後藤高寛 Gotow Takahiro

研究者番号	70827914
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-9052-2950
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 2021年度 – 2023年度: 東京工業大学, 工学院, 助教 2019年度: 東京工業大学, 工学院, 助教 2018年度 – 2019年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 0302:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者 TFET / MOCVD / 高周波デバイス / 窒化物半導体デバイス / III-V semiconductors / MOSFET / III-V族化合物半導体 / トンネルトランジスタ / InGaAs / GaAsSb / MOS界面準位 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る横方向結晶成長 / トンネルFE / 横方向成長 / バイポーラトランジスタ / 化合物半導体 / ナノシート / 低消費電力 / ラテラルHBT / トンネルFET / ヘテロ構造隠す

InNチャネル高電子移動度トランジスタ実現に向けた結晶成長技術と極性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  後藤高寛
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析研究代表者
- 研究代表者
  
  後藤高寛
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
   東京工業大学
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
極低電圧動作トンネルトランジスタの高周波応用向け基礎検討研究代表者
- 研究代表者
  
  後藤高寛
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2019
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 審査区分
  
  0302:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
   国立研究開発法人情報通信研究機構

すべて 2019 2018

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化2019
- 著者名/発表者名
  (2)高木信一, 加藤公彦, 安大煥, 後藤高寛, 松村亮, 高口遼太郎, 竹中充
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌 C
  
  巻: Vol. J102-C, NO.3 ページ: 61-69
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084
[雑誌論文] Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators2019
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Masashi、Gotow Takahiro、Takenaka Mitsuru、Takagi Shinichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SB ページ: SBBA15-SBBA15
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab073b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084
[学会発表] InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較2019
- 著者名/発表者名
  満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 後藤高寛, 竹中充, 高木信一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084
[学会発表] MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI2018
- 著者名/発表者名
  (5)S. Takagi, K. Kato, W.-K. Kim, K. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, T. Gotow, M. Takenaka
- 学会等名
  48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084
[学会発表] Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators2018
- 著者名/発表者名
  M. Yamaguchi, T. Gotow, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084
[学会発表] Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile2018
- 著者名/発表者名
  T. Gotow, M. Mitsuharu, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21084

1. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 福田浩一 (00586282)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 菅原聡 (40282842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 荒井昌和 (90522003)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

後藤 高寛 Gotow Takahiro

研究課題

研究成果

共同研究者

InNチャネル高電子移動度トランジスタ実現に向けた結晶成長技術と極性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極低電圧動作トンネルトランジスタの高周波応用向け基礎検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] 材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化2019

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] MOS Device Technology using Alternative Channel Materials for Low Power Logic LSI2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

後藤高寛 Gotow Takahiro