塩島謙次 Shiojima Kenji

研究者番号	70432151
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2024年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 2016年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 2015年度: 福井大学, 工学研究科(研究院), 准教授 2012年度 – 2015年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2009年度 – 2011年度: 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 … もっと見る 2007年度 – 2008年度: 福井大学, 工学研究科, 准教授 2007年度: 福井大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2006年度: 福井大学, 大学院工学研究科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 物理化学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者界面顕微光応答法 / ワイドバンドギャップ半導体 / 2次元評価 / ショットキー電極 / GaN / 電極 / 金属／半導体界面 / SiC / ２次元評価 / グラフェン … もっと見る / 電子デバイス / ジャンクションバリアショットキーダイオード / 電界集中 / 金属/半導体界面 / 信頼性評価 / 表面損傷 / α-Ga2O3 / 耐圧評価 / IGZO / 欠陥評価 / ショットキー接触 / 金属ー半導体界面 / 二次元評価 / 窒化物半導体 / 窒化ガリウム / 表面保護 / 熱的安定性 / 炭素 / 半導体 … もっと見る研究代表者以外析出物 / テラヘルツ波 / Bi系半導体混晶 / Bi系混晶半導体 / 凝集体 / TEM / 欠陥評価 / THz波受送信素子 / 結晶欠陥 / 低温成長 / MBE / Ｂi系混晶半導体 / 電子顕微鏡 / 格子欠陥 / 結晶成長 / テラヘルツ素子 / 結晶評価 / 透過電子顕微鏡 / 欠陥 / GaAsBi / InGaAs / 混晶半導体 / アンテナ / 光伝導 / テラヘルツ分光 / 遠赤外 / 導波路 / テラヘルツ / A1N単結晶薄膜 / 固相C60薄膜 / AlN単結晶薄膜 / 電界効果トランジスタ / SiC基板 / 炭素系デバイス / グラフェン / 固相C_<60>薄膜 / 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) 隠す

高電圧印加界面顕微光応答法によるパワー素子用電極エッジの電界集中の2次元的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福井大学
低温測定界面顕微光応答法による低障壁金属／半導体界面のオーミック電極形成機構解明研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福井大学
新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  明治大学
近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属／半導体界面の劣化機構の2次元評価研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  福井大学
近赤外光励起THz波送受信素子向け低温成長GaAs系混晶半導体の欠陥の評価と制御
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  明治大学
   金沢工業大学
顕微光応答法による金属／ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
テラヘルツ波超集束効果を用いた新規なテラヘルツ時間領域分光法の開拓
- 研究代表者
  
  山本晃司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物理化学
- 研究機関
  福井大学
グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその２次元評価研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  福井大学
グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学
固相C_<60>及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究
- 研究代表者
 
 橋本明弘
- 研究期間 (年度)
 2007 – 2009
- 研究種目
 
 基盤研究(B)
- 研究分野
 
 電子・電気材料工学
- 研究機関
 福井大学
金属を用いない高耐熱電極に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  塩島謙次
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  福井大学

[図書] Control of Semiconductor Interfaces2020
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Katsuyoshi Washio, Seiichi Miyazaki, Hiroo Omi, Giuliana Impellizzeri
- 出版者
  Materials Science in Semiconductor Processing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[図書] Semiconductor Process Integration 112019
- 著者名/発表者名
  J. Murota, C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima
- 総ページ数
  233
- 出版者
  The Electrochemical Society
- ISBN
  9781623325824
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[図書] Semiconductor Process Integration 112019
- 著者名/発表者名
  J. Murota, C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima, Y. Cao
- 総ページ数
  233
- 出版者
  The Electrochemical Society, 65 South Main Street, New Jersey, USA
- ISBN
  9781623325824
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[図書] Semiconductor Process Integration 102017
- 著者名/発表者名
  J. Murota, C. L. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima, P. Chin,
- 総ページ数
  309
- 出版者
  The Electrochemical Society, 65 South Main Street, New Jersey, USA
- ISBN
  9781623324643
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[図書] 電気電子材料2016
- 著者名/発表者名
  伊藤利道　編著、吉門進三、尾崎雅則、鷲尾勝由、塩島謙次、斗内政吉
- 総ページ数
  239
- 出版者
  オーム社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[図書] Proceedings of the 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)2014
- 著者名/発表者名
  Seiichi Miyazaki, Matty R. Caymax, Siegfried Mantl, Masanobu Miyao, Junichi Murota, Toshio Ogino, Tsugunori Okumura, Kenji Shiojima, James C. Sturm, Shinichi Takagi, Akira Toriumi, Kastuyoshi Washio, Ya-Hong Xie, Shigeaki Zaima
- 総ページ数
  393
- 出版者
  Elsevier
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[図書] 2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説2014
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 総ページ数
  66
- 出版者
  （株）電子ジャーナル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[図書] 2013化合物半導体技術大全CD-ROM版2013
- 著者名/発表者名
  木浦成俊編集、塩島謙次他32名分著
- 総ページ数
  347
- 出版者
  株式会社電子ジャーナル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[図書] 化合物半導体大全2009
- 著者名/発表者名
  木浦成俊,塩島謙次, 他
- 出版者
  株式会社電子ジャーナル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Two‐Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily‐Mg‐Doped p‐/n‐GaN Structure under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy2024
- 著者名/発表者名
  Imabayashi Hiroki、Yoshimura Haruto、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Fujikura Hajime、Ohta Hiroshi、Mishima Tomoyoshi、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: - 号: 11
- DOI
  10.1002/pssb.202400033
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[雑誌論文] Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts2024
- 著者名/発表者名
  Imabayashi Hiroki、Sawazaki Hitose、Yoshimura Haruto、Kato Masashi、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 4 ページ: 04SP71-04SP71
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad32e0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[雑誌論文] (Invited) Characterization of Metal/GaN Schottky Contacts - Review from the Early Days2023
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 112 号: 1 ページ: 89-107
- DOI
  10.1149/11201.0089ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2023
- 著者名/発表者名
  Imabayashi Hiroki、Shiojima Kenji、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 162 ページ: 107536-107536
- DOI
  10.1016/j.mssp.2023.107536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and n-GaN by scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Kawasumi Yuto、Yasui Yuto、Kashiwagi Yukiyasu、Tamai Toshiyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 8 ページ: 086506-086506
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac7bc5
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Mapping of contactless photoelectrochemical etched GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?difference in electrolytes2022
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Matsuda Ryo、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Fukuhara Noboru、Mishima Tomoyoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1059-SC1059
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac4c6e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Imabayashi Hiroki、Yasui Yuto、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Fukuhara Noboru、Mishima Tomoyoshi、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SA ページ: SA1012-SA1012
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac8d6f
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響2022
- 著者名/発表者名
 SHIOJIMA Kenji、IMABAYASHI Hiroki、MISHIMA Tomoyoshi
- 雑誌名
 
 材料
 
 巻: 71 号: 10 ページ: 819-823
- DOI
 10.2472/jsms.71.819
- ISSN
 0514-5163, 1880-7488
- 年月日
 2022-10-15
- 言語
 日本語
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy?comparison between n- and p-type GaN samples2021
- 著者名/発表者名
  Matsuda Ryo、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Fukuhara Noboru、Mishima Tomoyoshi、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBD12-SBBD12
- DOI
  10.35848/1347-4065/abdf21
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of n-GaN Schottky contacts formed on facet-growth substrates using near-ultraviolet scanning internal photoemission microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Maeda Masataka、Kurihara Kaori
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 36
- DOI
  10.1088/1361-6641/abdd09
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Effects of surface treatment and annealing for Au/Ni/n-GaN Schottky barrier diodes2021
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Tanaka Ryo、Takashima Shinya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 5 ページ: 056503-056503
- DOI
  10.35848/1347-4065/abf5ab
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] (Invited) Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 104 号: 4 ページ: 69-82
- DOI
  10.1149/10404.0069ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Uniformity characterization of SiC, GaN, and α-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2021
- 著者名/発表者名
 Shiojima Kenji、Kawasumi Yuto、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Fukuhara Noboru、Mishima Tomoyoshi、Shinohe Takashi
- 雑誌名
 
 Japanese Journal of Applied Physics
 
 巻: 60 号: 10 ページ: 108003-108003
- DOI
 10.35848/1347-4065/ac2917
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-21K04135, KAKENHI-PROJECT-21K04910
[雑誌論文] Effect of Wafer Off‐Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Free‐Standing GaN Substrates2020
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Horikiri Fumimasa、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Mishima Tomoyoshi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 4
- DOI
  10.1002/pssb.201900561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Ni/p-GaNショットキー接触におけるMg濃度依存性2020
- 著者名/発表者名
  SHIOJIMA Kenji
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 69 号: 10 ページ: 717-720
- DOI
  10.2472/jsms.69.717
- NAID
  130007927956
- ISSN
  0514-5163, 1880-7488
- 年月日
  2020-10-15
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal photoemission microscopy2020
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Kato Masashi
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 118 ページ: 105182-105182
- DOI
  10.1016/j.mssp.2020.105182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] IoT社会の発展を支える半導体技術の新展開2020
- 著者名/発表者名
  SHIOJIMA Kenji
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 69 号: 11 ページ: 837-842
- DOI
  10.2472/jsms.69.837
- NAID
  130007941338
- ISSN
  0514-5163, 1880-7488
- 年月日
  2020-11-15
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of damage induced by neutral beam etching on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Suemitsu Tetsuya、Ozaki Takuya、Samukawa Seiji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCD13-SCCD13
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab106d
- NAID
  210000156134
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage2019
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Maeda Masataka、Mishima Tomoyoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCD02-SCCD02
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0f1a
- NAID
  210000155768
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)
  
  巻: - ページ: 169-172
- NAID
  40022094193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[雑誌論文] Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Kambara Hitoshi、Matsuda Tokiyoshi、Shinohe Takashi
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 685 ページ: 17-25
- DOI
  10.1016/j.tsf.2019.05.063
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)
  
  巻: - ページ: 169-172
- NAID
  40022094193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Mapping of a Ni/SiN x /n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Hashizume Takanori、Sato Masaru、Takeyama Mayumi B.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBC02-SBBC02
- DOI
  10.7567/1347-4065/aafd99
- NAID
  210000135392
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Defect observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky contacts on Si substrates using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hiroaki Konishi, Hiroyoshi Imadate, Yuya Yamaoka, Kou Matsumoto, and Takashi Egawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FG07-04FG07
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fg07
- NAID
  210000148932
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Observations of inhomogeneity of 3C-SiC layers grown on 6H-SiC substrates by using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Naoki Mishina, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FR06-04FR06
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fr06
- NAID
  210000149012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価2018
- 著者名/発表者名
  柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之
- 雑誌名
  
  第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集
  
  巻: 24 ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Effect of surface treatment of printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers using Ag nanoink: Two dimensional characterization by scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Kashiwagi Yukiyasu、Shigemune Tasuku、Koizumi Atsushi、Kojima Takanori、Saitoh Masashi、Hasegawa Takahiro、Chigane Masaya、Fujiwara Yasufumi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 7S2 ページ: 07MA01-07MA01
- DOI
  10.7567/jjap.57.07ma01
- NAID
  210000149374
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-18K04228
[雑誌論文] Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions2017
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CR06-04CR06
- DOI
  10.7567/jjap.56.04cr06
- NAID
  210000147678
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-15H00872, KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Mapping etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy2017
- 著者名/発表者名
  Terano Akihisa、Imadate Hiroyoshi、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 70 ページ: 92-98
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.10.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Mapping of n-GaN Schottky Contacts With Wavy Surface Morphology Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2017
- 著者名/発表者名
  Shiojima Kenji、Hashizume Takanori、Horikiri Fumimasa、Tanaka Takeshi、Mishma Tomoyoshi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 255 号: 5 ページ: 1700480-1700480
- DOI
  10.1002/pssb.201700480
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Mapping of ion-implanted n -SiC schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2017
- 著者名/発表者名
  Murase Shingo、Mishima Tomoyoshi、Nakamura Tohru、Shiojima Kenji
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 70 ページ: 86-91
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.10.055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Mapping of Au/a-IGZO Schottky contacts by using scanning internal photoemission microscopy2017
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima and Masato Shingo
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 2 ページ: 1600587-1600591
- DOI
  10.1002/pssb.201600587
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Mapping of Si/SiC p-n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04ER15-04ER15
- DOI
  10.7567/jjap.55.04er15
- NAID
  210000146429
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Two-dimensional characterization of ion-implantation damage in GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto, Tomoyoshi Mishima, and Tohru Nakamura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EG05-04EG05
- DOI
  10.7567/jjap.55.04eg05
- NAID
  210000146343
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[雑誌論文] Roles of lightly doped carbon in the drift layers of vertical n-GaN Schottky diode structures on freestanding GaN substrates2015
- 著者名/発表者名
  Takeshi Tanaka, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4 ページ: 041002-041002
- DOI
  10.7567/jjap.54.041002
- NAID
  210000144901
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy2015
- 著者名/発表者名
  Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara and Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 1017-1023
- DOI
  10.1002/pssb.201451579
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Nondestructive imaging of buried interfaces in SiC and GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2015
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, Tomoyoshi Mishima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 4 ページ: 046502-046502
- DOI
  10.7567/apex.8.046502
- NAID
  210000137483
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts2015
- 著者名/発表者名
  Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano and Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 1024-1030
- DOI
  10.1002/pssb.201451581
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Electrical characteristics of low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky contacts2015
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, Sachi Tachibana andKenji Shiojima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 252 号: 5 ページ: 1031-1037
- DOI
  10.1002/pssb.201451590
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes2014
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, Tomoyoshi Mishim
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 268-271
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.11.031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Alternating current operation of low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes2014
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 258-261
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.08.039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation2014
- 著者名/発表者名
  Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki, Yutaka Tokuda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 557 ページ: 207-211
- DOI
  10.1016/j.tsf.2013.10.077
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Surface-Stoichiometry-Controlled p-GaN Schottky Contacts2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, and Satoru Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52 号: 1S ページ: 01AF05-01AF05
- DOI
  10.7567/jjap.52.01af05
- NAID
  210000141778
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Effect of Inductively Coupled Plasma Etching in p-Type GaN Schottky Contacts2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, and Kazuki Nomoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52
- NAID
  210000142713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, Gako Araki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, and Gako Araki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JN06-08JN06
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jn06
- NAID
  210000142752
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts2013
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, and, K. Nomoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JJ08-08JJ08
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jj08
- NAID
  110009626389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces2013
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, and Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 52 号: 11S ページ: 11NH03-11NH03
- DOI
  10.7567/jjap.52.11nh03
- NAID
  210000143127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies2012
- 著者名/発表者名
  U. Honda, Y. Yamada, Y. Tokuda, K. Shiojima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)
  
  巻: vol51 号: 4S ページ: 04DF04-04DF04
- DOI
  10.1143/jjap.51.04df04
- NAID
  210000072148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352, KAKENHI-PROJECT-24560369
[雑誌論文] GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響2009
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
  
  ページ: 214-221
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響2009
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 雑誌名
  
  結晶成長学会誌
  
  巻: vol36 ページ: 214-221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN Heterostructures2009
- 著者名/発表者名
  Hironari Chikaoka, Yoichi Takakuwa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron. E92-C
  
  ページ: 691-695
- NAID
  10026822049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] I-V and C-V characteristics of rare-earth-metal/p-GaN Schottky contacts2009
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 6
- NAID
  120001296355
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure2009
- 著者名/発表者名
  H.Makino, N.Ishikawa, K.Shiojima, M.Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  210000066614
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure2009
- 著者名/発表者名
  H. Makino, N. Ishikawa, K. Shiojima, M. Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol48 号: 4S ページ: 691-695
- DOI
  10.1143/jjap.48.04c103
- NAID
  210000066614
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] I-V and C-V characteristics of rare-earth-metal/p-GaN Schottky contacts2009
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, Kenji Shiojima
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c)
  
  巻: vol.6 号: S2
- DOI
  10.1002/pssc.200880857
- NAID
  120001296355
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[雑誌論文] Optimum Rapid Thermal Activation for Mg-doped p-type GaN2008
- 著者名/発表者名
  Motoi Nagamori, Shuichi Ito, Hiroshi Saito, Kenji Shiojima, Shuhei Yamada, Naoki Shibata, and Masaaki Kuzuhara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 2865-2867
- NAID
  10022549626
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[雑誌論文] Dual-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors with short gate length for high-power mixers2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiojima, T.Makimura, T.Maruyama, T.Kosugi, S.Sugitani, N.Shigekawa, M.Hiroki, H.Yokoyama
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 3,No.3
  
  ページ: 469-472
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[雑誌論文] Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics ofAlGaN/GaN short-gate HEMTs2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiojima, T.Makimura, T.Maruyama, T.Suemitsu, N.Shigekawa, M.Hiroki, H.Yokoyama
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) 3,No.6
  
  ページ: 2360-2363
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[雑誌論文] AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation2006
- 著者名/発表者名
  K.Shiojima, T.Makimura, T.Kosugi, T.Suemitsu, N.Shigekawa, M.Hiroki, H.Yokoyama
- 雑誌名
  
  2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
  
  ページ: 1331-1334
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[産業財産権] 評価方法、評価システム、半導体素子の製造方法、及び半導体素子2021
- 発明者名
  塩島謙次
- 権利者名
  塩島謙次
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-086773
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[産業財産権] 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法2016
- 発明者名
  塩島謙次
- 権利者名
  塩島謙次
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-145940
- 出願年月日
  2016-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[産業財産権] 半導体変調素子2012
- 発明者名
  塩島謙次
- 権利者名
  塩島謙次
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2012-12-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[産業財産権] 半導体素子及びその製造方法2007
- 発明者名
  塩島謙次
- 権利者名
  国立大学法人福井大学
- 出願年月日
  2007-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] 界面顕微光応答法によるGaNショットキー電極界面の2次元評価2024
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会　半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第4回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Ni/n-GaN ショットキー接触のI-V 特性における変位電流の評価2024
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、川西健太郎、太田博、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面顕微光応答法によるGaNショットキー電極界面の2次元評価2024
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第4回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts2023
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面顕微光応答法による電極界面の2次元評価－この7年間の進捗－2023
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会 2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価2023
- 著者名/発表者名
  吉村遥翔, 今林弘毅, 堀切文正, 成田好伸, 藤倉序章, 太田　博，三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Schottky Contacts under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy2023
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Haruto Yoshimura, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Hajime Fujikura, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 低温MBE成長GaAsBi層の光電評価2023
- 著者名/発表者名
  梅田皆友、今林弘毅、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価2023
- 著者名/発表者名
  梅田皆友，今林弘殻, 塩島謙次, 梅西達哉, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 上田修
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mg ドープp-/n-GaN ショットキー接触の二次元評価2023
- 著者名/発表者名
  今林弘毅, 吉村遥翔, 太田博, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会　第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN ショットキー接触の二次元評価2023
- 著者名/発表者名
  吉村　遥翔、今林　弘毅、堀切文正、成田好伸、藤倉序章、太田　博、三島　友義、塩島　謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 低温MBE成長GaAsBi層の光電評価2023
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、梅田皆友、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価2023
- 著者名/発表者名
  今林弘毅, 澤崎仁施, 吉村遥翔, 伊藤夏輝, 加藤正史, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法による n-GaN ショットキー接触の電界集中の可視化2023
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 金属/GaNショットキー電極評価の変遷2023
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会（CPM）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Misima, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法による裾を引いたNi/n-GaNショットキー電極の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林　弘毅、三島　友義、塩島　謙次
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会　第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたdoped-AlNのフォーミング現象の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  川角優斗，今林弘毅，塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 金属/GaNショットキー電極の評価－黎明期からの振り返り－2022
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第8回個別討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Osamu Ueda
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session (ADMETA Plus 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 金属／GaNショットキー電極の評価－黎明期からの振り返り－2022
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回個別討論会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Two-dimensional characterization on Schottkky contacts on AlGaN / GaN HEMTs by scanning internal phoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Masahiro Uchida, Yuto Kawasumi, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, and Tetsu Kachi
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semicpnductor Interface (ISCSI-IX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, and Tetsu Kachi
- 学会等名
  9th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-IX))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅, 堀切文正, 成田好伸, 福原　昇, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス(ED)研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  安井悠人、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、今林弘毅、塩島謙次
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるNi/n-GaNショットキー接触の電極端面構造の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅, 堀切文正, 成田好伸, 福原昇, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、塩島謙次、加地徹
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Misima, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Osamu Ueda
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session (ADMETA Plus 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Two-dimensional characterization on Schottky contacts on AlGaN / GaN HEMTs by scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Masahiro Uchida, Yuto Kawasumi, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅, 塩島謙次, 加地徹
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるNi/n-GaNショットキー接触の電極端面構造の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、堀切文正、成田好伸、福原昇、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 界面顕微光応答法による電極界面の２次元評価ーこの7年間の進歩ー2022
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会 2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  今林　弘毅、塩島　謙次、加地　徹
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会　第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界の二次元評価2022
- 著者名/発表者名
  安井悠人, 堀切文正, 成田好伸, 福原昇, 三島友義, 今林弘毅，塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価2021
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、田中　亮、高島信也、上野勝典、江戸雅晴
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたワイドギャップ半導体／金属ショットキー接触界面の面内均一性評価2021
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 川角優斗, 堀切文正, 福原昇, 三島友義, 四戸孝, 今林弘毅
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価2021
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、田中　亮、高島信也、上野勝典、江戸雅晴
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2021-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 界面光顕微応答法によるワイドバンドギャップ半導体ショットキー接触の均一性評価2021
- 著者名/発表者名
  川角優斗，堀切文正，福原昇, 三島友義,四戸孝, 塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会令和3年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  240th Electrochemical society (ECS) Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価2021
- 著者名/発表者名
  川角優斗，安井悠人，柏木行康，玉井聡行，塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga2O3ショットキー接触の面内均一性評価2021
- 著者名/発表者名
  川角優斗, 堀切文正, 福原昇, 三島友義, 四戸孝, 塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts with Different Surface Treatments2021
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno and Masaharu Edo
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applicationa for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---2021
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, R. Matsuda, F. Horikiri, Y. Narita, N. Fukuhara and T. Mishima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面光顕微応答法によるSiC、GaN、a-Ga2O3ショットキー接触の均一性の評価2021
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、川角優斗、堀切文正、福原昇、三島友義、四戸孝
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  240th Electrochemical society (ECS) Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の熱処理による電気的特性の改善2021
- 著者名/発表者名
  今林弘毅,　塩島謙次,　田中　亮,　高島信也,　上野勝典,　江戸雅晴
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] 界面光顕微応答法によるSiC、GaN、α-Ga2O3ショットキー接触の均一性の評価2021
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 川角優斗，堀切文正，福原昇, 三島友義,四戸孝
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---2021
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, R. Matsuda, F. Horikiri, Y. Narita, N. Fukuhara and T. Mishima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Mapping of Schottky Contacts on p-4H-SiC Wafers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2021
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, and Masashi Kato
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW) 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04135
[学会発表] Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed by Using Ni Nanoink2020
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, Toshiyuki Tamai
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価2020
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、Nabilah Fatin、松田稜、加藤正史
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の評価2020
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、田中亮、高島信也、上野勝典、江戸雅晴
- 学会等名
  応用物理学秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるコンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価2020
- 著者名/発表者名
  松田陵、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価2020
- 著者名/発表者名
  川角優斗、安井悠人、柏木行康、玉井聡行、塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの２次元評価－n形とp形の比較－2020
- 著者名/発表者名
  松田　陵、堀切　文正、成田　好伸、吉田　丈洋、福原　昇、三島　友義、塩島　謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いた窒化物半導体HEMT上のショットキー電極の2次元評価2020
- 著者名/発表者名
  内田昌宏、川角優斗、西村一巳、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of Photoelectrochemical Etched Ni/GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy -- Comparison between n- and p-type GaN samples -2020
- 著者名/発表者名
  Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] コンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの評価 --電解液による違い--2020
- 著者名/発表者名
  松田陵、堀切文正、福原昇、成田好伸、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面光顕微応答法によるゲートリセスPECエッチングしたAlGaN/GaN HEMT構造の二次元評価2020
- 著者名/発表者名
  川角優斗、堀切文正、福原昇、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaN上に印刷法で形成したNi，Agショットキー接触の二次元評価2020
- 著者名/発表者名
  川角優斗、安井悠人、柏木行康、玉井聡行、塩島謙次
- 学会等名
  令和2年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微応答法を用いたInAlN-HEMT構造上のショットキー電極の2次元評価2020
- 著者名/発表者名
  内田昌宏、川角優斗、西村一巳、渡邉則之、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の二次元評価2020
- 著者名/発表者名
  平野智也, 朝日重雄, 喜多隆, 塩島謙次
- 学会等名
  令和2年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、松田稜、加藤正史
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会（CPM）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 --n形とp形の比較--2019
- 著者名/発表者名
  松田陵, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会令和元年度第2回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会（CPM）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Uniformity Characterization of Printed Schottky Contacts Formed on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Atsushi Koizumi, Masashi Saitoh, Toshiyuki Tamai, and Yasufumi Fujiwara
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、谷川智之、片山竜二、松岡隆志
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Hole traps produced in MOVPE-grown n-GaN by hydrogen implantation2019
- 著者名/発表者名
  Yutaka Tokuda, Shun Itoh, Kazuya Tamura, Joji Ito, Takahide Yagi, Kenji Shiojima
- 学会等名
  18th Conference on Defects-Recognition , Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Freestanding GaN Substrates2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、劣化過程の2次元解析2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第24回結晶工学セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  松田陵、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるエッチングしたGaN表面の2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of Photo-Electrochemical Etched Ni/n-GaN Schottkey Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Ryo MATSUDA, Fumimasa HORIKIRI, Yoshinobu NARITA, Takehiro YOSHIDA, Tomoyoshi MISHIMA, Kenji SHIOJIMA
- 学会等名
  Material Research Meeting 2019 (MRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of n-GaN Schottky Contacts Formed on Facet-Growth Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Kaori Kurihara
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、劣化過程の2次元解析2019
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第24回結晶工学セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価2019
- 著者名/発表者名
  松田陵、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 (Ⅱ)--n形とp形の比較―2019
- 著者名/発表者名
  松田陵、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of interfacial reaction of a-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, and Takashi Shinohe
- 学会等名
  4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、末光哲也、尾崎卓哉、寒川誠二
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー接触の2次元評価2018
- 著者名/発表者名
  前田昌嵩、塩島謙次、栗原香
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of neutral-beam etching iduced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa
- 学会等名
  IWN 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of neutral-beam etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa
- 学会等名
  IWN 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  IWN 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of Ni/SiNx/n-SiC Structure Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2018 (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー接触の2次元評価2018
- 著者名/発表者名
  前田昌嵩、塩島謙次、栗原香
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の２次元評価2018
- 著者名/発表者名
  橋爪孝典、佐藤勝、武山真弓、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価2018
- 著者名/発表者名
  柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之
- 学会等名
  第24回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム（Mate2018）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  IWN 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of interfacial reaction of a-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyashi Matsuda, and Takashi Shinohe
- 学会等名
  4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] GaNショットキー接合の黎明期からのふり返り2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  日本学術振興会産学協力研究委員会半導体界面制御技術第154 委員会第107 回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、前田昌嵩、三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、末光哲也、尾崎卓哉、寒川誠二
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission micoscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of Ni/SiNx/n-SiC Structure Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials 2018 (SSDM 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] GaN系材料の結晶評価、電極形成技術のふり返り2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、佐川知大、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、三島友義
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定2018
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 前田　昌嵩, 三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04228
[学会発表] Effect of Surface Treatment in Printed Ag Schottky Contacts on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink2017
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Yukiyasu Kashiwagi, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi Fujiwara
- 学会等名
  Advanced Metallization Coference 2017 (ADMETA 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるSi基板上Ni/AlGaN/GaNショットキー接触の２次元評価2017
- 著者名/発表者名
  小西宏明、今立宏美、山岡優哉、松本功、江川孝志、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化過程の2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  村瀬真悟、渡村遥、末光哲也、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、橋爪孝典、堀切文正、田中丈士、三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価2017
- 著者名/発表者名
  纐纈悠貴、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal phoemission microscopy2017
- 著者名/発表者名
  S. Shiojima, T. Hashizume, F. Horikiri, T. Tanaka, and T. Mishima
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、三品直樹、市川尚澄、加藤正史
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市（パシフィコ横浜）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] In-Situ Mapping of Degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using Video-Mode Scanning Internal Photoemission Microscopy2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 金属／GaNショットキー接触の評価－黎明期からの振り返り－2017
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定2017
- 著者名/発表者名
  前田昌嵩、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 界面顕微光応答法によるα-Ga2O3ショットキー接触の界面反応の2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  今立宏美、神原仁志、徳田梨絵、松田時宜、四戸孝、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第147回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal photoemission microscopy2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, T. Hashizume, F. Horikiri, T. Tanaka, and T. Mishima
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価2017
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第147回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Defect Observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky Contacts on Si Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, H. Konishi, H. Imadate, Y. Yamaoka, K. Matsumoto, T. Egawa
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] In-Situ Mappinh of Dehradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using Video-Mode Scanning Internal Photoemission Microscopy2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers2017
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定2017
- 著者名/発表者名
  前田昌嵩、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布2017
- 著者名/発表者名
  林賢太郎、太田博、堀切文正、成田好伸、吉田丈洋、藤倉序章、塩島謙次、中村徹、三島友義
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、市川尚澄、加藤正史
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  今立宏美、寺野昭久、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  今立　宏美、寺野　昭久、塩島　謙次
- 学会等名
  平成２８年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
- 発表場所
  大阪府立大学
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるSi/SiC ヘテロ接合の2 次元評価2016
- 著者名/発表者名
  新郷正人, LiangJianbo, 重川直輝, 塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会
- 発表場所
  福井市（福井大学）
- 年月日
  2016-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  新郷正人、市川尚澄、加藤正史、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、村瀬真悟、前田昌嵩、三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  京都市(京都大学)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Role of C Doping in Low-Carrier n-GaN Epitaxial Layers for High-Power Schottky Diode Development2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
- 発表場所
  Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  村瀬真悟、三島友義、中村徹、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都（東工大）
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/n-SiCの界面反応の２次元評価2016
- 著者名/発表者名
  橋爪孝典, 畑祐介, 加藤正史, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Mapping of ICP-Etching Induced Damages on GaN Surfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Hiroyoshi Imadate, Akihisa Terano, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV)
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 橋爪孝典, 堀切文正, 田中丈士, 三島友義
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価2016
- 著者名/発表者名
  青木俊周、寺地徳之、小出康夫、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市（朱鷺メッセ）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Observation of Initial Stage of Degradation in Ni/n-GaN Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Shingo Murase, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orland Lake Buena Vista, Orland, Florida, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 電圧ストレスにより劣化したn-GaN ショットキー接触の2 次元評価2016
- 著者名/発表者名
  村瀬真悟, 太田博, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会
- 発表場所
  福井市（福井大学）
- 年月日
  2016-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Mapping of Ion-Implanted n-SiC Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2016
- 著者名/発表者名
  Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV)
- 発表場所
  Nagoya University, Nagoya, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 顕微光応答法による金属/半導体界面の２次元評価2016
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会
- 発表場所
  福井市（福井大学）
- 年月日
  2016-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価2015
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価2015
- 著者名/発表者名
  永縄萌、青木俊周、吉田丈洋、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたAu/a-IGZOショットキー接触の通電劣化の2次元評価2015
- 著者名/発表者名
  新郷正人、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 電圧ストレス印加により劣化したn-GaNショットキー電極の2次元評価2015
- 著者名/発表者名
  村瀬真悟、太田博、三島友義、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 2-Dimentional Characterization of Ion-implantation Damage in GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2015
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura
- 学会等名
  nternational conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo convention center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] GaN系デバイスにおける結晶欠陥の影響2015
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  金属学会セミナー
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス
- 年月日
  2015-11-12
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価2015
- 著者名/発表者名
  新郷正人、Jianbo Liang、重川直輝、新井学、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋市（名古屋国際会議場）
- 年月日
  2015-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC junctions by Surface Activated Bonding2015
- 著者名/発表者名
  Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masato Shingo, Manabu Arai and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo convention center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] Non-destructive imaging of buried interfaces of SiC and GaN Schottky diodes by scanning internal photoemission microscopy2015
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  42nd International Symposium on Compound Semiconducors (ISCS)
- 発表場所
  UCSB, Santa Barbara, CA, USA
- 年月日
  2015-06-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-GaNショットキー接触の２次元評価2015
- 著者名/発表者名
  村瀬真悟, 山本晋吾,田中丈士, 三島友義, 中村徹、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy2015
- 著者名/発表者名
  Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015)
- 発表場所
  Sapporo convention center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05981
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価2015
- 著者名/発表者名
  山本晋吾、畠山信也、末光哲也、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価2014
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 山本　晋吾, 木原雄平
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  大阪大
- 年月日
  2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法を用いたn-GaNショットキー接触の２次元評価--表面構造の影響--2014
- 著者名/発表者名
  山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaN表面、界面、結晶欠陥の評価とデバイス特性への影響2014
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価･制御」
- 発表場所
  かんぽの宿恵那、岐阜県恵那市
- 年月日
  2014-09-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates2014
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法によるNi/n-SiCショットキー接触の２次元評価2014
- 著者名/発表者名
  木原雄平, 山本晋吾, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の電気的特性の評価2014
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 橘佐智, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価2014
- 著者名/発表者名
  山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts2014
- 著者名/発表者名
  Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano, Kenji Shiojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN contacts2014
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion of Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tohoku Univ., Sendai Japan
- 年月日
  2014-11-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の表面欠陥の評価2014
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価(2)2014
- 著者名/発表者名
  永縄萌, 青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy2014
- 著者名/発表者名
  Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説2014
- 著者名/発表者名
  塩島　謙次
- 学会等名
  Electronic Journal 第2615回 Technical Seminar
- 発表場所
  総評会館　東京
- 年月日
  2014-12-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Electrical Characteristics of Low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky Contacts2014
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, Sachi Tachibana and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes2013
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  第３２回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(守山市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響2013
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也、金田直樹,三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-2013
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、中村成志
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価（２）2013
- 著者名/発表者名
  木原雄平, 塩島謙次、青木俊周, 金田直樹, 三島友義
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価2013
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Characterization of electron traps in MOCVD p-GaN by minority carrier transient spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  Unhi Honda, Toshiya Matsuura, Hidenari Naito, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013)
- 発表場所
  Aichi Pref. Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価2013
- 著者名/発表者名
  山本晋吾、青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価2013
- 著者名/発表者名
  青木俊周, Ji-Su Son、天野浩、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Initial stage of ohmic formation for Ti/Al contacts on GaN and AlGaN/GaN2013
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, H. Yokohama, and G. Araki
- 学会等名
  6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  and  JSPS Core-to-Core Program
- 発表場所
  Sendai Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Displacement current in current-voltage characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価2013
- 著者名/発表者名
  塩島謙次, 木原雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  大阪大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] High-temperature ICTS study on ICP etching damages for p-GaN surfaces2013
- 著者名/発表者名
  Toshitika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, Kenji Shiojima
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013)
- 発表場所
  Aichi Pref. Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープｐ－GaNショットキー接触のAC動作2013
- 著者名/発表者名
  塩島謙次,青木俊周, 金田直樹, 三島友義
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  大阪大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価2013
- 著者名/発表者名
  塩島謙次、木原雄平、青木俊周, 金田直樹, 三島友義
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープp-GaNショットキー接触の交流動作2013
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 高抵抗GaNのトラップ評価2013
- 著者名/発表者名
  徳田豊、田中丈士、塩島謙次、乙木洋平
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes”, 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces2013
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
- 発表場所
  Fukoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Metal work function dependence of Schottky barrier height by internal photoemission measurements of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts2013
- 著者名/発表者名
  Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Systematic Study on Defect Formation and HEMT Operation of Low-Carbon Doped GaN Layers2013
- 著者名/発表者名
  Takeshi Tanaka, Yohei Otoki, Kenji Shiojima, and Yutaka Tokuda
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
- 発表場所
  Fukoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] High-Temperature ICTS Study on SiN Deposition Damages for Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, and Tomoyoshi Mishima
- 学会等名
  6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV)
- 発表場所
  Fukoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Characterization of traps in high-resistivity MOCVD GaN doped with carbon2013
- 著者名/発表者名
  Yutaka Tokuda, Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima and Yohei Otoki,
- 学会等名
  2013 MRS (Material Research Society) fall meeting
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces2013
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima
- 学会等名
  6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  and  JSPS Core-to-Core Program
- 発表場所
  Sendai Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説2013
- 著者名/発表者名
  塩島　謙次
- 学会等名
  Electronic Journal 第2029回 Technical Seminar
- 発表場所
  総評会館　東京
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(2)--高温ICTSによる評価―2012
- 著者名/発表者名
  高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 低Mgドープp-GaNショットキー接触の順方向I-V特性の解析2012
- 著者名/発表者名
  青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 光応答法によるTi/Alオーミック電極形成初期過程の評価2012
- 著者名/発表者名
  出店克顕, 横浜秀雄, 荒木賀行, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts2012
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, K. Nomoto, and K. Shiojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Electrical characteristics of surface stoichiometry controlled p-GaN Schottky contacts2012
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, and Satoru Tanaka
- 学会等名
  the International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(IsPlasma2012)
- 発表場所
  Aich, Japan
- 年月日
  2012-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Electrical characteristics of surface stoichiometry controlled p-GaN Schottky contacts2012
- 著者名/発表者名
  Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka
- 学会等名
  th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2012)
- 発表場所
  Aich, Japan
- 年月日
  2012-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響2012
- 著者名/発表者名
  高橋利文金田直樹三島友義野本一貴塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  福井大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性2012
- 著者名/発表者名
  高橋利文金田直樹三島友義梶原隆司田中悟塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  福井大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method2012
- 著者名/発表者名
  K. Demise, H. Yokohama, G. Araki, and K. Shiojima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価2012
- 著者名/発表者名
  本田銀熙,　塩島謙次,　徳田豊
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響2012
- 著者名/発表者名
  高橋利文, 金田直樹, 三島友貴, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Excitation energy dependence of minority carrier transient spectroscopy spectra of n-GaN2012
- 著者名/発表者名
  Unhi Honda, Tatsunari Shibata, Yujiro Yamada, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima, Hiroyuki Ueda, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, and Tetsu Kac
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560369
[学会発表] Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies2011
- 著者名/発表者名
  U.Honda, Y.Yamada, Y.Tokuda, K.Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  高橋利文, 出店克顕、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化2011
- 著者名/発表者名
  田中浩太郎、下辻康広、橋本明弘、塩島謙次、田中悟
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2011-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Ni/p-GaNショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価2011
- 著者名/発表者名
  出店克顕, 塩島謙次
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Evaluation of Mg-doping-concentration dependence for Ni/p-GaN Schottky contacts2011
- 著者名/発表者名
  K. Shiojima, K. Demise
- 学会等名
  9th International Conference Nitride Semiconductors(ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow UK.
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] P型GaN中の深い準位の評価2011
- 著者名/発表者名
  山田悠二郎,長谷川晶一,南部大翔,本田銀煕,徳田豊,塩島謙次
- 学会等名
  第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価2011
- 著者名/発表者名
  山田悠二郎, 横井将大, 坂崎真司, 石倉正也、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Evaluation of Mg-doping-concentration dependence for Ni/p-GaN Schottky contacts2011
- 著者名/発表者名
  K.Shiojima, K.Demise
- 学会等名
  9th International Conference Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow UK
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Graphene formation on GaN substrates and electrical characteristics of metal/graphene/GaN structure2011
- 著者名/発表者名
  K. Tanaka, Y. Shimotsuji, S. Tanaka, A. Hashimoto, and K. Shiojima
- 学会等名
  Graphene 2011
- 発表場所
  Bilbao Spain
- 年月日
  2011-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 炭素ドープn-GaN中の深い準位の評価2011
- 著者名/発表者名
 山田悠二郎, 横井将大, 坂崎真司^<1>, 石倉正也, 塩島謙次
- 学会等名
 第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
 神奈川工科大学
- 年月日
 2011-03-24
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies2011
- 著者名/発表者名
  U. Honda, Y. Yamada, Y. Tokuda, K. Shiojima
- 学会等名
  International conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2011-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化2011
- 著者名/発表者名
  田中浩太郎、下辻康広、橋本明弘、塩島謙次、田中悟
- 学会等名
  平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2011-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定2010
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2010-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN系電子デバイスの信頼性に与える欠陥の影響2010
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  (独)日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第121回研究会
- 発表場所
  日明治大学駿河台キャンパス
- 年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 光応答法によるp-GaNショットキー電極の評価2010
- 著者名/発表者名
  出店克顕、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] A1GaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響2010
- 著者名/発表者名
  國塩直樹, 塩島謙次, 秋山一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田豊
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 炭素ドーピングしたn-GaN中欠陥のDLTS、MCTSによる評価2010
- 著者名/発表者名
  山田悠二郎, 塩島謙次, 徳田豊
- 学会等名
  第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2010-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 化合物系電子デバイス新技術2010
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  (独)日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会研究会
- 発表場所
  産総研臨海副都心センター別館11階
- 年月日
  2010-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 化合物系電子デバイス新技術2010
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  独)日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会研究会
- 発表場所
  東京都招待講演
- 年月日
  2010-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] GaN系電子デバイスの信頼性に与える欠陥の影響2010
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  (独) 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第121回研究会
- 発表場所
  明治大学駿河台キャンパス
- 年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] n-GaNの深い準位への炭素の影響2009
- 著者名/発表者名
  秋山一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田豊, 國塩直樹, 塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Observation of the effect of carbon in defect formation for MOCVD grown n-GaN on SiC substrates2009
- 著者名/発表者名
  N. Kunishio, K. Shiojima, K. Akiyama, Y. Yamada, Y. Tokuda
- 学会等名
  International Conference Nitride Semiconductors-8(ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] Observation of the effect of carbon in defect formation for MOCVD grown n-GaN on SiC substrates2009
- 著者名/発表者名
  國塩直樹, 塩島謙次, 秋山一樹, 山田悠二郎, 徳田豊
- 学会等名
  International Conference Nitride Semiconductors-8 (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層転写過程のLEEM/AFM観察2009
- 著者名/発表者名
  森田康平, 寺崎博満, 塩島謙次, 田中悟, 日比野浩樹, 橋本明弘
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560352
[学会発表] 微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法2009
- 著者名/発表者名
  寺崎博満, 橋本明弘, 塩島謙次, 森田康平, 田中悟, 日比野浩樹
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] 転写されたSiC上エピタキシャルグラフェン層の層数・表面構造評価2009
- 著者名/発表者名
  上原直也, 寺崎博満, 森田康平, 塩島謙次, 日比野浩樹, 水野清義, 橋本明弘, 田中悟
- 学会等名
  2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山、日本
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360141
[学会発表] p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性-金属仕事関数依存性-2008
- 著者名/発表者名
  福島慶広、荻須啓太, 葛原正明、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉県習志野市
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] Ni/p-GaN接触の電気的特性の評価 -Mgドーピング濃度依存性-2007
- 著者名/発表者名
  福島慶広、荻須啓太, 葛原正明、塩島謙次
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性-金属仕事関数依存性-2007
- 著者名/発表者名
  福島慶広、荻須啓太, 葛原正明、塩島謙次
- 学会等名
  電気学会電子材料研究会
- 発表場所
  福井市
- 年月日
  2007-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] Metal work function dependence of Schottky barrier height measured from I-V and C-V characteristics of p-GaN contacts2007
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, and Kenji Shiojima
- 学会等名
  International Conference Nitride Semiconductors-7(ICNS-7)
- 発表場所
  米国ラスベガス
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展2007
- 著者名/発表者名
  塩島謙次
- 学会等名
  電子情報通信学会、電子デバイス研究会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2007-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031
[学会発表] Optimum Rapid Thermal Activation for Mg-doped p-type GaN2007
- 著者名/発表者名
  Motoi Nagamori, Shuichi Ito, Hiroshi Saito, Kenji Shiojima, Shuhei Yamada, Naoki Shibata and Masaaki Kuzuhara
- 学会等名
  International conference on Solid-State Devices and materials(SSDM)
- 発表場所
  茨城県つくば市
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18860031

1. 橋本明弘 (10251985)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 9件
2. 上田修 (50418076)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
3. 富永依里子 (40634936)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
4. 山本〓勇 (90210517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 福井一俊 (80156752)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 山本晃司 (70432507)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 池永訓昭 (30512371)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 今林弘毅 (10906324)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 加藤正史

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

塩島 謙次 Shiojima Kenji

研究課題

研究成果

共同研究者

高電圧印加界面顕微光応答法によるパワー素子用電極エッジの電界集中の2次元的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

低温測定界面顕微光応答法による低障壁金属／半導体界面のオーミック電極形成機構解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

近紫外光を用いた界面顕微光応答法による金属／半導体界面の劣化機構の2次元評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

近赤外光励起THz波送受信素子向け低温成長GaAs系混晶半導体の欠陥の評価と制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

顕微光応答法による金属／ワイドギャップ半導体界面の不均一な劣化機構の2次元評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

テラヘルツ波超集束効果を用いた新規なテラヘルツ時間領域分光法の開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

グラフェン膜の介在による電極特性の制御とその２次元評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

グラフェンを用いたGaN表面安定化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

固相C_<60>及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属を用いない高耐熱電極に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Control of Semiconductor Interfaces2020

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Semiconductor Process Integration 112019

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

塩島謙次 Shiojima Kenji