石河泰明 Ishikawa Yasuaki

研究者番号	70581130
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-4613-6117
所属 (現在)	2024年度: 青山学院大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2022年度: 青山学院大学, 理工学部, 准教授 2021年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 准教授 2018年度 – 2019年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 准教授 2017年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 2013年度 – 2014年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 2013年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 応用物性 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
キーワード	研究代表者 3次元周期的ナノ構造 / 熱電材料 / 薄膜 / ZnO / ナノ構造 / 熱伝導率 / 構造異方性 / 材料加工・処理 / 熱工学 / 半導体物性 … もっと見る / 液体シリコン / テンプレート / 液体材料 / OHラジカル / 塗布 / ＯＨラジカル / ＩｎＺｎＯ / 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 … もっと見る研究代表者以外半導体 / 高圧水蒸気処理 / 薄膜トランジスタ / 3次元構造 / 熱伝導度 / 熱輸送 / 薄膜材料 / フレキシブル基板 / 金属酸化物 / 電気抵抗 / 熱抵抗 / 酸化物 / ゼーベック効果 / 熱電素子 / 半導体デバイス / 原子層堆積法 / 薄膜半導体 / 酸化物半導体 / 熱電変換素子 / 半導体物理 / HEMT / MOS / ゲート絶縁膜 / 界面準位 / 超臨界水 / パワーデバイス / MOS接合 / 高信頼性 / パワー半導体 / 窒化ガリウム / 硫化亜鉛 / 多結晶シリコン / レーザ照射 / シリコン / 水素化 / 欠陥 / 結晶粒 / 結晶化 / 水中レーザ / レーザー照射 / マイクロ波 / ホットキャリア / プローブ顕微鏡 / シリコン薄膜 / ディスプレイ / 無機EL / レーザ結晶化隠す

低熱伝導率を狙いとした構造異方性3次元フォノニック結晶の設計と高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  石河泰明
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  青山学院大学
アモルファス酸化物半導体における熱輸送に着目した高性能フレキシブル熱電素子の研究
- 研究代表者
  
  浦岡行治
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
Si－3次元フォノニック結晶が熱電特性に与える影響研究代表者
- 研究代表者
  
  石河泰明
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
超臨界水を活用したGaNパワー素子の高信頼性化技術
- 研究代表者
  
  浦岡行治
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
高精細フレキシブルディスプレイに向けた塗布型薄膜トランジスタの低温作製技術開発研究代表者
- 研究代表者
  
  石河泰明
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
次世代高性能ディスプレイの実現に向けた低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 研究代表者
  
  浦岡行治
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学

すべて 2022 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2011 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Enhanced Thermoelectric Transport and Stability in Atomic Layer Deposited-HfO2/ZnO and TiO2/ZnO-Sandwiched Multilayer Thin Films2020
- 著者名/発表者名
  Felizco Jenichi、Juntunen Taneli、Uenuma Mutsunori、Etula Jarkko、Tossi Camilla、Ishikawa Yasuaki、Tittonen Ilkka、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  ACS Applied Materials & Interfaces
  
  巻: 12 号: 43 ページ: 49210-49218
- DOI
  10.1021/acsami.0c11439
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601, KAKENHI-PROJECT-18K04939
[雑誌論文] Development of High-Reliability and -Stability Chemical Sensors Based on an Extended-Gate Type Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor2020
- 著者名/発表者名
  Yuki Hashima, Takanori Takahashi, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  ACS Appl. Electron. Mater.
  
  巻: 2 号: 2 ページ: 405-408
- DOI
  10.1021/acsaelm.9b00844
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[雑誌論文] Improvement in Bias Stress Stability of Solution-Processed Amorphous InZnO Thin-Film Transistors via Low-Temperature Photosensitive Passivation2020
- 著者名/発表者名
  Safaruddin Aimi Syairah、Bermundo Juan Paolo Soria、Yoshida Naofumi、Nonaka Toshiaki、Fujii Mami N.、Ishikawa Yasuaki、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 41 号: 9 ページ: 1372-1375
- DOI
  10.1109/led.2020.3011683
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[雑誌論文] Optimizing the thermoelectric performance of InGaZnO thin films depending on crystallinity via hydrogen incorporation2020
- 著者名/発表者名
  Felizco Jenichi Clairvaux、Uenuma Mutsunori、Ishikawa Yasuaki、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 527 ページ: 146791-146791
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2020.146791
- NAID
  120007146511
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601, KAKENHI-PROJECT-18K04939
[雑誌論文] Unique degradation under AC stress in high-mobility amorphous InWZnO thin-film transistors2020
- 著者名/発表者名
  Takahashi Takanori、Fujii Mami N.、Miyanaga Ryoko、Miyanaga Miki、Ishikawa Yasuaki、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 5 ページ: 054003-054003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab88c5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601, KAKENHI-PROJECT-20J23326
[雑誌論文] High-Performance Fully Solution-Processed Oxide Thin-Film Transistors via Photo-Assisted Role Tuning of InZnO2020
- 著者名/発表者名
  Corsino Dianne C.、Bermundo Juan Paolo S.、Kulchaisit Chaiyanan、Fujii Mami N.、Ishikawa Yasuaki、Ikenoue Hiroshi、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  ACS Applied Electronic Materials
  
  巻: 2 号: 8 ページ: 2398-2407
- DOI
  10.1021/acsaelm.0c00348
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[雑誌論文] Physical and electrical properties of ALD-Al2O3/GaN MOS capacitor annealed with high pressure water vapor2019
- 著者名/発表者名
  Yuta Fujimoto, Mutsunori Uenuma, Tsubasa Nakamura, Masaaki Furukawa, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 4 ページ: 40902-40902
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab09a2
- NAID
  210000135492
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Removing Process of the Three-Dimension Periodic Nanostructure Fabricated from KMPR Photoresist2019
- 著者名/発表者名
  Xudongfang Wang, Yasuaki Ishikawa, Shinji Araki, Mutsunori Uenuma, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 58 号: SD ページ: SDDF08-SDDF08
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0dea
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[雑誌論文] Degradation phenomenon in metal-oxide semiconductor thin-film transistors and technique for its reliability evaluation and suppression2019
- 著者名/発表者名
  Y.Uraoka, J. P. Bermundo, M.N. Fujii, M. Uenuma, and Y. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 090502-090502
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1604
- NAID
  210000155669
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[雑誌論文] Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor2019
- 著者名/発表者名
  T. Takahashi, R. Miyanaga, M. N. Fujii, J. Tanaka, K. Takechi, H. Tanabe, J. P. Bermundo, Y. Ishikawa and Y. Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 9 ページ: 094007-094007
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab3c43
- NAID
  210000156978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[雑誌論文] Influence of carbon impurity and oxygen vacancies in Al2O3 film on Al2O3/GaN MOS capacitor characteristics2018
- 著者名/発表者名
  Mutsunori Uenuma, Kiyoshi Takahashi, Sho Sonehara, Yuta Tominaga, Yuta Fujimoto, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  AIP ADVANCES
  
  巻: 8 号: 10 ページ: 05103-05103
- DOI
  10.1063/1.5041501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] One-dimensionl arrangement of nanoparticles utilizing the V-grooved and cage shaped Proteins2017
- 著者名/発表者名
  T. Ban, M. Uenuma, S. Migita, N. Okamoto, Y.Ishikawa, Y.Uraoka, I. Yamashita and S. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 6S1 ページ: 06GG11-06GG11
- DOI
  10.7567/jjap.56.06gg11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Estimation of charge effects of ultrafine channel utilizing junctionless transistor with nanodot-type floating gate2017
- 著者名/発表者名
  T. Ban, S. Migita, M. Uenuma, N. Okamoto, Y.Ishikawa, Y.Uraoka, I. Yamashita, S. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 3S ページ: 03BB05-03BB05
- DOI
  10.7567/jjap.56.03bb05
- NAID
  210000147501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Fabrication of Nanoshell-Based 3D Periodic Structures by Templating Process using Solution-derived ZnO2017
- 著者名/発表者名
  Araki Shinji、Ishikawa Yasuaki、Wang Xudongfang、Uenuma Mutsunori、Cho Donghwi、Jeon Seokwoo、Uraoka Yukiharu
- 雑誌名
  
  Nanoscale Research Letters
  
  巻: 12 号: 1 ページ: 419-419
- DOI
  10.1186/s11671-017-2186-6
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[雑誌論文] Solution-derived SiO2 gate insulator formed by Co2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors2017
- 著者名/発表者名
  D.Hishitani, M. Horita, Y.Ishikawa, H.Ikenoue, and Y.Uraoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 5 ページ: 056503-056503
- DOI
  10.7567/jjap.56.056503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Charcteristics of Perovskite Solar Cells under Low-Illuminance Condition2017
- 著者名/発表者名
  I.Raifuku, Y.Ishikawa, S.Ito, and Y.Uraoka
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 120 号: 34 ページ: 18986-18990
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.6b05298
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Numerical analysis of monocrystalline silicon solar dells with fine nanoimprinted texture surface2017
- 著者名/発表者名
  S.Yoshinaga, Y.Ishikawa, S.Araki, T.Honda, Y. Jiang, and Y.Uraoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 2 ページ: 022301-022301
- DOI
  10.7567/jjap.56.022301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] "H and Au diffusion in high mobility a-InGaZnO thin-film transistors via low temperature KrF excimer laser annealing"2017
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo S. Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Hiroshi Ikenoue, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 13 ページ: 33504-33504
- DOI
  10.1063/1.4979319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18093, KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Growth of InGaZnO nanowires vis a Mo/Au catalyst from amorphous thin film2017
- 著者名/発表者名
  Jenichi Clairvaux, Mustunori Uenuma, Daiki Senaha, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 111 号: 3 ページ: 033104-033104
- DOI
  10.1063/1.4993745
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Self-heating induced instability of oxide thin film transistors under dynamic stress2016
- 著者名/発表者名
  Kahori Kise, Mami N. Fujii, Satoshi Urakawa, Haruka Yamazaki, Emi Kawashima, Shigekazu Tomai, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 2 ページ: 023501-023501
- DOI
  10.1063/1.4939861
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06309, KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Effect of excimer laser annealing on a-IngaZnO thin-film transistors passivated by solution-processed hybrid passivation layers2016
- 著者名/発表者名
  J. P. Bermundo, Y.ishikawa, M.N.Fujii, T.Nonaka, R. Ishikawa, H. Ikenoue and Y.Uraoka
- 雑誌名
  
  J. Phys. D. Appl. Phys.
  
  巻: 49 号: 3 ページ: 035102-035109
- DOI
  10.1088/0022-3727/49/3/035102
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[雑誌論文] Effect of contact material on amorphous InGaZnO thin-film transistor characteristics2014
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermundo, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 3S1 ページ: 03CC04-03CC04
- DOI
  10.7567/jjap.53.03cc04
- NAID
  210000143472
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[雑誌論文] Analysis of printed silver electrode on amorphous indium gallium zinc oxide2014
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Takahiro Nishibayashi, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. App. Phys.
  
  巻: 53 号: 4S ページ: 04EB03-04EB03
- DOI
  10.7567/jjap.53.04eb03
- NAID
  210000143551
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[雑誌論文] Highly Reliable Polysilsesquioxane Passivation Layer for a-InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Toshiaki Nonaka and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 3, 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Thermal Distribution in Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10, 11 ページ: 1561-1564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Highly Reliable Polysilsesquioxane Passivation Layer for a-InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Toshiaki Nonaka, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 3 号: 2 ページ: Q16-Q19
- DOI
  10.1149/2.011402jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Crystallization of amorphous Ge thin film using Cu nanoparticle synthesized and delived by ferritin2013
- 著者名/発表者名
  M. Uenuma, B. Zheng, K. Bundo, M. Horita, Y.Ishikawa, H.Watanabe, I. Yamashita and Y. Uraoka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 382 ページ: 31-35
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Effect of Contact Material on Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Characteristics2013
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermundo, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53, 3S1
- NAID
  210000143472
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Thermal Distribution in Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1561-1564
- DOI
  10.1002/pssc.201300253
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-23560408
[雑誌論文] Thermal Reversibility in Electrical Characteristics of Ultraviolet/Ozone-Treated Graphene2013
- 著者名/発表者名
  Yana Mulyana, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka, and Shinji Koh
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 103 号: 6 ページ: 3107-3111
- DOI
  10.1063/1.4818329
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-25600043
[雑誌論文] Size Control in ZnO Nano-Pillar Fabrication Using a Gel-Nanoimprint Process2013
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Ishikawa, Shinji Araki, Min Zhang and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Mechanics and Materials
  
  巻: 372 ページ: 149-152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Characterizations of Al2O3 Gate Dielectric Deposited on n-GaN by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition2013
- 著者名/発表者名
  Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C,
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1426-1429
- DOI
  10.1002/pssc.201300273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Analysis of Electronic Structure of Amorphous InGaZnO/SiO2 Interface by Angle-Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Naoyuki Maejima, Fumihiko Matsui, Hirosuke Matsui, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Daimon, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114, 16 ページ: 163713-163713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] The Influence of Fluorinated Silicon Nitride Gate Insulator on Positive Bias Stability toward Highly Reliable Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  H. Yamazaki, Y. Ishikawa, M. Fujii, Y. Ueoka, M. Fujiwara, E. Takahashi, Y. Andoh, N. Maejima, H. Matsui, F. Matsui, H. Daimon, Y. Uraoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 3 号: 2 ページ: 20-23
- DOI
  10.1149/2.014402jss
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J09374, KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-25287075
[雑誌論文] Characterizations of Al2O3 Gate Dielectric Deposited on n-GaN by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition2013
- 著者名/発表者名
  Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10, 11 ページ: 1426-1429
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] The Influence of Fluorinated Silicon Nitride Gate Insulator on Positive Bias Stability Toward Highly Reliable Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  Haruka Yamazaki, Yasuaki Ishikawa, Mami Fujii, Yoshihiro Ueoka, Masaki Fujiwara, Eiji Takahashi, Yasunori Ando, Naoyuki Maejima, Hirosuke Matsui, Fumihiko Matsui, Hiroshi Daimon and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 3, 2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Utilizing Self-Assembled Monolayer for Crystallization2013
- 著者名/発表者名
  Yosuke Tojo, Atsushi Miura, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 540 ページ: 266-270
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Memristive Nanoparticles Formed Using a Biotemplate2013
- 著者名/発表者名
  Mutsunori Uenuma, Takahiko Ban, Naofumi Okamoto, Bin Zheng, Yasuhiro Kakihara, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, and Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Royal Society of Chemical Advances
  
  巻: 3 ページ: 18044-18048
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Thermal Reversibility in Electrical Characteristics of Ultraviolet/Ozone-Treated Graphene2013
- 著者名/発表者名
  Yana Mulyana, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka, and Shinji Koh
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 103, 6 ページ: 3107-3111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Three-Dimensional Nanodot-Type Floating Gate Memory Fabricated by Bio-Layer-by-Layer Method2011
- 著者名/発表者名
  K.Ohara, B.Zheng, M.Uenuma, Y.Ishikawa, K.Shiba, I.Yamashita, Y.Uraoka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4 号: 8 ページ: 85004-85004
- DOI
  10.1143/apex.4.085004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J08129, KAKENHI-PROJECT-23360137
[雑誌論文] Unque Phenomenon in Degradation of Amorphous In_2O_3-Ga_2O_3-ZnO Thin-Film Transistors under Dynamic Stress2011
- 著者名/発表者名
  Mami Fujii
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express
  
  巻: 4 号: 10 ページ: 104103-104105
- DOI
  10.1143/apex.4.104103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-09J09384, KAKENHI-PROJECT-23360137, KAKENHI-PROJECT-23560408
[産業財産権] 保護膜を具備するはくトランジスタ基板およびその製造方法2014
- 発明者名
  石河泰明、浦岡行治
- 権利者名
  石河泰明、浦岡行治
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-017619
- 出願年月日
  2014-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[産業財産権] 保護膜を具備する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法2013
- 発明者名
  石河泰明, 浦岡行治
- 権利者名
  石河泰明, 浦岡行治
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-017619
- 出願年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] Development of three-dimensional periodic nanostructured film using SU-8 template and solution-derived ZnO for the thermoelectric materials2022
- 著者名/発表者名
  Naoya Miyajima, Itsuki Nakahara, Yasuaki Ishikawa
- 学会等名
  35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02621
[学会発表] ZnO溶液を用いたテンプレートプロセスによる三次元周期的ナノ構造の作製2020
- 著者名/発表者名
  王旭東方, 石河泰明, 上沼睦典, 浦岡行治
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[学会発表] Effects of phase shift mask design on three-dimension nanostructure fabrication2020
- 著者名/発表者名
  Pongsakorn Sihapitak, Yasuaki Ishikawa, Xudongfang Wang, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[学会発表] Relationship of Phase Shift Mask Design and Size of Three-Dimension Nanostructures2020
- 著者名/発表者名
  P. Sihapitak, Y. Ishikawa, X. Wang, M. Uenuma, and Y. Uraoka
- 学会等名
  The 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays-TFT Technologies and FPD Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02621
[学会発表] Trapping reduction of SiO2/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing2019
- 著者名/発表者名
  Lin Tenda, 上沼睦典、石河泰明、浦岡行治
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] SiO2/GaN界面の固定電荷に対するGaN表面状態の影響2019
- 著者名/発表者名
  上沼睦典、石河泰明、浦岡行治
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Inducing Thermoelectricity in C-axis Aligned Crystalline InGaZnO Thin Film via Hydrogen Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Jenichi Clairvaux Felizco, Hoshito Murakawa, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02601
[学会発表] Removing Process of the Three-Dimension Periodic Nanostructure Fabricated from KMPR Photoresist2018
- 著者名/発表者名
  Xudongfang Wang, Yasuaki Ishikawa, Mutsunori Uenuma and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[学会発表] Improvement of SiO2/GaN Interface Characteristics by High Pressure Water Vapor Annealing2018
- 著者名/発表者名
  Masaaki Furukawa, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Leakage reduction of SiO2/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing2018
- 著者名/発表者名
  Lin Tengda, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Effects of ALD-Precursor on Al2O3/GaN MOS Characteristics2018
- 著者名/発表者名
  Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Effects of Annealing Time in High Pressure Water Vapor Annealing for ALD-Al2O3/GaN MOS2018
- 著者名/発表者名
  Tsubasa Nakamura, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] 高圧水蒸気処理を用いたGaOx層形成によるSiO2/GaN界面の特性評価2018
- 著者名/発表者名
  安藤領汰、上沼睦典、石河泰明、浦岡行治
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Analysis of Mg-implanted GaN films after rapid activation via excimer laser annealing2018
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Analyses of Electronic and Atomic Structures of Insulator/GaN Interface by Photoelectron Diffraction and Spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  Yuta Fujimoto, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] ALD-Al2O3/GaN MOSにおける高圧水蒸気処理の時間依存性2018
- 著者名/発表者名
  中村翼、上沼睦典、石河泰明、浦岡行治
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process2017
- 著者名/発表者名
  Xudongfang Wang, Yasuaki Ishikawa, Shinji Araki, Yukiraru Uraoka, and Seokwoo Jeon
- 学会等名
  電子情報通信学会　電子ディスプレイ研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05032
[学会発表] Interfacial Analysis of Ionogel Gated In2Ga2Zn1O7 Thin Film Transistors2017
- 著者名/発表者名
  Mami N. Fujii, Hiromi Okada, Kenta Komori, Kazumoto Miwa, Shimpei Ono, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Bimetal-catalyzed formation of InGaZnO nanowires from amorphous thin film2017
- 著者名/発表者名
  Jenichi Clairvaux Felizco, Mutsunori Uenuma, Daiki Senaha, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  5th Nano Today Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Fabrication of perovskite solar cells using sputter processed perovskite films2017
- 著者名/発表者名
  來福至、石河泰明、Tiphaine Bourgeteau、伊藤省吾、Yvan Bonnassieux、Pere Roca I Cabarrocas、浦岡行治
- 学会等名
  Asia Pacific Hybrid and Organic Photovoltaics Conference
- 発表場所
  パシフィコ横浜(神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-02-03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] RELATION OF ELECTROLUMINESCENCE INTENSITY AND POTENTIAL INDUCED DEGRADATION TEST TIME ON P-TYPE MONOCRYSTALLINE SILION PHOTOVOLTAIC MODULEAND POTENTIAL INDUCED DEGRADATION TEST TIME ON P-TYPE MONOCRYSTALLINE SILION PHOTOVOLTAIC MODULE2017
- 著者名/発表者名
  Takuya Oshima, Kazuki Noguchi, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  PVSEC-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] DEVICE MODELING OF IRON PYRITE SOLAR CELL FOR HIGH CONVERSION EFFICIENCY2017
- 著者名/発表者名
  Shunsuke Uchiyama, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Consideration of Temperature Correction of Open Circuit Voltage Calculated from EL Intensity for Outdoor Measurement2017
- 著者名/発表者名
  Daisuke Kobayashi, Takuya Oshima, Kazuki Noguchi, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Effect of UV/Ozone Treatment on Self-Aligned InZnO Thin-Film Transistors towards an All-Solution Process2017
- 著者名/発表者名
  Chaiyanan Kulchaisit, Juan Paolo Bermundo, Mami N. Fujii, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  MRS Fall 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Excimer laser annealing of solution-processed InZnO thin-film2017
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Chaiyanan Kulchaisit, Hiroshi Ikenoue, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  MRS Fall 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Sheet Resistance Reduction of a-IGZO by Oxygen Vacancy Control using Low Temperature Excimer Laser Irradiation2016
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo、Yasuaki Ishikawa、Mami N. FujiiHiroshi Ikenoue、Yukuharu Uraoka
- 学会等名
  2016 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2016-11-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Analysis of High Mobility Oxide Thin-Film Transistors after a Low Temperature Annealing Process2016
- 著者名/発表者名
  Juan Paolo Bermundo、Yasuaki Ishikawa、Mami N. Fujii、Chaiyanan Kulchaisit、Hiroshi Ikenoue、Yukuharu Uraoka
- 学会等名
  The 23rd International Display Workshops
- 発表場所
  福岡国際会議場(福岡県福岡市）
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Study of oxygen plasma damage introduced at Al2O3/GaN interface　during atomic layer deposition process2016
- 著者名/発表者名
  Yuta Fujimoto、Katsunori Ueno、Koji Yoshitsugu、Masahiro Horita,Uenuma Mutsunori、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2016 International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, FL USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by　high pressure water vapor annealing2016
- 著者名/発表者名
  Yuta Tominaga、Katsunori Ueno、Koji Yoshitsugu、Uenuma Mutsunori、Yuta Fujimoto、Yasuaki Ishikawa、Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2016 International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando, FL USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] Thermal analysis and device simulation of heat suppressed structure for oxide thin-film transistor2016
- 著者名/発表者名
  木瀬香保利、藤井茉美、Juan Paolo Bermondo、石河泰明、浦岡行治
- 学会等名
  The 23rd International Display Workshops
- 発表場所
  福岡国際会議場(福岡県福岡市）
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H04332
[学会発表] ウェットO2アニールを用いた液体材料由来の非晶質InZnO薄膜の作製とトランジスタ特性への影響2015
- 著者名/発表者名
  長田至弘、石河泰明、藤井茉美、浦岡行治
- 学会等名
  応用物理学会関西支部第三回講演会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学、奈良県生駒市
- 年月日
  2015-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Interface Control toward Highly Reliable Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2014
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermund, Haruka Yamazaki, Mami Fujii, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 14th International meeting on information display
- 発表場所
  EXCO, Daegu, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Unique Property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  Y. Uraoka, Y.Ishikawa and Y.Uraoka
- 学会等名
  20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2013-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] 溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響2013
- 著者名/発表者名
  長田至弘、石河泰明、呂莉、浦岡行治
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Unique property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor2013
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermundo, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukihiro Uraoka
- 学会等名
  The 20th Internaitonal workshop on active-materix flat panel displays and devices
- 発表場所
  Avanti Kyoto Hall, Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Effect of Back Channel on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  Yukihiro Osada, Yasuaki Ishikawa, Li Lu, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  20th International display workshop
- 発表場所
  Sapporo Covention Center, Hokkaido
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Thermal distribution in Amorphous InSnZnO Thin Film Transistors2013
- 著者名/発表者名
  S.Urakawa, Y.Ishikawa and Y.Uraoka
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe
- 年月日
  2013-05-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] Analysis of Printed Ag Electrode on a-InGaZnO2013
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Takahiro Nishibayashi, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraok
- 学会等名
  45th International conference of solid state devices and materials
- 発表場所
  Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Size Control in ZnO Nano-Pillar Fabrication using Gel-Nanoimprint Process2013
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Ishikawa, Shinji Araki, Min Zhang and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2nd Int'l, Conf. on Adv. Mat. Design and Mech
- 発表場所
  Osaka
- 年月日
  2013-05-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] Printability of Screen Printed Silver for Oxide Thin-Film Transistor toward a Printable Device
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Yasuaki Ishikawa, Yukihiro Osada, Mami Fujii, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 21st International Display Workshops
- 発表場所
  朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター、新潟県新潟市
- 年月日
  2014-12-02 – 2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Size Control in ZnO Nano-Pillar Fabrication Using a Gel-Nanoimprint Process
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Ishikawa, Shinji Araki, Min Zhang, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2nd Int'l Conf. on Adv. Mat. Design and Mech.
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] 塗布型a-InZnO薄膜トランジスタに向けた銀ナノペーストの印刷適性
- 著者名/発表者名
  浦川哲、石河泰明、長田至弘、藤井茉美、堀田昌宏、浦岡行治
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Effect of Wet-O2 Annealing on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
- 著者名/発表者名
  Yukihiro Osada, Yasuaki Ishikawa, Mami Fujii, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 21st International Display Workshops
- 発表場所
  朱鷺メッセ新潟コンベンションセンター、新潟県新潟市
- 年月日
  2014-12-02 – 2014-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Evaluation of TaOx Nanoparticles for Resistive Random Access Memory
- 著者名/発表者名
  Keisuke Kado, Takahiko Ban, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] 溶液プロセスによる非晶質InZnO薄膜トランジスタ特性に対する湿式酸素アニールの影響
- 著者名/発表者名
  長田至弘、石河泰明、藤井茉美、浦岡行治
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820125
[学会発表] Unique Property of a-InGaZnO/Ag Interface on Thin-Film Transistor
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Ueoka, Yasuaki Ishikawa, Juan Paolo Bermundo, Haruka Yamazaki, Satoshi Urakawa, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137
[学会発表] Themal Distribution in Amorphous InSnZnO Thin-Film Transistor
- 著者名/発表者名
  Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Yoshihiro Ueoka, Haruka Yamazaki, Masashi Kasami, Koki Yano, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360137

1. 浦岡行治 (20314536)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 63件
2. 上沼睦典 (20549092)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
3. 木村睦 (60368032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 西田貴司 (80314540)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 堀田昌宏 (50549988)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
6. Bermundo J.P.S (60782521)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
7. 上岡義弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
8. BERMUNDO Juan Paolo

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
9. 長田至弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
10. 古田守

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
11. 藤井茉美

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

石河 泰明 Ishikawa Yasuaki

研究課題

研究成果

共同研究者

低熱伝導率を狙いとした構造異方性3次元フォノニック結晶の設計と高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

アモルファス酸化物半導体における熱輸送に着目した高性能フレキシブル熱電素子の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Si－3次元フォノニック結晶が熱電特性に与える影響研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超臨界水を活用したGaNパワー素子の高信頼性化技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高精細フレキシブルディスプレイに向けた塗布型薄膜トランジスタの低温作製技術開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代高性能ディスプレイの実現に向けた低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Enhanced Thermoelectric Transport and Stability in Atomic Layer Deposited-HfO2/ZnO and TiO2/ZnO-Sandwiched Multilayer Thin Films2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Development of High-Reliability and -Stability Chemical Sensors Based on an Extended-Gate Type Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement in Bias Stress Stability of Solution-Processed Amorphous InZnO Thin-Film Transistors via Low-Temperature Photosensitive Passivation2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optimizing the thermoelectric performance of InGaZnO thin films depending on crystallinity via hydrogen incorporation2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Unique degradation under AC stress in high-mobility amorphous InWZnO thin-film transistors2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

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[雑誌論文] High-Performance Fully Solution-Processed Oxide Thin-Film Transistors via Photo-Assisted Role Tuning of InZnO2020

著者名/発表者名

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[雑誌論文] Physical and electrical properties of ALD-Al2O3/GaN MOS capacitor annealed with high pressure water vapor2019

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[雑誌論文] Removing Process of the Three-Dimension Periodic Nanostructure Fabricated from KMPR Photoresist2019

著者名/発表者名

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石河泰明 Ishikawa Yasuaki