花田貴 hanada takashi

研究者番号	80211481
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所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教 2016年度 – 2020年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教 2007年度 – 2014年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教 2004年度 – 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手 2002年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手 … もっと見る 1997年度 – 2000年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手 1993年度: 理化学研究所, フロンティア研究システム, 研究員 1992年度: 東京工業大学, 工業材料研究所, 寄附研究部門教員 1989年度 – 1990年度: 東京工業大学, 工業材料研究所, 寄附研究部門教員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者表面構造 / 薄膜 / エピタキシャル成長 / 窒化物半導体 / 電気特性 / 接合 / 表面・界面構造 / 反射高速電子回折 / 全反射高速陽電子回折 / ワイドギャップ半導体 … もっと見る / 酸化ガリウム / 表面界面 / 窒化物 / 極性面 / 極性 / エピタキシャル / 構造転移 / 鉄シリサイド / X線回折 / 光素子 / 薄膜成長 / 非線形 / 誘電体物性 / 光物性 / 分子線エピタキシ / 物性実験 / 放射線、X線、粒子線 / 構造・機能材料 / 金属物性 / 軟X線 / 軽元素 / 局所構造 / X線吸収微細構造 / 金属ガラス … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / ZnO / MBE / GaN / ZnCdSe / ZnSe / 有機金属気相成長 / 光素子 / 薄膜成長 / 低温成長 / 分子線エピタキシー / Bi系超伝導体 / ヘテロ構造 / N極性 / 有機金属気相成長法 / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / 分極効果 / 極性 / Nitide semiconductors / Optical device / Thin film growth / HVPE / GaNエピタキシャル / CrN緩衝層 / surfactant / epitaxial growth / nitride semiconductors / II-VI族化合物 / 窒素 / p型ドーピング / サーフアクタント / 酸化物半導体 / サーファクタント / エピタキシ成長 / exciton-based optical properties / semiconducto quantum structure / nano-structure / short-wavelength optoelectronics / semiconductor quantum dot / CdSe / プラズマ援用MBE / 量子構造 / ワイドギャップ半導体 / 量子ドット / 励起子光物性 / 半導体量子構造 / ナノ構造 / 短波長光エレクトロニクス / 半導体量子ドット / Memory deivces / Charge storage / MOS structures / Scanning tunneling microscopy / Atomic Force Microscopy / Nano-scale characterization of electrical properties / Scanning Capacitance Microscopy / メモリー / 電荷蓄積 / MOS構造 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 原子間力顕微鏡(AFM) / 局所電気特性評価 / 走査容量顕微鏡(SCaM) / MOVPE / InGaN / 発光ダイオード / AFM / SIMS / XPS / RHEED / ZnO基板 / AlNバッファー層 / ヘテロ界面反応制御 / 有機薄膜 / 電気特性 / アントラセン / MIS構造 / 有機機能デバイス / 有機FET / 人工格子 / 酸化物高温超伝導体 / 表面構造 / 結晶成長 / 薄膜 / 酸化物超伝導体 / 分子線エピタキシー法 / 超薄膜 / 歪格子 / 表面水酸基 / Si(100) / 固体表面 / シリコン / 超伝導隠す

酸化ガリウム低指数面の清浄・吸着表面の原子構造と電気特性研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東北大学
窒化物半導体エピタキシャル膜の極性選択機構研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  東北大学
窒素極性窒化物半導体による二次元電子ガス発生構造の成長技術
- 研究代表者
  
  松岡隆志
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
オール窒化物半導体による白色光源の実現に向けた赤色発光層の開発
- 研究代表者
  
  松岡隆志
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
その場X線回折によるシリコン基板上へテロエピタキシャル成長の観測と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
大面積・超高輝度紫外LEDへの挑戦
- 研究代表者
  
  河俊碩
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
ヘテロ界面制御によるZnO基板上への高品質GaNの低温成長
- 研究代表者
  
  任寅鎬
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴, ちょ明煥
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
サーフアクタントMBEによる高ホール濃度・高品質p-型Zn0の成長技術開発
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
CrNをバッファ層として用いたAlGaNテンプレイト作製技術の開発
- 研究代表者
  
  ちょ明煥
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
金属ガラス合金の軽元素周辺の局所構造と結合状態研究代表者
- 研究代表者
  
  花田貴
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
有機半導体の分子線エピタキシとエレクトロニクス応用
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2002
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ワイドギャップ半導体ナノ量子ビットの構築
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
走査容量顕微鏡を用いた半導体ナノスケール材料・デバイス評価技術の開発に関する研究
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
酸化物超伝導体薄膜の原子層成長
- 研究代表者
  
  川合真紀
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
酸化物超伝導体薄膜の原子層成長
- 研究代表者
  
  川合真紀
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
固体表面反応を利用した酸化物超伝導薄膜原子層の段階的形成
- 研究代表者
  
  川合眞紀
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
団体表面反応を利用した酸化物超伝導薄膜原子層の段階的形成
- 研究代表者
  
  川合眞紀
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学

[図書] ZnO系の最新技術と応用2007
- 著者名/発表者名
  八百隆文, 花田貴等他21名
- 総ページ数
  440
- 出版者
  シーエムシー出版
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[図書] ZnO系の最新技術と応用2007
- 著者名/発表者名
  八百隆文, 花田貴, 等他21名
- 総ページ数
  440
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] A two-stage data-analysis method for total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD)2023
- 著者名/発表者名
  Tanaka Kazuyuki、Mochizuki Izumi、Hanada Takashi、Ichimiya Ayahiko、Hyodo Toshio、Hoshi Takeo
- 雑誌名
  
  JJAP Conference Proceedings
  
  巻: 9 号: 0 ページ: 011301-011301
- DOI
  10.56646/jjapcp.9.0_011301
- ISSN
  2758-2450
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04177
[雑誌論文] sim-trhepd-rheed -- Open-source simulator of total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED)2022
- 著者名/発表者名
  Hanada Takashi、Motoyama Yuichi、Yoshimi Kazuyoshi、Hoshi Takeo
- 雑誌名
  
  Computer Physics Communications
  
  巻: 277 ページ: 108371-108371
- DOI
  10.1016/j.cpc.2022.108371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04177, KAKENHI-PROJECT-20H00581
[雑誌論文] N極性GaN有機金属気相成長のステップフロー成長モデル2021
- 著者名/発表者名
  花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 48 号: 1 ページ: n/a
- DOI
  10.19009/jjacg.48-1-03
- NAID
  130008034934
- ISSN
  0385-6275, 2187-8366
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04933
[雑誌論文] Thermodynamic model for metalorganic vapor-phase epitaxy of N-polar group-III nitrides in step-flow growth mode: Hydrogen, competitive adsorption, and configuration entropy2019
- 著者名/発表者名
  Hanada Takashi
- 雑誌名
  
  Physical Review Materials
  
  巻: 3 号: 10
- DOI
  10.1103/physrevmaterials.3.103404
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04933
[雑誌論文] Characterization of the ScAlMgO4 cleaving layer by X-ray crystal truncation rod scattering2018
- 著者名/発表者名
  Hanada Takashi、Tajiri Hiroo、Sakata Osami、Fukuda Tsuguo、Matsuoka Takashi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 20 ページ: 205305-205305
- DOI
  10.1063/1.5031024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04933
[雑誌論文] Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (0001) GaN/sapphire2014
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL05-05FL05
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Improvement of surface morphology of nitrogen-polar GaN by introducing indium surfactant during MOVPE growth2014
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 8 ページ: 085501-085501
- DOI
  10.7567/jjap.53.085501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation into InGaN Grown by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Joumal of Nanoscience and Nanotechynology
  
  巻: 14 号: 8 ページ: 6112-6115
- DOI
  10.1166/jnn.2014.8306
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J10877, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of c-plane sapphire substrate miscut angle on indium content of MOVPE-grown N-polar InGaN2014
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki and R. Katayama(他6名)
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53(5S1) 号: 5S1 ページ: 05FL07-05FL07
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl07
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi and R. Katayama(他4名)
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 10(3) 号: 3 ページ: 417-420
- DOI
  10.1002/pssc.201200667
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Tilted domain and indium content of MOVPE-grown InGaN layer on m-plane GaN substrate2012
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki and R. Katayama(他4名)
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
- DOI
  10.1143/jjap.51.04dh01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films2012
- 著者名/発表者名
  J. H. Choi, S. Kumar, S. Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 雑誌名
  
  Key. Eng. Mater.
  
  巻: 508 ページ: 193-198
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.508.193
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24560362
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  S. W. Lee, J. S. Ha, Hyun-Jae Lee, Hyo-Jong Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560008
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  S. W. Lee, J. S. Ha, H. J. Lee, H-J. Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, et.al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 82105-82105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560002
[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  SW.Lee, DC.Oh, H.Goto, JS.Ha, HJ.Lee, T.Hanada, MW.Cho, et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 37-40
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based Light-emitting devices2007
- 著者名/発表者名
  SW.Lee, DC.0h, H Goto, JS Ha, HJ Lee, T Hanada, MW.Cho, SK.Hong, HY.Lee, SR.Cho, JW.Choi, JH.Choi, JH.Jang, JE.Shin, JS.Lee, T Yao
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 4・1
  
  ページ: 37-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and photoresponsivity of ZnO layers.2006
- 著者名/発表者名
  D.C.Oh, T.Suzuki, H.Makino, T.Hanada, H.J.Ko, T.Yao
- 雑誌名
  
  physica status solid 3(4)
  
  ページ: 946-951
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006
- 著者名/発表者名
  Lee WH, Im IH, Minegishi T, Hanada T, Cho MW, Yao T, Oh DC, Han CS, Koo KW, Kim JJ, Sakata 0, Sumitani K, Cho SJ, Lee HY, Hong SK, Kim ST
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 3
  
  ページ: 928-933
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] 0rigin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Oh DC, Goto H, Ha JS, Lee HJ, Hanada T, Cho MW, Yao T, Hong SK, Lee HY, Cho SR, Choi JW, Choi JH, Jang JH, Shin JE, Lee JS
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 132117-132117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Structural properties of CrN buffers for GaN growth2006
- 著者名/発表者名
  Lee.WH, Im.IH, Minegishi.T, Hanada.T, Cho MW, Yao T, et al.
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49 3
  
  ページ: 928-933
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices2006
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Oh DC, Goto H, Ha JS, Lee HJ, Hanada T, Cho MW, Yao T, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 132117-132117
- NAID
  120002337930
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560002
[雑誌論文] Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and Photoresponsivity of ZnO layers.2006
- 著者名/発表者名
  D.C.Oh, T.Suzuki, H.Makino, T.Hanada, H.J.Ko, T.Yao
- 雑誌名
  
  physica status solid 3(4)
  
  ページ: 946-951
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Photoresponsivity of ZnO Schottky barrier diodes.2006
- 著者名/発表者名
  Oh DC, Suzuki T, Hanada T, et al.
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE ＆ TECHNOLOGY B 24(3)
  
  ページ: 1595-1598
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structural variation of cubic and hexagonal MgxZn1-xO layers grown on MgO(111)/C-sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, A.Setiawan
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98(5)
  
  ページ: 54911-54911
- NAID
  120001182191
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interfacial engineering2005
- 著者名/発表者名
  KW.Jang, T.Minegishi, T.Suzuki, SK/Hong, DC.Oh, T.Hanada
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH 6(2)
  
  ページ: 167-183
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Capacitance-voltage Characteristics of ZnO/GaN2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 87(16)
  
  ページ: 162104-162104
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(3)
  
  ページ: 329090-329090
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Structural variation of cubic and hexagonal MgxZu1-x0 layers grown on MgO(111) /c-sapphire2005
- 著者名/発表者名
  Z.Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T.Hanada, MW.Cho
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 98(5)
  
  ページ: 54911-54911
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interfacial engineering2005
- 著者名/発表者名
  KW.Jang, T.Minegishi, T.Suzuki, SK/Hong, DC.Oh, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CERAMIC PRGCESSING RESEARCH 6(2)
  
  ページ: 167-183
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, N.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(3)
  
  ページ: 329090-329090
- NAID
  120001182186
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.So
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE＆TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO:N layers grown by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- NAID
  120001182187
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Capacitance-voltage Characteristics of ZnO/GaN2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, T.Yao, HJ.KO
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 87(16)
  
  ページ: 162104-162104
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by molecular-beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, JS.Song, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOLOGY B23(3)
  
  ページ: 1281-1285
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[雑誌論文] Characteristics of Schottky contacts to ZnO : N layers grown by molecular- beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  DC.Oh, JJ.Kim, H.Makino, T.Hanada, MW.Cho, T.Yao, HJ.Ko
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 86(4)
  
  ページ: 42110-42110
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360001
[学会発表] 微傾斜面または螺旋転位にともなうステップフロー型N極性GaN有機金属気相成長モデル2020
- 著者名/発表者名
  花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04933
[学会発表] Effect of indium surfactant on MOVPE growth of N-polar GaN2014
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Iwabuchi, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  8th Intern. Symp. Medical, Bio- and Nano-Electronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of surface morphology in (000-1) GaN/Sapphire grown by MOVPE with indium surfactant2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Aisaka, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] In situ X-ray Diffraction during Reactive Deposition Epitaxy of FeSi2 on Si(001)2013
- 著者名/発表者名
  T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Influence of Mg-Doping on the Surface Morphology of (000-1) GaN/Sapphire Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Aisaka, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE 成長N 極性InGaN におけるIn 組成のc 面サファイア基板微傾斜角依存性2013
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，進藤裕文，木村健司, 谷川智之, 花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of Surface Morphology of N-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Investigation and Suppression of Metastable-phase Inclusion in MOVPE-grown -c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi1, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  KINKEN-WAKATE 2013 10th Materials Science School for Young Scientists
- 発表場所
  Sendai Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Evaluation and Solution of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-grown -c-plane InGaN/GaN Multiple Quantum Wells2013
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Improvement of Surface Morphology in (000-1) GaN/Sapphire Grown by MOVPE with Indium Surfactant2013
- 著者名/発表者名
  T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Iwabuchi, K. Shojiki, R. Katayama, T. Hanada, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Intern. Symp. Comp. Semcond. (ISCS2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長N極性InGaNにおけるIn組成のc面サファイア基板微傾斜角依存性2012
- 著者名/発表者名
  正直花奈子, 崔正焄, 進藤裕文, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜ニ,　松岡隆志
- 学会等名
  第67回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長(000-1) GaNのステップフロー成長の促進2012
- 著者名/発表者名
  逢坂崇, 正直花奈子, 岩渕拓也, 木村健司, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
- 学会等名
  第67回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Study of In-composition of faceted InGaN on m-plane GaN substrate using high-resolution microbeam XRD2012
- 著者名/発表者名
  J-H Choi, K. Shojiki, T. Shimada, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, Y. Imai, S. Kimura, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-incorporation into InGaN Grown by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  J.H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Conference on Nano Science and Nano Technology
- 発表場所
  Gwangju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] BL13XUの超高真空X線回折装置による半導体薄膜に関する最近の成果2011
- 著者名/発表者名
  花田貴
- 学会等名
  SPring-8利用者懇談会表界面・薄膜ナノ構造研究会
- 発表場所
  大阪
- 年月日
  2011-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560007
[学会発表] Reactive Deposition Epitaxy of α-FeSi2 Islands on Si(001)Observed by in situ X-Ray Diffraction2011
- 著者名/発表者名
  T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, and T. Matsuoka
- 学会等名
  The Seventh International Conference on Low Dimensional Structures and Devices(LDSD2011)
- 発表場所
  Telchac, Mexico
- 年月日
  2011-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560007
[学会発表] Reactive Deposition Epitaxy of β-FeSi_2 Islands on Si(001) Observed by in situ X-Ray Diffraction2011
- 著者名/発表者名
  花田貴
- 学会等名
  The Seventh International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD2011)
- 発表場所
  メキシコ、テルチャク
- 年月日
  2011-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560007
[学会発表] β-FeSi_2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折:α-FeSi_2の成長と消滅2009
- 著者名/発表者名
  花田貴
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560007
[学会発表] β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折: α-FeSi2の成長と消滅2009
- 著者名/発表者名
  花田貴、田尻寛男、坂田修身、松岡隆志
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560007
[学会発表] Crystallo -graphic Investigation of Nitride C- Sapphire Substrate by Grazing Incidence X-ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy2008
- 著者名/発表者名
  H. J. Lee, J. S. Ha, S. K. Hong, S. W. Lee, H. J. Lee, S. H. Lee, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, and T. Yao
- 学会等名
  The International Conference on the Textures of Materials
- 発表場所
  Pittsburgh, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560008
[学会発表] Emission Wavelength Extension of Light Emitting Diode Using MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J.H. Choi, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Suppression of Metastable-Phase Inclusion in MOVPE-Grown N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA '14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Suppression of metastable-phase inclusion in MOVPE-grown N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells
- 著者名/発表者名
  K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，谷川智之，窪谷茂幸，花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性
- 著者名/発表者名
  正直花奈子，崔正焄，谷川智之，窪谷茂幸，花田貴，片山竜二，松岡隆志
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362
[学会発表] Control of GaN growth orientation by MOVPE
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, T. Matsuoka, Y. Honda, H. Amano
- 学会等名
  2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)
- 発表場所
  東北大学片平キャンパス（宮城県仙台市）
- 年月日
  2014-10-29 – 2014-10-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560362

1. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 13件
2. CHO Meoung-Whan (00361171)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 17件
3. 川合眞紀 (70177640)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 関根理香 (50211321)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
5. 任寅鎬 (00400408)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 牧野久雄 (40302210)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 松岡隆志 (40393730)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 20件
8. 具本欣 (00312645)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 吉信淳 (50202403)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 張志豪 (60333879)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 岡田修司 (30250848)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 河俊碩 (90444017)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. るーふぁん (70281988)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 朱自強 (10243601)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 谷川智之 (90633537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 林司

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. グラビアローレント

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. クルツエリザベス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 片山竜二

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 4件

花田 貴 hanada takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

酸化ガリウム低指数面の清浄・吸着表面の原子構造と電気特性研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体エピタキシャル膜の極性選択機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

その場X線回折によるシリコン基板上へテロエピタキシャル成長の観測と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

CrNナノ微結晶バッファー層を用いたGaN薄膜成長及び縦型発光ダイオードの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

周期分極反転した酸化亜鉛による励起子共鳴非線形波長変換研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属ガラス合金の軽元素周辺の局所構造と結合状態研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

花田貴 hanada takashi