小田将人 ODA Masato

研究者番号	70452539
その他のID
所属 (現在)	2019年度: 和歌山大学, システム工学部, 講師
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2019年度: 和歌山大学, システム工学部, 講師 2009年度 – 2011年度: 和歌山大学, システム工学部, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 GaN / 第一原理計算 / 欠陥反応 / 特異構造 / 電子格子相互作用 / GaN結晶 / 空孔欠陥 / 半導体物性 / 格子振動 / 欠陥 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る

電子-格子相互作用による特異構造の移動・変形の理論研究代表者継続中
- 研究代表者
  
  小田将人
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  和歌山大学
特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論研究代表者
- 研究代表者
  
  小田将人
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  和歌山大学
混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  和歌山大学

すべて 2019 2018 2017

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Electronic structures of a cerasome surface model2019
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1b61
- NAID
  210000156459
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[雑誌論文] Electronic structure of (ZnO)1－x(InN)x alloys calculated by interacting quasi-band theory2019
- 著者名/発表者名
  Furuki Ryota、Oda Masato、Shinozuka Yuzo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 ページ: 021002-021002
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaf56f
- NAID
  210000135281
- 査読あり / オープンアクセスとしている
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498, KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[雑誌論文] Investigation of the electron-phonon interactions around Ga vacancies in GaN and their role in the first stage of defect reactions2019
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab07a7
- NAID
  210000155984
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[雑誌論文] First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN2017
- 著者名/発表者名
  T. Tsujio, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 9 ページ: 091001-091001
- DOI
  10.7567/jjap.56.091001
- NAID
  210000148256
- ISSN
  0021-4922, 1347-4065
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  応用物理学会2018年春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated using IQB theory2018
- 著者名/発表者名
  Ryota Furuki, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] GaN中のGa欠陥移動の機構2018
- 著者名/発表者名
  小田将人
- 学会等名
  日本物理学会2018年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Stable Surface Structures of a Cerasome Model2018
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 学会等名
  Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN2018
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Electronic Structures of a Cerasome Surface Model2018
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 学会等名
  AiMES2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] 電子格子相互作用を介した欠陥反応機構2018
- 著者名/発表者名
  小田将人
- 学会等名
  NIMSナノシミュレーションワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice2018
- 著者名/発表者名
  Ihira Yoshihiro and Masato Oda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Electronic Structures of a NGa-VN complex defect in GaN2018
- 著者名/発表者名
  Masato Oda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] AlN/InN半導体調香師のフォノンモード解析2018
- 著者名/発表者名
  居平吉弘、小田将人
- 学会等名
  日本物理学会2018年秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] First-principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies2017
- 著者名/発表者名
  Y. Nakano, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 学会等名
  29th International Conference of Deftcts in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[学会発表] Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeshi, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 学会等名
  9th International Conference on Materials for Advanced Technologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05339

1. 篠塚雄三 (30144918)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
2. MA BEI

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

小田 将人 ODA Masato

研究課題

研究成果

共同研究者

電子-格子相互作用による特異構造の移動・変形の理論研究代表者継続中

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electronic structures of a cerasome surface model2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Electronic structure of (ZnO)1－x(InN)x alloys calculated by interacting quasi-band theory2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Investigation of the electron-phonon interactions around Ga vacancies in GaN and their role in the first stage of defect reactions2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

データソース

[学会発表] (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated using IQB theory2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] GaN中のGa欠陥移動の機構2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Stable Surface Structures of a Cerasome Model2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Electronic Structures of a Cerasome Surface Model2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 電子格子相互作用を介した欠陥反応機構2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice2018

小田将人 ODA Masato