  Daejeon, Korea
- 年月日
  2011-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] 物理的プラズマダメージによるMOSFETオフリーク電流とそのバラツキの増大モデル2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  第16回研究会ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 招待講演
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2011-01-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] プラズマ誘起ダメージ2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  Plasma Conference 2011
- 発表場所
  金沢
- 年月日
  2011-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] 物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Defect Profiling Using a Wet-Etch Technique and Photoreflectance Spectroscopy for He- and Ar-Plasma-Damaged Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 33rd International Symposium on Dry Process (DPS 2011)
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2011-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A New Prediction Model for Effects of Plasma-Induced Damage on Parameter Variations in Advanced LSIs2011
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.Int.Conf.on Integrated Circuit Design & Technol.(ICICDT)
- 発表場所
  Taiwan
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討2011
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 江利口浩二, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2011-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A New Prediction Model for Effects of Plasma-Induced Damage on Parameter Variations in Advanced LSIs2011
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2011-05-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Defect Profiling Using a Wet-Etch Technique and Photoreflectance Spectroscopy for He-and Ar-Plasma-Damaged Si Substrate2011
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Proc.33rd International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2011-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Siエッチングダメージのモデリング2011
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会招待講演
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2011-02-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling the Effects of Plasma-Induced Physical Damage on Subthreshold Leakage Current in Scaled MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Int.Conf.on Integrated Circuit Design&Technol
- 発表場所
  フランス/グルノーブル
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Trade-off relationship between Si recess and defect density formed by plasma-induced damage in planar MOSFETs and the optimization strategies2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling the Effects of Plasma-Induced Physical Damage on Subthreshold Leakage Current in Scaled MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Int.Conf.on Integrated Circuit Design & Technology
- 発表場所
  フランス/グルノーブル
- 年月日
  2010-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Plasma-Induced Damage and Its Impacts on Parameter Variations in Advanced Electronic Devices2010
- 著者名/発表者名
  江利口浩二
- 学会等名
  AVS 57th International Symposium&Exhibition 招待講演
- 発表場所
  米国/アルバカーキー
- 年月日
  2010-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] プラズマによるSi基板ダメージとMOSデバイス特性劣化の相関モデル2010
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Plasma-Induced Damage and Its Impacts on Parameter Variations in Advanced Electronic Devices2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi
- 学会等名
  AVS 57th International Symposium & Exhibition
- 発表場所
  米国/アルバカーキー(招待講演)
- 年月日
  2010-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] A Model for Effects of RF Bias Frequency and Waveform on Si Damage d-Layer Formation during Plasma Etching2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.63rd Gaseous Electronics Conference (GEC) and 7th International Conference on Reactive Plasmas (ICRP)
- 発表場所
  フランス/パリ
- 年月日
  2010-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Advanced Contactless Analysis of Plasma-Induced Damage on Si by Temperature-Controlled Photoreflectance Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp. Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Trade-off relationship between Si recess and defect density formed by plasma-induced damage in planar MOSFETs and the optimization strategies2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] A Model for Effects of RF Bias Frequency and Waveform on Si Damaged-Layer Formation during Plasma Etching2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proc.63rd Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas
- 発表場所
  フランス/パリ
- 年月日
  2010-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of Plasma Process Fluctuation on Variation in MOS Device Parameters2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology&Science 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of Plasma Process Fluctuation on Variation in MOS Device Parameters2010
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science, 2010
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Study of Wet-Etch Rate of Plasma-Damaged Surface and Interface Layers and Residual Defect Sites2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process 2010
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] プラズマプロセスにおけるSi基板ダメージ層形成モデルの提案2010
- 著者名/発表者名
  江利口浩二, 中久保義則, 松田朝彦, 鷹尾祥典, 斧高一
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Proceedings of 31st International Symposium on Dry Process, 2009, pp. 267-268
- 発表場所
  韓国釜山
- 年月日
  2009-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Assessment of Ion-Bombardment Damage in Plasma-Exposed Si by Interface Layer Thickness and Charge-Trapping Defects2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Simulation and Experimental Study on the Characteristics of Plasma-Induced Damage and Methodology for Accurate Damage Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, R.Ogino, H.Ohta, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  IEEE Int.Conf.on Integrated Circuit Design&Technol
- 発表場所
  米国/オースチン
- 年月日
  2009-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of O_2 addition on Si substrate surface damage exposed to Ar plasma2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Comprehensive Modeling of Threshold Voltage Variability Induced by Plasma Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Threshold Voltage Instability Induced by Plasma Process Damage in Advanced MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, Y.Nakakubo, A.Matsuda, M.Kamei, Y.Takao, K.Ono
- 学会等名
  Symp.Dry Process, 2009
- 発表場所
  韓国/釜山
- 年月日
  2009-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Detailed Analysis of Plasma-Damaged Layer and Its Significance in Si Surface Structures by Spectroscopic Ellipsometry and Molecular Dynamics Simulations2009
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, R. Ogino, Y. Nakakubo, H. Ohta., K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポシオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Identification of Carrier Trapping Defect Sites in Plasma-Exposed Si Surface by Optical and Electrical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  Y. Nakakubo, A. Mtsuda, R. Ogino, M. Kamei, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポシオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Si表面のプラズマダメージの精確な解析における界面層の重要性2009
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 荻野力, 中久保義則, 太田裕朗, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Bias frequency dependence of pn junction chargin damage induced by plasma processing2009
- 著者名/発表者名
  M.Kamei, Y.Nakakubo, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Effects of O2 addition on Si substrate surface damage exposed to Arplasma2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会館
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Si表面のプラズマダメージの精確な解析における界面層の重要性2009
- 著者名/発表者名
  松田朝彦, 荻野力, 中久保義則, 太田裕朗, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  ・2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Simulation and Experimental Study on the Characteristics of Plasma-Induced Damage and Methodology for Accurate Damage Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, R.Ogino, H.Ohta, K.Eriguchi, K.
- 学会等名
  International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2009)
- 発表場所
  米国テキサス州
- 年月日
  2009-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] 02添加ArプラズマによるSi基板表面層内誘起欠陥の電気的解析2009
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 荻野力, 上田義法, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  ・2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] O_2添加ArプラズマによるSi基板表面層内誘起欠陥の電気的解析2009
- 著者名/発表者名
  中久保義則, 松田朝彦, 荻野力, 上田義法, 江利口浩二, 斧高一
- 学会等名
  2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Identification of Carrier Trapping Defect Sites in Plasma-Exposed Si Surface by Optical and Electrical Techniques2009
- 著者名/発表者名
  Y.Nakakubo, A.Matsuda, R.Ogino, M.Kamei, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  プラズマ科学シンポジウム2009/第26回プラズマプロセシング研究会
- 発表場所
  名古屋大学豊田講堂・シンポジオン
- 年月日
  2009-02-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Modeling of Ion-Bombardment Damage on Si Surfaces for In-Line Analysis2009
- 著者名/発表者名
  A.Matsuda, Y.Nakakubo, M.Kamei, Y.Takao, K.Eriguchi, K.Ono
- 学会等名
  第22回プラズマ材料科学シンポジウム
- 発表場所
  東京大学山上会
- 年月日
  2009-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360329
[学会発表] Surface roughening during Si etching in inductively coupled Cl2 plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  8th International Conference on Reactive Plasmas and 31st Symposium on Plasma Processing (ICRP-8/SPP-31)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Si Etching in HBr-based Plasmas: Ion Incident Energy and Angle Dependence
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  AVS 60th International Symposium (AVS2013)
- 発表場所
  Long Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Impacts of Plasma-induced Charging Damage on Random Telegraph Noise (RTN) Behaviors in MOSFETs with SiO 2 and High-k Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  M. Kamei, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Modeling of plasma-induced damage during the etching of ultimately-scaled transistors in ULSI circuits - A model prediction of damage in three dimensional structures
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi
- 学会等名
  67th Annual Gaseous Electronics Conference
- 発表場所
  Raleigh, NC, USA
- 年月日
  2014-11-03 – 2014-11-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Low-temperature microwave repairing for plasma-induced local defect structures near Si substrate surface
- 著者名/発表者名
  T. Iwai, K. Eriguchi, S. Yamauchi, N. Noro, J. Kitagawa, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Molecular dynamics simulation of etch by-product ion incidence during Si etching in Cl-based plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  26th Symposium on Plasma Science & Materials (SPSM26)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] A New Aspect of Plasma‐Induced Physical Damage in Three‐Dimensional Scaled Structures
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Austin, TX, USA
- 年月日
  2014-05-29 – 2014-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] μ-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] A model for plasma-induced latent defects in three-dimensional structures and its application to parameter variation analysis of FinFETs
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Plasma-Induced Damage in 3D Structures behind Device Scaling
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  Plasma Etch and Strip in Microtechnology (PESM)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Effects of ion energy on surface and mechanical properties of BN films formed by a reactive plasma-assisted coating method
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, S. Hasegawa, M. Yamashita, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Atomistic simulations of plasma process-induced Si substrate damage - Effects of substrate bias-power frequency
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Comprehensive Evidence-based Guidelines for Annealing Plasma- damaged Si Substrates -Impact of plasma process conditions-
- 著者名/発表者名
  M. Fukasawa, A. Matsuda, Y. Nakakubo, S. Sugimura, K. Nagahata, Y. Takao, K. Eriguchi, K. Ono, T. Tatsumi
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Optimization problems for plasma-induced damage - A concept for plasma-induced damage design
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, Y. Nakakubo, A. Matsuda, M. Kamei, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  IEEE Proc. Int. Conf. on Integrated Circuit Design & Technol. (ICICDT)
- 発表場所
  Austin, Texas
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Scenario of plasma-induced physical damage in FinFET-the effects of "straggling" of incident ions by a range theory-
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, A. Matsuda, Y. Takao, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -
- 著者名/発表者名
  T. Ikeda, K. Eriguchi, A. Tanihara, S. Kasai, K. Ono
- 学会等名
  36th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-11-27 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630293
[学会発表] Molecular Dynamics Analysis of Surface Reaction Kinetics during Si Etching in Cl-based Plasmas
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  66th Annual Gaseous Electronics Conference (GEC2013)
- 発表場所
  Princeton, NJ, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008
[学会発表] Improved hardness and electrical property of c-BN thin films by magnetically enhanced plasma ion plating technique
- 著者名/発表者名
  M. Noma, K. Eriguchi, Y. Takao, N. Terayama, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Three-Dimensional Parameter Mapping of Annealing Process for HBr/O_2 -Plasma- Induced Damages in Si Substrates
- 著者名/発表者名
  A. Matsuda, Y. Nakakubo, M. Fukasawa, Y. Takao, T. Tatsumi, K. Eriguchi, K. Ono
- 学会等名
  Proc. 34th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Recovery of Plasma-Induced Si Substrate Damage Using Atmospheric Thermal Plasma
- 著者名/発表者名
  T. Okumura, K. Eriguchi, M. Saitoh, H. Kawaura
- 学会等名
  Proc. 35th International Symposium on Dry Process (DPS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360321
[学会発表] Molecular dynamics analysis of Si etching in HBr-based Plasmas: Effects of neutral radicals
- 著者名/発表者名
  N. Nakazaki, Y. Takao, K. Eriguchi, and K. Ono
- 学会等名
  35th International Symposium on Dry Process (DPS 2013)
- 発表場所
  Jeju, South Korea
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-21110008

1. 斧高一 (30311731)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 159件
2. 鷹尾祥典 (80552661)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 58件
3. 巽和也 (90372854)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 高橋和生 (50335189)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
5. 長谷川繁彦 (50189528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
6. 野間正男

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
7. 魏志強

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 太田裕朗

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

江利口 浩二 Eriguchi Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

超高密度反応性プラズマ法による窒化ホウ素ナノ結晶集合体構造の信頼性物理の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子捕獲準位の誘電損失機構を活用したナノ薄膜の欠陥回復と信頼性向上に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

パラメータ分離型アーク放電による窒化ホウ素膜のsp結合制御と機能設計の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゆらぎの確率過程を用いたマイクロ流体デバイス内の現象予測と信頼性評価技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

確率過程モデルにもとづくナノ構造体における欠陥制御型プロセス設計手法の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマによる表面ナノ周期構造形成に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンエネルギー確率分布関数制御型プラズマによる窒化ホウ素薄膜の組成制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

誘電率変調構造を有する有機系新機能素子を目指したプラズマ表面反応制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

統合型誘電率設計手法を用いた極低消費電力素子のナノ材料プロセスの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマと薄膜表面・界面の階層的複合反応制御による次世代ナノ加工技術の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノスケールのプラズマ微細加工技術開発のためのプラズマ・固体表面相互作用の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ領域誘電率解析手法を用いたプラズマ・固相界面改質プロセスの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マイクロプラズマスラスタの研究開発:高温反応場と高速流れ場の競合現象の解明と制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

江利口浩二 Eriguchi Koji

[図書] プラズマプロセス技術 (第4章ナノエッチング技術, 分担執筆)2017

[図書] 「2007半導体テクノロジー大全」第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術"2007

[図書] 2007半導体テクノロジー大全(第4編第4章第5節"高誘電体/電極材料エッチング技術")2007