ＡｎｔｏｎＶ．Ｖｉｓｉｋｏｖｓ Anton V. Visikovskiy

… 別表記

Anton V.Visikovs Visikovskiy Anton

VISIKOVSKIY Anton

ANTON V.Visikovs アントンＶ．ビシコフスキー

研究者番号	70449487
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, 工学研究院, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2023年度: 九州大学, 工学研究院, 助教 2013年度: 九州大学, 大学院工学研究院, 助教 2012年度 – 2013年度: 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連研究代表者以外小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者 SiC / semiconductors / Dirac materials / spintronics / spin-orbit interaction / surface physics / silicon carbide / nitride / honeycomb lattice / 2D material … もっと見る / Silicon carbide / Xenes / spin-polarization / 2D materials / surface / Dirac material / graphene / Rashba effect / spin-orbit coupling / stanene / borophene / triangular lattice / boron / 2D layer / Spin polarization … もっと見る研究代表者以外電子状態 / エピタキシー / グラフェン / 転写 / モアレ積層グラフェン / 剥離転写手法 / CVDグラフェン / 角度分解光電子分光 / 角度制御 / モアレ / ツイスト２層グラフェン / SiC / ツイスト2層グラフェン / 表面制御 / バンドギャップ / ナノリボン / ナノ構造隠す

Honeycomb nitrides layers as playground for Xenes formation研究代表者
- 研究代表者
  
  Anton V.Visikovs
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  九州大学
回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価
- 研究代表者
  
  田中悟
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  九州大学
Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials研究代表者
- 研究代表者
  
  Anton V.Visikovs
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  九州大学
グラフェンナノ構造形成と構造ー電子物性相関
- 研究代表者
  
  田中悟
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  九州大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2013

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Electronic structure of 3°-twisted bilayer graphene on 4H-SiC(0001)2021
- 著者名/発表者名
  Takushi Iimori, Anton Visikovskiy, Hitoshi Imamura, Toshio Miyamachi, Miho Kitamura, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Satoru Tanaka, Fumio Komori
- 雑誌名
  
  Physical Review Materials
  
  巻: 5 号: 5
- DOI
  10.1103/physrevmaterials.5.l051001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-20H05179, KAKENHI-PROJECT-19H02595, KAKENHI-PROJECT-19H02602, KAKENHI-PROJECT-20H02853, KAKENHI-PROJECT-20K20906, KAKENHI-PROJECT-20K21119, KAKENHI-PROJECT-21K14541, KAKENHI-PROJECT-20KK0117
[雑誌論文] Coexistence of two types of spin splitting originating from different symmetries2019
- 著者名/発表者名
  Koichiro Yaji, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Kenta Kuroda, Singo Hayashi, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka, Fumio Komori and Shik Shin
- 雑誌名
  
  Physical Review Letters
  
  巻: 122 号: 12 ページ: 126403-126403
- DOI
  10.1103/physrevlett.122.126403
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K03484, KAKENHI-PROJECT-18K04941, KAKENHI-PROJECT-17K14319, KAKENHI-PROJECT-18H01146
[雑誌論文] Computational study of heavy group IV elements (Ge, Sn, Pb) triangular lattice atomic layers on SiC(0001) surface2018
- 著者名/発表者名
  Visikovskiy Anton, Hayashi Shingo, Kajiwara Takashi, Komori Fumio, Yaji Koichiro, Tanaka Satoru
- 雑誌名
  
  https://arxiv.org/abs/1809.00829
  
  巻: -
- オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04941
[雑誌論文] Triangular lattice atomic layer of Sn(1 × 1) at graphene/SiC(0001) interface2017
- 著者名/発表者名
  Hayashi Shingo、Visikovskiy Anton、Kajiwara Takashi、Iimori Takushi、Shirasawa Tetsuroh、Nakastuji Kan、Miyamachi Toshio、Nakashima Shuhei、Yaji Koichiro、Mase Kazuhiko、Komori Fumio、Tanaka Satoru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 015202-015202
- DOI
  10.7567/apex.11.015202
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PLANNED-26105008, KAKENHI-PROJECT-18K04941, KAKENHI-PROJECT-16H05963
[雑誌論文] raphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Kajiwara, Y. Nakamori, A.　Visikovskiy, T. Iimori, F. Komori, K. Nakatsuji, K. Mase, S. Tanaka
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 87 号: 12 ページ: 121407-121407
- DOI
  10.1103/physrevb.87.121407
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246014
[雑誌論文] Graphene nanoribbons grown on epitaxial SixCyOz layer on vicinal SiC(0001) surfaces by chemical vapor deposition2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hagihara, T. Kajiwara, A. Visikovskiy, S. Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 6 号: 5 ページ: 55102-55102
- DOI
  10.7567/apex.6.055102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246014
[学会発表] SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態2022
- 著者名/発表者名
  飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, Visikovskiy Anton, 田中悟, 小森文夫
- 学会等名
  日本物理学会第76回年次大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] Full tight-binding computational study of asymmetrically doped twisted bi- and trilayer graphene in relation with ARPES measurements2021
- 著者名/発表者名
  Anton Visikovskiy, Hitoshi Imamura, Takushi Iimori, Kazuhiko Mase, Fumio Komori, Satoru Tanaka
- 学会等名
  日本物理学会 2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] ツイスト2層グラフェンの構造緩和2021
- 著者名/発表者名
  今村均, ビシコフスキーアントン, 飯盛拓嗣, 宮町俊生，服部琢磨，中辻寛，北村未歩，堀場弘司，間瀬一彦，解良聡, 小森文夫, 田中悟
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] 大面積数度ツイストグラフェンの電子状態2021
- 著者名/発表者名
  飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, Visikovskiy Anton, 田中悟, 小森文夫
- 学会等名
  日本物理学会 2021年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態について II2020
- 著者名/発表者名
  飯盛拓嗣, 今村均, 魚谷亮介, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛, 間瀬一彦, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 田中悟, 小森文夫
- 学会等名
  物理学会年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] SiC(0001) 上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性2020
- 著者名/発表者名
  飯盛拓嗣、宮町俊生，服部琢磨，中辻寛，北村未歩, 堀場弘司，間瀬一彦、梶原隆司、Visikovskiy Anton，田中悟，小森文夫
- 学会等名
  物理学会秋季分科会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] 2D tin layers on SiC(0001)2020
- 著者名/発表者名
  Anton Visikovskiy, Hiroshi ando, Shingo Hayashi, Fumio Komori, Koichiro Yaji, Satoru Tanaka
- 学会等名
  59th Fullerenes-Nanotube-Graphene General Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04941
[学会発表] ツイスト2層グラフェンの形成と構造評価2020
- 著者名/発表者名
  今村均，魚谷亮介，白澤徹郎，解良聡，梶原隆司，ビシコフスキーアントン，飯森拓嗣，小森文夫，田中悟
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] ツイスト角に依存したツイストグラフェン電子状態のARPESによる研究2020
- 著者名/発表者名
  飯盛拓嗣，今村均，Visikovskiy Anton，魚谷亮介，梶原隆司，宮町俊生，服部琢磨，原沢あゆみ，矢治光一郎，中辻寛，北村未歩，堀場弘司，間瀬一彦，田中悟，小森文夫
- 学会等名
  日本表面真空学会学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] ツイスト2層グラフェンの形成と電子状態2020
- 著者名/発表者名
  今村均，魚谷亮介，白澤徹郎，解良聡，梶原隆司，ビシコフスキーアントン，飯森拓嗣，小森文夫，田中悟
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02602
[学会発表] Stability and electronic structure of novel triangular lattice atomic layers of In, Tl, Pb, and Bi on SiC(0001)2018
- 著者名/発表者名
  Visikovskiy Anton, Kajiwara Takashi, Tanaka Satoru
- 学会等名
  日本物理学会第73回年次大会（2018年）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04941

1. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
2. 小森文夫 (60170388)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
3. 橋本明弘 (10251985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 水野清義 (60229705)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 稲垣祐次 (10335458)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 神田晶申 (30281637)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 矢治光一郎

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
9. 宮町俊生

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
10. 林好一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

Ａｎｔｏｎ Ｖ．Ｖｉｓｉｋｏｖｓ Anton V. Visikovskiy

Anton V.Visikovs Visikovskiy Anton

VISIKOVSKIY Anton

ANTON V.Visikovs アントン Ｖ．ビシコフスキー

研究課題

研究成果

共同研究者

Honeycomb nitrides layers as playground for Xenes formation研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

グラフェンナノ構造形成と構造ー電子物性相関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electronic structure of 3°-twisted bilayer graphene on 4H-SiC(0001)2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Coexistence of two types of spin splitting originating from different symmetries2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Computational study of heavy group IV elements (Ge, Sn, Pb) triangular lattice atomic layers on SiC(0001) surface2018

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Triangular lattice atomic layer of Sn(1 × 1) at graphene/SiC(0001) interface2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] raphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Graphene nanoribbons grown on epitaxial SixCyOz layer on vicinal SiC(0001) surfaces by chemical vapor deposition2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Full tight-binding computational study of asymmetrically doped twisted bi- and trilayer graphene in relation with ARPES measurements2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ツイスト2層グラフェンの構造緩和2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 大面積数度ツイストグラフェンの電子状態2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態について II2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

ＡｎｔｏｎＶ．Ｖｉｓｉｋｏｖｓ Anton V. Visikovskiy

ANTON V.Visikovs アントンＶ．ビシコフスキー