神谷利夫 Kamiya Toshio

研究者番号	80233956
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所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 総合研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2011年度: 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 2007年度 – 2010年度: 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 2003年度 – 2006年度: 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 1997年度 – 1999年度: 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助手 1997年度: 東京工業大学, 大学院・総理工研究科, 助手 … もっと見る 1996年度 – 1997年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 1996年度: 東京工業大学, 大学院総理工, 助手 1996年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手 1993年度 – 1995年度: 東京工業大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者無機材料・物性 / 無機材料・物性 / 理工系研究代表者以外無機材料・物性 / 応用物性・結晶工学 / 土木材料・力学一般 / 無機工業材料
キーワード	研究代表者短縮Gauss基底 / 誘電率 / Frozen phonon近似 / 結晶構造 / 全エネルギー計算 / 第一原理バンド計算 / 大面積デバイス / ガラス基板 / 固相結晶化 / 単結晶薄膜 … もっと見る / 層状酸化物 / ナノワイア / 局在・非局在 / 有効質量 / 電子ドープ / エレクトライド / ナノポーラス結晶 / 電荷輸送 / C12A7ナノ加工技術 / メゾスコピックデバイス / 名の構造結晶 / 低温形成 / 透明電子デバイス / フレキシブルデバイス / アモルファス酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / Layer-By-Layer法 / 二段階成長法 / マイクロ波プラズマ / 高Hall移動度 / SiF_4 / 配向性制御 / プラズマ化学堆積(CVD)法 / VHFプラズマ / 多結晶シリコン薄膜 / 電気機械結合係数 / 圧電特性 / Disercte variational Xα(DV-Xα)mcthod / 弾性定数 / バンド計算 / Tight Binding / DV-Xa法 / シミュレーション / 圧電体 / 強誘電体 … もっと見る研究代表者以外強誘電体 / 原子層エピタキシ- / リーク電流 / ブロッキング電流 / 非線形現象 / 中距離構造 / ビディコン型撮像素子 / アバランシェ増倍効果 / a-Si:H膜 / 化学アニーリング法 / solar cell / SiFィイD24ィエD2 / VHF plasma / high mobility / structure control / atomic hydrogen / 分光エリプソメトリーその場観察法 / layer-by-layer法 / 二段階成長法 / 表面反応制御 / 水素原子メディエータ / 半導体ヘテロ成長 / II-VI半導体薄膜 / 多結晶シリコン薄膜 / 太陽電池 / SiF_4 / VHFプラズマ / 高移動度 / 構造制御 / 原子状水素 / lithium tantalate / zinc oxide / barium titanate / strontium titanate / artificially modulated structure / ferroelectrics / atomic layr epitaxy / イオンビームスパッタ / 界面 / タンタル酸リチウム / チタン酸リチウム / 酸化亜鉛 / チタン酸ストロンチウム / チタン酸バリウム / 人工変調構造 / Dielectricity, Ion beam / Atomic Layr epitaxy / Molecular beam epitaxy / Artificial superlattice / Perovskite structure / MBE / 結晶構造解析 / ペロブスカイト型化合物 / バンド計算 / イオンビーム / 誘電性 / 分子線エピタキシ- / 人工超格子 / ペロブスカイト構造 / 無機レジスト / 活性酸素 / アルミン酸カルシウム / ナノポーラス材料 / イオン注入 / 光誘起変化 / 電子放出材料 / 金属絶縁体転移 / ユビキタス元素戦略 / 拡散 / 仕事関数 / 金属・絶縁体転移 / 酸素イオン導電体 / イオン伝導 / 電子比熱 / エレクトライド / 単結晶 / 超伝導 / C12A7 / エレクトラド / 元素戦略 / 活性アニオン / ナノ構造 / ガラス / セリウムイオン / 紫外ファイバー / ビジコン型撮像デバイス / アバランシェ倍増効果 / ナロ-ギャップアモルファスシリコン / ワイドギャップアモルファスシリコン / バンドギャップ制御 / 中距離構造制御 / ケミカルアニーリング法 / 光電流 / 薄膜 / アバランシェ増幅 / アモルファス・シリコン / ブロッキング電極 / 撮像デバイス / アモルファスシリコン / アバランシェ増幅効果 / ワイドギャップシリコン / 化学アニーリング / 強度 / 相組成 / 水和 / カルシウムアルミネート / リチウム / 急速施工 / 材料設計支援 / 超速硬セメント / エ-ライトの水和 / 粒子間相互作用エネルギー / Hamaker定数 / 枯渇効果 / 立体障害 / 櫛形高分子 / 高流動・高強度コンクリート / 高性能AE減水剤隠す

ガラス基板上への層状酸化物単結晶薄膜の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
配列ナノ空間物質を利用した量子・メソスコピックデバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
アモルファス半導体を用いた高移動度薄膜トランジスタの室温形成研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
ナノ構造と活性アニオンを利用した透明酸化物の機能開拓
- 研究代表者
  
  細野秀雄
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2008
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  東京工業大学
モディファイドシリカガラスを用いた紫外ファイバーレーザーへの挑戦
- 研究代表者
  
  細野秀雄
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機工業材料
- 研究機関
  東京工業大学
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
- 研究代表者
  
  清水勇
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東京工業大学
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と光電流増倍効果
- 研究代表者
  
  清水勇
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
高移動度を持つ多結晶シリコン薄膜のガラス基板上への作製および精密制御技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
アモルファス・シリコンの中距離構造の制御と新機能創成
- 研究代表者
  
  清水勇
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東京工業大学
「水素原子」をメディエータとする半導体物質接合界面構造制御
- 研究代表者
  
  清水勇
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
エトリンガイト生成の制御と高機能セメントの開発に関する基礎的研究
- 研究代表者
  
  坂井悦郎
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  土木材料・力学一般
- 研究機関
  東京工業大学
アモルファス・シリコン薄膜における低ノイズ・アバランシェ増幅機能の発現
- 研究代表者
  
  清水勇
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
強誘電体/半導体ハイブリッド格子界面の作成と評価
- 研究代表者
  
  鶴見敬章
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
高流動コンクリート用高性能AE減水剤の作用機構と最適分子設計手法の提案
- 研究代表者
  
  坂井悦郎
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  土木材料・力学一般
- 研究機関
  東京工業大学
第一原理バンド計算に基づく無機結晶の誘電・弾性物性の計算手法の確立と特性の評価研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
酸化物誘電体のバンド計算プログラムの作製と誘電物性のシミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
ペロブスカイト構造を基本とする酸化物人工超格子の原子層エピタキシ-と物性評価
- 研究代表者
  
  鶴見敬章
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学
酸化物強誘電体の電気特性の計算機シミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  神谷利夫
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京工業大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 透明金属が拓く脅威の世界不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術2006
- 著者名/発表者名
  細野秀雄, 神谷利夫
- 出版者
  ソフトバンククリエイティブ株式会社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  T.Shinozaki, K.Nomura, T.Katase, T.Kamiya, M.Hirano, H.Hosono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 2996-2999
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360319
[雑誌論文] Short-channel nanowire transistor using a nanoporous crystal semiconductor 12CaO-7Al_2O_32010
- 著者名/発表者名
  Y.Nishio, K.Nomura, H.Yanagi, T.Kamiya, M.Hirano, H.Hosono
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Electronic structures of MnP-based crystals : LaMnOP, BaMn_2P_2, and KMnP Materials Science and Engineering : B2010
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Takumi Watanabe, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Impurities in FeAs-based superconductor, SrFe_2As_2, studied by first-principles calculations2010
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Bistable resistance switching in surface-oxidized C12A7:e- single-crystal2009
- 著者名/発表者名
  Y. Adachi, S.-W. Kim, T. Kamiya, H. Hosono
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. & Eng. B 161
  
  ページ: 76-79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Bistable resistance switching in surface-oxidized C12A7 : e- single-crystal2009
- 著者名/発表者名
  Y.Adachi, S.-W.Kim, T.Kamiya, H.Hosono
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering
  
  ページ: 76-79
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Localized and Delocalized Electrons in Room-Temperature Stable Electride [Ca24Al28O64]4+(O2-)2-x(e-)2x: Analysis of Optical Reflectance Spectra2008
- 著者名/発表者名
  S. Matsuishi, S.W. Kim, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. C 112
  
  ページ: 4753-4760
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Localized and Delocalized Electrons in Room-Temperature Stable Electride [Ca_<24>Al_<28>O_<64>]^<4+>(O^<2->)_<2-x>(e-)_<2x> : Analysis of Optical Reflectance Spectra2008
- 著者名/発表者名
  Satoru Matsuishi, Sung Wng Kim, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano and Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem C112
  
  ページ: 4753-4760
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Localized and Delocalized Electrons in Room-Temperature Stable Electride[Ca_<24>Al_<28>O_<64>]^<4+>(0^<2->)_<2-x>(e^-)_<2x>: Analysis of Optical Reflectance Spectra2008
- 著者名/発表者名
  Satoru Matsuishi, Sung Wng Kim, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. C112
  
  ページ: 4753-4760
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Localized and Delocalized Electrons in Room- Temperature Stable Electride [Ca_<24>Al_<28>O_<64>]^<4+>(O^<2->)_<2-x>(e-)_<2x> : Analysis of Optical Reflectance Spectra2008
- 著者名/発表者名
  S. Matsuishi, S.W. Kim, T. Kamiya, M.Hirano and H. Hosono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem C112
  
  ページ: 4753-4760
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Fabrication and transport properties of 12CaO-7Al_2O_3 (C12A7) electridenanowire2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nishio, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Hayashi, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono
- 雑誌名
  
  Phys. stat. solidi (a) 205
  
  ページ: 2047-2051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Fabrication and transport properties of 12CaO・7Al2O3 (C12A7) electride nanowire2008
- 著者名/発表者名
  Y. Nishio, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Hayashi, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono
- 雑誌名
  
  phys. stat. solidi (a) 205
  
  ページ: 2047-2051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Photoelectron SpectroscopicStudy of C12A7 : e- and Alq3 Interface : The Formation of a LowElectron-Injection Barrier2007
- 著者名/発表者名
  Ki-Beom Kim, Maiko Kikuchi, Masashi Miyakawa, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano and Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. C111
  
  ページ: 8403-8406
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] High electron doping to a wide band gap semiconductor 12CaO・7Al_2O_3 thin film2007
- 著者名/発表者名
  M. Miyakawa, M. Hirano, T. Kamiya, H.Hosono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Novel room temperature stable electride 12SrO・7Al2O3 thin films: fabrication, optical and electron transport properties2007
- 著者名/発表者名
  M Miyakawa, N. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono
- 雑誌名
  
  J. Ceram. Soc. Jpn. 115
  
  ページ: 568-570
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] High electron doping to a wide band gap semiconductor 12CaO・7Al2O3 thin film2007
- 著者名/発表者名
  M. Miyakawa, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Work Function of a Room-Temperature, Stable Electride [Ca_<24>Al_<28>O_<64>]^<4+>(e-)_42007
- 著者名/発表者名
  Y..Toda, H.Yanagi, T.Kamiya, M.Hirano and H.Hosono
- 雑誌名
  
  Adv. Mater 19
  
  ページ: 3564-3569
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Novel room temperature stable electride 12SrO・7Al_2O_3 thin films: fabrication, optical and electron transport properties2007
- 著者名/発表者名
  M Miyakawa, N. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono
- 雑誌名
  
  J. Ceram. Soc. Jpn. 115
  
  ページ: 568-570
- NAID
  110006380233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[雑誌論文] Metallic State in a Lime-Alumina Compound with Nanoporous Structure2007
- 著者名/発表者名
  S.W.Kim, S.Matsuishi, T. Nomura, Y. Kubota, MTakata, K.Hayashi, T.Kamiya, M.Hirano and H. Hosono
- 雑誌名
  
  Nano Letters 7
  
  ページ: 1138-1143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] High electron doping to a wide band gap semiconductor 12CaO・7Al_2O_3 thin film2007
- 著者名/発表者名
  Masashi Miyakawa, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya and Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Amorphous Oxide Semiconductors Towards High-Performance Flexible Thin-Film Transistors2006
- 著者名/発表者名
  Kenji Nomura, Akihiro Takagi, Toshio Kamiya, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. (in print)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[雑誌論文] Device Applications of Transparent Oxide Semiconductors : Excitonic Blue LED and Transparent Flexible TFT2006
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Hidenori HIramatsu, Kenji Nomura, Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  J.Electroceram. (accepted)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[雑誌論文] Photoluminescence from Au ion-implanted nanoporous single-crystal 12CaO・7Al_2O_32006
- 著者名/発表者名
  Masashi Miyakawa, Hayato Kamioka, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Peter V.Sushko, Alexander L. Shluger, NoriakiMatsunami, and Hideo Hosono
- 雑誌名
  
  Phys. Rev B73
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] 透明酸化物半導体を使った高性能な薄膜トランジスタ2005
- 著者名/発表者名
  神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄
- 雑誌名
  
  電子ペーパー工業化最前線 (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[雑誌論文] ElectronicInsulator-Conductor Conversion inHydride Ion-Doped 12CaO・7Al_2O_3 byElectron-Beam Irradiation2005
- 著者名/発表者名
  K. HAYASHI, Y. TODA, T. KAMIYA, M. HIRANO, M. YAMANAKA, I. TANAKA, T. YAMAMOTO and H HOSONO
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] アモルファス透明酸化物半導体を用いた高性能フレキシブル薄膜トランジスタの室温形成2005
- 著者名/発表者名
  神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄
- 雑誌名
  
  マテリアルステージ(2005年3月号)
  
  ページ: 85-85
- NAID
  40006668316
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[雑誌論文] Formation of inorganic electride thin films via site-selective extrusion by energetic inert gas ions2005
- 著者名/発表者名
  M. MIYAKAWA, Y. TODA, K. HAYASHI, M. HIRANO, T. KAMIYA, N. MATSUNAMI and H. HOSONO
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[雑誌論文] Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors2004
- 著者名/発表者名
  K.Nomura, H.Ohta, A.Takagi, T.Kamiya et al.
- 雑誌名
  
  Nature 432
  
  ページ: 488-488
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[雑誌論文] 高移動度(>10cm^2(Vs)^<-1>)を有するアモルファス酸化物半導体と薄膜トランジスタの室温形成2004
- 著者名/発表者名
  神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄
- 雑誌名
  
  第31回アモルファス物質の物性と応用セミナーテキスト
  
  ページ: 1-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760545
[産業財産権] ホール注入電極2008
- 発明者名
  細野秀雄, 神谷利夫, 柳博, 平野正浩, 平松秀典, 金起範
- 権利者名
  細野秀雄
- 産業財産権番号
  2008-048755
- 出願年月日
  2008-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[産業財産権] 抵抗変化型不揮発性メモリー及びその製法2008
- 発明者名
  細野秀雄, 神谷利夫, 平野正浩, 金聖雄, 足立泰
- 権利者名
  細野秀雄
- 産業財産権番号
  2008-287236
- 出願年月日
  2008-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[学会発表] ガラスの視点からみたアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O2011
- 著者名/発表者名
  神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄
- 学会等名
  第49回セラミックス基礎科学討論会
- 発表場所
  岡山
- 年月日
  2011-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360319
[学会発表] Impurities in FeAs-based superconductor, SrFe2As22009
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 学会等名
  3rd International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] 電子ドープ12CaO・7Al_2O_3ナノワイヤをチャネルとしたサイドゲート電界効果トランジスタ2009
- 著者名/発表者名
  西尾幸真, 野村研二, 柳博, 神谷利夫, 細野秀雄
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] Electronic structures of Mn-based layered crystals: LaMnPnO and BaMn2Pn22009
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Takumi Watanabe, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 学会等名
  3rd International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2009-06-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] Short-channel nanowire transistor using a nanoporous crystal semicondctor 12CaO・Al2O32009
- 著者名/発表者名
  Yukimasa Nishio, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono
- 学会等名
  3rd International Symposium on Science and Technology of Advanced Ceramics
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2009-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] 層状酸化物結晶InGaZnO_4の単結晶薄膜作製とバッファー層への応用2009
- 著者名/発表者名
  篠崎智正、野村研二、片瀬貴義、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2009-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360319
[学会発表] Epitaxial growth of GaN films on InGaZnO_4 single crystalline buffer layer2009
- 著者名/発表者名
  T.Shinozaki, K.Nomura, T.Katase, T.Kamiya, M.Hirano, H.Hosono
- 学会等名
  6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-04-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360319
[学会発表] Bistable resistance switching in single crystal C12A7 : O^<2->2008
- 著者名/発表者名
  Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
- 学会等名
  STAC-STSI
- 発表場所
  千葉、日本
- 年月日
  2008-05-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] 電子ドープ12CaO・7Al_2O_3(C12A7:e)ナノワイヤの電気伝導特性制御2008
- 著者名/発表者名
  西尾幸真、野村研二、宮川仁、柳博、林克郎、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄
- 学会等名
  日本セクミックス協会2008年年会
- 発表場所
  新潟、長岡技術科学大学
- 年月日
  2008-03-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] 導電性12CaO・7Al2O3:e-の低温酸化によるキャリア制御とナノワイヤトランジスタ2008
- 著者名/発表者名
  西尾幸真、野村研二、宮川仁、柳博、神谷利夫、細野秀雄
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会
- 発表場所
  奈良
- 年月日
  2008-10-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] 導電性12CaO-7Al2O3 : e-の低温酸化によるキャリア制御とナノワイヤトランジスタ2008
- 著者名/発表者名
  西尾幸真、野村研二、宮川仁、柳博、神谷利夫、細野秀雄
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会
- 発表場所
  奈良、日本
- 年月日
  2008-10-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] Bistable resistance switching in single crystal C12A7:O2-2008
- 著者名/発表者名
  Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, Toshio Kamiya, Hideo Hosono
- 学会等名
  STAC-STSI
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2008-05-31
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] Controlled formation of thin oxidized layers on inorganic electride C12A 7 : e^- and its electrical characteristics2008
- 著者名/発表者名
  Toshio Kamiya, Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, and Hideo Hosono
- 学会等名
  IUMRS-ICA2008
- 発表場所
  名古屋、日本
- 年月日
  2008-12-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007
[学会発表] RT-Stable electrides for display application2007
- 著者名/発表者名
  H.Hosono, T.Kamiya
- 学会等名
  Asian Display 2007 International Conference
- 発表場所
  上海, 中国
- 年月日
  2007-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[学会発表] controlling electron transport properties in transparent amorp hous oxide semiconductors2007
- 著者名/発表者名
  Hideo Hosono, Kenji Nomura, Yoichi Ogo, Toshio Kamiya
- 学会等名
  2nd International Conference on Amorphopus and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Coloradao, US
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16GS0205
[学会発表] ナノポーラス結晶12CaO・7Al_2O_3 (C12A7)の30nm幅高導電性ナノ細線の作製と伝導特性評価2007
- 著者名/発表者名
  西尾幸真, 宮川仁, 野村研二, 林克郎, 柳樽, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
- 発表場所
  京都、龍谷大学
- 年月日
  2007-11-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19051007

1. フォートマンチャールズ (70293066)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 清水勇 (40016522)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 細野秀雄 (30157028)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
4. 鶴見敬章 (70188647)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 大橋直樹 (60251617)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 坂井悦郎 (90126277)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 平山博之 (60271582)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 川路均 (10214644)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 林克郎 (90397034)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
10. 竹内大介 (90311662)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 柳博 (30361794)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
12. 松石聡 (30452006)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
13. 田中功 (40155114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
14. 大場陽子 (50223938)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 大登正敬

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

神谷 利夫 Kamiya Toshio

研究課題

研究成果

共同研究者

ガラス基板上への層状酸化物単結晶薄膜の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

配列ナノ空間物質を利用した量子・メソスコピックデバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

アモルファス半導体を用いた高移動度薄膜トランジスタの室温形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

高移動度を持つ多結晶シリコン薄膜のガラス基板上への作製および精密制御技術の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第一原理バンド計算に基づく無機結晶の誘電・弾性物性の計算手法の確立と特性の評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

神谷利夫 Kamiya Toshio

[図書] 透明金属が拓く脅威の世界不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術2006