大山英典 OHYAMA Hidenori

研究者番号	80152271
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度 – 2007年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 2000年度 – 2003年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 1995年度 – 1999年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外無機材料・物性 / 工学基礎 / 金属物性 / エネルギー学一般 / 構造・機能材料 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 Recovery by annealing / Induced lattice defects / SiGe hetero device / High energy particle / Radiation damage / 格子欠陥 / 半導体デバイス / Radiation source dependence of radiation atom / Degradation of performance / submicron MOSFETs … もっと見る / 回復 / 熱処理 / 劣化 / 宇宙空間 / 照射損傷 / 高エネルギー粒子 / Degradation / InGaAs HEMT / HEMT / InGaAs / SiGe / 特性劣化 / 放射線損傷 / 高エネルギー粒子線 … もっと見る研究代表者以外 SiGe / 照射損傷 / MOSFET / 格子欠陥 / Electron / Radiation damage / 陽子線 / 電子線 / proton / radiation damage / 歪Si / 高温照射 / 半導体デバイス / Recovery by annealing / Induced lattice defects / Degradation / High energy particle / 回復 / 熱処理 / 劣化 / 宇宙空間 / 高エネルギー粒子 / 放射線 / SiC / recovery / induced lattice defect / SOI transisor / SiC transistor / electron / GaN LED / 特性劣化 / 宇宙環境 / SOI MOS / InGaAs photodiode / 高工ネルギー粒子 / Database / Ambient temperature / Solar radiation / Conversion efficiency / Generating characteristic / Solar cell / Photovoltaic / データベース化 / 気温 / 日射量 / 変換効率 / 発電特性 / 太陽電池 / 太陽光発電 / AlGaAs HEMT / InGaAs HEMT / InGaAsデバイス / Carbon / Praticle / Neutron / Proton / Hetero device / HBT / カーボン / 粒子線 / 中性子線 / ヘテロデバイス隠す

先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  工学基礎
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果
- 研究代表者
  
  工藤友裕
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究
- 研究代表者
  
  紫垣一貞
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
高専に設置された40KW太陽光発電設備の発電特性評価とデータベース化に関する研究
- 研究代表者
  
  山口利幸
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  エネルギー学一般
- 研究機関
  和歌山工業高等専門学校
InGaAsデバイスの放射線損傷とその低減法
- 研究代表者
  
  紫垣一貞 (柴垣一貞)
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
先端半導体デバイスの高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  大山英典
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
先端半導体デバイスと材料の放射線損傷研究代表者
- 研究代表者
  
  大山英典
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校
SiGeデバイスの高性能化
- 研究代表者
  
  徳山順也
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  熊本電波工業高等専門学校

すべて 2007 2006 2005 2004 2003 2002 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Effects of gate interface on performance degradation of irradiated SiC-MESFET2007
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 37-40
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Performance degradation mechanism of irradiated GaAlAs LED2007
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 33-36
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Degradation and their recovery behavior of irradiated GaAlAs LEDs2007
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena 131-133
  
  ページ: 119-124
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Effects of gate interface on performance degradation of irradiated SiC-MESFET2007
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 37-40
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Performance degradation mechanism of irradiated GaAlAsLED2007
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 33-36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation source dependence of device performance degradation for 4H-SiC MESFETs2006
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 雑誌名
  
  Superlattice and Microstructure 40
  
  ページ: 623-637
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation source dependence of device performance degradation for 4H-SiC MESFETs2006
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  Superlattice and Microstructure 40
  
  ページ: 623-637
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation2006
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 382-384
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons2006
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama他
- 雑誌名
  
  proceeding of the Materials Science in Semiconductor 9
  
  ページ: 292-292
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Effects of radiation-induced defects on device performance in electron irradiated SiC-MESFETs2005
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI, 15-19
  
  ページ: 78-78
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Effects of radiation-induced defects on device performance in electron irradiated SiC-MESFETs2005
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI
  
  ページ: 78-78
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation damage of SiC Schottky diodes by electron irradiation2005
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science 16
  
  ページ: 455-458
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons2005
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  proceeding of the 11^<th> International Conference on Defects : Recognition and Physics in Semiconductors, DRIP XI 15-19
  
  ページ: 101-101
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Degradation of electrical performance and floating body effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradition2004
- 著者名/発表者名
  K.Hayama, K.Takakura, H.Ohyama, A.Marcha, E.Simoen, C.Claeys, J.M.Rafi, M.Kokkoris
- 雑誌名
  
  Microelectron.Reliab. 44
  
  ページ: 1721-1726
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Anomalous threshold voltage change by 2 MeV electron irradiation at 100 ℃ in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2004
- 著者名/発表者名
  H.K.Hayama, Ohyama, E.Simoen, J.M.Rafi, A.Mercha, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84
  
  ページ: 3088-3090
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Electron irradiation effect on thermal donors in CZ-Si2004
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, H.Murakawa, T.Yoshida, J.M.Rafi, R.Job, A.Ulyashin, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Eur.Phys.J.Appl.Phys. 27
  
  ページ: 133-135
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Impact of 7.5-MeV proton irradiation on front-back gate coupling effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs2004
- 著者名/発表者名
  K.Hayama, K.Takakura, H.Ohyama, J.M.Rafi, A.Mercha, Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.on Nucl.and Sci 51
  
  ページ: 3795-3800
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damages of InGaAs photodiodes by high-temperature electron irradiation2004
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, M.Nakabayashi, T.Hirao, S.Onoda, T.Kamiya, E.Simoen, C.Claeys, S.Kuboyama, K.Oka, S.Matsuda
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 219-220
  
  ページ: 718-721
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damages of InGaAs photodiodes by high-temperature electron irradiation2004
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B Vol.219-220
  
  ページ: 718-721
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] A study on radiation damage of IGBTs by 2-MeV electrons at different irradiation temperature2004
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama et al.
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B Vol.219-220
  
  ページ: 676-679
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage induced in Si photodiodes by high-temperature neutron irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, E.Simoen, C.Claeys, K.Takakura, T.Jono, H.Matsuoka, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science. 14
  
  ページ: 437-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Effects of irradiation temperature on radiation damage in electron-irradiated MOS FETs2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 530-535
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage of Si photodides by high-temperature irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, C.Claeys, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 536-541
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science 14
  
  ページ: 451-454
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Damage coefficient in high-temperature particle- and g-irradiated silicon p-i-n diode2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, K.Hayama, S.Kuboyama, Y.Deguchi, S.Matsuda, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 82
  
  ページ: 296-298
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Induced lattice defects in InGaAs photodides by high-temperature electron irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Kobayashi, J.Vanhellemont, E.Simoen, C.Claeys, K.Takakura, T.Hirao, S.Onoda
- 雑誌名
  
  Physica B 340-342
  
  ページ: 337-340
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage in Si photodiodes by high temperature irradiation2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, E.Simoen, K.Kobayashi, C.Claeys, J.Uemura, T.Kishikawa
- 雑誌名
  
  Physica E 16
  
  ページ: 533-538
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Recovery behaviour resulting from thermal annealing in n-MOSFETs irradiated by 20-MeV protons2003
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, A.Ueda, M.Nakabayashi, K.Hayama, K.Kobayashi, E.Simoen, K.Kobayashi, E.Simoen, A.Mercha, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Semicond.Sci.Technology 18
  
  ページ: 506-511
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Comparison of electron irradiation effect on thermal donors in CZ and oxygen doped FZ silicon2003
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Yoshida, H.Murakawa, J.M.Rafi, R.Job, A.Ulyashin, E.Simoen, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Physica B 340-342
  
  ページ: 1022-1025
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diodes2003
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Hayama, K.Takakura, T.Miura, K.Shigaki, T.Jono, E.Simoen, A.Poyai, C.Claeys
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 66
  
  ページ: 517-521
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation effects on n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process2002
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, E.Simoen, C.Claeys, K.Hayama, M.Nakabayashi, A.Ueda, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 186
  
  ページ: 419-423
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation damage of polycrystalline Silicon films2002
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, M.Nakabayashi, E.Simoen, C.Claeys, K.Tanaka, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Nucl.Instrum.Methods B 186
  
  ページ: 176-180
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14550660
[雑誌論文] Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, K.Takakura, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Effect of deep levels and interface states on the lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[雑誌論文] Radiation defects and degradation of Si photodiodes irradiated by neutrons at low temperature
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, H.Ohyama, T.Kudo 他
- 雑誌名
  
  Physica B (掲載予定)(to be published)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560602
[学会発表] Gate induced floating body effects in SiON and HfO triple gate SOI FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  J M. Rafi, H. Ohyama, et. al.
- 学会等名
  EUROSOI 2007
- 発表場所
  Leuven Belgium
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[学会発表] Performance degradation mechanism of irradiated GaAlAs LED2007
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 学会等名
  24th international conference on defects in semiconductors
- 発表場所
  Albuqueque, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[学会発表] Effects of gate interface on performance degradation of irradiated SiC-MESFET2007
- 著者名/発表者名
  H. Ohyama, et. al.
- 学会等名
  4th international conference on defects in semiconductors
- 発表場所
  Albuqueque, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054
[学会発表] Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation2005
- 著者名/発表者名
  H.Ohyama, et. al.
- 学会等名
  23th International Conference on Defects in Semiconductors ICDS-23
- 発表場所
  Awaji Island Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560054

1. 葉山清輝 (00238148)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 9件
2. 工藤友裕 (90225160)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 博多哲也 (60237899)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
4. 紫垣一貞 (50044722)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 3件
5. 高倉健一郎 (70353349)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 19件
6. 徳山順也 (40044698)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 山口利幸 (60191235)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 仲野巧 (80217794)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 所哲郎 (10155525)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 中川重康 (60155679)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. SIMOEN Eddy

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. CLAEYS Cor

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. EDDY Simoen

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. COR Claeys

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. SIMONE Eddy

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

大山 英典 OHYAMA Hidenori

研究課題

研究成果

共同研究者

先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高専に設置された40KW太陽光発電設備の発電特性評価とデータベース化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaAsデバイスの放射線損傷とその低減法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

先端半導体デバイスの高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

先端半導体デバイスと材料の放射線損傷研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiGeデバイスの高性能化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of gate interface on performance degradation of irradiated SiC-MESFET2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance degradation mechanism of irradiated GaAlAs LED2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Degradation and their recovery behavior of irradiated GaAlAs LEDs2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Effects of gate interface on performance degradation of irradiated SiC-MESFET2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Performance degradation mechanism of irradiated GaAlAsLED2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Radiation source dependence of device performance degradation for 4H-SiC MESFETs2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

大山英典 OHYAMA Hidenori