斉藤光史 Saito Mitsufumi

研究者番号	70452092
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京都立大学, システムデザイン研究科, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度: 首都大学東京, システムデザイン研究科, 助教 2017年度: 首都大学東京, 理工学研究科, 助教 2008年度: 富山大学, 地域連携推進機構・産学連携部門, 研究員 2008年度: 富山大学, 地域連携推進機構・産業連携部門, 研究員 2007年度: 富山大学, ベンチャービジネスラボラトリー, 非常勤研究員
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物理物性およびその関連分野
キーワード	研究代表者 Si / InSb / MBE / シリコン(Si) / インジウムアンチモン(InSb) / ヘテロエピタキシャル成長研究代表者以外キャリアドープ / デバイス化 / 輸送測定 / 強磁場測定 … もっと見る / 超伝導 / 異方性 / ネマティック超伝導 / デバイス / 超薄膜化 / 量子振動 / 磁気抵抗 / 微細加工 / 薄膜 / へき開法 / 単結晶 / BiCh2系層状化合物 / 層状化合物隠す

RO1-xFxBiCh2超薄膜における巨大ラシュバ効果の探索
- 研究代表者
  
  水口佳一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 研究分野
  
  応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  首都大学東京
Si(001)基板上での傾斜(111)面と単分子層を利用した薄膜形成研究代表者
- 研究代表者
  
  斉藤光史
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  富山大学

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer2009
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, C. Tatsuyama, K. Maezawa
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nano Technology Vol.7
  
  ページ: 145-148
- NAID
  130004439133
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[雑誌論文] Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-7x3-In surface reconstruction2008
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, Y. Yamashita, C. Tatsuyama, T. Tambo, K. Maezawa
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol (c)5, No.9
  
  ページ: 2772-2774
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[雑誌論文] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  Mitsufumi SAITO
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 6052-6054
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[雑誌論文] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Saito, M. Mori, K. Maezawa Appl
- 雑誌名
  
  Surf. Sci 254
  
  ページ: 6052-6054
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111)substrate
- 著者名/発表者名
  M. Saito, M. Mori, K. Ueda, K. Maezawa
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol.(c)(accepted) : Refereed
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Murata, K. Maezawa
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nano Technology (accepted) : Refereed
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果2008
- 著者名/発表者名
  斉藤光史
- 学会等名
  電気通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  石川県金沢市・金沢大学角間キャンパス
- 年月日
  2008-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Inprovement of rotated InSb films by additional In adsorption onto initial InSb bi-layer2008
- 著者名/発表者名
  Mitsufumi SAITO
- 学会等名
  8^<th> Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (TRSSS-8)
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2008-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜成長2008
- 著者名/発表者名
  斉藤光史
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉県船橋市・日本大学理工学部船橋キャンパス
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Maezawa
- 学会等名
  5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5)
- 発表場所
  Waseda University, Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, C. Tatsuyama, K. Maezawa
- 学会等名
  8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8)
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果2008
- 著者名/発表者名
  斉藤光史、森雅之、上田広司、前澤宏一
- 学会等名
  電気通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  石川県金沢市・金沢大学
- 年月日
  2008-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  Mitsufumi SAITO
- 学会等名
  35^<th> International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008)
- 発表場所
  Europa-Park, Rust, Germany
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(111) substrate via InSb bi-layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Mori, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, Y. Shinmura, K. Maezawa
- 学会等名
  15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
- 発表場所
  Univ. of British Columbia, Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] (111)面パターンを形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐弘樹、森雅之、斉藤光史、岩杉達矢、ノルスルヤティビンティアハマド、前澤宏一
- 学会等名
  秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市・中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜の成長2008
- 著者名/発表者名
  斉藤光史、森雅之、上田広司、吉田達雄、新村康成、前澤宏一
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  千葉県船橋市・日本大学理工学部
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長2008
- 著者名/発表者名
  中谷公彦、斉藤光史、上田広司、森雅之、前澤宏一
- 学会等名
  秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市・中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  M. Saito, M. Mori, K. Ueda, K. Nakatani, K. Maezawa
- 学会等名
  35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008)
- 発表場所
  Europa-Park, Rust, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Inprovement of rotated InSb films by additional In adsorption onto initial InSb bi-layer2008
- 著者名/発表者名
  M. Saito, M. Mori, C. Tatsuyama, K. Maezawa
- 学会等名
  8th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-8)
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate2007
- 著者名/発表者名
  M. Saito, M. Mori, K. Maezawa
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5)
- 発表場所
  Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003
[学会発表] Effects of In and Sb momo-layers to form rotated InSb films on a Si (111) substrate2007
- 著者名/発表者名
  Mitsufumi SAITO
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  東京都八王子市・首都大学東京
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19569003

1. 水口佳一 (50609865)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

斉藤 光史 Saito Mitsufumi

研究課題

研究成果

共同研究者

RO1-xFxBiCh2超薄膜における巨大ラシュバ効果の探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si(001)基板上での傾斜(111)面と単分子層を利用した薄膜形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-7x3-In surface reconstruction2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of In and Sb monolayers to form rotated InSb films on Si(111) substrate2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111)substrate

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Inprovement of rotated InSb films by additional In adsorption onto initial InSb bi-layer2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜成長2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001)substrate2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb bi-layer2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

斉藤光史 Saito Mitsufumi