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土屋 英昭  TSUCHIYA Hideaki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80252790
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2011年度 – 2015年度: 神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
2008年度 – 2009年度: 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授
2007年度 – 2009年度: 神戸大学, 工学研究科, 准教授
2003年度 – 2006年度: 神戸大学, 工学部, 助教授
2001年度 – 2002年度: 神戸大学, 工学部, 助手
1995年度: 神戸大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 工学基礎 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
バリスティック輸送 / ナノスケールMOSFET / 量子力学的効果 / ゲルマネン / シリセン / グラフェン / 量子補正モンテカルロ法 / モンテカルロシミュレーション / 量子輸送 / 量子輸送モデル … もっと見る / ナノ構造デバイス / モンテカルロ / h-BN / quantum-corrected Monte Carlo / scaling limit / new device structures / ballistic transpor / quantum transport model / nano-scale MOSFET / 最適素子構造設計 / バリスティック極限性能 / キャリア注入速度 / 新構造トランジスタ / 量子モンテカルロ計算 / ナノMOSトランジスタ / スケーリング則 / 新型構造デバイス / 極微細Si MOSFET / 微細化限界 / 新構造デバイス / ウィグナー・モンテカルロシミュレーション / グラフェンナノ材料 / 低消費電力 / グリーンナノデバイス / ナノデバイスシミュレーション / ジャンクションレス・トランジスタ / ウィグナーモンテカルロ法 / III-V MOS / ナノワイヤ / III-V MOSFET / 低電圧駆動 / 原子論 / ジャンクションレストランジスタ / ナノワイヤFET / グラフェンFET / 高移動度材料 / 後方散乱 / 量子閉じ込め効果 / 粒子分割法 / 3次元構造MOSFET / 新チャネル構造MOSFET / テクノロジーブースター / 非Si材料MOSFET / 量子補正モンテカル / 準バリスティック輸送 / 量子効果 / 電子デバイス・集積回路 / ウィグナー関数法 / ナノワイヤトランジスタ / 電流駆動力 / 高移動度チャネルMOSFET / ショットキーMOSFET / 量子補正モンテカル法 / 集積回路 / 電子デバイス / 粒子・波動二重性 / 量子力学的補正 / ナノスケールM0SFET / 量子モンテカルロ法 / 量子補正ポテンシャル / 電子-電子相互作用 / 量子細線の高温多モード動作 / LOフォノン散乱 / ウィグナー関数 … もっと見る
研究代表者以外
Shot Noise / Nanoscale MOSFET / Nonequilibrium Green's Function / Quantum Transport / ショット雑音 / ダブルゲートMOSFET / 量子輸送 / 非平衡グリーン関数法 / Monte Carlo Simulation / クーロン相関 / フェルミ相関 / 非平衡グリーン関数理論 / 量子補正モンテカルロ法 / Monte Carlo Simulatiom / Current Fluctuations / 電流揺らぎ / ダブルゲートMOSGET / 非平衡グリーン関数 / モンテカルロ法 / 電流雑音 / ナノスケールMOSFET 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 研究成果

    (184件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  2次元単原子層材料を用いた集積デバイスの性能予測研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      神戸大学
  •  極低消費電力LSIの実現に向けたグリーンナノデバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神戸大学
  •  新材料及び新構造MOSFETの準バリスティック量子輸送モデリングに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神戸大学
  •  ナノスケール新構造MOS素子の電流雑音の評価

    • 研究代表者
      三好 旦六
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神戸大学
  •  シリコン集積化デバイスの量子輸送特性に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神戸大学
  •  ナノスケールMOS素子の量子効果を考慮した電流雑音の研究

    • 研究代表者
      三好 旦六
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      神戸大学
  •  ナノ構造デバイスシミュレーションにおける量子補正多粒子モンテカルロ法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      工学基礎
    • 研究機関
      神戸大学
  •  電子波デバイスの動的量子輸送モデルに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      土屋 英昭
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      神戸大学

すべて 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] ナノ構造エレクトロニクス入門2013

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭
    • 総ページ数
      257
    • 出版者
      コロナ社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [図書] 量子物理2012

    • 著者名/発表者名
      鎌倉良成,宇野重康,伊藤博介,土屋英昭,尾崎俊二
    • 総ページ数
      232
    • 出版者
      オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [図書] ナノエレクトロニクスの基礎2007

    • 著者名/発表者名
      三好旦六, 小川真人, 土屋英昭
    • 総ページ数
      261
    • 出版者
      培風館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [図書] ナノエレクトロニクスの基礎2007

    • 著者名/発表者名
      三好旦六、小川真人、土屋英昭
    • 総ページ数
      261
    • 出版者
      培風館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs2015

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Shiro Kaneko, Noriyasu Mori, and Hideki Hirai
    • 雑誌名

      Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering

      巻: 2

    • NAID

      130005073847

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors2015

    • 著者名/発表者名
      Masato Ichii, Ryoma Ishida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 62 号: 4 ページ: 1255-1261

    • DOI

      10.1109/ted.2015.2399954

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] 微細化限界に挑戦する新型MOSFETのキャリア輸送特性とシミュレーション技術2015

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌C

      巻: J98-C ページ: 70-78

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs2015

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Shiro Kaneko, Noriyasu Mori, and Hideki Hirai
    • 雑誌名

      J. Advanced Simulation in Science and Engineering

      巻: 2 ページ: 127-152

    • NAID

      130005073847

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K05985
  • [雑誌論文] Effects of Increased Acoustic Phonon Deformation Potential and Surface Roughness Scattering on Quasi-Ballistic Transport in Ultrascaled Si-MOSFETs2014

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 11 ページ: 114301-114301

    • DOI

      10.7567/jjap.53.114301

    • NAID

      210000144577

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Channel Length Scaling Limits of III-V Channel MOSFETs Governed by Source-Drain Direct Tunneling2014

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Koba, Masaki Ohmori, Yōsuke Maegawa, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 4S ページ: 04EC10-04EC10

    • DOI

      10.7567/jjap.53.04ec10

    • NAID

      210000143564

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Electron Mobility Calculation for Graphene on Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      Hideki Hirai, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 116 号: 8 ページ: 083703-083703

    • DOI

      10.1063/1.4893650

    • NAID

      120005593488

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Theoretical Performance Estimation of Silicene, Germanene, and Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors under Ballistic Transport2014

    • 著者名/発表者名
      Shiro Kaneko, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 3 ページ: 35102-35102

    • DOI

      10.7567/apex.7.035102

    • NAID

      210000137032

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort Channel III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Koba, Yōsuke Maegawa, Masaki Ohmori, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 6 号: 6 ページ: 64301-64301

    • DOI

      10.7567/apex.6.064301

    • NAID

      210000136675

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Channel Length Scaling Effects on Device Performance of Junctionless Field-Effect Transistor2013

    • 著者名/発表者名
      K. Nagai, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 4R ページ: 44302-44302

    • DOI

      10.7567/jjap.52.044302

    • NAID

      40019637158

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Computational Study on Band Structure Engineering using Graphene Nanomeshes2013

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro Sako, Naomi Hasegawa, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 113 号: 14 ページ: 143702-143702

    • DOI

      10.1063/1.4800624

    • NAID

      120005593487

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Orientational Dependence in Device Performances of InAs and Si Nanowire MOSFETs under Ballistic Transport2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shimoida, Y. Yamada, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 60 号: 1 ページ: 117-122

    • DOI

      10.1109/ted.2012.2228199

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shimoida, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, M. Ogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 6 号: 3 ページ: 34301-34301

    • DOI

      10.7567/apex.6.034301

    • NAID

      10031159845

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Theoretical Evaluation of Ballistic Electron Transport in Field-Effect Transistors with Semiconducting Graphene Channels2012

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, H. Hosokawa, R. Sako, N. Hasegawa, M. Ogawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 5R ページ: 55103-55103

    • DOI

      10.1143/jjap.51.055103

    • NAID

      40019280437

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada, H.Tsuchiya, M.Ogawa
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 111 号: 6 ページ: 63720-63720

    • DOI

      10.1063/1.3695999

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-10J00804, KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Comparisons of Performance Potentials of Si and InAs Nanowire MOSFETs under Ballistic Transport2012

    • 著者名/発表者名
      Naoya Takiguchi, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 59巻 号: 1 ページ: 206-211

    • DOI

      10.1109/ted.2011.2172615

    • NAID

      120003775540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Performance Analysis of Junctionless Transistors Based on Monte Carlo Simulation2012

    • 著者名/発表者名
      J. Choi, K. Nagai, S. Koba, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 5 ページ: 54301-54301

    • DOI

      10.1143/apex.5.054301

    • NAID

      10030593716

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Influence of Source/Drain Parasitic Resistance on Device Performance of Ultrathin Body III-V Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Yosuke Maegawa, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4巻 号: 8 ページ: 84301-84301

    • DOI

      10.1143/apex.4.084301

    • NAID

      10029467335

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Influence of Band-Gap Opening on Ballistic Electron Transport in Bilayer Graphene and Graphene Nanoribbon FETs2011

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro Sako, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 58巻 号: 10 ページ: 3300-3306

    • DOI

      10.1109/ted.2011.2161992

    • NAID

      120003775539

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [雑誌論文] Comparisons of Performance Potentials of Silicon Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects2010

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Haruki Ando, Shun Sawamoto, Tadashi Maegawa, Takeshi Hara, Hironobu Yao, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans.on Electron Devices 第57巻・第2号

      ページ: 406-414

    • NAID

      120002753075

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Comparisons of Performance Potentials of Silicon Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects2010

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, H. Ando, S. Sawamoto, T. Maegawa, T. Hara, H. Yao, M. Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol.57,No.2

      ページ: 406-414

    • NAID

      120002753075

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Role of Carrier Transport in Source and Drain Electrodes of High-Mobility MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, A. Maenaka, T. Mori, Y. Azuma
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters Vol.31,No.4

      ページ: 365-367

    • NAID

      120002736951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Silicon Nanowire Transistors Based on DirectSolution Approach of the Wigner Transport Equation, to be published in IEEE Trans. On2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada, H.Tsuchiya and M.Ogawa
    • 雑誌名

      Electron Devices Vol.56, No.7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Strain Effects on Electronic Bandstructures in Nanoscaled Silicon : From Bulk to Nanowire2009

    • 著者名/発表者名
      Tadashi Maegawa, Tsuneki Yamauchi, Takeshi Hara, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans.on Electron Devices 第56巻・第4号

      ページ: 553-559

    • NAID

      120001460047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Device Physics and Simulation Techniques for Nanoscale SOI-MOSFETs(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Yoshihiro Yamada, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      ECS Transactions 第19巻・第4号

      ページ: 211-220

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Strain Effects on Electronic Bandstructures in Nanoscaled Silicon: From Bulk to Nanowire2009

    • 著者名/発表者名
      T. Maegawa, T. Yamauchi, T. Hara, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol.56,No.4

      ページ: 553-559

    • NAID

      120001460047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Enhancement of Carrier Ballistic Transport in Schottky S/D MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Wei Wang, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      ECS Transactions 第19巻・第1号

      ページ: 345-350

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Silicon Nanowire Transistors Based on Direct Solution Approach of the Wigner Transport Equation2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol.56,No.7

      ページ: 1396-1401

    • NAID

      120001460046

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Silicon Nanowire Transistors Based on Direct Solution Approach of the Wigner Transport Equation2009

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans.on Electron Devices 第56巻・第7号

      ページ: 1396-1401

    • NAID

      120001460046

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Enhancement of Ballistic Efficiency due to Source to Channel Heterojunction Barrier in Si Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      W. Wang, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. Vol.106,No.2

      ページ: 24515-24515

    • NAID

      120002753081

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Strain Effects on Electronic Bandstructures in Nanoscaled Silicon : From Bulk to Nanowire2009

    • 著者名/発表者名
      T.Maegawa, T.Yamauchi, T.Hara, H.Tsuchiya and M. Ogawa
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices on Electron Devices Vol.56, No.4,

      ページ: 553-559

    • NAID

      120001460047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Enhancement of Ballistic Efficiency due to Source to Channel Heterojunction Barrier in Si Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      Wei Wang, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 第106巻・第2号

      ページ: 24515-24515

    • NAID

      120002753081

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulatorn-Channel MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Azuma, T.Mori and H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol. (c) Vol.5, No.9

      ページ: 3153-3155

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Three-Dimensional Ouanlum Transport Simulation of Si-Nanowire Transistors Based on Wigncr Function Model2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 2008 lnternational Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) なし

      ページ: 281-284

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channeln-MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2008

    • 著者名/発表者名
      Takashi Mori, Yusuke Azuma, Hideaki Tsuchiya, and Tanroku Miyoshi
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology 第7巻・第2号

      ページ: 237-241

    • NAID

      120002753076

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Influence of Elastic and Inelastic Phonon Scattering on the Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Shin-ichi Takagi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices 第55巻・第9号

      ページ: 2397-2402

    • NAID

      120001460048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulator n-Channel MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Azuma, T. Mori, H. Tsuchiya
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. (c) Vol.5,No.9

      ページ: 3153-3155

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Comparative Study on Drive Currentof III-V Semiconductor, Ge and Si Channeln-MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2008

    • 著者名/発表者名
      T Mori, Y.Azuma, H.Tsuchiya and T.Miyoshi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. On Nanotechnology Nanotechnology Vol.7, No.2,

      ページ: 237-241

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Atomistic Study on Electronic Properties of Nanoscale SOI Channels2008

    • 著者名/発表者名
      T. Hara, Y. Yamada, T. Maegawa, H. Tsuchiya
    • 雑誌名

      J. Physics: Conference Series Vol.109

      ページ: 12012-12012

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Atomistic Study on Electronic Properties of Nanoscale SOI Channels2008

    • 著者名/発表者名
      T.Hara, Y.Yamada, T.Maegawa and H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      J.Physics : Conference Series, Physics : Conference Series Vol.109,012012

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Influence of Elastic and Inelastic Phonon Scattering on the Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, S. Takagi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol.55,No.9

      ページ: 2397-2402

    • NAID

      120001460048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2008

    • 著者名/発表者名
      T. Mori, Y. Azuma, H. Tsuchiya, T. Miyoshi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Nanotechnology Vol.7,No.2

      ページ: 237-241

    • NAID

      120002753076

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulator n-Channel MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Azuma, Takashi Mori, Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. (c) 第5巻・第9号

      ページ: 3153-3155

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Influence of Elastic and Inelastic Phonon Scattering on the Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya and S.Takagi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. On Electron Devices Vol.55, No.9

      ページ: 2397-2402

    • NAID

      120001460048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] 準バリスティックMOSFETにおける弾性散乱および非弾性散乱の役割2007

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第54回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 936-936

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Influences of Elastic and Inelastic Scatterings on Ballistic Transport in MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya and Shin-ichi Takagi
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM07)

      ページ: 44-45

    • NAID

      10022548068

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Influences of Lateral Quantum Confinement on Carrier Transport in Nanoscale Double-Gate MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Kazuya Fujii, Kyosuke Okuda, Hideaki Tsuchiya, and Tanroku Miyoshi
    • 雑誌名

      Abstracts of 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop

      ページ: 141-142

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] On the Performance Limits of Emerging Nano-MOS Transistors: A Simulation Study2007

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Kazuya Fujii, Takashi Mori, Yusuke Azuma, Kyosuke Okuda, and Tanroku Miyoshi
    • 雑誌名

      Proceedings of 2007 7th IEEE Int'l Conf. on Nanotechnology(IEEE-NANO2007)

      ページ: 530-535

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulator n-Channel MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Azuma, Takashi Mori, and Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Abstracts of 34th Int'1 Symp. on Compound Semiconductors

      ページ: 131-131

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Elecron Devices 53・12

      ページ: 2965-2971

    • NAID

      120000946373

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM06)

      ページ: 350-351

    • NAID

      10022545338

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性2006

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No.84

      ページ: 77-82

    • NAID

      110004823562

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol. 53,No. 12

      ページ: 2965-2971

    • NAID

      120000946373

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Elecron Devices 53

      ページ: 2965-2971

    • NAID

      120000946373

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Proc. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2006)

    • NAID

      10022545338

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, K. Fujii, T. Mori, T. Miyoshi
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Electron Devices Vol.53,No.12

      ページ: 2965-2971

    • NAID

      120000946373

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs, IEEE Trans2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori and T.Miyoshi
    • 雑誌名

      on Electron Devices, Vol.53, No.12,

      ページ: 2965-2971

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Proc. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2006)

    • NAID

      10022545338

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法によるナノMOSシミュレーション2006

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No.86

      ページ: 22-27

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [雑誌論文] A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      IEEE Trans. on Elecron Devices 53

      ページ: 2965-2971

    • NAID

      120000946373

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Computational Electronics, 4

      ページ: 35-38

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(11)

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] 擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力-電子電子散乱の影響-2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第52回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 978-978

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, A.Oda, M.Ogawa, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 44

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 44

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.11

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No.74

      ページ: 55-60

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Computational Electronics 4(1-2)

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Carrier Scattering Limited Drive Current in Nano-Scaled MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Silicon Technology, The Japan Society of Applied Physics 74

      ページ: 55-60

    • NAID

      110003311502

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] A First Principles Study on Electronic Band Structures of Nano-Scaled SOI Films2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Teratani, T.Ando, H.Tsuchiya, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Proc. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM2005)

    • NAID

      10022541654

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      J. Computational Electronics 4

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] 量子補正モンテカルロ・分子動力学法による速度飽和の電子濃度依存性解析2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第52回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 19-19

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETにおけるキャリア散乱効果2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第66回応用物理学会学術講演会

      ページ: 750-750

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETの電流雑音特性(2)2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第52回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 1000-1000

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(11)

      ページ: 7820-7826

    • NAID

      10016870571

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Computational Electronics 4(1-2)

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学分科会 シリコンテクノロジー No. 74

      ページ: 55-60

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Computational Electronics Vol.4, No.1-2

      ページ: 35-38

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2005

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, A.Svizhenko, M.P.Anantram, M.Ogawa, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      J. Computational Electronics 4

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560308
  • [雑誌論文] ナノスケールMOSFETにおけるキャリア散乱効果2005

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第66回応用物理学学術講演会

      ページ: 750-750

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Current Noise in Semiconductor nanoscale Devices, Second Int.Symposium on Fluctuations and Noise2004

    • 著者名/発表者名
      T.Miyoshi, H.Tsuchiya, M.Ogawa, A.Asanuma
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE, Noise in Devices and Circuits II Vol.5470-03

      ページ: 28-36

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] 擬似バリスティック輸送したにおけるMOSFETの電流駆動力2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集

      ページ: 769-769

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 No. 65

      ページ: 85-90

    • NAID

      110003309295

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノMOSトランジスタのバリスティック極限性能2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第51回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 973-973

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quasi-Ballistic Quantum Transport of Nano-Scale DG-MOSFETs2004

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Silicon Technology, The Japan Society of Applied Physics 65

      ページ: 85-90

    • NAID

      110003309295

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2004

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, A.Svizhenko, M.P.Anantram, M.Ogawa, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Int.Workshop on Computational Electronics (IWCE-10)

      ページ: 93-94

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2004

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Int.Workshop on Computational Electronics (IWCE-10)

      ページ: 93-94

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] 擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集

      ページ: 769-769

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation2004

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Proc.10th Int.Workshop on Computational Electronics (IWCE10)

      ページ: 93-94

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー 65巻

      ページ: 85-90

    • NAID

      110003309295

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] ナノMOSシミュレーションにおける非平衡グリーン関数法と量子モンテカルロ法の比較2004

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第51回応用物理学関係連合講演会

      ページ: 39-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Transport Modeling of Nano-Scaled MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Proc. of 2003 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2003 IMFEDK)

      ページ: 57-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] サブ10nm MOSFETの準バリスティック量子輸送特性2003

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      第64回応用物理学会学術講演会

      ページ: 798-798

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 42(12)

      ページ: 7238-7243

    • NAID

      10011839858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices2003

    • 著者名/発表者名
      M.Ogawa, H.Tsuchiya, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. Vol. E86-C, No. 3

      ページ: 363-371

    • NAID

      110003214614

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Quantum Transport Modeling of Nano-Scaled MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, M.Horino, M.Ogawa, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      2003 Int.Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2003IMFEDK)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 42(12)

      ページ: 7238-7243

    • NAID

      10011839858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Computational Electronics 2(2-4)

      ページ: 91-95

    • NAID

      120000940919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42

      ページ: 7238-7243

    • NAID

      10011839858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果2003

    • 著者名/発表者名
      土屋 英昭
    • 雑誌名

      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー No. 55

      ページ: 14-19

    • NAID

      110003308652

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Monte Carlo Device Simulation on Nano-Scaled SOl-MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, M.Horino, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      J.of Computational Electronics 2

      ページ: 91-95

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Quantum Transport Modeling of Nano-Scaled MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Proc.of 2003 Int.Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(2003 IMFEDK)

      ページ: 57-58

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Monte Carlo Device Simulation on Nano-Scaled SOI-MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya
    • 雑誌名

      J.of Computational Electronics 2

      ページ: 91-95

    • NAID

      120000940919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Gate Electrode Overlap Effects in Quasi-Ballistic MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki, Tsuchiya
    • 雑誌名

      Silicon Technology, The Japan Society of Applied Physics 55

      ページ: 14-19

    • NAID

      110003308652

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Computational Electronics 2(2-4)

      ページ: 91-95

    • NAID

      120000940919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560295
  • [雑誌論文] Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, M.Horino, M.Ogawa, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42, Part 1, No.12

      ページ: 7238-7243

    • NAID

      10011839858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [雑誌論文] Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, M.Horino, T.Miyoshi
    • 雑誌名

      Int.Workshop on Computational Electronics (IWCE-9)

    • NAID

      120000940919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560296
  • [学会発表] シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析2016

    • 著者名/発表者名
      兼古志郎、岡直左,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K05985
  • [学会発表] 絶縁基板上グラフェンの高電界電子輸送特性2015

    • 著者名/発表者名
      平井秀樹,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K05985
  • [学会発表] 絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析2014

    • 著者名/発表者名
      平井秀樹,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出2014

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭,石田良馬,鎌倉良成,森伸也,宇野重康,小川真人
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス
    • 発表場所
      機械振興会館(東京都港区)
    • 年月日
      2014-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 原子論的アプローチに基づくGeナノワイヤの電子移動度解析2014

    • 著者名/発表者名
      下井田健太,森規泰,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,宇野重康,小川真人
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 単原子層Geナノリボンの電子移動度解析2014

    • 著者名/発表者名
      森規泰,下井田健太,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] ジャンクションレストランジスタの表面ラフネス散乱及び不純物散乱の影響2014

    • 著者名/発表者名
      一居雅人,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] シリセン/ゲルマネン/グラフェンナノリボンFETのバリスティック性能評価2014

    • 著者名/発表者名
      兼古志郎,長谷川直実,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] シリセン/ゲルマネン/グラフェンFETの電子輸送モデリング2014

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭,兼古志郎,平井秀樹,森規泰
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京都港区)
    • 年月日
      2014-07-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Performance projections of III-V channel nanowire nMOSFETs in the ballistic transport limit2013

    • 著者名/発表者名
      Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      International Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析2013

    • 著者名/発表者名
      大森正規,木場隼介,前川容佑,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Performance comparison of graphene nanoribbon, Si nanowire and InAs nanowire FETs in the ballistic transport limit2013

    • 著者名/発表者名
      Naomi Hasegawa, Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      International Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界2013

    • 著者名/発表者名
      大森正規,木場隼介,前川容佑,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] MOS界面における変位ポテンシャル上昇が超薄膜チャネルMOSFETのドレイン電流に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      木場隼介,石田良馬,久保田結子,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] The impact of increased deformation potential at MOS interface on quasi-ballistic transport in ultrathin channel MOSFETs scaled down to sub-10nm channel length2013

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Washington, DC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 短チャネルSi MOSFETの準バリスティック輸送パラメータの抽出2013

    • 著者名/発表者名
      石田良馬,木場隼介,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] バリスティック輸送下でのグラフェンナノリボンFETの性能評価2013

    • 著者名/発表者名
      長谷川直実,下井田健太,土屋英昭,鎌倉良成,森伸也,小川真人
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Electronic band structures of graphene nanomeshes2012

    • 著者名/発表者名
      R. Sako, N. Hasegawa, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      2012 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Junctionlessトランジスタの高濃度チャネルドーピングの影響に関する考察2012

    • 著者名/発表者名
      長井克之,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] グラフェンナノメッシュによるバンド構造エンジニアリング2012

    • 著者名/発表者名
      迫龍太郎,長谷川直実,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 半導体的グラフェンのバリスティック電子輸送特性2012

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭,細川博司,迫龍太郎,長谷川直実,小川真人
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 多重接合されたグラフェンナノリボンの電子伝導2012

    • 著者名/発表者名
      長谷川直実,迫龍太郎,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] A comparative study on drive currents and consumption powers of Si and InAs nanowire MOSFETs based on atomistic ballistic simulation2012

    • 著者名/発表者名
      K. Shimoida, Y. Yamada, R. Sako, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      Eighth Int’l Nanotechnology Conference on communication and cooperation (INC8)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Monte Carlo study on the role of high channel doping in junctionless transistors2012

    • 著者名/発表者名
      K. Nagai, S. Koba, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM12)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 短チャネルIII-V MOSFETの量子輸送効果2012

    • 著者名/発表者名
      前川容佑,木場隼介,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Quantum transport simulation of III-V MOSFETs based on Wigner Monte Carlo approach2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Maegawa, S. Koba, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      2012 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Siナノワイヤ及びInAsナノワイヤMOSFETのワイヤ方向依存性能の比較2012

    • 著者名/発表者名
      下井田健太,山田吉宏,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Wire-orientation dependence in device performances of Si and InAs nanowire MOSFETs under ballistic transport2012

    • 著者名/発表者名
      K. Shimoida, Y. Yamada, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM12)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] バリスティックInAsナノワイヤFETのワイヤ方向依存性2012

    • 著者名/発表者名
      滝口直也,下井田健太,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Band structure and electron transport in multi-junction graphene nanoribbons2012

    • 著者名/発表者名
      N. Hasegawa, R. Sako, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      2012 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Wigner Monte Carlo approach to quantum and dissipative transport in Si-MOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
    • 発表場所
      ホテル阪急エキスポパーク(吹田市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Electron mobility calculations of free-standing Si-nanowires with atomistic electron-phonon interactions2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      2011 International Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] バンドギャップ開口がグラフェンFETのバリスティック性能に及ぼす影響2011

    • 著者名/発表者名
      迫龍太郎,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] SiナノワイヤFETとInAsナノワイヤFETの極限性能比較2011

    • 著者名/発表者名
      滝口直也,澤本俊,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Simulation of electron transport in source and drain electrodes of ultrathin body III-V channel MOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      Yosuke Maegawa, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      2011 International Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] ウィグナーモンテカルロ法に基づくMOSFETの新型量子輸送シミュレータの実現2011

    • 著者名/発表者名
      木場隼介,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー(招待講演)
    • 発表場所
      大阪大学サイバーメディアセンター(吹田市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETとバリスティック性能比較2011

    • 著者名/発表者名
      滝口直也,木場隼介,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] 原子論的電子-フォノン相互作用モデリングによるSiナノワイヤの電子移動度解析2011

    • 著者名/発表者名
      山田吉宏,土屋英昭,小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー(招待講演)
    • 発表場所
      大阪大学サイバーメディアセンター(吹田市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Performance projections of ballistic graphene FETs with bilayer graphene and graphene nanoribbon semiconducting channels2011

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro Sako, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      2011 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      京都リーガロイヤルホテル(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] ナノスケールデバイスのウィグナーモンテカルロシミュレーション2010

    • 著者名/発表者名
      木場隼介, 青柳良, 前中章宏, 王威, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理バリスティックシミュレーションによるSiナノワイヤトランジスタの性能予測2009

    • 著者名/発表者名
      澤本俊, 前川忠史, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 高移勁度チャネルMOSFETの電流駆動力シミュレーション2009

    • 著者名/発表者名
      前中章宏, 松浦慎一郎, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Performance Projection of III-V and Ge channel MOSFETs(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya, Akihiro Maenaka, Takashi Mori, Ynsuke Azuma
    • 学会等名
      Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM09)
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] バリスティック輸送がSi-MOSFETのオフ電流に与える影響2009

    • 著者名/発表者名
      山田吉宏, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Performance Comparisons of Ballistic Silicon-Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects2009

    • 著者名/発表者名
      Haruki Ando, Shun Sawamoto, Tadashi Maegawa, Takeshi Hara, Hironobu Yao, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM09)
    • 発表場所
      仙台国際ホテル(宮城県)
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 高移動度チャネルMOS トランジスタの性能予測シミュレ-ション(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭, 前中章宏, 森隆志, 東祐介
    • 学会等名
      応用物理学会ゲ-トスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • 年月日
      2009-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] ショットキーS/D MOSFETの高バリスティック輸送効率2009

    • 著者名/発表者名
      王威, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係辿合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理バリスティックシミュレーションによるグラフェントランジスタの性能予測2009

    • 著者名/発表者名
      安藤晴気, 澤本俊, 前川忠史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Performance Projection of III-V and Ge channel MOSFETs (invited)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, A. Maenaka, T. Mori, Y. Azuma
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM09)
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理バリスティックシミュレーションによるグラフェントランジスタの性能予測2009

    • 著者名/発表者名
      安藤晴気, 澤本俊, 前川忠史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理バリスティックシミュレーションによるSiナノワイヤトランジスタの性能予測2009

    • 著者名/発表者名
      澤本俊, 前川忠史, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Performance Comparisons of Ballistic Silicon-Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects2009

    • 著者名/発表者名
      H. Ando, S. Sawamoto, T. Maegawa, T. Hara, H. Yao, H. Tsuchiya, M. Ogawa
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM09)
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 高移動度チャネルMOSトランジスタの性能予測シミュレーション2009

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭, 前中章宏, 森隆志, 東祐介
    • 学会等名
      応用物理学会ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • 年月日
      2009-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析2008

    • 著者名/発表者名
      前川忠史, 山内恒毅, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジ-
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2008-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析2008

    • 著者名/発表者名
      前川忠史, 山内恒毅, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      応川物理学会分科会シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2008-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション2008

    • 著者名/発表者名
      山田吉宏, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2008-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング2008

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭, 王威, 高木信一
    • 学会等名
      第69回応川物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレ-ション2008

    • 著者名/発表者名
      山田吉宏, 土屋英昭, 小川真人,
    • 学会等名
      応用物理学会分科会シリコンテクノロジ-
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2008-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] ウィグナー関数モデルによるSiナノワイヤFETの3次元量子輸送シミュレーション2008

    • 著者名/発表者名
      山田吉宏, 土屋英昭
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学
    • 年月日
      2008-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Three-Dimensional Quantum Transport Simulation of Si-Nanowire Transistors Based on Wigner Function Model2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada, H. Tsuchiya
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    • 発表場所
      Hakone
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析2008

    • 著者名/発表者名
      前川忠史, 山内恒毅, 原孟史, 土屋英昭, 小川真人
    • 学会等名
      応用物理学会分科会シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2008-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Three-Dimensional Quantum TransportSimulation of Si-Nanowire Transistors Basedon Wigner Function Model2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamada and H.Tsuchiya
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 2008 International Conferenceon Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Si及び非Si材料MOSFETの準バリスティック動作特性2007

    • 著者名/発表者名
      土屋英昭, 森隆志, 東祐介
    • 学会等名
      More Moore, More Than Mooreにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会(電気学会)
    • 発表場所
      法政大学
    • 年月日
      2007-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価2007

    • 著者名/発表者名
      森 隆志, 東 祐介, 土屋 英昭
    • 学会等名
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー
    • 発表場所
      機械振興会館(東京)
    • 年月日
      2007-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] On the Performance Limits of Emerging Nano-MOS Transistors : ASimulation Study (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya, K.Fujii, T.Mori, Y.Azuma, K.Okuda and T.Miyoshi
    • 学会等名
      Proceedings of 2007 7th IEEE Int'l Conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO2007)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] On the Performance Limits of Emerging Nano-MOS Transistors: A Simulation Study (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, K. Fujii, T. Mori, Y. Azuma, K. Okuda, T. Miyoshi
    • 学会等名
      Proceedings of 2007 7th IEEE Int'l Conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO2007)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] 極薄Ge-on-Insulator(GOI)n-チャネルMOSFETの電流駆動力2007

    • 著者名/発表者名
      東 祐介, 森 隆志, 土屋 英昭
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Influences of Elastic and Inelastic Scatterings on Ballistic Transport in MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuchiya, S. Takagi
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM07)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Influences of Elastic and Inelastic Scatterings on Ballistic Transport in MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      H.Tsuchiya and S.Takagi
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM07)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560334
  • [学会発表] Understanding Carrier Transport in the Ultimate Physical Scaling Limit of MOSFETs

    • 著者名/発表者名
      Hideaki Tsuchiya
    • 学会等名
      The 2014 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2014 IMFEDK)
    • 発表場所
      龍谷大学アバンティ京都ホール(京都市)
    • 年月日
      2014-06-19 – 2014-06-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method

    • 著者名/発表者名
      Ryoma Ishida, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Shigeyasu Uno, and Matsuto Ogawa
    • 学会等名
      The 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2014)
    • 発表場所
      メルパルク横浜(横浜市)
    • 年月日
      2014-09-09 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • [学会発表] Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Small FETs

    • 著者名/発表者名
      Yoshinari Kamakura, Indra Nur Adisusilo, Kentaro Kukita, Go Wakimura, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Nobuya Mori
    • 学会等名
      International Electron Devices Meeting (IEDM2014)
    • 発表場所
      サンフランシスコ(アメリカ合衆国)
    • 年月日
      2014-12-15 – 2014-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560395
  • 1.  三好 旦六 (20031114)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件

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