関裕平 Seki Yuhei

研究者番号	70937367
その他のID
所属 (現在)	2026年度: 北海道大学, 工学研究院, 博士研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 神奈川大学, 付置研究所, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者不純物ドーピング / イオン注入 / 半導体 / パワーデバイス / ダイヤモンド

イオン注入法でのドーパント注入によるダイヤモンド半導体の電気伝導制御の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  関裕平
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  神奈川大学

すべて 2025 2024 2023

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] The origin of degradation in electrical properties by ion implantation doping of boron in diamond2025
- 著者名/発表者名
  Seki Yuhei、Yoshihara Minami、Hoshino Yasushi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 137 号: 18 ページ: 185701-185701
- DOI
  10.1063/5.0272310
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[雑誌論文] Light B Doping by Ion Implantation into High‐Purity Heteroepitaxial Diamond2024
- 著者名/発表者名
  Seki Yuhei、Yoshihara Minami、Kim Seong‐Woo、Koyama Koji、Hoshino Yasushi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 221 号: 18 ページ: 2400159-2400159
- DOI
  10.1002/pssa.202400159
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03930, KAKENHI-PROJECT-23K13369
[雑誌論文] ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF LIGHTLY B ION-IMPLANTED HETEROEPITAXIAL DIAMOND2024
- 著者名/発表者名
  Yoshihara Minami、Seki Yuhei、Shiraishi Takuya、Hoshino Yasushi
- 雑誌名
  
  PROCEEDINGS OF THE 42nd SYMPOSIUM ON MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOSEI UNIVERSITY
  
  巻: 42 ページ: 29-33
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[雑誌論文] Optimization of Activation Annealing Condition for Boron‐Implanted Diamond2023
- 著者名/発表者名
  Seki Yuhei、Kurashima Rintaro、Yoshihara Minami、Hoshino Yasushi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 220 号: 19
- DOI
  10.1002/pssa.202300522
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369, KAKENHI-PROJECT-23K03930
[学会発表] ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗層形成2025
- 著者名/発表者名
  今村　海哉, 関　裕平, 星野　靖
- 学会等名
  第72回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] Bイオン注入による高圧高温合成Ib型ダイヤモンドの電気伝導制御2025
- 著者名/発表者名
  関裕平，今村海哉, 星野靖
- 学会等名
  第72回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗ドープ層形成における注入時基板温度依存性2024
- 著者名/発表者名
  今村海哉、関裕平、星野靖
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] 高濃度P+イオン注入によるn型ダイヤモンド半導体形成に向けた研究2024
- 著者名/発表者名
  関裕平、今村海哉、星野靖
- 学会等名
  第85回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] 高純度ホモエピタキシャルCVDダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型伝導層の形成と補償の影響2024
- 著者名/発表者名
  関裕平、吉原実奈美、星野靖
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] Compensation effect by deep donor center on B-implanted diamond at low concentrations2024
- 著者名/発表者名
  Yuhei Seki, Minami Yoshihara, Yasushi Hoshino
- 学会等名
  34th international conference on diamond and carbon materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] B注入IIa型CVDダイヤモンドの電気特性への活性化アニール時間の影響2023
- 著者名/発表者名
  関裕平、倉島凛太郎、吉原実奈美、星野靖
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] 高純度ダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型電気伝導層形成2023
- 著者名/発表者名
  吉原実奈美、関裕平、星野靖
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369
[学会発表] Optimization of activation annealing time for diamond doped by B ion implantation2023
- 著者名/発表者名
  Yuhei Seki, Rintaro Kurashima, Minami Yoshihara, Yasushi Hoshino
- 学会等名
  33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13369

1. 星野靖

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

関 裕平 Seki Yuhei

研究課題

研究成果

共同研究者

イオン注入法でのドーパント注入によるダイヤモンド半導体の電気伝導制御の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] The origin of degradation in electrical properties by ion implantation doping of boron in diamond2025

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Light B Doping by Ion Implantation into High‐Purity Heteroepitaxial Diamond2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF LIGHTLY B ION-IMPLANTED HETEROEPITAXIAL DIAMOND2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optimization of Activation Annealing Condition for Boron‐Implanted Diamond2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗層形成2025

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Bイオン注入による高圧高温合成Ib型ダイヤモンドの電気伝導制御2025

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗ドープ層形成における注入時基板温度依存性2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 高濃度P+イオン注入によるn型ダイヤモンド半導体形成に向けた研究2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 高純度ホモエピタキシャルCVDダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型伝導層の形成と補償の影響2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Compensation effect by deep donor center on B-implanted diamond at low concentrations2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] B注入IIa型CVDダイヤモンドの電気特性への活性化アニール時間の影響2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 高純度ダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型電気伝導層形成2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Optimization of activation annealing time for diamond doped by B ion implantation2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

関裕平 Seki Yuhei