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竹内 正太郎  TAKEUCHI Shotaro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70569384
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教
2015年度: 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 助教
2013年度 – 2015年度: 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 薄膜・表面界面物性
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
粒界 / ライプニング現象 / エッチング / 二次元層結晶 / ゲルマニウム / ラジカル窒素 / アルミニウム / HOPG表面 / ゲルマネン / 窒化アルミニウム / 高配向性グラファイト基板 / 低次元半導体結晶成長 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る ヒステリシス / 電流‐電圧特性 / 直接接合基板 / 電子線リソグラフィー / 集束イオンビーム加工 / 透過電子顕微鏡 / フォーミング / フィラメント / 抵抗変化 / 還元 / メモリスタ / 4端子 / 金属酸化物 / 単結晶 / シナプス / 抵抗スイッチング / 転位 / 酸素空孔 / メムリスタ 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (2件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  GaN単結晶における貫通転位の漏れ電流特性を支配する物理的要因の抽出研究代表者

    • 研究代表者
      竹内 正太郎
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
  •  ゲルマニウム半導体二次元シート結晶:ゲルマネンの創成研究代表者

    • 研究代表者
      竹内 正太郎
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  4端子メムリスタを用いた信号伝達相関型シナプス素子の創製

    • 研究代表者
      酒井 朗
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学

すべて 2016 2015

すべて 学会発表

  • [学会発表] ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性2016

    • 著者名/発表者名
      下谷将人、竹内正太郎、酒井朗
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600098
  • [学会発表] ルチル型TiO2単結晶の抵抗変化特性と結晶構造変化2015

    • 著者名/発表者名
      下谷将人、村上弘弥、竹内正太郎、酒井朗
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600098
  • 1.  酒井 朗 (20314031)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 2.  池田 勇二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  水谷 聡史
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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