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横川 俊哉  Yokogawa Toshiya

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70722106
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 客員教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度: 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授
2016年度: 山口大学, 創成科学研究科, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
先端機能デバイス / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 半導体物性 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / バンド構造 / 電子親和力 / トランジスタ / 窒化物系半導体 / 電極 … もっと見る / カーボンナノチューブ / 低消費電力 / 低電圧駆動 / デバイス最適設計 / 真空チャンネルトランジスタ / 高品質AlGaN結晶 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (9件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  AlGaN系半導体を用いた真空チャンネルトランジスタに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      横川 俊哉
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      山口大学

すべて 2017 2016

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Dislocation Formation via an r-Plane Slip Initiated by Plastic Deformation during Nano-Indentation of a High Quality Bulk GaN Surface2016

    • 著者名/発表者名
      Toshiya Yokogawa, Sachi Niki, Junko Maekawa, Masahiko Aoki and Masaki Fujikane
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: 1 号: 58 ページ: 3847-3852

    • DOI

      10.1557/adv.2016.165

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [産業財産権] 真空チャンネルトランジスタおよびその製造方法2017

    • 発明者名
      横川俊哉
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-518012
    • 出願年月日
      2017
    • 取得年月日
      2018
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [産業財産権] 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法2016

    • 発明者名
      横川俊哉、真田篤志
    • 権利者名
      山口大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2016-05-13
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造における転位観察と歪解析2017

    • 著者名/発表者名
      二木佐知、前川順子、青木正彦、山本雄大、横川俊哉
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] Low contact resistance of the MWCNTs ohmic contact to p-GaN and its application for high power LED2017

    • 著者名/発表者名
      Toshiya Yokogawa and Syota Miyake
    • 学会等名
      SPIE. OPTICS+PHOTONICS, NANOSCIENCE+ENGINEERING
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] Electrode of metalic carbon nanotube for p-GaN and its application for LED2017

    • 著者名/発表者名
      Toshiya Yokogawa, Syota Miyake
    • 学会等名
      European Materials Research Society (E-MRS) 2017 Spring Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] カーボンナノチューブ/GaN 界面p-GaN 電極への応用2017

    • 著者名/発表者名
      横川 俊哉、三宅 祥太、毛利 裕治、中山 雅晴
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2017-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] Characterization of electrical property and band-structure in carbon nanotube/GaN hetero-interface2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yokogawa, S. Miyake, A. Yamashita
    • 学会等名
      NANOTECH 2016 CONFERENCE & EXPO
    • 発表場所
      Gaylord National Hotel & Convention Center, Washington DC, USA
    • 年月日
      2016-05-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • [学会発表] Electrical property and band-structure in carbon nanotubes/GaN hetero-interface and thier application for p-GaN electrode2016

    • 著者名/発表者名
      Toshiya Yokogawa, Shota Miyake, Yuji Mouri, Masaharu Nakayama
    • 学会等名
      2016 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2016-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06265
  • 1.  上山 智 (10340291)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  真田 篤志 (20264905)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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