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綿森 道夫  Watamori Michio

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80222412
所属 (現在) 2025年度: 高知工科大学, システム工学群, 特任准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2006年度 – 2007年度: 高知工科大学, 工学部, 准教授
1999年度 – 2005年度: 高知工科大学, 工学部, 助教授
1998年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手
1994年度 – 1997年度: 大阪大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
表面界面物性
研究代表者以外
表面界面物性 / 理工系 / プラズマ理工学
キーワード
研究代表者
DLC films / ERDA method / hydrogen analysis / high energy ion beam / ion implantation / 単結晶ダイヤモンド / 自立単結晶膜 / 水素遮断性DLC薄膜 / ERDA法 / 水素分析 … もっと見る / 高速イオンビーム / イオン注入 / 内部応力その場測定 / 誘電率 / 内部応力のその場測定 / イオンビーム分析 / 強誘電体薄膜 … もっと見る
研究代表者以外
表面水素 / STM / イオンビーム / 金属 / surface hydrogen / シリコン界面 / 自己組織化 / metal / カーボンナノチューブ / hydrogen termination / 水素終端 / self-organization / 半導体界面 / 水素生態 / Surface Hydrogen / エピタキシ- / プラズマ / 水素媒介エピタキシ- / 水素媒介エピタキシー / ゲルマニウム / シリコン / デルタドープ構造 / トンネル物性 / Scanning electron microscope(SEM) / Microplasma jet / Electron field emission / Diamond / Carbon nanotube(CNT) / Cathode / Electrode / Microplasma / アーク放電 / グロー放電 / 大気圧放電 / 電子銃 / 微細針状シリコン / ダイヤモンド陰極 / 電子・電気材料 / ダイヤモンド薄膜 / 電気・電子材料 / 光源技術 / プラズマ加工 / マイクロ・ナノデバイス / 発光分光測定 / 放電電極 / ナノ材料 / 電界電子放出 / マイクロプラズマ / 電界放出 / マクロプラスマジェット / 走査型電子顕微鏡 / 電子ビーム / ダイヤモンド / 陰極 / 電極 / field electron emission property / crystallinity / alignment / control of morphology / growth mechanism / chemical vapor deposition / self-organized catalyst nanoparticle / carbon nanotube / 成長温度 / 触媒金属微粒子 / 表面欠陥 / 電解電子放出特性 / 内部構造 / 自己組織化触媒重属微粒子 / 垂直配向CNT / ランダムCNT / 電界電子放出特性 / 結晶性 / 配向性 / 形態制御 / 成長機構 / 化学気相成長法 / 自己組織化触媒金属微粒子 / patterning / elastic recoil detection analysis / semiconductor interface / surface local process / 水素経場 / 選択エビタキレー / パターニング / イオン反跳分光 / 表面局所プロセス / Silicon / Germanium / desorption cross-section / extra-low energy electron / electron-stimulated desorption / 脱離断面積 / 極低エネルギー電子 / 電子刺激脱離 / multi-hydrogen analysis / Sputtering / Ion Beam Analysis / Interface Hydrogen / 複合水素分析 / スパッタリング / 界面水素 / ion beam analysis / surfactant / delta-doped structure / silicon interface / hydrogen-mediated epitaxy / 表面反応 / 水素-表面相互作用 / イオン散乱 / 薄膜成長 / シリコン表面 / 表面界面水素 / サーファクタント / シリコーン界面 / epitaxy / scanning tunneling microscopy / ion beam / ecology of hydrogen / Si interface / Epitaxy / Ion beam analysis / エピキタシ- / 酸化マグネシウム / 誘電体 / 気体放電 / 誘電体バリア放電 / プラズマディスプレイパネル / 表面偏析 / 固相エピタキシー / 表面偏折 隠す
  • 研究課題

    (14件)
  • 共同研究者

    (33人)
  •  ナノサイズ構造及びアクティブ機能電極によるマイクロプラズマの高効率生成法

    • 研究代表者
      八田 章光
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2007
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      高知工科大学
  •  水素誘起ナノクラスターを触媒としたカーボンナノチューブ形成メカニズムの研究

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  自立単結晶ダイヤモンド薄膜作成における注入イオンの影響研究代表者

    • 研究代表者
      綿森 道夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      高知工科大学
  •  AC面放電型PDPの誘電体上補助電極による放電特性の制御

    • 研究代表者
      加納 剛太
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      プラズマ理工学
    • 研究機関
      高知工科大学
  •  強誘電体薄膜の内部応力のその場測定装置の試作と疲労特性との相関評価研究代表者

    • 研究代表者
      綿森 道夫
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      高知工科大学
      大阪大学
  •  表面局所における水素生態計測とその極微プロセス技術への応用

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素媒介によるシリコン中の単原子層デルタドープ構造の形成

    • 研究代表者
      片山 光浩
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  極低エネルギー電子による水素終端シリコン基板の表面修飾

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎 (尾浦 憲冶郎)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素媒介エピタキシーに関する共同研究

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  新しい複合型水素評価手法の開発と半導体材料への応用

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素誘起金属マイクロクラスターのトンネル物性

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  半導体表面における水素の生態とダイナミクス

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素誘起金属マイクロクラスターのトンネル物性

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  水素終端シリコン表面における低温ヘテロエピキタシ-

    • 研究代表者
      尾浦 憲治郎
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      大阪大学
  • 1.  尾浦 憲治郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  片山 光浩 (70185817)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  八田 章光 (50243184)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  上田 一之 (60029212)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  本多 信一 (90324821)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  片山 逸雄 (40079603)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  高萩 隆行 (40271069)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  本郷 昭三 (00029232)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  斉木 幸一郎 (70143394)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  塚田 捷 (90011650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  神野 雅文 (30274335)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  本村 英樹 (80332831)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  加納 剛太 (70320124)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  生地 文也 (00093419)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  吉村 雅満 (40220743)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  大門 秀朗 (20324816)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  平尾 孝 (50304019)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  河田 耕一 (90299371)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  吉村 紘明 (50368859)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  石田 英之
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  伊藤 隆司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  サラニン A
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  リフシッツ V
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  アイゼル I
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  EISELE Ignaz
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  LIFSHITS Victor
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  SARANIN Alexander
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  サラニン A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  リフシッツ V.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  アイゼル I.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  サラコン A.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  リフショツ V.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  ゾトフ A
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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