裴艶麗 PEI Yanli

… 別表記

ペイヤンリペイヤンリ

研究者番号	70451622
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度: 東北大学, 国際高等研究教育機構, 助教 2011年度: 東北大学, 助教 2008年度 – 2011年度: 東北大学, 国際高等研究教育機構, 助教 2007年度: 東北大学, 国際高等融合領域研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 理工系
キーワード	研究代表者 SAND方法 / 不揮発性メモリ / 磁性金属ナノドット研究代表者以外複合ウェハ / ヘテロCMOSトランジスタ / セルフアセンブリー張り合わせる / 複合Ｓｉウェハ / セルフアセンブリー張り合わせ / ヘテロＣＭＯＳトランジスタ / 複合Siウェハ … もっと見る / 光電子集積システム・オン・チップ / シリコン貫通配線 / スーパーチップ / 光電子集積化 / 三次元集積化 / セルフアセンブリー / グラフォアセンブリー / 不挿発性メモリ / High-K絶縁膜 / 不揮発性メモリ / ナノ材料 / 半導体物性 / 電子デバイス・集積回路 / 量子ドット / 半導体超微細化隠す

複合Ｓｉウェハを用いた高性能・低電力ヘテロＣＭＯＳトランジスタの開発
- 研究代表者
  
  李康旭
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
高密度金属ナノドット磁性体の形成メカニズムの解明および新型メモリデバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  裴艶麗
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
グラフォアセンブリーによる三次元積層型光電子集積システム・オン・チップ
- 研究代表者
  
  小柳光正
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東北大学
金属ナノドット不揮発性メモリのナノインテグレーション
- 研究代表者
  
  田中徹
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学

すべて 2011 2010 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] "次世代半導体メモリーの最新技術", 第6章:その他のメモリー最新技術2009
- 著者名/発表者名
  田中徹, 裴艶麗
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[図書] 次世代半導体メモリの最新技術",第6章第3節:金属ナノドット不揮発性メモリ2009
- 著者名/発表者名
  田中徹, 裴艶麗
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2011
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Ji-Cheol Bea, Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology
  
  巻: (未定 In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760241
[雑誌論文] Effects of Postdeposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Toshiya Kojima, Tatsuro Hiraki, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (未定, 印刷中)
- NAID
  40017176042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2010
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, C. Yin, T. Kojima, J. Bea, H. Kino, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nanotechnology (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Investigation of Effects of Post-Deposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, T. Kojima, T. Hiraki, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (in print)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Investigation of Effects of Post-Deposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Toshiya Kojima, Tatsuro Hiraki, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760241
[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 63108-63108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High Density Tungsten Nanodots Floating Gate Formed by Self-Assembled Nanodot Deposition2009
- 著者名/発表者名
  Y Pei, C Yin, J C Bea, H Kino, T Fukushima, T Tanaka, M Koyanagi
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 24
  
  ページ: 45022-45022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 94
  
  ページ: 63108-63108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] MOSFET nonvolatile memory with a high-density tungsten nanodot floating gate formed by self-assembled nanodot deposition2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 24
  
  ページ: 45022-45025
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 94
  
  ページ: 63108-63108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, C. Yin, T. Kojima, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 95
  
  ページ: 33118-33118
- NAID
  120003728303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 95
  
  ページ: 33118-33118
- NAID
  120003728303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dots Dispersed in Silicon Nitride2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, H. Nohira, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 18
  
  ページ: 33-37
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dots Dispersed in Silicon Nitride2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima
- 雑誌名
  
  The Electrochemical Society Transactions 18
  
  ページ: 33-37
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 63108-63110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] "Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 2680-2683
- NAID
  210000064565
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2680-2683
- NAID
  210000064565
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter 93
  
  ページ: 113115-113117
- NAID
  120002338347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
  
  ページ: 113115-113117
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Electrical Characterization of MetalOxideSemiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 2680-2683
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
  
  ページ: 113115-113117
- NAID
  120002338347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[雑誌論文] Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008
- 著者名/発表者名
  Y. Pei
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (印刷中)
- NAID
  210000064565
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] シリコン貫通光配線を用いた三次元光電子集積化技術2011
- 著者名/発表者名
  乗木暁博, 李康旭, 裴志哲, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
- 学会等名
  J PCA Show 2011/ラージエレクトロニクスショー2011/2011マイクロエレクトロニクスショー/JISSO PROTEC2011
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226009
[学会発表] Band Energy Engineering of Metal Nanodots for High Performance Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  Y.Pei, T.Hiraki, T.Kojima, T.Fukushima, M.Koyanagi, T.Tanaka
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760241
[学会発表] Band Energy Engineered Metal Nanodots Nonvolatile Memory to Achieve Long Retention Characteristics2010
- 著者名/発表者名
  Tatsuro Hiraki, Yanli Pei, Toshiya Kojima, Ji-Choel Bea, Hisashi Kino, Mitsumasa Koyanagi, Tetsu Tanaka
- 学会等名
  The 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760241
[学会発表] A study of Charge Retention Characteristics of Metal Nanodots Memory2010
- 著者名/発表者名
  開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 小柳光正, 田中徹
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会2010年春季
- 発表場所
  東海大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Formation of Cobalt Nanodots Embedded in Silicon Oxide for Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  裴艶麗, 開達郎, 小島俊哉, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] 縦型メタルナノドット不揮発性メモリに関する研究2010
- 著者名/発表者名
  開達郎, 栗山祐介, 小島俊哉, Mariappan Murugesan, 裴艶麗, 木野久志, 裴志哲, 福島誉史, 小柳光正, 田中徹
- 学会等名
  応用物理学会2010年秋
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760241
[学会発表] A study of Charge Retention Characteristics of Metal Nanodots Memory2010
- 著者名/発表者名
  開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 小柳光正, 田中徹
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会2010年春季
- 発表場所
  神奈川県平塚市東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Formation of Cobalt Nanodots Embedded in Silicon Oxide for Nonvolatile Memory Application2010
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Tatsuro Hiraki, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference 2010 (CSTIC2010)
- 発表場所
  Shanghai, China.
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] メタルナノドットメモリの電荷保持特性に関する研究2009
- 著者名/発表者名
  開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
- 学会等名
  第70回応用物理学関係連合講演会2009年秋季
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] A Co-Nanodots Nonvolatile Memory with High-k Blocking Oxide for Implantable Biomedical Devices2009
- 著者名/発表者名
  C.K. Yin, Y.L. Pei, T. Kojima, T. Fukushima, M. Koyanagi, T. Tanaka
- 学会等名
  9th International Symposium on Nano-Biomedical Engineering
- 発表場所
  Sendai, Japan.
- 年月日
  2009-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei
- 学会等名
  International Semiconductor Technology Conference & China Semiconductor Technology International Conference 2009
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] High-k絶縁膜を有するタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2009
- 著者名/発表者名
  裴艶麗, 西嶋雅彦, 福島誉史, 田甲徹, 小柳光正
- 学会等名
  第69回応用物理学関係連合講演会2008年秋季
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2009-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] High-Performance MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Ji-Cheol Bea, Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  10th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2009)
- 発表場所
  Portland, OR, USA.
- 年月日
  2009-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] High-Performance MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2009
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Ji-Cheol Bea, Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  10^<th> Non-Volatile Memory Technology Symposium(NVMTS 2009)
- 発表場所
  Portland, OR, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride2009
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, H. Nohira, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 学会等名
  ISTC/CSTIC 2009
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2009-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Term Retention Characteristics of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dot Dispersed in Silicon Nitride2008
- 著者名/発表者名
  Y. Pei, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
- 学会等名
  MRS 2008 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA.
- 年月日
  2008-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan.
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] シリコン窒化膜中に埋め込んだタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2008
- 著者名/発表者名
  裴艶麗
- 学会等名
  第55回応用物理学会学術講演会2008春
- 発表場所
  日本大学,日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Term Retention Characteristics of MOS Memory Devices with Self-Asse mbled Tungsten Nano-Dot Dispersed in Silicon Nitride2008
- 著者名/発表者名
  Y. Pei
- 学会等名
  MRS 2008 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei
- 学会等名
  The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2008-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] High-k絶縁膜を有するタングステンナノドットフローティングゲートMOS'キャパシタのメモリ特性2008
- 著者名/発表者名
  裴艶麗
- 学会等名
  第69回応用物理学関係連合講演会2008年秋季
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory2008
- 著者名/発表者名
  裴艶麗
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2008-06-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] シリコン窒化膜中に埋め込んだタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2008
- 著者名/発表者名
  裴艶麗, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会2008年春季
- 発表場所
  日本大学
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] 金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2007
- 著者名/発表者名
  裴艶麗
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会2007秋
- 発表場所
  北海道工業大学,日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Memory Window Enhancement of MOS Memory Devices with High Density Self-Assembled Tungsten Nano-dot2007
- 著者名/発表者名
  Y. Pei
- 学会等名
  The 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] Memory Window Enhancement of MOS Memory Devices with High Density Self-Assembled Tungsten Nano-dot2007
- 著者名/発表者名
  Yanli Pei, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
- 学会等名
  The 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan.
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002
[学会発表] 金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2007
- 著者名/発表者名
  裴艶麗, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会2007秋
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063002

1. 田中徹 (40417382)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 33件
2. 福島誉史 (10374969)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 32件
3. 小柳光正 (60205531)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
4. 羽根一博 (50164893)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 三浦英生 (90361112)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 清山浩司 (60412722)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 李康旭 (90534503)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 裵志哲 (40509874)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. ムルゲサンマリアッパン (10509699)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

裴 艶麗 PEI Yanli

ペイ ヤンリ ペイ ヤンリ

研究課題

研究成果

共同研究者

複合Ｓｉウェハを用いた高性能・低電力ヘテロＣＭＯＳトランジスタの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高密度金属ナノドット磁性体の形成メカニズムの解明および新型メモリデバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

グラフォアセンブリーによる三次元積層型光電子集積システム・オン・チップ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属ナノドット不揮発性メモリのナノインテグレーション

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[図書] "次世代半導体メモリーの最新技術", 第6章:その他のメモリー最新技術2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] 次世代半導体メモリの最新技術",第6章第3節:金属ナノドット不揮発性メモリ2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effects of Postdeposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Investigation of Effects of Post-Deposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Investigation of Effects of Post-Deposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High Density Tungsten Nanodots Floating Gate Formed by Self-Assembled Nanodot Deposition2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] MOSFET nonvolatile memory with a high-density tungsten nanodot floating gate formed by self-assembled nanodot deposition2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2009

著者名/発表者名

裴艶麗 PEI Yanli

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