大森雅登 Omori Masato

… 別表記

大森雅人 Ohmori Masato

研究者番号	70454444
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大分大学, 理工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2020年度: 大分大学, 理工学部, 准教授 2018年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任講師 2017年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 嘱託研究員 2016年度: 名古屋大学, 産学協同研究部門, 特任講師 2011年度 – 2015年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 嘱託研究員 … もっと見る 2012年度 – 2014年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 2012年度 – 2013年度: 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 嘱託研究員 2011年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2009年度 – 2011年度: 豊田工業大学, 工学部, 助教 2008年度: 豊田工業大学, 工学部, PD研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / ナノ構造物理 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 脳神経外科学
キーワード	研究代表者コラムナ量子ドット / ナノ細線 / 量子ドット / ホール効果測定 / フォトルミネッセンス / 活性化アニール / イオン注入 / GaN / フォトトランジスタ / 光ゲート … もっと見る / 窒化ガリウム / パワーデバイス / EDX / TEM / 量子ロッド / 分子線エピタキシー / ナノワイヤ / 光検出器 / MBE / 単一光子検出器 / 薄膜・量子構造・コラムナ量子ドット … もっと見る研究代表者以外量子ドット / 電界効果トランジスタ / 光検出器 / 高指数面基板 / アルミニウムアンチモン / ガリウムアンチモン / 2次元電子 / ショットキバリア光検出器 / n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合 / 赤外材料・素子 / 量子構造 / 電子デバイス / 歪み / ヘテロ接合 / AlGaAs/GaAs / AlGaN/GaN / ピエゾ電界 / ⅢⅤ族半導体 / 分極電荷 / 表面準位・界面準位 / ピエゾ抵抗 / 界面準位 / 表面準位 / ピエゾ効果 / HEMT / GaN / 治療 / 診断 / 中空ファイバ / 半導体ナノ結晶 / 脳腫瘍 / 光通信波長 / GaSb / GaAs / 光検出 / 単一光子検出 / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / 三角障壁 / 光伝導 / 1次元電子 / 量子細線 / 量子ナノ構造 / スピンデバイス / 量子デバイス隠す

光でゲート制御するGaN縦型パワーデバイスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  大森雅登
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  大分大学
   名古屋大学
GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊田工業大学
半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明
- 研究代表者
  
  川津琢也
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明研究代表者
- 研究代表者
  
  大森雅登
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  豊田工業大学
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
半導体ナノ結晶と中空ファイバを活用した脳腫瘍の診断・治療一体型デバイスの開発
- 研究代表者
  
  水野正明
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  脳神経外科学
- 研究機関
  名古屋大学
コラムナ量子ドットを用いたナノ細線フォトトランジスタによる単一光子検出の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大森雅登
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊田工業大学
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Photocurrent and photoluminescence characteristics of AlGaAs/GaAs double-heterostructures with a pair of two-dimensional electron and hole channels2017
- 著者名/発表者名
  Kushida T.、Ohmori M.、Sakaki H.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 122 号: 10 ページ: 104502-104502
- DOI
  10.1063/1.5001507
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016
- 著者名/発表者名
  Kazuya Sugimura, Masato Ohmor, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, and Hiroyuki Sakaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.7567/apex.9.062101
- NAID
  210000137928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03998, KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots2016
- 著者名/発表者名
  P. Vitushinskiy, M. Ohmori, T. Kuroda, T. Noda, T. Kawazu and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 9 号: 5 ページ: 052002-052002
- DOI
  10.7567/apex.9.052002
- NAID
  210000137876
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] Electrical characteristics of AlGaAs/GaAs heterostructures with a pair of 2-D electron and hole channels2015
- 著者名/発表者名
  T. Kushida, M. Ohmori, S. Osanai, D. Kawamoto, T. Noda and H. Sakaki
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on electron devices
  
  巻: 62 号: 11 ページ: 3619-3626
- DOI
  10.1109/ted.2015.2474735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[雑誌論文] Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics2014
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, Y. Kobayashi, P. Vitushinskiy, S. Nakamura, T. Kojima, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104, 8 号: 8 ページ: 81120-81120
- DOI
  10.1063/1.4867242
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25870885
[雑誌論文] Formation of InAs/AlGaAs/GaAs nanowire structures by self-organized rod growth on InAs quantum dots and their transport properties2013
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, T. Kojima, H. Sakaki, Appl. Phys
- 雑誌名
  
  Express
  
  巻: 6, 4 号: 4 ページ: 45003-45003
- DOI
  10.7567/apex.6.045003
- NAID
  10031166430
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-23760294, KAKENHI-PROJECT-25870885
[雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Diffusion process of excitons in the wetting layer and their trapping by quantum dots in sparsely spaced InAs quantum dot systems2011
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.98
  
  ページ: 133109-133109
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely-spaced InAs quantum dot systems2011
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi (c)
  
  巻: 8 ページ: 251-253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Formation of ultra-low density (≦104 cm-2) self-organized InAs quantum dots on GaAs by a modified molecular beam epitaxy method2008
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, T.Kawazu, K.Torii, T.Takahashi, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. Vol.1
- NAID
  10025080675
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Formation of Ultra-low Density (〓 10^4 cm^<-2>) Self-Organized InAsQuantum Dots on GaAs by a Modified Molecular Beam Epitaxy Method2008
- 著者名/発表者名
  Masato Ohmori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol. 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[産業財産権] 窒化物半導体装置の製造方法2019
- 発明者名
  大森雅登、加地徹、須田淳、ボコウスキミハウスタニスワフ
- 権利者名
  名古屋大学、トヨタ自動車株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-049963
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04281
[産業財産権] 窒化物半導体装置の製造方法2019
- 発明者名
  大森雅登、加地徹、須田淳、ボコウスキミハウスタニスワフ
- 権利者名
  名古屋大学、トヨタ自動車株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-049981
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04281
[産業財産権] 窒化物半導体装置の製造方法2019
- 発明者名
  大森雅登、加地徹、須田淳、ボコウスキミハウスタニスワフ
- 権利者名
  名古屋大学、トヨタ自動車株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2019-049952
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04281
[学会発表] 縦型GaNフォトトランジスタの特性評価2021
- 著者名/発表者名
  和田竜垂, 白石舞翔, 宮崎泰成, 大森雅登
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04281
[学会発表] GaN フォトトランジスタにおける光照射特性の評価2020
- 著者名/発表者名
  和田竜垂, 白石舞翔, 宮崎泰成, 大森雅登
- 学会等名
  2020年応用物理学会九州支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04281
[学会発表] ナノギャップ電極と結合した単一自己組織化InSb量子ドットにおける電気伝導特性2016
- 著者名/発表者名
  柴田憲治、大森雅登、榊裕之、平川一彦
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外光検出2015
- 著者名/発表者名
  大森雅登, 杉村和哉, 小嶋友也, 加戸作成, 野田武司, Pavel Vitushinskiy, 岩田直高, 榊裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25870885
[学会発表] 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作2015
- 著者名/発表者名
  杉村和哉、大森雅登、野田武司、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] InP(100) 基板上におけるInAs/InAlGaAs 量子ロッド構造の形成2015
- 著者名/発表者名
  大森雅登、野田武司、小嶋友也、杉村和哉、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] InAs/AlGaAs 量子ロッド構造の電流電圧特性2013
- 著者名/発表者名
  小嶋友也, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性2013
- 著者名/発表者名
  中村翔, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 年月日
  2013-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InAs/AlGaAs コラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価2012
- 著者名/発表者名
  大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Structural and transport properties of InAs/AlGaAs columnar quantum dots2012
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf 2012
- 発表場所
  Mauterndorf, Austria
- 年月日
  2012-02-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] CdSe/ZnSコロイド量子ドットの電界中の蛍光特性2012
- 著者名/発表者名
  田中俊成, 大森雅登, 榊裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23390346
[学会発表] Structural and TransportProperties of InAs/AlGaAs Columnar Quantum Dots2012
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, and H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf2012
- 発表場所
  Mauterndorf Austria
- 年月日
  2012-02-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] Structural and Transport Properties of InAs/AlGaAs Columnar Quantum Dots2012
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, and H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf2012
- 発表場所
  Mauterndorf, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価2012
- 著者名/発表者名
  大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価2012
- 著者名/発表者名
  大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] GaSb/GaAs 量子ドットを埋め込んだp 型FET による光検出の可能性2012
- 著者名/発表者名
  片岡政人, 大森雅登, 榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 自己形成量子ドットの形成法と光検出素子応用2011
- 著者名/発表者名
  大森雅登、川津琢也、野田武司、榊裕之
- 学会等名
  CRESTシンポジウム「トップダウンとボトムアップの融合によるナノ構造の作製と新機能発現」(招待講演)
- 発表場所
  東京大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価2011
- 著者名/発表者名
  小林由幸,大森雅登,Vitushinskiy Pavel,榊裕之
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] 自己形成量子ドットの形成法と光検出素子応用,CRESTシンポジウム2011
- 著者名/発表者名
  大森雅登,川津琢也,野田武司,榊裕之
- 学会等名
  トップダウンとボトムアップの融合によるナノ構造の作製と新機能発現
- 発表場所
  東京大学武田先端知ビル(招待講演)
- 年月日
  2011-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760294
[学会発表] ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価2011
- 著者名/発表者名
  小林由幸, 大森雅登, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Charge-sensitive tunneling diode towards single-photon detection2010
- 著者名/発表者名
  P.Vitushinskiy, M.Ohmori, H.Sakaki
- 学会等名
  The International Conference on Nanophotonics 2010
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Photoluminescence spectra and carrier capture processes in sparsely-spaced InAs quantum dot systems2010
- 著者名/発表者名
  M.Ohmori, P.Vitushinskiy, H.Sakaki
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] GaSb量子ドット入りGaAsFET素子の光照射効果:過渡応答2010
- 著者名/発表者名
  伊賀健一郎, 山附太香史, 大森雅登, 秋山芳広, 榊裕之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] InAs量子ドット系における光励起キャリアの発光再結合と濡れ層での拡散過程2009
- 著者名/発表者名
  高橋一真, 黒田知宏, 大森雅登, 榊裕之
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] TyPe-II GaSb/GaAs量子ドットのGaAs/AlGaAs量子井戸中における光学特性2009
- 著者名/発表者名
  大森雅登
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 量子ドットをコア部に入れたフォトニック・バンドギャップ・ファイバでのレーザ発振2008
- 著者名/発表者名
  大森雅登
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Conpound Semiconductors
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25870885
[学会発表] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性
- 著者名/発表者名
  小嶋友也, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25870885
[学会発表] 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外光検出
- 著者名/発表者名
  大森雅登、杉村和哉、小嶋友也、加戸作成、野田武司、Vitushinskiy Pavel、岩田直高、榊裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス　(神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] Effect of surface and interface states on the piezoresistivity of 2D electrons in III/V heterojunctions
- 著者名/発表者名
  M. Hokii, M. Ohmori, H. Sakaki
- 学会等名
  APS March Meeting 2014
- 発表場所
  Denver, Colorado, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価
- 著者名/発表者名
  大森雅登、Vitushinskiy Pavel、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Transport of Electrons in Self-assembled GaInAs Quantum Rod Structures
- 著者名/発表者名
  Tomoya Kojima, Masato Ohmori, Pavel Vitushinskiy, Hiroyuki Sakaki
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Conpound Semiconductors
- 発表場所
  Montpellier, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25870885
[学会発表] GaSb/GaAs量子ドットを埋め込んだp型FETによる光検出の可能性
- 著者名/発表者名
  片岡政人、大森雅登、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価
- 著者名/発表者名
  小林由幸、大森雅登、Vitushinskiy Pavel、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Structural and transport properties of InAs/AlGaAs columnar quantum dots
- 著者名/発表者名
  M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  17th International Winterschool Mauterndorf2012
- 発表場所
  Mauterndorf, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合におけるピエゾ効果と荷電表面準位
- 著者名/発表者名
  保木井美和、秋山芳広、大森雅登、榊裕之
- 学会等名
  2013年春季　第60回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] CdSe/ZnSコロイド量子ドットの電界中の蛍光特性
- 著者名/発表者名
  田中俊成、大森雅登、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
- 著者名/発表者名
  中村翔, 大森雅登, Vitushinskiy Pavel, 榊裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25870885
[学会発表] 量子ドット構造を用いた三角障壁フォトダイオードの光検出特性
- 著者名/発表者名
  中村　翔，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InAs/AlGaAs量子ロッド構造の電流電圧特性
- 著者名/発表者名
  小嶋友也，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Transport of electrons in self-assembled GaInAs quantum rod structures
- 著者名/発表者名
  T. Kojima, M. Ohmori, P. Vitushinskiy, H. Sakaki
- 学会等名
  ISCS 2014 (The 41ｓｔ International Symposium on Compound Semiconductors)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095

1. 秋山芳広 (60469773)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
2. PAVEL Vitushinskiy (30545330)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
3. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 31件
4. 川津琢也 (00444076)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 1件
5. 野田武司 (90251462)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 水野正明 (70283439)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 渡慶次学 (60311437)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 岡本行広 (50503918)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 朴蓮洙 (50543534)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 湯川博 (30634646)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 岩田直高

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

大森 雅登 Omori Masato

大森 雅人 Ohmori Masato

研究課題

研究成果

共同研究者

光でゲート制御するGaN縦型パワーデバイスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ナノ結晶と中空ファイバを活用した脳腫瘍の診断・治療一体型デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

コラムナ量子ドットを用いたナノ細線フォトトランジスタによる単一光子検出の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Photocurrent and photoluminescence characteristics of AlGaAs/GaAs double-heterostructures with a pair of two-dimensional electron and hole channels2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Electrical characteristics of AlGaAs/GaAs heterostructures with a pair of 2-D electron and hole channels2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Triangular-barrier quantum rod photodiodes : Their fabrication and detector characteristics2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

大森雅登 Omori Masato

大森雅人 Ohmori Masato