城川潤二郎 KIKAWA Jyunjiro

研究者番号	70469196
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 2008年度 – 2010年度: 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 Interface / Trap / in situ SiN / dipole / MIS / CV / KFM / inversion layer / trap / interface / SiN / MIS-FET / GaN … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る X線光電子分光法 / ケルビン力顕微鏡 / ショットキー電極 / オーミック電極 / KOH / ウェットエッチング / MIS構造 / p型ドーピング / 極性 / DERI法 / ドライエッチング / 窒化インジウムガリウム / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウム / DERI / InGaN / RF-MBE / MBE / InN / ヘテロ構造隠す

InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング
- 研究代表者
  
  名西憓之 (名西やす之)
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
MIS/GaN-FETに於けるMIS構造の物性研究研究代表者
- 研究代表者
  
  城川潤二郎
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  立命館大学

すべて 2011 2010 2009 2008

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Study of the flatband voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing2010
- 著者名/発表者名
  J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguch, Y.Nanishi
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi B 246
  
  ページ: 1649-1652
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2009
- 著者名/発表者名
  J.Kikawa, Y.Horiuchi, E.Shibata, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A. Yamaguchi, Y Nanishi
- 雑誌名
  
  Material researchsociety symposium proceedings 1108
  
  ページ: 157-161
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2009
- 著者名/発表者名
  J.Kikawa, Y.Horiuchi, E.Shibata, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguchi, Y Nanishi
- 雑誌名
  
  Material research society symposium proceedings 1108
  
  ページ: 157-161
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN Grown by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS30)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2011-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246004
[学会発表] Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  H.Sakurai, J.Kikawa, R.Iwamoto, K.Wang, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9) 2011
- 発表場所
  グラスゴー(スコットランド)
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246004
[学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011
- 著者名/発表者名
  櫻井秀昭, 井脇明日香, 岩本亮輔, 山口智広, 城川潤二郎, 荒木努, 名西〓之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] 電流・電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2010
- 著者名/発表者名
  櫻井秀昭、井脇明日香、岩本亮輔、山口智弘、城川潤二郎、荒木努、名西〓之
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学神奈川県厚本市
- 年月日
  2010-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246004
[学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討2009
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
- 学会等名
  秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討2009
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎、堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充、大嶽浩隆, 藤罵辰也, 近松健太郎, 山口敦司, 名西〓之
- 学会等名
  秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Study of the flat band voltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing2009
- 著者名/発表者名
  J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguchi, Y Nanishi
- 学会等名
  2009 E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  Warsaw Univ.(Poland)
- 年月日
  2009-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Study of the flat bandvoltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing2009
- 著者名/発表者名
  J.Kikawa, M.Kaneko, H.Otake, T.Fujishima, K.Chikamatsu, A.Yamaguchi, Y Nanishi
- 学会等名
  2009 E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  Warsaw,Poland
- 年月日
  2009-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] CV測定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討2009
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎、堀内佑樹,柴田英次,金子昌充、大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
- 学会等名
  春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  つくば大学、茨城
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] CV測定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討2009
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎、堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充、大嶽浩隆, 藤嶌辰也, 近松健太郎, 山口敦司, 名西〓之
- 学会等名
  春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  つくば大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] GaN MIS構造のCV特性検討22008
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎,堀内佑樹,柴田英次,金子昌充,大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎,山口敦司,名西〓之
- 学会等名
  第69回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県中部大学、春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2008
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎, 堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充, 大嶽浩隆, 藤嶌辰也, 近松健太郎, 山口敦司, 名西?之
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Fall meeting
- 発表場所
  Boston, MA., U.S.A.
- 年月日
  2008-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconduct or structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2008
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎, 堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充, 大嶽浩隆,藤嶌辰也,近松健太郎, 山口敦司, 名西〓之
- 学会等名
  2008 Materials Research Society Fall meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2008-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341
[学会発表] GaN MIS構造のCV特性検討22008
- 著者名/発表者名
  城川潤二郎, 堀内佑樹, 柴田英次, 金子昌充, 大嶽浩隆, 藤蔦辰也, 近松健太郎, 山口敦司, 名西?之
- 学会等名
  第69回秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛知県春日井市中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560341

1. 金子昌充 (70374709)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
2. 名西憓之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
4. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
5. WANG Ke (60532223)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

城川 潤二郎 KIKAWA Jyunjiro

研究課題

研究成果

共同研究者

InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

MIS/GaN-FETに於けるMIS構造の物性研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Study of the flatband voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Temperature Dependence of I-V Characteristics of p-type InN Grown by RF-MBE2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Evaluation of P-type InN Using Temperature Dependence of I-V Characteristics2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 電流-電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 電流・電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Metal/SiN/GaN構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Study of the flat band voltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Study of the flat bandvoltage shift in Metal/Insulator/n-GaN capacitors by annealing2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] CV測定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

城川潤二郎 KIKAWA Jyunjiro