岡田成仁 Okada Narihito

… 別表記

岡田成人 OKADA Narihito

研究者番号	70510684
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 准教授 2017年度 – 2020年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 准教授 2017年度: 山口大学, 理工学研究科, 助教 2016年度: 山口大学, 創成科学研究科, 助教 2015年度: 山口大学, 大学院理工学研究科, 助教 2012年度 – 2015年度: 山口大学, 理工学研究科, 助教 2008年度 – 2010年度: 山口大学, 大学院・理工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 InGaN / LED / 非極性面 / GaN / 窒化物半導体 / 結晶成長 / 偏光特性 / 発光ダイオード / 非極性面GaN / 高電子移動度トランジスタ … もっと見る / 転位 / 点欠陥 / 超格子 / Vピット / 量子井戸 / 半導体物性 / 結晶工学 / 積層欠陥フリー / InGaNテンプレート / 透過型電子顕微鏡 / 完全緩和 / ファセット成長 / 半極性面 / InGaN多段ヘテロ中間層 / GaN基板 / InGaN underlying layer / Nitiride / seimpolar / 高効率化 / 窒化ガリウムインジウムテンプレート / GaInN / サファイア加工基板 … もっと見る研究代表者以外サファイア基板 / MOVPE / 半極性面 / GaN / 発光ダイオード / LED / 表面プラズモン / InGaN/GaN / 量子井戸 / 窒化物半導体 / 光デバイス / プラズモニクス / 研磨 / GaN基板 / 積層欠陥 / 転位 / HVPE / 結晶成長 / 無極性面隠す

AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田成仁
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  山口大学
GaN系LEDの転位に起因するVピットの形状操作と転位無効化メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田成仁
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  山口大学
ヘテロ中間層を用いた非極性面発光デバイスの偏光特性制御と高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田成仁
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  山口大学
高効率プラズモニック光・電子デバイスの基盤技術開発
- 研究代表者
  
  岡本晃一
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  九州大学
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製
- 研究代表者
  
  只友一行
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
高品質半極性面ＩｎＧａＮテンプレート上ＬＥＤの光学・発光特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田成仁
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山口大学
r面サファイア基板への無極性a面GaNの結晶成長と高効率緑色LEDへの応用
- 研究代表者
  
  只友一行
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
高品質非極性面窒化ガリウム上窒化ガリウムインジウムの結晶評価研究代表者
- 研究代表者
  
  岡田成仁
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山口大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT2020
- 著者名/発表者名
  Itakura Hideyuki、Nomura Toshihumi、Arita Naoki、Okada Narihito、Wetzel Christian M.、Chow T. Paul、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 2 ページ: 025133-025133
- DOI
  10.1063/1.5139591
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[雑誌論文] Characterization of high-quality relaxed flat InGaN template fabricated by combination of epitaxial lateral overgrowth and chemical mechanical polishing2019
- 著者名/発表者名
  N. Okada, Y. Inomata, H. Ikeuchi, S. Fujimoto, H. Itakura, S. Nakashima, R. Kawamura, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: ５１２ページ: 147-147
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.02.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[雑誌論文] Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer2018
- 著者名/発表者名
  Sugimoto Kohei、Okada Narihito、Kurai Satoshi、Yamada Yoichi、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 6 ページ: 062101-062101
- DOI
  10.7567/jjap.57.062101
- NAID
  210000149112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06428, KAKENHI-PROJECT-16K06264, KAKENHI-PROJECT-16K17514
[雑誌論文] Plasmonics toward high-efficiency LEDs from the visible to the deep-UV region2017
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, N. Okada, K. Tadatomo, K. Tamada
- 雑誌名
  
  SPIE Proceedings
  
  巻: 10124 ページ: 101240R-101240R
- DOI
  10.1117/12.2249589
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05732, KAKENHI-PROJECT-26289109
[雑誌論文] Fabrication and evaluation of plasmonic light-emitting diodes with thin p-type layer and localized Ag particles embedded by ITO2017
- 著者名/発表者名
  N. Okada, N. Morishita, A. Mori, T. Tsukada, K. Tateishi, K. Okamoto, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 121
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo,
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 253 号: 1 ページ: 36-45
- DOI
  10.1002/pssb.201552271
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FA07-05FA07
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa07
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Thickness and Growth Condition Dependence of Crystallinity in Semipolar (20-21) GaN Films Grown on (22-43) Patterned Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, T. Uchiyama, T. Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1142-1148
- DOI
  10.1002/pssb.201451562
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction2015
- 著者名/発表者名
  T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1149-1154
- DOI
  10.1002/pssb.201451564
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Fabrication of free standing {20-21} GaN substrates by HVPE using SiO2 masked GaN templates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 11 号: 3-4 ページ: 401-404
- DOI
  10.1002/pssc.201300484
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Characterization of Structural Defects in Semipolar {20-21} GaN Layers Grown on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo,
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 3 ページ: 035502-035502
- DOI
  10.7567/jjap.53.035502
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Growth of semipolar {11-22} GaN using SiNx intermediate layer by hydride vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  M. Ueno, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Solidi (c)
  
  巻: 11, No. 3-4 号: 3-4 ページ: 557-560
- DOI
  10.1002/pssc.201300520
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21} GaN on Patterned Sapphire Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Lecture Notes in Electrical Engineering
  
  巻: 306 ページ: 23-30
- DOI
  10.1007/978-3-319-05711-8_3
- ISBN
  9783319057101, 9783319057118
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Characterization of Structural Defects in Semipolar {20-21} GaN Layers Grown on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Generation of dislocation clusters by glide m-planes in semipolar GaN layers2014
- 著者名/発表者名
  N. Okada, A. Ishikawa, K. Yamane, K. Tadatomo, U. Jahn, and H. T. Grahn
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Solidi (a)
  
  巻: 211, No. 4 号: 4 ページ: 736-739
- DOI
  10.1002/pssa.201300465
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Characterization of semipolar {11-22} light-emitting diodes using a hole blocking layer2014
- 著者名/発表者名
  K. Nakao, M. Haziq, Y. Okamura, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Solidi (c)
  
  巻: 11, No. 3-4 号: 3-4 ページ: 775-777
- DOI
  10.1002/pssc.201300511
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Semipolar GaN growth on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane
- 雑誌名
  
  Proc. of SPIE
  
  巻: 8625 ページ: 8625031-7
- DOI
  10.1117/12.2007376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033, KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Self-separated large freestanding semipolar {11-22} GaN films using r-plane patterned sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  H. Furuya, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 52
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JA09-08JA09
- DOI
  10.7567/jjap.52.08ja09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Evaluation of {11-22} Semipolar Multiple Quantum Wells Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions2013
- 著者名/発表者名
  Katsumi Uchida, Seita Miyoshi, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, and Noriyuki Kuwano
- 雑誌名
  
  JJAP
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Evaluation of {11-22} Semipolar Multiple Quantum Wells Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions2013
- 著者名/発表者名
  K. Uchida, S. Miyoshi1, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, and N. Kuwano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JC07-08JC07
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jc07
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Development of patterned sapphire substrate and the application to the growth of non-polar and semi-polar GaN for light-emitting diodes2011
- 著者名/発表者名
  K.Tadatomo, N.Okada
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE Vol.7954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth Mechanism of Nonpolar and Semipolar GaN Layers from Sapphire Sidewalls on Various Maskless Patterned Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  N.Okada, H.Oshita, A.Kurisu, K.Tadatomo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.50
- NAID
  210000070128
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth Mechanism of Nonpolar and Semipolar GaN Layers from Sapphire Sidewalls on Various Maskless Patterned Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Narihito Okada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50
- NAID
  210000070128
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Characterization of semipolar (11-22) GaN on c-plane sapphire sidewall of patterned r-plane sapphire substrate without SiO2 mask2010
- 著者名/発表者名
  A.Kurisu, K.Murakami, Y.Abe, N.Okada, K.Tadatomo
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.7
  
  ページ: 2059-2062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth of Semiconductor (11-22) GaN Layer by Controlling Anisotropic Growth Rates in r-Plane Patterned Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  N.Okada, A.Kurisu, K.Murakami, K.Tadatomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth of Semipolar (112^-2) GaN Layer by Controlling Anisotropic Growth Rates in r-Plane Patterned Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  N.Okada
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 2
  
  ページ: 0910011-3
- NAID
  10025517429
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Growth of Semiconductor (11-22) GaN Layer by Controlling Anisotropic Growth Rates in r-Plane Patterned Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  N.Okada, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth of m-GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls2009
- 著者名/発表者名
  N.Okada, et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 206
  
  ページ: 1164-1167
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Growth of Semipolar (1122) GaN Layer by ControllGaInNisotropic Growth Rates in r-Plane Patterned Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Kurisu, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
  
  ページ: 91001-91001
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Growth of m-GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls2009
- 著者名/発表者名
  N. Okada, Y. Kawashima, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) 206No.6
  
  ページ: 1164-1167
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Direct Growth of m-plane GaN with Epitaxial Lateral Overgrowth from c-plane Sidewall of a-plane Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10025082981
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Direct Growth of m-plane GaN with Epitaxial Lateral Overgrowth from c-plane Sidewall of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada, Y. Kawashima, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
  
  ページ: 111101-111101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Direct Growth of m-plane GaN with Epitaxial Lateral Overgrowth from c-plane Sidewall of a-plane Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  N.Okada, Y.Kawashima, K.Tadatomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.1
- NAID
  10025082981
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[雑誌論文] Direct Growth of m-plane GaN with Epitaxial Lateral Overgrowth from c-plane Sidewall of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Growth mechanism of nonpolar m-plane GaN on maskless patterned a-plane sapphire substrate
- 著者名/発表者名
  Yuji Kawashima, Kazuma Murakami, Yuki Abe, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Characterization of semipolar (112￣2) GaN on c-plane sap-phire sidewall of patterned r-plane sapphire substrate without SiO2 mask
- 著者名/発表者名
  Akihiro Kurisu, Kazuma Murakami, Yuki Abe, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
- 雑誌名
  
  physica status solidi (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[雑誌論文] Growth of m-GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls
- 著者名/発表者名
  N. Okada
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法2014
- 発明者名
  橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  国立大学法人山口大学, 株式会社トクヤマ
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-033208
- 出願年月日
  2014-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[産業財産権] 自立基板の製造方法2013
- 発明者名
  古家大士,東正信,只友一行,岡田成仁,山根啓輔
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[産業財産権] 半導体装置の製造方法2013
- 発明者名
  古家大士,東正信,只友一行,岡田成仁,山根啓輔
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板およびその製造方法2013
- 発明者名
  古家大士,東正信,只友一行,岡田成仁,山根啓輔
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法2011
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  株式会社トクヤマ,国立大学法人山口大学
- 産業財産権番号
  2011-049487
- 出願年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法2011
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  トクヤマ,山口大学
- 出願年月日
  2011-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 多波長発光素子及びその製造方法2011
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権番号
  2011-053393
- 出願年月日
  2011-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 多波長発光素子及びその製造方法2011
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体基板及びその製造方法2011
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権番号
  2010-037025
- 出願年月日
  2011-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 多波長発光素子及びその製造方法2011
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2011-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体基板及びその製造方法2010
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 産業財産権番号
  2010-037025
- 出願年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 半導体基板及びその製造方法2010
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2010-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体基板及びその製造方法2009
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 出願年月日
  2009-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 出願年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 半導体基板およびその製造方法2009
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2009-08-20
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] サファイア基板の製造方法および半導体装置2009
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2009-02-09
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2009-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2009-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体基板及びその製造方法2009
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 出願年月日
  2009-08-20
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 出願年月日
  2009-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[産業財産権] 半導体基板およびその製造方法2009
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  国立大学法人山口大学
- 出願年月日
  2009-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2008
- 発明者名
  只友一行, 岡田成仁
- 出願年月日
  2008-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 緩和した厚膜InGaN上の長波長MQWの作製と評価2020
- 著者名/発表者名
  岩崎直矢、猪股祐貴、河村澪、岡田成仁、倉井聡、山田陽一、只友一行
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 完全緩和した{11-22}InGaN下地層上の多重量子井戸の発光特性2020
- 著者名/発表者名
  俵迫湧也、河村澪、西直矢、原田裕也、ヌルファラナジハマザラン、岡田成仁、倉井聡、山田陽一、只友一行
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] InGaN/GaN超格子によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの性能向上2020
- 著者名/発表者名
  松田駿佑, 田村元希, 野村俊文, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 長波長発光デバイス化に向けファセット成長したInGaN下地層の評価2020
- 著者名/発表者名
  原田裕也, 俵迫湧也, 河村澪, 西直矢, 岡田成仁,只友一行
- 学会等名
  2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 中温成長GaN ピット形成層上のInGaN 単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁評価2020
- 著者名/発表者名
  倉井聡、高俊吉、槇尾凌我、林直矢、湯浅翔太、岡田成仁、只友一行、山田陽一
- 学会等名
  2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] ファセット成長による高組成InGaN下地層の検討2020
- 著者名/発表者名
  西直矢、河村澪、川村洋史、原田裕也、俵迫勇也、岡田成仁、只友一行
- 学会等名
  2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  河村澪、岩崎直矢、猪股祐貴、岡田成仁、倉井聡、山田陽一、只友一行
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] InGaN 下地層及び InGaN/GaN SLがGaN系長波長LEDに与える影響2020
- 著者名/発表者名
  俵迫湧也, 河村澪, 西直矢, 原田裕也, 岡田成仁, 倉井聡, 山田陽一, 只友一行
- 学会等名
  2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] GaN系LEDの転位に起因するVピットの形状操作と転位無効化メカニズムの解明2019
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  新学術領域研究・特異構造第4回領域全体会議
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 中温成長GaNを用いたVピット形成とInGaN MQWの光学評価2019
- 著者名/発表者名
  岩崎直矢, 河村澪, 猪股祐貴, 藤井智也, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] ハイドライド気相成長法による積層欠陥の少ない高品質半極性{20-21}面GaNテンプレート上GaNの成長2019
- 著者名/発表者名
  新宮章吾、藤本怜、岡田成仁、ジェソン、ジュンハン、只友一行
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] Vピット形成層がInGaN/GaN MQWに与える影響2019
- 著者名/発表者名
  河村澪、猪股祐貴、岩崎直矢、藤井智也、岡田成仁、倉井聡、山田洋一、只友一行
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] InGaN underlying layerがAlGaN/GaN HEMTのデバイス特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  野村俊文、板倉秀之、田村元希、岡田成仁、只友一行
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 半極性InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強2019
- 著者名/発表者名
  亀谷純、中村俊樹、村尾文弥、松山哲也、和田健司、岡田成仁、只友一行、岡本晃一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] 緩和した厚膜InGaN上のLEDの検討2019
- 著者名/発表者名
  猪股祐貴、河村澪、藤井智也、岩崎直矢、岡田成仁、只友一行
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] InGaN/GaN超格子による GaN 系発光・電子デバイスの性能向上2019
- 著者名/発表者名
  岡田成仁，板倉秀之，猪股祐貴，河村澪，野村俊文，岩崎直矢，田村元希，只友一行
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04549
[学会発表] 緩和した厚膜InGaNの成長とその評価３2018
- 著者名/発表者名
  猪股祐貴、河村澪、中島慎太郎、板倉秀之、藤本怜、池内裕紀、岡田成仁、只友一行
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP2018
- 著者名/発表者名
  Yuki Inomata, Hideyuki Itajura, Satoru Fujimoto, Narihito Okada, and Kazuyuki Tadatomo
- 学会等名
  International conference of metal-organic vapor phase epitaxy XIX (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] 緩和した厚膜InGaNの成長とその評価II2018
- 著者名/発表者名
  猪股祐貴, 森下直起, 板倉秀之, 藤本怜, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] 緩和した厚膜InGaNの成長とその評価2017
- 著者名/発表者名
  森下直起, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17514
[学会発表] X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価2015
- 著者名/発表者名
  内山星郎，竹内正太郎，荒内琢士，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，今井康彦，木村滋，只友一行，酒井朗
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Plasmonic Light-Emitting Diodes with Thin p-Type Layer and Localized-Ag Layer Embedded by ITO2015
- 著者名/発表者名
  N. Okada, T. Tsukada, K. Tadatomo, K. Okamoto
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’15)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] Efficient InGaN-based Plasmonic Light-Emitting Diodes with Thin p-type Layers2015
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, T. Tsukada, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  The 10th Asia-Pacific Conference on Near-field Optics (APNFO10)
- 発表場所
  Hokkaido, japan
- 年月日
  2015-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] サファイア加工基板上への半極性{20-2-1}GaNの成長2015
- 著者名/発表者名
  永利圭，岡村泰仁，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  2015年度応用物理・物理系学会中四国支部合同学術講演会
- 発表場所
  徳島大学（徳島県徳島市）
- 年月日
  2015-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] 半極性自立GaN基板の作製2015
- 著者名/発表者名
  只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔, 古家大士, 橋本健宏
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第７回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] HVPEによるGaN非極性基板作製2015
- 著者名/発表者名
  只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 学会等名
  日本学術振興会第162委員会第94回研究会
- 発表場所
  主婦会館（東京都千代田区）
- 年月日
  2015-07-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Fabrication of semipolar free standing GaN Substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, and K. Yamane
- 学会等名
  German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices 2015
- 発表場所
  京都大学芝蘭会館（京都府京都市）
- 年月日
  2015-07-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Growth of Semipolar GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy on Patterned Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, and K. Yamane
- 学会等名
  CLEO-PR 2015
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Relationship between V-Pit Diameter and Potential Barrier Height in InGaN Based Light-Emitting Diodes2014
- 著者名/発表者名
  N. Okada, M. Haziq, K. Yamane, Y. Yamada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application'14 (LEDIA'14)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan(Oral presentation)( LED4-14)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長2014
- 著者名/発表者名
  稲垣卓志, 橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（東京都渋谷区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法を用いた成長条件の最適化による半極性面{11-22}GaNの基底面積層欠陥の低減2014
- 著者名/発表者名
  上野元久，山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（東京都渋谷区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Fabrication of InGaN Based Light-Emitting Diode Using Freestanding {20-21} GaN Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Y. Denpo, Y. Mitsui, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application'14 (LEDIA'14)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan(Poster presentation)(LEDp6-22)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] abrication of InGaN Based Light-Emitting Diode Using Freestanding {20-21} GaN Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Y. Denpo, Y. Mitsui, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14), LED4-12, Pacifico Yokohama
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, (Yokohama, Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] 自立{20-21}GaN基板を用いたInGaN系LED構造の作製2014
- 著者名/発表者名
  傳寶裕晶,光井勇祐,山根啓輔,岡田成仁,只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学,神奈川県(20a-PG1-10)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] プラズモン効果を目指した薄膜p層を有するInGaN系LEDの作製2014
- 著者名/発表者名
  塚田哲朗, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 立石和隆，岡本晃一
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（東京都渋谷区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法を用いた成長条件の最適化による半極性面{11-22}GaNの基底面積層欠陥の低減2014
- 著者名/発表者名
  上野元久,山根啓輔,岡田成仁,只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学,神奈川県(18p-E13-8)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] HVPEの成長条件が厚膜{20-21} GaNの結晶性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（東京都渋谷区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] 自立{20-21}GaN基板を用いたInGaN系LED構造の作製2014
- 著者名/発表者名
  傳寶裕晶, 光井勇祐, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（東京都渋谷区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長2014
- 著者名/発表者名
  稲垣卓志,橋本健宏,山根啓輔,岡田成仁,只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学,神奈川県(18p-E13-9)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] HVPEの成長条件が厚膜{20-21}GaNの結晶性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Evaluation of the Optical Polarization Properties in Semi-Polar {11-22} LEDs2014
- 著者名/発表者名
  Y. Okamura, K. Nakao, N. Okada, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application'14 (LEDIA'14)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan(Oral presentation)(LED4-12)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Evaluation of the Optical Polarization Properties in Semi-Polar {11-22} LEDs2014
- 著者名/発表者名
  Y. Okamura, K. Nakao, N. Okada, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14), LED4-12, Pacifico Yokohama
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, (Yokohama, Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] HVPEの成長条件が厚膜{20-21} GaNの結晶性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋本健宏,山根啓輔,岡田成仁,只友一行
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学,神奈川県(18p-E13-10)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法による自立{20-21}GaN基板の作製とLED応用2013
- 著者名/発表者名
  山根啓輔, 橋本健宏, 稲垣卓志, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都府京田辺）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in Semipolar {11-22} Light-Emitting Diodes Using Combination of InGaN Underlying Layer and Hole Blocking Layer2013
- 著者名/発表者名
  K. Nakao, K. Uchida, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gayload National Hotel and Convention Center, Washington DC Metropolitan Area, USA(Poster presentation)(BP3.30)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Generation of Defects by Glide m-planes in Semipolar GaN Layers2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, A. Ishikawa, K. Yamane, K. Tadatomo, U. Jahn, H. T. Grahn
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC Metropolitan Area(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Semipolar GaN substrate grown on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, K. Yamane, N. Okada, H. Furuya, and Y. Hashimoto
- 学会等名
  DPG Spring Meeting Deutschen Physikalischen Gesellschaft
- 発表場所
  Germany, Regensburg : Regensburug University
- 年月日
  2013-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC Metropolitan Area(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Characterization of structural defects in {20-21} GaN Layers on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inagaki, K. Yamane, Y. Hashimoto, M. Koyama, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University, Kyoto, Japan(Oral presentation)(17p-M6-7)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Semipolar GaN Growth on Patterned Sapphire Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, and Y. Hashimoto
- 学会等名
  SPIE, Photonics West 2013 SPIE (the international society for optics and photonics) Paper
- 発表場所
  USA, California : Mscone Center
- 年月日
  2013-02-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in semipolar GaN substrate grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, M. Koyama, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University, Kyoto, Japan(Poster presentation)(16p-PM1-7)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] HVPE成長したサファイア加工基板上厚膜 {20-21} GaNの積層欠陥の挙動2013
- 著者名/発表者名
  稲垣卓志, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- 発表場所
  香川大学(香川県高松市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21}GaN on Patterned Sapphire Substrate2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Symposium on O+RC:R[19]Cptomechatronic Technologies 2013 (ISOT2013)
- 発表場所
  Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju Island, Korea(Invited oral Presentation)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Characterization of structural defects in {20-21} GaN Layers on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inagaki, K. Yamane, Y. Hashimoto, M. Koyama, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University（Kyoto Tanabe)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Progress in semipolar GaN on patterned sapphire substrates by HVPE2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University (Kyoto)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Reduction of Defects in Semipolar {11-22} GaN Using SiNx Intermediate layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Ueno, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gayload National Hotel and Convention Center, Washington DC Metropolitan Area, USA(Poster presentation)(AP3.12)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Reduction of Defects in Semipolar {11-22} GaN Using SiNx Intermediate layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Ueno, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC Metropolitan Area(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in semipolar GaN substrate grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, M. Koyama, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University（Kyoto Tanabe)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] {11-22} Semipolar Light Emitting Diodes Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions and Thickness2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Uchida, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  E-MRS 2013 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center - Strasbourg(France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21} GaN on Patterned Sapphire Substrate2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  International Symposium on Optomechatronic Technologies 2013 (ISOT2013)
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Improvement on Flatness of GaN Layer and Utilization Efficiency of Ga Source by Flow Modulation on Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Bavaria, Germany(Invited oral Presentation)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Progress in semipolar GaN on patterned sapphire substrates by HVPE2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University, Kyoto, Japan(Invited oral Presentation)(17p-M6-2)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] サファイア加工基板を用いた{20-21} GaN成長における積層欠陥の抑制2013
- 著者名/発表者名
  橋本健宏, 小山正和, 稲垣卓志, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都府京田辺）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Improvement in Semipolar {11-22} Light-Emitting Diodes Using Combination of InGaN Underlying Layer and Hole Blocking Layer2013
- 著者名/発表者名
  K. Nakao, K. Uchida, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC Metropolitan Area(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gayload National Hotel and Convention Center, Washington DC Metropolitan Area, USA(Oral presentation)(A6.05)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] {11-22} Semipolar Light Emitting Diodes Using Relaxed Thick InGaN Layers with Various In Compositions and Thickness2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Uchida, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  E-MRS 2013 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center - Strasbourg, Strasbourg, France(L 1-3)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Advancement in Future Applications with III-Nitrides by Fusion Technology between Epitaxy and Processing2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Ultra-Precision Processing for III Nitride Semiconductor and Devices (WUPP for Nitride)
- 発表場所
  Santa Barbara(USA)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Hydride vapor phase epitaxy of semipolar GaN using GaN templates grown on patterned sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Furuya, Y. Hashimoto, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Bavaria(Germany)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Hydride vapor phase epitaxy of semipolar GaN using GaN templates grown on patterned sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Furuya, Y. Hashimoto, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Bavaria, Germany(Invited oral Presentation)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC Metropolitan Area(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] 半極性面 {11-22} InGaN下地層を用いたLEDにおける下地層膜厚依存性2013
- 著者名/発表者名
  中尾洸太，三好清太，内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  平成25年春季第60回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（神奈川）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Hydride vapor phase epitaxy of semipolar GaN using GaN templates grown on patterned sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Furuya, Y. Hashimoto, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  E-MRS 2013 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center - Strasbourg, Strasbourg, France(L P1-1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Transmission Electron Microscope Characterization on {20-21} GaN Layers on Patterned Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inagaki, K. Yamane, Y. Hashimoto, M. Koyama, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2012)
- 発表場所
  New Taipei City(Taiwan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement on Flatness of GaN Layer and Utilization Efficiency of Ga Source by Flow Modulation on Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Bavaria (Germany)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Advancement in future applications with III-Nitrides by fusion technology between epitaxy and prosessing2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. Hashimoto
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for III-Nitride (WUPP for III-Nitride)
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21}GaN on Patterned Sapphire Substrate2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Symposium on Optomechatronic Technologies 2013 (ISOT2013)
- 発表場所
  Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju Island (Korea)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] 「非極性面LEDの現状と課題」固体光源分科会2013
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  視覚・色・光環境分科会公開研究会「照明用LEDの開発と応用の最新技術動向」
- 発表場所
  日本大学理工学部,東京都
- 年月日
  2013-01-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] InGaN下地層および正孔ブロッキング層を用いた半極性 {11-22} LEDの作製及び評価2013
- 著者名/発表者名
  中尾洸太, Muhammad Haziq, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都府京田辺）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, K. Yamane, N. Okada, ａｎｄ K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Generation of Defects by Glide m-planes in Semipolar GaN Layers2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, A. Ishikawa, K. Yamane, K. Tadatomo, U. Jahn, H. T. Grahn
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gayload National Hotel and Convention Center, Washington DC Metropolitan Area, USA(Poster presentation)(AP3.03)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gayload National Hotel and Convention Center, Washington DC Metropolitan Area, USA(Poster presentation)(AP3.06)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Analysis of surface potential of GaN layers by Kelvin Force Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, T. Yamamoto, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] サファイア加工基板上{20-21}GaNの積層欠陥の低減2013
- 著者名/発表者名
  小山正和, 稲垣卓志, 橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府吹田市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Analysis of Surface Potential of Various Oriented GaN layers via Kelvin Force Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, T. Yamamoto, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University, Kyoto, Japan(Poster presentation)(19p-PM4-19)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Hydride vapor phase epitaxy of semipolar GaN using GaN templates grown on patterned sapphire substrates2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Furuya, Y. Hashimoto, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  E-MRS 2013 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center - Strasbourg(France)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Advancement in Future Applications with III-Nitrides by Fusion Technology between Epitaxy and Processing2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. Hashimoto
- 学会等名
  International Workshop on Ultra-Precision Processing for III Nitride Semiconductor and Devices (WUPP for Nitride)
- 発表場所
  Santa Barbara, California, USA(Invited oral Presentation)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Analysis of Surface Potential of Various Oriented GaN layers via Kelvin Force Microscopy2013
- 著者名/発表者名
  N. Okada, T. Yamamoto, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  JSAP-OSA Joint Symposia 2013
- 発表場所
  Doshisya University（Kyoto Tanabe)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya
- 学会等名
  2012 German-Japan-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Germany, Berlin:Japanese-German Center Berlin
- 年月日
  2012-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Growth of free standing Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya
- 学会等名
  Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sendai : Tohoku University
- 年月日
  2012-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] Improvement in performance of light-emitting diodes fabricated on semipolar {11-22} GaN template using thick InGaN layers2012
- 著者名/発表者名
  N. Okada, M. Haziq, Y. Hirota, K. Uchida, Y. Fukuda, S. Miyoshi, K. Yamane, and K. Tadatomo
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2012
- 発表場所
  Berlin （Germany）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長2012
- 著者名/発表者名
  只友一行,岡田成仁,山根啓輔
- 学会等名
  第137回結晶工学分科会研究会
- 発表場所
  京都テルサ,京都
- 年月日
  2012-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] 緩和した半極性面 {11-22} InGaN上へのLEDの作製2012
- 著者名/発表者名
  内田健充，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学（愛媛）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化メカニズム2012
- 著者名/発表者名
  岡田成仁,上野元久,内田健充,古家大士,山根啓輔,只友一行
- 学会等名
  平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県(12p-H9-8)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] n面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性{10-11}面GaN選択横方向成長2010
- 著者名/発表者名
  高見成希, 栗栖彰宏, 村上一馬, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 窒化処理を行ったサファイア加工基板上GaNの側壁選択成長2010
- 著者名/発表者名
  岡田成仁, 大下弘康, 栗栖彰宏, 川嶋佑治, 只友一行
- 学会等名
  成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] {11-22}GaN上の厚膜InGaNの成長と評価2010
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県,神奈川工科大学(地震の影響で中止。予稿集の発行を以って発表したと見なす)
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[学会発表] マスクレスm面サファイア加工基板上の非極性GaNの成長2010
- 著者名/発表者名
  大下弘康, 阿部結樹, 村上一馬, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 窒化処理を行ったサファイア加工基板上GaNの側壁選択成長2010
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学,神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] テラス幅の広いr面サファイア加工基板を用いた(11-22) GaNの成長2010
- 著者名/発表者名
  栗栖彰宏, 村上一馬, 阿部結樹, 品川拓, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川県
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 異種面で構成された窒化物半導体上の多重量子井戸の評価2010
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第2回窒化物結晶成長講演会
- 発表場所
  三重県, 三重大学
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[学会発表] 窒化処理を行ったサファイア加工基板上GaNの側壁選択成長2010
- 著者名/発表者名
  岡田成仁, 他
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[学会発表] マスクレスサファイア加工基板上の非極性GaNの成長メカニズム2009
- 著者名/発表者名
  川嶋佑治, 村上一馬, 阿部結樹, 栗栖彰宏, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成21年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学, 富山県
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] r面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性(11-22)GaN選択横方向成長とLEDへの応用2009
- 著者名/発表者名
  栗栖彰宏, 南雅博, 河野創一郎, 石田文男, 光井靖智, 村上一馬, 李伯成, 松本大志, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学, 茨城県
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] r面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性(11-22)GaN選択横方向成長2009
- 著者名/発表者名
  高見成希, 栗栖彰宏, 村上一馬, 李伯成, 松本大志, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム
- 発表場所
  山口大学, 山口県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 半極性(11-22) GaN成長におけるr面サファイア加工基板のオフ角の最適化2009
- 著者名/発表者名
  栗栖彰宏, 村上一馬, 阿部結樹, 松本大志, 品川拓, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学, 富山県
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 様々なマスクレス加工基板上の非極性面GaNの成長機構2009
- 著者名/発表者名
  岡田成仁, 大下弘康, 栗栖彰宏, 川嶋佑治, 只友一行
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学, 愛知県
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Growth mechanism of nonpolar m-GaN on patterned a-plane sapphire substrate2009
- 著者名/発表者名
  Yuji Kawashima, Kazuma Murakami, BoCheng Li, Hiroyuki Matsumoto, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductor
- 発表場所
  ICC, Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] 様々なマスクレス加工基板上の非極性面GaNの成長機構2009
- 著者名/発表者名
  岡田成仁
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学,愛知県
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] a面サファイア加工基板上に成長するm面GaNの成長配向依存性2009
- 著者名/発表者名
  川嶋佑治, 村上一馬, 李伯成, 河野創一郎, 石田文男, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学, 茨城県
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] a面サファイア加工基板上に成長するm面GaNの成長条件依存性2009
- 著者名/発表者名
  大下弘康, 川嶋佑治, 村上一馬, 李伯成, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム
- 発表場所
  山口大学, 山口県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Epitaxial lateral overgrowth of semipolar (11-22) GaN from c-plane sapphire sidewall of patterned r-plane sapphire substrate without SiO2 mask2009
- 著者名/発表者名
  A. Kurisu, K. Murakami, Y. Abe, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  ICC, Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterneda-plane sapphire substrate with SiO2 mask2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[学会発表] 側壁選択横方向成長を用いたa面サファイア加工基板上のm面GaN成長2008
- 著者名/発表者名
  川嶋佑治, 村上一馬, 松本大志, 李伯成, 河野創一郎, 光井靖智, 石田文男, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  平成20年秋季第69回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  中部大学, 愛知県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO_2 mask2008
- 著者名/発表者名
  N.Okada
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008)
- 発表場所
  Montreux, Switzerland.
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360141
[学会発表] Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO2 mask2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada, Y. Kawashima, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Direct growth of m-plane GaN on grooved-patterned a-plane sapphire substrate with SiO_2, mask2008
- 著者名/発表者名
  N. Okada
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  スイス
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860057
[学会発表] Fabrication of InGaN based plasmonic LED with thin p-type layer
- 著者名/発表者名
  T. Tsukada, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, K. Tateishi, K. Okamoto
- 学会等名
  15th International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia (IUMRS-ICA)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] 局在プラズモンを用いたInGaN系LEDの作製と評価
- 著者名/発表者名
  塚田哲朗、岡田成仁、只友一行、立石和隆、岡本晃一
- 学会等名
  第75回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] Efficient InGaN-based Plasmonic Light-Emitting Diodes with Thin p-type Layers
- 著者名/発表者名
  K. Okamoto, K. Tateishi, K. Tamada, T. Tsukada, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  The 10th Asia-Pacific Conference on Near-field Optics (APNFO10)
- 発表場所
  Hakodate, Japan
- 年月日
  2015-07-07 – 2015-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] Plasmonic light-emitting diodes with thin p-type layer and localized-Ag layer embedded by ITO
- 著者名/発表者名
  N. Okada, T. Tsukada, K. Tadatomo, K. Okamoto
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'15)
- 発表場所
  Kanagawa, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289109
[学会発表] Free standing GaN substrate grown on patterned sapphire substrate
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo K. Yamane, N. Okada
- 学会等名
  PolarCoN Summer Seminar 2014
- 発表場所
  Bensheim, Germany
- 年月日
  2014-09-24 – 2014-09-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Transmission Electron Microscope Characterization on {20-21} GaN Layers on Patterned Sapphire Substrates
- 著者名/発表者名
  T. Inagaki, K. Yamane, Y. Hashimoto, M. Koyama, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2012)
- 発表場所
  Fullon Hotel Danshuei Fishermen's Wharf, Tamsui, New Taipei City, Taiwan(Oral presentation)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24760012
[学会発表] HVPE成長した半極性｛20-21｝面GaNと｛20-2-1｝面GaNの結晶性比較
- 著者名/発表者名
  橋本健宏，稲垣卓志，中尾洸太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 札幌市, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088

1. 只友一行 (10379927)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 38件
2. 桑野範之 (50038022)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 山田陽一 (00251033)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
4. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
5. 岡本晃一 (50467453)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
6. 山根啓輔 (80610815)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 21件
7. 山田洋明 (00455099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 姚永昭 (80523935)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. Han Jung

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 倉井聡

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
11. 川上養一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
12. 船戸充

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

岡田 成仁 Okada Narihito

岡田 成人 OKADA Narihito

研究課題

研究成果

共同研究者

AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaN系LEDの転位に起因するVピットの形状操作と転位無効化メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ヘテロ中間層を用いた非極性面発光デバイスの偏光特性制御と高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率プラズモニック光・電子デバイスの基盤技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質半極性面ＩｎＧａＮテンプレート上ＬＥＤの光学・発光特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

r面サファイア基板への無極性a面GaNの結晶成長と高効率緑色LEDへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質非極性面窒化ガリウム上窒化ガリウムインジウムの結晶評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Characterization of high-quality relaxed flat InGaN template fabricated by combination of epitaxial lateral overgrowth and chemical mechanical polishing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Plasmonics toward high-efficiency LEDs from the visible to the deep-UV region2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Fabrication and evaluation of plasmonic light-emitting diodes with thin p-type layer and localized Ag particles embedded by ITO2017

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016

著者名/発表者名

岡田成仁 Okada Narihito

岡田成人 OKADA Narihito