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林 等  Hayashi Hitoshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70634963
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 上智大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 上智大学, 理工学部, 教授
2017年度 – 2019年度: 上智大学, 理工学部, 教授
2016年度: 上智大学, 理工学部, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分60040:計算機システム関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
ニューラルネットワーク / ΔΣ変調 / 電子デバイス・機器 / メモリスタ
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (4件)
  •  ΔΣ変調ビット列を用いた次世代ANN構成技術基盤の確立研究代表者

    • 研究代表者
      林 等
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分60040:計算機システム関連
    • 研究機関
      上智大学
  •  メモリスタによる高効率な高調波発生とそのミリ波回路への応用研究代表者

    • 研究代表者
      林 等
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学

すべて 2020 2018 2016

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Spontaneous room-temperature formation of broccoli-like Ag-GeTe nanostructures assisting filamentary resistive switching2018

    • 著者名/発表者名
      Imanishi Yusuke、Hayashi Hitoshi、Nakaoka Toshihiro
    • 雑誌名

      Journal of Materials Science

      巻: 53 号: 17 ページ: 12254-12264

    • DOI

      10.1007/s10853-018-2493-z

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06315, KAKENHI-PROJECT-18H01480
  • [雑誌論文] Harmonic multiplication based on Ge-Sb-Te resistive-switching devices2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kanehira, Y. Imanishi, H. Hayashi, and T. Nakaoka
    • 雑誌名

      Electronics Letters

      巻: 52 号: 21 ページ: 1811-1813

    • DOI

      10.1049/el.2016.2016

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06315
  • [学会発表] Amplification circuit using a frequency-multiplying Ge-Sb-Te thin film2020

    • 著者名/発表者名
      Yin Yifei、Xiang Jiawen、Park Hyoseong、Hayashi Hitoshi、Nakaoka Toshihiro
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06315
  • [学会発表] Ge-Sb-Te薄膜を用いた逓倍器の作成2018

    • 著者名/発表者名
      近藤 諒佳、鹿倉 直樹、兼平 達也、川崎 繁男、林 等、中岡 俊裕
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06315

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