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志村 礼司郎  シムラ レイジロウ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70826586
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2019年度 – 2020年度: 東京工業大学, 物質理工学院, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分20010:機械力学およびメカトロニクス関連
キーワード
研究代表者
HfO2 / 圧電特性 / 酸化ハフニウム / 圧電測定 / 圧電性 / 酸化ハフニウム基強誘電体
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (4件)
  •  酸化ハフニウム(HfO2)基強誘電体の圧電定数の解明研究代表者

    • 研究代表者
      志村 礼司郎
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2020
    • 研究種目
      若手研究
    • 審査区分
      小区分20010:機械力学およびメカトロニクス関連
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2021 2020 2019

すべて 学会発表

  • [学会発表] スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      志村 礼司郎, 三村 和仙, 舘山 明紀, 清水 荘雄, 白石 貴久, 舟窪 浩
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K14921
  • [学会発表] スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価2020

    • 著者名/発表者名
      志村 礼司郎,三村 和仙,舘山 明紀, 清水 荘雄,舟窪 浩
    • 学会等名
      第67回 応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K14921
  • [学会発表] スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温成膜とその電気特性および圧電特性評価2020

    • 著者名/発表者名
      志村 礼司郎, 三村 和仙, 舘山 明紀, 清水 荘雄, 舟窪 浩
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K14921
  • [学会発表] スパッタリング法を用いたY:HfO2強誘電体厚膜の作製とその電気特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      志村 礼司郎, 三村 和仙, 清水 荘雄, 舟窪 浩
    • 学会等名
      第39回 電子材料討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K14921

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