窪谷茂幸 KUBOYA SHIGEYUKI

研究者番号	70583615
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 2021年度: 三重大学, 地域創生戦略企画室, 特任准教授(研究担当) 2013年度 – 2016年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教 2011年度 – 2012年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 2010年度 – 2012年度: 東京大学, 新領域創成科学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学
キーワード	研究代表者 AlGaN / BN / 窒化物半導体 / 深紫外発光素子研究代表者以外半導体物性 / エピタキシャル成長 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / 単一光子 / 光物性 … もっと見る / 貫通らせん転位 / 高品質化 / 炭化ケイ素 / ハイブリッド成長 / 昇華再結晶法 / 溶液成長法 / 転位変換 / SiC / パルスレーザー堆積 / 光導波路 / 反応性スパッタリング / パルスレーザ堆積 / 酸化ジルコニウム / 窒化アルミニウム / 第二高調波発生 / 非線形光学 / 等電子トラップ / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / 半導体 / III族窒化物半導体 / 立方晶III族窒化物 / 結晶成長 / MBE / MOVPE / III-N半導体 / 窒化物半導体 / 立方晶III-N半導体 / 立方晶窒化物半導体 / MBE,エピタキシャル / 結晶工学 / エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE 隠す

溶液法／昇華法ハイブリッド成長における欠陥伝播メカニズム解明と高品位化実証
- 研究代表者
  
  三谷武志
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
二次元層状物質を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  窪谷茂幸
- 研究期間 (年度)
  2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  三重大学
光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究
- 研究代表者
  
  片山竜二
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
   東北大学
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学

すべて 2023 2022 2021 2016 2015 2013 2012 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw- and mixed-type dislocation densities2022
- 著者名/発表者名
  Kenjiro Uesugi, Shigeyuki Kuboya, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Takao Nakamura, Masataka Kubo, Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 5 ページ: 055501-055501
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac66c2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903, KAKENHI-PROJECT-21K14545, KAKENHI-PROJECT-22K14612, KAKENHI-PROJECT-23K23238
[雑誌論文] Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FE01-05FE01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fe01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks2016
- 著者名/発表者名
  Yi-Chun Lai, Akio Higo, Takayuki Kiba, Cedric Thomas, Shula Chen, Chang Yong Lee, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kanako Shojiki, Junichi Takayama, Ichiro Yamashita, Akihiro Murayama, Gou-Chung Chi, Peichen Yu, Seiji Samukawa
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 27 号: 42 ページ: 425401-425401
- DOI
  10.1088/0957-4484/27/42/425401
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06359, KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, S .Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FJ03-05FJ03
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj03
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-16K18074
[雑誌論文] Homogeneity improvement of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane2016
- 著者名/発表者名
  Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA09-05FA09
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa09
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces2016
- 著者名/発表者名
  Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: －号: 9 ページ: 1600754-1600754
- DOI
  10.1002/pssa.201600754
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 (5S) 号: 5S ページ: 05FA04-05FA04
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa04
- NAID
  210000146483
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[雑誌論文] Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J.H.Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 106 (22) 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4922131
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
[雑誌論文] Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, T. Tanikawa, J.H.Choi, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 8 (6) 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.7567/apex.8.061005
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082, KAKENHI-PROJECT-13J10877
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: In Press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (In Press)
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
  
  巻: 1566 (1) ページ: 538-539
- DOI
  10.1063/1.4848523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S.Kuboya, K. Onabe
- 雑誌名
  
  physica status solidi(c)
  
  巻: Vol. 9 号: 3-4 ページ: 558-561
- DOI
  10.1002/pssc.201100395
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201
- DOI
  10.1143/apex.5.111201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向2011
- 著者名/発表者名
  石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向2011
- 著者名/発表者名
  石田崇, 角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: (CD-ROM)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe,
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.323 ページ: 91-94
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 牧野兼三, 石田崇, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: (CD-ROM)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 雑誌名
  
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  
  巻: CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 323 ページ: 91-94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO (001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 323 ページ: 91-94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Physica
  
  巻: Vol.42, No10 号: 10 ページ: 2529-2531
- DOI
  10.1016/j.physe.2009.12.011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E
  
  巻: 42 ページ: 2529-2531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 昇華法SiC成長における貫通らせん転位の基底面欠陥への変換現象の窒素量依存性2023
- 著者名/発表者名
  江藤数馬、三谷武志、窪谷茂幸、加藤智久
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23245
[学会発表] Macrostep flow behavior in 4H-SiC solution growth with different solvent compositions and surface orientations2023
- 著者名/発表者名
  Mitani Takeshi, Eto Kazuma, Kuboya Shigeyuki, Kato Tomohisa
- 学会等名
  The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy-ICCGE-20 (ICCGE20)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23245
[学会発表] 4H-SiC溶液成長におけるマクロステップ形状の溶媒添加元素依存性2023
- 著者名/発表者名
  三谷武志、江藤数馬、窪谷茂幸、加藤智久
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23245
[学会発表] スパッタ堆積アニールN極性AlN薄膜へのサファイア基板オフ角の影響2022
- 著者名/発表者名
  並河楽空、窪谷茂幸、正直花奈子、森隆一、上杉謙次郎、三宅秀人
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] らせん・混合転位密度が低いAlNテンプレートを用いたDUV-LEDの開発2022
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、窪谷茂幸、中村孝夫、正直花奈子、肖世玉、久保雅敬、三宅秀人
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 金属Alターゲットを用いてスパッタ堆積したアニールAlNの極性制御2022
- 著者名/発表者名
  橋本卓実、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、窪谷茂幸、三宅秀人
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] MOVPE成長温度とメサの大きさがステップフリーAlN膜の表面形態に与える影響2022
- 著者名/発表者名
  山中祐人、正直花奈子、窪谷茂幸、上杉謙次郎、三宅秀人
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] スパッタアニールAlNテンプレート上UV-C AlGaN量子井戸成長2021
- 著者名/発表者名
  石原頌也、窪谷茂幸、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMTの作製と電気的特性評価2021
- 著者名/発表者名
  森隆一、上杉謙次郎、窪谷茂幸、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] AlN層上のh-BNのスパッタ成膜条件と高温アニール処理条件が結晶性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  下嶋恭史、窪谷茂幸、正直花奈子、岩山章、三宅秀人
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] フラット・トップ型ナノパターンサファイア基板を用いたAlNのMOVPE成長2021
- 著者名/発表者名
  和泉志男、正直花奈子、窪谷茂幸、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性2021
- 著者名/発表者名
  渋谷康太、上杉謙次郎、肖世玉、正直花奈子、窪谷茂幸、秋山亨、三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] AlN膜の選択成長におけるMOVPE成長条件が表面形態に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  山中祐人、正直花奈子、窪谷茂幸、上杉謙次郎、三宅秀人
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 高温アニールAlN上AlGaNチャネルHEMTのAlGaN膜厚依存性2021
- 著者名/発表者名
  森隆一、上杉謙次郎、窪谷茂幸、正直花奈子、三宅秀人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] ストライプ状溝加工AlNテンプレート上へのHVPE法によるAlN成長2021
- 著者名/発表者名
  岡駿斗、奥灘瑠斗、肖世玉、正直花奈子、上杉謙次郎、窪谷茂幸、中村孝夫、三宅秀人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] スパッタ積層と高温アニールで作製したAlN膜における極性制御2021
- 著者名/発表者名
  橋本卓実、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、窪谷茂幸、三宅秀人
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] スパッタアニール法を用いたa面AlNの結晶性の基板オフ角依存性2021
- 著者名/発表者名
  渋谷康太、上杉謙次郎、肖世玉、正直花奈子、窪谷茂幸、秋山亨、三宅秀人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 高温アニールしたAlN上におけるDUV-LEDの高効率化2021
- 著者名/発表者名
  上杉謙次郎、窪谷茂幸、中村孝夫、正直花奈子、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 高Al組成n型AlGaNへの選択再成長n型GaNを用いたオーミックコンタクト形成2021
- 著者名/発表者名
  池内陸也、上杉謙次郎、正直花奈子、窪谷茂幸、三宅秀人
- 学会等名
  第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長2021
- 著者名/発表者名
  石原頌也、窪谷茂幸、正直花奈子、上杉謙次郎、肖世玉、三宅秀人
- 学会等名
  電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04903
[学会発表] 横型疑似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計2015
- 著者名/発表者名
  三谷悠貴，片山竜二，劉陳燁，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体研究会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール、宮城県仙台市
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates2015
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体研究会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール、宮城県仙台市
- 年月日
  2015-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Polarity-controlled MOVPE growth of GaN on PLD-AlN templates2015
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 34th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、滋賀県守山市
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Y立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長2013
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川)
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
- 年月日
  2012-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表]2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学(東京)
- 年月日
  2012-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 森川生、窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都新宿区)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価2012
- 著者名/発表者名
  野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)2012
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京).
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  奈良県新公会堂(奈良県)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  伊豆(静岡)
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012
- 著者名/発表者名
  金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] RF-MBEGrowth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  奈良(奈良)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate using cubic GaN buffer layer by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS-2011)
- 発表場所
  Toba,Mie, Japan.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba, Mie, Japan.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入比率の偏り2011
- 著者名/発表者名
  石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  守山(滋賀).
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入比率の偏り2011
- 著者名/発表者名
  石田崇、角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県山形市)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate using cubic GaN buffer layer by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, K.Makino, T.Ishida, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba Hotel International Toba, Mie, Japan
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba Hotel International Toba, Mie, Japan
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic III-nitrides: potential photonic materials (Invited)2011
- 著者名/発表者名
  K. Onabe, S.Sanorpim, H. Kato, M.Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S.Kuboya, R. Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA,USA.
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Cubic III-nitrides : potential photonic materials2011
- 著者名/発表者名
  K.Onabe, S.Sanorpim, H.Kato, M.Kakuda, T.Nakamura, K.Nakamura, S.Kuboya, R.Katayama
- 学会等名
  SPIE Photonic West 2011
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA(Invited)
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates grown by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  守山(滋賀).
- 年月日
  2011-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK.
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates grown by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Japan
- 年月日
  2011-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 牧野兼三、石田崇、窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県山形市)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長2010
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡).
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡).
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
- 著者名/発表者名
  星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE Growth of Cubic InN and InGaN Films on YSZ(001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
- 発表場所
  Tampa,Florida, USA.
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO (001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE growth of cubic InN and InGaN films on YSZ (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  Laforet Shuzenji, Shuzenji, Japan
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] MOVPE growth of c-GaN films via an AlGaAs intermediate Layer2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier,France.
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Berlin,Germany.
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  伊豆(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaN films on MgO (001) substrate by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, Y.Fukuhara, K.Nakamura, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of c-GaN Films via an AlGaAs Intermediate Layer on GaAs (001) Substrates by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of c-GaN Films via an AlGaAs Intermediate Layer on GaAs(001) Substrates by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
- 著者名/発表者名
  石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] RF-MBE Growth of Cubic InN and InGaN Films on YSZ (001) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa, Florida, USA
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaNfilms on MgO (001) substrate byRF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, Y. Fukuhara, K.Nakamura, S. Kuboya, K. Onabe,
- 学会等名
  8th International Symposiumon Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
- 発表場所
  Beijing, China.
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN and InGaN films on YSZ (001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K.Nakamura, T.Ishida, M.Kakuda, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates by RF-MBE2010
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Berlin, Germany.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長2010
- 著者名/発表者名
  角田雅弘, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県長崎市)
- 年月日
  2010-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] MOVPE growth of c-GaN films via an AlGaAs intermediate Layer on GaAs (001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Kato, Y.Seki, Q.T.Thieu, S.Kuboya, K.Onabe
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  神戸国際会議場 (兵庫県)
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光2009
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07 – 2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Investigation of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by m-line Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  N. Yoshinogawa, R. Katayama, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 33rd Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  La-Foret Shuzenji, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via 2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  Izu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長
- 著者名/発表者名
  角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、矢口裕之、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（厚木市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] MOVPE Growth of GaN onto PLD-Grown AlN Interlayer on GaN Templates
- 著者名/発表者名
  J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’15)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2015-04-22 – 2015-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] RF-MBE Growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  UCLAコンファレンス・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] 横型擬似位相整合AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計
- 著者名/発表者名
  三谷悠貴, 片山竜二, 劉陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 松岡隆志
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平さくらホール（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07 – 2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Accurate Determination of Modal Dispersion in Nonlinear Optical TiOx/GaN Waveguide by Spectroscopic m-line Technique
- 著者名/発表者名
  R. Katayama, N. Yoshinogawa, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wrocław Congress Center, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation
- 著者名/発表者名
  Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 34th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  La-Foret Biwako, Shiga, Japan
- 年月日
  2015-07-15 – 2015-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600082
[学会発表] RF-MBE法による立方晶AlNの結晶成長
- 著者名/発表者名
  角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、尾鍋研太郎
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学（東京都目黒区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005

1. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 61件
2. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 38件
3. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 90件
4. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 32件
5. 八木修平 (30421415)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
6. 秋山英文 (40251491)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 28件
7. 横山弘之 (60344727)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 谷川智之 (90633537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
9. 三谷武志 (90586306)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
10. 江藤数馬 (70711828)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
11. サクンタムサノーピン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 寒川誠二

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
13. 村山明宏

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

窪谷 茂幸 KUBOYA SHIGEYUKI

研究課題

研究成果

共同研究者

溶液法／昇華法ハイブリッド成長における欠陥伝播メカニズム解明と高品位化実証

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

二次元層状物質を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 263 nm wavelength UV-C LED on face-to-face annealed sputter-deposited AlN with low screw- and mixed-type dislocation densities2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Homogeneity improvement of N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ga‐polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter‐scale wide terraces2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

窪谷茂幸 KUBOYA SHIGEYUKI