大島祐一 Oshima Yuichi

研究者番号	70623528
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度 – 2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 2019年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 2017年度 – 2018年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学研究代表者以外小区分27020:反応工学およびプロセスシステム工学関連 / 小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者エピタキシャル / 結晶成長 / 酸化ガリウム / パワー半導体 / ワイドギャップ半導体 / 紫外線検出素子 / パワーデバイス / 酸化物半導体 / 太陽電池 / 磁性半導体 / 熱電変換 / 窒化物半導体 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る酸化ガリウム / 結晶化 / 半導体 / 相転移 / 薄膜 / 高圧 / (-102)面 / デバイス開発 / 微細加工 / パワーデバイス / パワー半導体 / ワイドギャップ半導体 / 酸化物半導体隠す

超高圧アニールを用いた高機能性半導体薄膜の開発
- 研究代表者
  
  川村史朗
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分27020:反応工学およびプロセスシステム工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
新しい基板主面と新しいエッチング手法による酸化ガリウム微細加工デバイスの開発
- 研究代表者
  
  大島孝仁
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
光・パワーデバイス応用に向けたε型酸化ガリウムのハライド気相成長研究代表者
- 研究代表者
  
  大島祐一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
パワー半導体用beta-Ga2O3のハライド気相成長法による高速製膜技術の開発
- 研究代表者
  
  ビジョラガルシア
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
新規ワイドギャップ半導体ScNのハライド気相成長法による高品質結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  大島祐一
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

すべて 2020 2019 2017 2015 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Oshima Yuichi、Kawara Katsuaki、Oshima Takayoshi、Okigawa Mitsuru、Shinohe Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 025512-025512
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6faf
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[雑誌論文] Hydride Vapor Phase Epitaxy of ε-Ga2O32015
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, and Kiyoshi Shimamura
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol. 118 号: 8
- DOI
  10.1063/1.4929417
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[雑誌論文] 異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長2015
- 著者名/発表者名
  大島祐一、ガルシア　ビジョラ、島村清史
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: Vol.42[2] ページ: 141-147
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates2015
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.8 号: 5 ページ: 055501-055501
- DOI
  10.7567/apex.8.055501
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[雑誌論文] Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 410 ページ: 53-58
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[雑誌論文] Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers2014
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115 号: 15
- DOI
  10.1063/1.4871656
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790050
[産業財産権] 結晶性積層構造体および半導体装置2019
- 発明者名
  大島祐一、河原克明、高橋勲、四戸孝
- 権利者名
  物質・材料研究機構、(株)FLOSFIA
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[産業財産権] 結晶性積層構造体の製造方法2019
- 発明者名
  大島祐一、河原克明、高橋勲、四戸孝
- 権利者名
  物質・材料研究機構、(株)FLOSFIA
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[産業財産権] ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子2015
- 発明者名
  大島祐一、ガルシアビジョラ、島村清史
- 権利者名
  大島祐一、ガルシアビジョラ、島村清史
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2015-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[産業財産権] β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法2014
- 発明者名
  大島祐一、ガルシアビジョラ、島村清史
- 権利者名
  大島祐一、ガルシアビジョラ、島村清史
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-160311
- 出願年月日
  2014-08-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[産業財産権] β－Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の製造方法及びβ―Ｇａ２Ｏ３単結晶膜付きサファイア基板2014
- 発明者名
  大島祐一/ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア/島村清史
- 権利者名
  大島祐一/ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア/島村清史
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-062483
- 出願年月日
  2014-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[学会発表] ワイドギャップ半導体Ga2O3の安定相の制御2020
- 著者名/発表者名
  大島祐一
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「多様な安定相のエンジニアリングによる多元系材料開発の新展開－未来材料開拓イニシアチブ～環境・エネルギー材料の未来～」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of Meta-Stable Ga2O32019
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[学会発表] 準安定相Ga2O3のハライド気相成長2019
- 著者名/発表者名
  大島祐一
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会第113回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[学会発表] 準安定相酸化ガリウムのハライド気相成長2017
- 著者名/発表者名
  大島祐一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「これからの未来を担う新ワイドギャップ酸化物材料Ga2O3」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05047
[学会発表] Halide vapor phase epitaxy of α-Ga2O32015
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 学会等名
  International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015
- 発表場所
  京都大学　桂キャンパス
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of ε-Ga2O32015
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 学会等名
  International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015
- 発表場所
  京都大学　桂キャンパス
- 年月日
  2015-11-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O32015
- 著者名/発表者名
  大島祐一，ガルシア　ビジョラ、島村　清史
- 学会等名
  39th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites
- 発表場所
  Hilton Daytona Beach Resort and Ocean Center,Daytona beach Florida,USA
- 年月日
  2015-01-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[学会発表] 異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長2014
- 著者名/発表者名
  大島祐一，ガルシア　ビジョラ、島村　清史
- 学会等名
  日本結晶成長学会・バルク成長分科会研究会「機能性単結晶の最近の進展」
- 発表場所
  早稲田大学　西早稲田キャンパス　55号館2階第3会議室,東京都
- 年月日
  2014-10-02
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420307
[学会発表] HVPE法によるScNの成長と評価2014
- 著者名/発表者名
  大島祐一，ガルシア　ビジョラ、島村　清史
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790050
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers
- 著者名/発表者名
  Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura
- 学会等名
  International Workshop on Nitride semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall,Wroclaw,Poland
- 年月日
  2014-08-25 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790050
[学会発表] ハイドライド気相成長法による窒化スカンジウムの成長と評価
- 著者名/発表者名
  大島祐一，ガルシア　ビジョラ、島村　清史
- 学会等名
  2014年電気化学会秋季大会
- 発表場所
  北海道大学高等教育推進機構,札幌市
- 年月日
  2014-09-27 – 2014-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25790050

1. ビジョラガルシア (90421411)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. 島村清史 (90271965)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
3. 大島孝仁 (60583151)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 川村史朗 (80448092)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 反保衆志 (20392631)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 村田秀信 (30726287)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 山田直臣 (50398575)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 永井武彦 (70415719)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大島 祐一 Oshima Yuichi

研究課題

研究成果

共同研究者

超高圧アニールを用いた高機能性半導体薄膜の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新しい基板主面と新しいエッチング手法による酸化ガリウム微細加工デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光・パワーデバイス応用に向けたε型酸化ガリウムのハライド気相成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

パワー半導体用beta-Ga2O3のハライド気相成長法による高速製膜技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規ワイドギャップ半導体ScNのハライド気相成長法による高品質結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hydride Vapor Phase Epitaxy of ε-Ga2O32015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[産業財産権] 結晶性積層構造体および半導体装置2019

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] 結晶性積層構造体の製造方法2019

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

データソース

[産業財産権] ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子2015

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

大島祐一 Oshima Yuichi

[産業財産権] β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法2014

[学会発表] 準安定相酸化ガリウムのハライド気相成長2017