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高宮 健吾  TAKAMIYA Kengo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70739458
所属 (現在) 2025年度: 埼玉大学, 研究機構, 専門技術員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 埼玉大学, 研究機構, 専門技術員
2019年度 – 2021年度: 埼玉大学, 研究機構, 専門技術員
2015年度 – 2016年度: 埼玉大学, 総合技術支援センター, 専門技術員
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分30010:結晶工学関連
キーワード
研究代表者
非古典光源 / 微小共振器構造 / 原子層ドープ / エルビウム / 単一光子
研究代表者以外
太陽電池 / エピタキシャル成長 / 化合物半導体 / 非発光再結合中心 / 非発光再結合 … もっと見る / 二波長励起フォトルミネッセンス / アップコンバージョン発光 / 電子局在状態 / 第一原理計算 / 希釈窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (13件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  バンドテイルを経由した2段階光吸収を利用する太陽電池の高効率化

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開

    • 研究代表者
      矢口 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  微小共振器構造を有するEr原子層ドープ半導体の作製および単一光子発生研究代表者

    • 研究代表者
      高宮 健吾
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      埼玉大学

すべて 2022 2021 2020 2019 2016 2015

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Influence of Laser Irradiation on the Photoluminescence Intensity of InGaAsN Quantum Wells2021

    • 著者名/発表者名
      Md. Zamil Sultan, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi and Osamu Ueda
    • 雑誌名

      North American Academic Research Journal

      巻: 4 ページ: 240-251

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [雑誌論文] Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation2020

    • 著者名/発表者名
      Sultan Md. Zamil、Shiroma Akinori、Yagi Shuhei、Takamiya Kengo、Yaguchi Hiroyuki
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 9 ページ: 095302-095302

    • DOI

      10.1063/5.0020793

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612, KAKENHI-PROJECT-17KK0127
  • [学会発表] Arsenic Composition Dependence of Up-Conversion Luminescence of GaPAsN Alloys2022

    • 著者名/発表者名
      Kengo Takamiya, Sultan Md. Zamil, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      International Conference on the Physics of Semiconductors 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation2020

    • 著者名/発表者名
      Md Zamil Sultan, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響2020

    • 著者名/発表者名
      相良 鋼, 高宮 健吾, 八木 修平, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation2019

    • 著者名/発表者名
      Sultan Md. Zamil, Akinori Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions2019

    • 著者名/発表者名
      Kengo Takamiya, Wataru Takahashi, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama, Hidefumi Akiyama, and Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN Alloys2019

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Yaguchi, Wataru Takahashi, Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama and Hidefumi Akiyama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Laser Induced Degradation of Photoluminescence Intensity in GaPN2019

    • 著者名/発表者名
      Md Zamil Sultan, Akinori Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02612
  • [学会発表] Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy-Grown Er δ-doped GaAs2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi
    • 学会等名
      the 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Le Corum(Montpelier, France)
    • 年月日
      2016-09-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K18035
  • [学会発表] GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性2015

    • 著者名/発表者名
      金 日国、高宮 健吾、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K18035
  • [学会発表] ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響2015

    • 著者名/発表者名
      飯村 啓泰、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K18035
  • [学会発表] AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するErδドープGaAsの発光特性2015

    • 著者名/発表者名
      須藤 真樹、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K18035
  • 1.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 9件
  • 2.  秋山 英文 (40251491)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 3.  八木 修平 (30421415)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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