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花房 宏明  Hanafusa Hiroaki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70630763
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2025年度: 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授
2021年度 – 2022年度: 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授
2020年度: 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 助教
2016年度 – 2018年度: 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教
2013年度 – 2014年度: 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
オーミックコンタクト / 炭化ケイ素 / 最表面欠陥 / 高温動作 / シリコンカーバイド / エネルギーバンド / シリサイド化熱処理 / Siドット / シリコンドーム / コンタクト … もっと見る / 表面欠陥 / シリコン / 結晶工学 / 解析・評価 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 電子顕微鏡 / 局所的結晶配列 / 結晶の均質性 / 欠陥密度分布 / 結晶欠陥 / 菊池線 / 電子線後方散乱 / 結晶分布評価 / Si/SiCヘテロ接合 / ワイドバンドギャップ半導体 / シリコン挿入層 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (10件)
  •  シリコンキャップアニールを施したSiCの表面構造と高温長期継時特性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      花房 宏明
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
    • 研究機関
      広島大学
  •  シリコンキャップアニールによるSiC表面の制御とシリサイドレスコンタクトの研究研究代表者

    • 研究代表者
      花房 宏明
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
    • 研究機関
      広島大学
  •  電子線後方散乱法を用いた局所的半導体結晶性分布評価法の開発研究代表者

    • 研究代表者
      花房 宏明
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      広島大学
  •  アモルファスシリコンを用いた欠陥制御型ヘテロジャンクション電極の開発と制御研究代表者

    • 研究代表者
      花房 宏明
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2014
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      広島大学

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すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by Electron-Back-Scattering Diffraction Pattern Analysis2015

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Shohei Hayashi, and Seiichiro Higashi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 821-823 ページ: 391-394

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.391

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466
  • [雑誌論文] Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Hanafusa, Akio Ohta, Ryuhei Ashihara, Keisuke Maruyama, Tsubasa Mizuno, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, and Seiichiro Higashi
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 778-780 ページ: 649-652

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.649

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466
  • [学会発表] a-Si:H膜を用いたSiCへのシリコンキャップアニールと Siドット形成の低温化2022

    • 著者名/発表者名
      花房 宏明, 東 清一郎
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05328
  • [学会発表] シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析2020

    • 著者名/発表者名
      花房 宏明、 東堂 大地、 東 清一郎
    • 学会等名
      81回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05328
  • [学会発表] 菊池線パターン解析によるSi結晶内の欠陥量評価法の開発2019

    • 著者名/発表者名
      花房 宏明
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K13675
  • [学会発表] 菊池線パターン解析による結晶欠陥評価の研究2017

    • 著者名/発表者名
      沖 昴志、花房 宏明、東 清一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K13675
  • [学会発表] Si 挿入層の不純物濃度に依存した4H-SiC のコンタクト特性2014

    • 著者名/発表者名
      廣松志隆、花房宏明、丸山佳祐、石丸凌輔、東清一郎
    • 学会等名
      2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会
    • 発表場所
      島根大学, 島根県
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466
  • [学会発表] Contact Property of 4H-SiC with Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Insertion Layer2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Hanafusa, Akio Ohta, Ryuhei Ashihara, Keisuke Maruyama, Tsubasa Mizuno, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, and Seiichiro Higashi
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2013
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466
  • [学会発表] Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Shohei Hayashi, and Seiichiro Higashi
    • 学会等名
      10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2014)
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2014-09-21 – 2014-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466
  • [学会発表] EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価

    • 著者名/発表者名
      花房宏明、丸山佳祐、林 将平、東清一朗
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学, 北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25870466

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